电子元器件是产品中最基本的组成单元，其质量水平的高低会对整个系统的稳定性和可靠性带来至关重要的影响。电子元器件筛选是通过系列短期环境应力加速试验及测试技术，对整批电子元器件进行全批次非破坏性试验，挑选出具有特性的合格元器件或判定批次产品是否合格接收，提高产品使用可靠性。元器件筛选有何重要性?电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。元器件是整机的基础，电子元器件的固有可靠性取决于产品的可靠性设计，它在制造过程中可能会由于本身固有的缺陷或制造工艺的控制不当，在使用中形成与时间或应力有关的失效。为了保证整批元器件的可靠性，应在电子元器件装上整机、设备之前，就要设法把具有早期失效的元器件尽可能的加以排除，为此就要对元器件进行筛选。电子元器件的固有可靠性取决于产品的可靠性设计，在产品的制造过程中，由于人为因素或原材料、工艺条件、设备条件的波动，最终的成品不可能全部达到预期的固有可靠性。在每一批成品中，总有一部分产品存在一些潜在的缺陷和弱点，这些潜在的缺陷和弱点，在一定的应力条件下表现为早期失效。具有早期失效的元器件的平均寿命比正常产品要短得多。所以元器件的筛选非常重要而且是必要的。一、检查外观质量 这是简单可行的检验方法，能发现一些电子元器件的早期缺陷和采购过程中的损坏。在对电子元器件识别与检测进行时应按照如下操作进行： (1)要检查元器件的型号、规格、厂商、产地必须与设计要求相符合，外包装完好。 (2)检查元器件的外观必须完好，表面没有无凹陷、划伤、裂纹等缺陷，外部如有涂层的元器件必须无脱落和擦伤。 (3)元器件的电极引线要无压折和弯曲，镀层要完好光洁，无氧化锈蚀。(4)元器件上的型号、...
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2021/11/1 11:14:36
如何鉴别元器件真伪？首先需要了解的是原装正货和散新货的区别，这样才能进行元器件真伪鉴别。需要注意的是水货和假货不是一个概念，假货指的是仿冒伪造别人的品牌和型号，水货指的是偷税漏税进来的货，除此之外还有一种翻新货，就是把用过的旧的真货翻新再当新货卖，这些都是有质量隐患的。教您拒绝假货,识别正品,下面一起来看看吧。1、全新原装正货是什么？全新原装正货，就是原厂原字，原包装，原LABLE(LABEL上通常会有完整型号、批号、厂牌、LOT号(IC封装流水线与用的机器码)、整包装数量、编码（可以在其网站上查）、条型码（通常是起防伪的作用））的全新货。由厂家检验所有参数全部合格的。也包括国产原装货。这种货质量很好，批号统一，外观漂亮，客户都愿意接受，只是价格比较高。原装正货，就是直接从原厂出来的原包装货，也许原包装已经拆开或者已经没有原包装，但是依然是原厂原装货。2、散新货是什么？散新按照市场的情况可以分为下列几种情况：1.真正意义上的散新（即没有原包装的原装货）（1）客户需求量低于一个整包装，由于价格驱使，供应商把原来的整包装拆开，以高价出售部分数量的芯片，而剩下的一部分的没有原包装的片子。（2）供应商由于运输的原因，将原封包装的货物拆开，方便运输。（3）年份老的全新货:这类货大多是一些置放时间久了，外观不好的货，只能用作散新处理。（4）还有一部分封装厂来的：因为往往IC的设计单位并不具有自己的晶圆制造厂和封装厂。当一大批晶圆被送往封装厂去进行封装，完成以后IC设计单位可能会因为 资金问题，收不回所有封装好的片子，那么这一部分货封装厂会自己拿去卖，因为他也不需要打上自己的标也不会再做包装来加高成本，所以他们就会散卖。（5）由于封装厂管理的问题，其员工通过非正常途径运出公司的，转手买掉的片子，流入国内的。这类片子因为没有进行最后的包装过程，所以没有外包装，但价格比较优惠有时候比国家级代...
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2021/11/1 11:05:23
电子元器件是组成电子电路的最小单位，其中电阻、电容、电感、二极管、三极管等都是电子电路常用的元器件。在电路中，它们是维修中需要检测和更换的对象。因此本文简要地介绍了一下电子元器件检测流程及标准。办理电子元器件检测流程：1、项目申请——向检测机构监管递交申请。2、资料准备——根据要求，企业准备好相关的认证文件。3、产品测试——企业将待测样品寄到实验室进行测试。4、编制报告——认证工程师根据合格的检测数据，编写报告。5、递交审核——工程师将完整的报告进行审核。6、签发证书——报告审核无误后，颁发证书。电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件，设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的。因此电子元器件符合检测标准由为重要。检测电路板电子元器件的注意事项有哪些1、一般情况下，都需要把它拆下来检测，第一就是电阻类，第二就是电容类，因为这两类元器件在电路当中经常进行的串并联，如确定它们没有串并联，也可以在线检测好坏。2、在测试前最好装回设备上，反复开、关机器试一试，以及多按几次复位键。3、发现有短路现象。拿一块板来割线（特别适合单/双层板），割线后将每部分功能块分别通电，逐步排除。
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2021/11/1 10:55:28
距离测量和目标检测在许多领域发挥着重要作用，包括工厂自动化、机器人应用和物流。特别是在安全应用领域，需要对特定距离的物体或人员进行检测和响应。例如，一旦工人进入危险区域，机械臂就可能需要立即停止操作。因此，飞行时间(ToF)变得越来越重要。使用ToF技术，光从调制光源（如激光）发射，光束经过一个或多个物体反射后由传感器或摄像机捕获。因此，可以通过发射光与接收发射光之间的时间延迟?T来确定距离。时间延迟与摄像机和物体之间的两倍距离（往返）成正比。所以，距离可估算为深度d = (c × Δt)/2，其中c表示光速。ToF摄像机输出2D数据以及所需的深度信息。ToF允许一次记录整个图像。不需要逐行扫描，也不需要传感器和被观察物体之间的相对运动。ToF通常划归为LIDAR（光探测和测距），但它实际上是基于flash LIDAR的方法，而不是扫描LIDAR。利用ToF测量光脉冲的飞行时间基本上有两种不同的方法：基于电荷耦合器件(CCD)技术的脉冲操作模式和连续波(CW)操作模式。在脉冲模式下测量光脉冲发射和接收之间经过的时间，在CW模式下测定发射和接收调制光脉冲之间的相移。这两种操作模式都各有优缺点。脉冲模式更耐环境光，因此更有利于户外应用，因为该技术通常依赖短集成窗口在很短的时间内发出的高能光脉冲。而CW模式可能更容易实现，因为光源不必很短，且具有上升/下降沿。但是，如果精度要求变得更严格，那么将需要更高频率的调制信号，这可能很难实现。现有的像素大小使得芯片分辨率很高，不仅支持距离测量，也支持物体和手势识别。测量距离从几厘米（遗憾的是，并非所有物体都能同样探测到。物体的状况、反射率和速度都会影响测量结果。 图1.飞行时间测量原理图2.ToF系统功能框图测量结果也可能因雾或强烈的阳光等环境因素而失真。环境光抑制有助于解决强烈的阳光导致的失真问题。ADI等半导体制造...
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2021/11/1 10:44:14
TLV411x单电源运算放大器在5 V电压下提供超过300 mA的输出电流。这使得标准引脚输出放大器可用作大电流缓冲器或线圈驱动器应用。TLV4110和TLV4113具有关闭功能。TLV411x在超小型MSOP PowerPAD中提供? 封装，它提供了提供高电流水平放大器所需的特殊热阻抗。所有TLV411x设备均以PDIP、SOIC（单和双）和MSOP PowerPAD（双）的形式提供。
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2021/10/29 14:43:32
LMH6672是一款低成本、双高速运算放大器，能够将信号驱动到电源导轨的1V范围内。它具有单电源xDSL线路驱动器的苛刻应用所需的高输出驱动器和低失真。当作为差分输出驱动器连接时，LMH6672可以驱动50-? 负载为16.8 VPP摆动，仅在?98 dBc失真，完全支持上行全速率ADSL的峰值上行功率电平。LMH6672完全适用于5-V和12-V电源。适用于PCI调制解调器卡和xDSL调制解调器。
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2021/10/29 14:40:43
THS3122和THS3125是低噪声、高速电流反馈放大器，具有高输出电流驱动。这使得它们非常适合任何需要在宽频率和重负载下实现低失真的应用。THS3122和THS3125可以驱动四条串行端接的视频线，同时保持差分增益误差小于0.03%。THS3122和THS3125的高输出驱动能力使设备能够在广泛的输出电压范围内以低失真驱动50-Ω负载：–2 VPP时80 dBc总谐波失真–8 VPP时75 dBc总谐波失真THS3122和THS3125在±5-V至±15-V电源电压范围内工作，同时仅消耗7.2伏电源电压?每个通道的电源电流为mA。THS3125提供低功耗关机模式，将电源电流降低至仅370?a。THS3122和THS3125封装在SOIC、HSOP和HTSSOP封装中。
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2021/10/29 14:36:32
THS3120和THS3121是低噪声、高电压、高输出电流驱动、电流反馈放大器，设计用于在±5 V至±15 V的宽电源范围内工作，适用于当今的高性能应用。当设备未激活时，THS3120通过提供电源下降管脚来降低设备的7 mA静态电流，从而提供节能模式。这些放大器提供调节良好的交流性能特性。最值得注意的是，0.1分贝的平坦带宽非常高，超过了90兆赫。130 MHz的单位增益带宽允许在10 MHz时具有良好的失真特性。THS3120和THS3121放大器与高1700-V/µs转换速率相结合，可在高频下实现高输出电压波动。THS3120和THS3121采用SOIC-8（D）封装和MSOP-8（DGN）PowerPAD封装。
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2021/10/29 14:34:03
THS3092和THS3096是双高压、低失真、高速、电流反馈放大器，设计用于在±5 V至±15 V的宽电源范围内工作，适用于需要大线性输出信号的应用，如引脚、功率FET和VDSL线路驱动器。THS3096具有一个电源下引脚（PD），可将放大器置于低功耗待机模式，并将静态电流从9.5 mA降至500?a。宽电源范围加上10 MHz时的总谐波失真低至-66 dBc，再加上5700 V/?s的高转换率，使THS3092/6非常适合于高压任意波形驱动器应用。此外，THS3092/6能够处理驱动到高电阻和高电容负载的大电压波动，同时保持良好的稳定时间性能，因此非常适合Pin驱动器和PowerFET驱动器应用。THS3092采用8针SOIC（D）封装，8针SOIC（DDA）封装采用PowerPAD?. THS3096采用带PowerPAD的8针SOIC（D）和14针TSSOP（PWP）封装。
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2021/10/29 14:29:37
THS3092和THS3096是双高压、低失真、高速、电流反馈放大器，设计用于在±5 V至±15 V的宽电源范围内工作，适用于需要大线性输出信号的应用，如引脚、功率FET和VDSL线路驱动器。THS3096具有一个电源下引脚（PD），可将放大器置于低功耗待机模式，并将静态电流从9.5 mA降至500?a。宽电源范围加上10 MHz时的总谐波失真低至-66 dBc，再加上5700 V/?s的高转换率，使THS3092/6非常适合于高压任意波形驱动器应用。此外，THS3092/6能够处理驱动到高电阻和高电容负载的大电压波动，同时保持良好的稳定时间性能，因此非常适合Pin驱动器和PowerFET驱动器应用。THS3092采用8针SOIC（D）封装，8针SOIC（DDA）封装采用PowerPAD?. THS3096采用带PowerPAD的8针SOIC（D）和14针TSSOP（PWP）封装。
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2021/10/29 14:27:12
OPA2614在宽带、高增益带宽、电压反馈结构中提供极低的1.8nVHz输入噪声。用于xDSL驱动器应用的OPA2614还支持这种低输入噪声和极低的谐波失真，特别是在差分配置中。提供足够的输出电流以驱动双绞线的潜在重负载。在+5V至+12V电源范围内工作的2VPP差分输出的谐波失真为≤ –80dBc至1MHz输入频率。OPA2614在低6.0mA/ch电源电流下工作，可在广泛的电源电压范围内满足大多数xDSL驱动器的要求–从单个+5条件到±5V，再到单个+12V设计。单一+5V电源上的通用应用将受益于此降低电源电压下的高输入和输出电压摆幅。基带I/Q接收机信道可以实现几乎完美的信道匹配，具有噪声和失真，以支持5MHz以上的信号，动态范围大于14位。
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2021/10/29 14:24:53
THS6214是一种双端口、电流反馈结构、差分线路驱动放大器系统，是xDSL系统的理想选择。该设备适用于支持G.993.2 VDSL2 17a配置文件的超高速数字用户线路2（VDSL2）线路驱动系统，该系统支持大于14.5 dBm的线路功率。该设备的速度也足以支持高达30 MHz的14.5 dBm线路功率的中央办公室传输。该设备还可作为线路驱动器应用的宽带或宽带电力线通信（PLC）放大器。THS6214独特的结构使用最小的静态电流，仍然可以实现非常高的线性度。在全偏置条件下，差分失真在1 MHz时为-93 dBc，在10 MHz时仅降至-73 dBc。放大器的固定多个偏置设置允许在不需要放大器的全部性能的情况下，提高线路长度的功率节省。为了实现更大的灵活性和节能，可使用可调电流引脚（IADJ）进一步降低偏置电流。43.2 VPP（100-Ω差分负载）的宽输出摆幅，带±12 V电源，加上超过416 mA的电流驱动（25-Ω负载），允许宽动态净空，保持最小失真。THS6214在VQFN-24或HTSSOP-24电源板中提供™ 包裹
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2021/10/29 14:22:35
OPA2670提供新兴xDSL和电力线调制解调器驱动器应用所需的高输出电流和低失真。OPA2670在单个+12V电源上工作，消耗低30.5mA静态电流，以提供非常高的700mA输出电流。该输出电流甚至支持最苛刻的xDSL要求，最小输出电流大于450mA（+25°C最小值），谐波失真低。差分驱动器应用在全速率ADSL的峰值上行功率水平下提供小于–71dBc的失真。高320MHz带宽还支持最苛刻的VDSL2线路驱动器要求。电源控制功能可使系统电源最小化。两条逻辑控制线允许四种静态电源设置，包括全功率、66%功率、33%功率和关机。
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2021/10/29 14:20:31
ALM2402-Q1 是一款具有保护功能的双路高电压、高电流运算放大器，非常适合用于驱动低阻抗和/或高等效串联电阻 (ESR) 的容性负载。 ALM2402-Q1 由 5.0V 至 16V 范围内的单电源或分离电源供电运行，可提供高达 400mA 的直流输出。每个运算放大器均具有过热标志以及过热关断功能。 该器件还为每个输出级提供了独立的电源引脚，允许用户对输出施加较低电压以限制 Voh，从而限制片上功耗。ALM2402 提供有 12 引脚无引线 DRR 封装和 14 引脚带引线散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) 封装（预览）。 这两种封装均包含导热焊盘，有助于散热。 而且这两种封装的热阻均非常低，能够以最低的芯片温升实现最佳电流驱动能力， 从而使客户在恶劣的温度条件下也能够获得较高的驱动电流。 可从下图中确定器件的最大功耗。
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2021/10/29 14:17:18
OPA521 是一种线路驱动器功率放大器，符合 CENELEC 频带 A、B、C、D 和 ARIB STD-T84、FCC 第 15 部分的电力线通信 (PLC) 传导发射要求。此器件在高电流、低阻抗且具有无功负载的线路上最高可提供 2.5A 电流。OPA521 具备优化的内部保护结构，因此它只需极少的外部保护组件，实现具有经济效益且节省空间的系统。OPA521 带宽为 3.8MHz，可提供 –7V/V 的闭环增益。此单片集成型电路为电源线通信应用提供 高可靠性。OPA521 线路驱动器由 7V 至 24V 电压的单电源供电。在典型负载电流情况下（IOUT = 2.5A，最大值），宽输出摆幅能够以 24V 的标称电源电压提供 10VPP 电压。此器件具有过热和短路保护。故障检测标志显示电流和热限值。提供有一个关断引脚，利用该引脚可将器件置于低功耗状态，消耗电流为 58?A（典型值）。OPA521 可提供表面贴装式 5mm × 5mm 20 引脚 VQFN (RGW) 封装。此器件可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业结温范围内正常运行。
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2021/10/29 14:14:14
热电偶（thermocouple）是把两种不同材料的金属的一端连接起来，利用热电效应来测量温度的传感器。本文主要介绍了用作三相霍尔传感器无刷直流驱动器的Z16FMC微控制器。该微控制器具有使用多电机开发套件的片上集成应用程序阵列，该套件可提供快速而精确的故障控制，以及高系统效率和易于定制的应用程序固件开发。基于三相霍尔传感器无刷直流驱动器的Z16FMC微控制器硬体设计该设计涉及以闭环或开环方式运行BLDC电动机，其速度由电位计设置。如架构图所示，该设计通过Z16FMC微控制器PWM模块生成PWM电压，以运行BLDC电机。显示器运行时，三个霍尔传感器的状态根据转子位置而变化。根据传感器的状态（换向）切换三相的电压。霍尔传感器每60度中断一次捕获计时器刻度，以测量电动机的转子速度。在电流过载，欠压或过压以及温度过高的情况下，可以使用其他外围功能来保护系统。以下各节介绍了硬件。三相桥式MOSFET三相桥式MOSFET由六个以桥式连接的MOSFET组成，用于驱动BLDC电机的三相。直流母线保持在24 V，这与BLDC电机的额定电压相同。每个高端和低端MOSFET相对都使用单独的Hi-Lo栅极驱动器，从而使硬件设计更简单，更可靠。自举电容器充电会驱动高端MOSFET。使用分压器将其降低至合适的值可监控直流母线电压，在直流回路中并联一个分流器可监控直流母线电流。NTC型温度传感器提供与温度成正比的模拟电压输出。PWM模块Z16FMC微控制器包含一个在此应用中配置为以互补模式运行的6通道，12位PWM模块。开关频率设置为20 kHz。PWM输出根据霍尔传感器的输入进行控制。霍尔传感器的输入确定了三相桥式MOSFET的开关顺序。PWM的占空比与加速器电位计输入成正比。占空比的变化控制通过电动机绕组的电流，从而控制电动机转矩。换向逻辑霍尔传感器连接到Z16FMC微控制器上的端口PD3，PD4...
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2021/10/29 14:07:30
静电放电 (ESD) 现象从一开始就存在。我们第一次接触 ESD 往往是在孩童时代，在干燥的冬日触碰金属门把手时，会有种触电的感觉——这就是静电放电。这种短暂的不适感通常对人类来说不是问题，但是即使是少量的 ESD 也有可能会损毁敏感电路。 手机设计人员一直都面临着何时以及如何解决这一自然现象的挑战。本博客解释了系统级 ESD 保护为何如此重要，同时使大家能够了解提高移动设备中系统级 ESD 保护的测试模型和战略。ESD 模型和波形的测试人体和衣服一天可存储 500 V 至 2,500 V 静电电荷，但是人类只能感受到 3,000 至 4,000 V 的 ESD 脉冲。这远高于电子电路受损的水平，即使人类无法检测到。设计人员必须从多方面解决 ESD 问题，对组件制造商来说，是在其设计阶段和设计工作结束之时。简而言之，ESD 保护需要一种多层面方案。通常，集成电路 (IC) 制造商按照 ESD 行业标准设计、测试和验证其 IC。这可防止在 IC 生产或在 PC 板上组装时出现物理损坏。针对 ESD，通常进行的两种测试包括：● 人体模型 (HBM)。这种测试模拟人体通过接触 IC 释放所积累的静电的 ESD 事件。采用一个带电的 100 pF 电容和一个 1.5 k? 放电电阻进行模拟。● 带电设备模型 (CDM)。这种测试模拟在生产设备和工艺中发生的充电和放电事件。设备在一些摩擦工艺中或静电感应过程中获得电荷，然后突然接触到一个接地物体或表面。虽然设备级测试有助于衡量 IC 的 ESD 稳健性，但系统级测试可衡量现场的电子设备保护（即原始设备制造商 [OEM] 设备或终端产品）。为了更好地了解最终产品所需的 ESD 保护，OEM 应采用系统级 ESD 方法进行设计，然后按照国际...
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2021/10/29 13:45:52
在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。关键要点在重负载时，如果trr较长，则超前臂关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。在PSFB电路中，在反向恢复期间体二极管的偏置电压几乎为0V，因此电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。在PSFB电路中使用trr小的MOSFET很重要。即使是快速恢复型SJ MOSFET，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。在逆变器电路等电路中，在正向电流流过MOSFET的体二极管的状态下，通过施加高反向偏置电压，强制使体二极管中的电荷（Qrr）被快速释放。这种放电所需时间为trr，因此最终会导致trr变短。而在PSFB电路中，在反向恢复期间施加到体二极管的偏置电压几乎为0V，这会使电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。下图为超前臂MOSFET的VDS、ID和反向恢复电流示意图。当trr变长时，反向恢复所产生的电流会发生变化，如图中红色虚线所示。也就是说，当关断时，MOSFET中有电荷残存，这使得电流更容易流动，使寄生双极晶体管更容易误导通。t0～t1：从MOSFET的输出电容放电，正向电流开始流过体二极管。t1～t3：体二极管导通的时间段。t1～t5：MOSFET导通，处于导通状态的时间段。t3～t4：体二极管流...
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2021/10/29 13:35:57