MAAM-007501-SA2002放大器是一种离散混合设计，它使用薄膜制造工艺来实现精确的性能和高可靠性。这种单级PHEMT反馈放大器设计在宽带频率范围内显示出令人印象深刻的性能。该设计还采用了阻抗变压器，并使用射频扼流圈进行电源去耦。表面安装封装是密封的，并且可以进行MIL-STD-883环境屏蔽。特征·低噪声系数：2.5 dB（典型值）·高三阶IP:+40.0 dBm·输出功率：+27 dBm（典型值）
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2025/9/10 14:42:00
HMC390LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为3.55至3.9 GHz。 采用3V单电源(42 mA)时，输出功率为4.7 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。特征+4.7 dBm相位噪声：-112 dBc/Hz@100 KHz无需外部谐振器单电源：3V@42 mAQFN无引线SMT封装，16mm2应用•无线本地环路（WLL）•VSAT和微波无线电•测试设备和工业控制•军事
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2025/9/10 14:36:34
Mini-Circuits的LFCG-1525+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到1525MHz，支持各种应用。该模型提供了1.0 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特征•低损耗，典型值为1dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，5.5W•尺寸极小的0805（0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•军事无线电应用•警用移动电台
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2025/9/9 15:21:27
BFHK-8501+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。7.5-8.8 GHz的通带损耗低至3.1 dB，典型的阻带抑制在90 dB到25 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为90 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:13:26
BFHK-6251+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。5.35–6.7 GHz的通带损耗低至3.2 dB，典型的阻带抑制在76 dB到15.5 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为76 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:10:01
BFHK-1272+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。11.9–12.8 GHz的通带损耗低至2.9 dB，典型的阻带抑制在100 dB到31 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为100 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:07:38
BFHK-1072+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。9.2-11.3 GHz的通带损耗低至3.1 dB，典型的阻带抑制在90 dB到30 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为90 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:04:48
表面贴装陶瓷谐振器滤波器都采用坚固的结构，能够承受多次苛刻的回流循环。通过精确的调谐和过程控制，实现了跨单元的出色可重复性。特征高抑制，典型值60 dB。部分带宽：2.5%卓越的功率处理：5瓦低剖面屏蔽封装，10x12mm应用测试与测量射电天文学
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2025/9/9 15:00:40
BFHKI-4951+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为4.3至5.3 GHz，支持多种应用。该模型实现了高达12.3 GHz的60 dB典型阻带抑制，并能够安装在共面波导布局上。该滤波器采用4.95毫米乘3.65毫米的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了3.8 dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征带集成插入板的LTCC带通滤波器宽阻带抑制型。高达12.3 GHz的60 dB小尺寸，4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备
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2025/9/9 14:57:49
并行/串行选择可使用并行或串行接口进行控制，PE43711的P/S引脚提供此选择功能。P/S=LOW时选择并行接口，P/S=HIGH时选择串行接口。并行模式接口并行接口由七条CMOS兼容的控制线组成，用于选择所需的衰减状态，如表4所示。并行接口的时序要求在表8（并行接口时序图）、表4（并行接口直流特性）和开关时间（表3）中定义。对于锁存并行编程，锁存使能（LE）在更改衰减状态控制值时应保持为低电平，然后将LE从高电平脉冲至低电平（见表4）以锁存新值。在直接并行编程中，LE线应拉高。更改衰减状态控制值将直接使器件状态变为新的衰减值。直接模式适用于手动控制器件（使用硬件、开关或跳线）。串行接口串行接口是一个8位移位寄存器，后接一个透明锁存器。这8位构成一个衰减字，用于控制DSA。图3中的时序图示例说明了编程一个状态的时序。串行接口使用三条CMOS兼容的信号进行控制：时钟（CLK）、串行输入（SI）和LE。SI和CLK输入允许串行数据被移入。数据应在时钟的上升沿串行锁存，先输入最高位。在加载移位寄存器时，必须将LE保持为低电平，以防止衰减值在数据输入期间发生变化。当所有数据输入完成后，应将LE拉高，然后再拉低，将新数据锁存并送入DSA。表5中列出了串行寄存器的编程示例。图2为串行寄存器的逻辑真值表，图3为串行时序图示例。当DSA工作在串行模式时，所有并行控制输入必须接地。上电控制设置PE43711在上电时将始终初始化为衰减设置（31.75 dB）和下一个编程字。在直接并行模式下，该设置将保持不变，直到用户重新编程该字。在DSA上电期间，可通过在电源接通前预设并行控制引脚的状态，将衰减范围预设为31.75 dB以内的任何状态。在此模式下，DSA有400 μs的上电时间延迟，器件在此期间完成初始化。在上电期间，衰减设置（31.75 dB）在默认为用户定义状态之前有效。如果控制引脚悬空...
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2025/9/9 14:38:00
AD8190是一款HDMI/DVI开关，具有均衡TMDS输入和预加重TMDS输出，非常适合配置较长电缆的系统。输出可以设置为高阻抗状态，以降低功耗，并且/或者利用线“或”技术构建较大的阵列。AD8190提供节省空间的56引脚LFCSP表贴无铅塑封封装，额定工作温度范围为-40°C至+85°C。特征• 2路输入、1路输出HDMI/DVI链路• 支持HDMI 1.2a兼容型接收机• 每链路4个TMDS通道支持250 Mbps至1.65 Gbps数据速率支持25 MHz至165 MHz像素时钟均衡输入支持使用HDMI长电缆（20米、1080p）完全缓冲的单向输入/输出• 可开关控制的通用50 Ω片内端接电阻预加重输出低附加抖动单电源供电(3.3 V)• 56引脚、8 mm × 8 mm LFCSP无铅封装应用多输入显示器投影仪A/V接收器机顶盒高级电视机（HDTV）
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2025/9/8 14:52:57
OP727是一款精密、双通道、轨到轨输出、单电源运算放大器，具有微功耗特性和轨到轨输出范围。OP777、OP727和OP747放大器性能超越采用±15V电源的工业标准OP07，此外还提供更进一步的优势，例如低至+3.0V的真正单电源操作和令任何其他高压精密双极性放大器相形见拙的更小封装选项。输出稳定，容性负载超过1000pF。电源电压为5 V时，每个放大器的电源电流小于300 μA。其内置500 Ω串联电阻可以保护输入信号，允许输入信号电平高出正电源电压若干伏特，并保证无反相。特征• 低失调电压：100 µV（最大值）• 低输入偏置电流：10 nA（最大值）• 单电源供电：3.0 V至30 V• 双电源供电：±1.5 V至±15 V• 低电源电流：每个放大器300 µA（最大值）• 单位增益稳定• 无反相应用电流传感（分流）线路或电池供电仪器遥感器精密过滤器OP727 SOIC引脚与LT1013兼容
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2025/9/8 14:50:24
AD9236是一款单芯片、12位、80 MSPS模数转换器（ADC），采用3 V单电源供电，内置一个高性能采样保持放大器（SHA）和基准电压源。它采用多级差分流水线架构，内置输出纠错逻辑，在80 MSPS数据速率时可提供12位精度，并保证在整个工作温度范围内无失码。利用宽带宽、真差分采样保持放大器（SHA），用户可以选择包括单端应用在内的各种输入范围和偏移。该器件适用于在连续通道中切换满量程电平的多路复用系统，以及采用远超过Nyquist速率的频率对单通道输入进行采样。与以前的模数转换器相比，AD9236的功耗有所降低，适用于通信、成像和医疗超声等应用。采用一个单端时钟输入来控制所有内部转换周期。一个占空比稳定器（DCS）用来补偿较大的时钟占空比波动，同时保持出色的性能。数字输出数据格式为标准二进制或二进制补码。超量程（OTR）信号表示溢出状况，可由最高有效位来确定是下溢还是上溢。特性• 3 V单电源供电（2.7 V至3.6 V）• 信噪比（SNR）：70.4 dBc（至Nyquist频率）• 无杂散动态范围（SFDR）：87.8 dBc（至Nyquist频率）• 低功耗：366 mW （80 MSPS）• 低功耗：366 mW （80 MSPS）
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2025/9/8 14:48:24
AD7694是一款16位、250 kSPS、电荷再分配、逐次逼近型模数转换器（ADC），采用2.7 V至5.25 V单电源（VDD ）供电。该器件内置一个极低功耗、高速、16位无失码采样ADC（B级）、一个内部转换时钟和一个SPI兼容串行接口端口，还集成了一个低噪声、宽带宽、极短孔径延迟的采样保持电路。在CNV上升沿，AD7694对IN+与IN-之间的模拟输入电压差进行采样，范围从0V至REF。基准电压（REF）由外部提供，最高可设置为电源电压。特征• 16位分辨率• 吞吐量：250 kSPS• 积分非线性（INL）：最大值±4 LSB• 功耗：800 µA @ 5V/100 kSPS540 µA @ 2.7V/100 kSPS• 伪差分模拟输入范围： 0 V ～ VREF （VREF最高为VDD）应用• 电池供电设备• 医疗仪器• 移动通信• 个人数字助理• 数据采集• 仪器仪表• 过程控制
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2025/9/8 14:46:51
LTC®5587 是一款 10MHz 至 6GHz、低功率、单片式、精准 RMS 功率检波器，具有一个集成 12 位串行模数转换器 (ADC)。RMS 检波器采用一种专有技术来准确地测量具有高达 12dB 波峰因数的调制信号的 RF 功率。对于一个 2.14GHz 的输入频率，检测范围为 -34dBm 至 6dBm。检波器的串行数字输出是一个与 RF 信号功率 (单位：dBm) 成正比的 12 位字值。LTC5587 适合于多种 RF 标准的精准功率测量，包括 LTE、WiMAX、W-CDMA、TD-SCDMA、CDMA、CDMA2000、EDGE、GSM 等。检波器的 DC 输出与一个片内 300Ω 电阻器相串联，并连接至模拟输出引脚 (VOUT)。这使得能够在模数转换之前采用一个片外电容器对输出调制纹波实施进一步的滤波处理。ADC 的特点包括：无数据延迟、无漏失码和一个高达 500ksps 的采样速率。一个专用的外部基准引脚 (VREF) 可连接至 VDD 或其他合适的低阻抗电压基准，以设定 ADC 全标度输入电压范围。另外，ADC 还具有一种在每次转换之后的自动断电功能，从而使 LTC5587 非常适合于低功率应用。特征• 频率范围：10MHz 至 6GHz• 高波峰因数 (高达 12dB) 波形的准确功率测量• 40dB 对数线性动态范围• 在整个温度范围内提供了出色的准确度• 单端 RF 输入• 0.014dB/位 (12 位) ADC 分辨率 (VREF = 1.8V)• ADC 采样速率高达 500ksps• SPI/MICROWIRE 串行 I/O• 与 1V 至 3.6V 数字逻辑相兼容• 快速响应时间：1μs 上升时间，8μs 下降时间• 低功率：3mA (在 3.3V 和 500ksps)• 小外形 3mm x 3mm 12 引脚 DFN 封...
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2025/9/8 14:41:34
SLG59H1019V是一款高性能的13米Ω NMOS负载开关设计用于控制4.5 V至25.2 V的电源轨，最高可达5 A。使用专有的MOSFET设计，SLG59H1019V实现了稳定的13 mΩ RDSON的输入电压范围很宽。结合新型FET设计和铜柱互连，SLG59H1019V封装还具有低热阻，适用于大电流操作。SLG59H1019V的设计工作温度范围为-40°C至85°C，采用低热阻、符合RoHS标准、1.6 mm x 3.0 mm STQFN封装。特征•低RDSON：13 mΩ•最大持续电流：5A；•工作电压范围：4.5 V≤VIN≤25.2 V•VIN（OVLO）：已禁用•车辆识别号（UVLO）：3.1 V，固定•电容器可调启动和浪涌电流控制•两级过电流保护：•电阻器可调有效电流限制为5A•固定0.5 A短路电流限制应用•电信设备•高性能计算•负载点配电•电机驱动器
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2025/9/5 14:54:28
74CBTLV3125提供了一个4位高速总线开关，具有单独的输出启用输入（1OE至4OE）。开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟进行连接。当输出启用（nOE）输入为高时，开关被禁用（高阻抗OFF状态）。为确保通电或断电期间的高阻抗OFF状态，nOE应通过上拉电阻器连接到VCC。电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。控制输入端的施密特触发器动作使电路在2.3V至3.6V的整个VCC范围内能够容忍较慢的输入上升和下降时间。该设备完全适用于使用IOFF的部分断电应用。IOFF电路禁用输出，防止设备断电时通过设备的破坏性回流电流。特征•电源电压范围为2.3 V至3.6 V•标准“125”型引脚•高抗噪性•符合JEDEC标准：•JESD8-5（2.3V至2.7V）•JESD8-B/JESD36（2.7伏至3.6伏）•ESD保护：•HBM JESD22-A114F超过2000V•MM JESD22-A115-A超过200伏•CDM AEC-Q100-011 B版超过1000V• 5 Ω 切换两个端口之间的连接•数据I/O端口上的轨对轨切换•CMOS低功耗•根据JESD78B I级A级，闭锁性能超过250mA•IOFF电路提供部分断电模式操作•多种包装选项•规定范围为-40℃至+85℃和-40℃至+125℃
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2025/9/5 14:51:02
SLG59H1401C是一款高压GreenFET负载开关，专为OR或手动电源MUX应用而设计。该部件配有两个3A额定负载开关，非常适合具有多个电源的各种系统。该设备将自动检测、选择并在可用输入之间无缝转换。此外，允许在两个电源轨之间手动切换。特征•两个带公共输出的3A负载开关•两个集成VGS充油泵•工作范围广：2.8 V至6 V•可调输出软启动时间（SS）•低RDSON:52 mΩ（典型值）•可调优先级（精度•可调过电压保护（精度•通道状态指示（ST）•欠压锁定•真正的反向电流阻断•热关断和可调电流限制保护应用•电源轨切换•多功能打印机•大幅面复印机•电信设备•高性能计算5V负载点配电•电机驱动器
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2025/9/5 14:49:08