2024年7月4日–作为持续致力于提供强大、前沿的智能图像感知技术的一部分，安森美（onsemi）宣布已完成对SWIR Vision Systems的收购。SWIR Vision Systems是胶体量子点（CQD）短波红外（SWIR）技术的供应商，该技术扩展了可检测光的光谱范围，可以透视物体并捕捉以前无法捕捉到的图像。安森美将这一专利技术整合到其业界的 CMOS 传感器中，将显著增强公司的智能感知产品组合，并为工业、汽车等关键市场的进一步发展铺平道路。CQD 使用具有独特光学和电子特性的纳米颗粒或晶体，可以精确调节以吸收更宽范围波长的光。这项技术将系统的可视性和检测范围从标准 CMOS 传感器波长扩展到了 SWIR 波长。迄今为止，由于传统砷化镓铟（InGAas）工艺的高昂成本和制造复杂性，SWIR 技术的应用受到了限制。通过此次收购，安森美将把硅基 CMOS 传感器和制造专长与 CQD 技术相结合，以更低的成本和更高的产量提供高度集成的 SWIR 传感器。这将带来结构更紧凑、成本效益更高的成像系统，具有更宽的光谱，可广泛应用于商业和工业领域。这些SWIR 传感器能够透视高密度材料、气体、织物和塑料，这在许多行业都非常重要，特别是在监控系统、硅检测、机器视觉成像和食品检测等工业应用中。在自动驾驶汽车成像领域，更高的光谱范围将产生更好的可视性，使得在极端黑暗、浓雾或冬季眩光等恶劣条件下也能更好的视物。SWIR Vision Systems 现已成为安森美的全资子公司，其技术精湛的团队将并入公司的智能感知事业群。该团队将继续在北卡罗来纳州运营。此次收购预计不会对安森美近期至中期的财务展望产生重大影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/9 15:17:54
据报道，英伟达AI GPU H200上游芯片端于Q2下旬起进入量产期，预计在Q3以后大量交货。但英伟达Blackwell平台上市时程提前至少一到两个季度，影响终端客户采购H200的意愿。供应链指出，目前待出货的客户端订单仍多集中于HGX架构的H100，H200比重有限，Q3将量产交货的H200主要为英伟达DGX H200；至于B100则已有部分能见度，预计出货时程落在明年上半年。H200作为H100 GPU的迭代升级产品，基于Hopper架构，首次采用了HBM3e高带宽内存技术，实现了更快的数据传输速度和更大的内存容量，尤其针对大型语言模型应用表现出显著优势。根据英伟达官方发布的数据，在处理诸如Meta公司Llama2这样的复杂大语言模型时，H200相较于H100在生成式AI输出响应速度上最高提升了45%。H200被定位为英伟达在AI计算领域的又一里程碑式产品，不仅继承了H100的优势，还在内存性能上取得了重大突破。随着H200的商业化应用，对高带宽内存的需求预期将持续攀升，这将进一步带动整个AI算力硬件产业链的发展，特别是HBM3e相关供应商的市场机会。而B100 GPU将采用液冷散热技术。散热成为芯片性能提升的关键因素，英伟达H200 GPU的TDP为700W，保守估计B100的TDP接近千瓦，传统风冷或不能满足芯片工作过程中对于散热需求，散热技术将全面向液冷革新。英伟达CEO称，从B100 GPU开始未来所有产品的散热技术都将由风冷转为液冷。银河证券认为，英伟达推出B100GPU在性能方面至少是H200的两倍，将超过H100的四倍，而芯片性能的提升一方面来源于制程，另一方面散热也成为芯片性能提升的关键因素，英伟达H200 GPU的TDP为700W，保守估计B100的TDP接近千瓦，传统风冷或不能满足芯片工作过程中对于散热需求，散热技术将全面向液冷革新。免责声明：本文为...
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2024/7/9 15:02:50
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出专为电子引爆系统设计的新型系列TANTAMOUNT™表面贴装固体模压型片式钽电容器---TX3。Vishay Sprague TX3系列器件机械结构牢固，漏电流（DCL）低，具有严格的测试规范，性能和可靠性优于商用钽电容器和MLCC。日前发布的电容器DCL仅为0.005CV，与其他电容技术相比，钽电容器能量密度高，可提供更高能量确保正确起爆，是采矿和拆除应用远程引爆系统的理想选择，满足可靠放电的要求。该器件的钽阳极技术与Vishay业界出色的介质成型技术相结合，确保严苛环境下稳定的电气性能。为保证可靠性，TX3系列电容器的测试规范比标准商用器件更加严格。每个产品均采用标准筛选法进行100%浪涌电流测试，并对关键电气特性进行二次额外筛查，以消除批次间误差。为提供可靠解决方案，器件容芯和引线框采用硬塑料树脂封装。与MLCC相比，电容器符合MIL-STD-202测试标准，具有更高的抗冲击（100 g）和抗震动（20 g）能力。TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 µF至100 µF，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/5 10:51:27
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。 碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ³ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/2 11:49:35
据中国信通院发布数据显示，2024年5月，国内市场手机出货量3032.9万部，年增16.5%；其中，5G手机2553.1万部，年增26.6%，占同期手机出货量的84.2%。1月至5月，国内市场手机出货量1.22亿部，年增13.3%，其中5G手机1.02亿部，年增20.3%，占同期手机出货量的83.9%。2024年5月，国产品牌手机出货量2530.1万部，年增12.8%，占同期手机出货量83.4%；上市新机型46款，年增48.4%，占同期手机上市新机型数量的93.9%。1月至5月，国产品牌手机出货量1.02亿部，年增18.8%，占同期手机出货量的83.4%；上市新机型166款，年减1.8%，占同期手机上市新机型数量92.7%。智能手机的部分，2024年5月出货量为2860万部，年增13.5%，占同期手机出货量的94.3%；上市新机型37款，年增37.0%，占同期手机上市新机型数量的75.5%。1月至5月，智能手机出货量1.15亿部，年增11.1%，占同期手机出货量的94.4%；上市新机型130款，年减17.7%，占同期手机上市新机型数量的72.6%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/2 11:46:50
据韩媒BusinessKorea报道，美光科技采取大胆的战略举措，跨越第四代高带宽内存HBM3，直接进军第五代HBM3E，旨在抢占下一代HBM市场的重要份额。这一决定已经开始得到回报，美光获得了Nvidia的订单并开始增加供应量，最终于去年底向Nvidia全面供应HBM3E。3月份，SK海力士开始量产并交付8层HBM3E，三星也于4月份紧随其后。4月底，SK海力士原计划在今年Q3完成12层HBM3E的开发，并于明年供货。然而，仅仅一周之内，SK海力士就修改了路线图，“5月份提供样品，第3季度量产”。据业内人士消息，美光在2024财年第3季度财报电话会议上宣布，其第五代HBM3E在此期间的收入超过1亿美元。这一里程碑凸显了美光科技积极进军HBM市场，预计明年将占据超过20%的市场份额，并计划将份额提高至25%。韩国投资证券评论了三星的进展，表示：“三星的HBM3E Nvidia认证正在取得进展，目标是在第三季度完成8层，在第四季度完成12层。如果没有三星电子，就不可能确保充足的HBM供应。从Nvidia的角度来看，它别无选择，只能积极争取三星电子的认证。”三星电子在其HBM战略中一直积极主动，发言人表示：“今年，我们将HBM供应量比去年增加了三倍多，以位数计算。明年，我们计划供应量是去年的两倍多就像今年一样。”三星目前正在向客户供应12层产品样品，并计划明年量产12层HBM3E。目前占据HBM市场53%份额的SK海力士决定将原定于2026年量产的12层HBM4提前至明年。该公司还计划在其清州M15x工厂建立一个集成的HBM生产工艺，包括EUV设备，计划于2025年竣工，并于2026年第三季度投入运营。拥有9% HBM市场份额的美光科技正在考虑将其马来西亚工厂转变为HBM专用生产线，并扩大其在台湾台中的HBM生产线。此外，美光在日本的新广岛工厂将作为HBM生产基地，进一步巩固其...
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2024/7/2 11:43:35
光电耦合器（Optocoupler）是一种能够实现电气和光电信号隔离的器件，通常由发光二极管和光敏晶体管构成。针对光电耦合器进行好坏检测，可以按照以下步骤进行：目视检查：首先，检查光电耦合器外观是否有物理损坏，如是否有裂纹、烧坏痕迹等。电气测试：连接光电耦合器至测试电路中，通常光电耦合器的引脚分为输入端和输出端。通过万用表或示波器等仪器，测量输入端施加的电压和输出端接收的电压信号，以确定是否有输入到输出间隔离效果。通常需要在输入端施加一个合适的电压或电流信号来触发输出端的响应。光电测试：使用一个LED或其他光源照射光电耦合器的发光二极管（LED）部分，观察光敏晶体管（光敏二极管）是否能够输出相应的信号，以检验光电转换功能是否正常。测试输出参数：测量光电耦合器输出信号的电压、电流等参数，确保输出信号符合预期的范围。综合检测：综合考虑电气测试、光电测试和输出参数测试的结果，判断光电耦合器的好坏情况。请注意，在测试光电耦合器时，应根据具体器件规格书和厂家提供的测试方法进行操作，防止误操作导致器件损坏。
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2024/7/1 17:24:35
意法半导体此次在MWC上海 (6月26-28日) 展出的ST4SIM-300方案符合即将出台的 GSMA eSIM IoT部署标准。其又被称为SGP.32，这一标准引入了特殊功能，方便管理接到蜂窝网络的物联网设备。为安全资产跟踪和数十亿台智能家居、工厂和城市设备数据安全处理赋能2024 年 6 月 26 日，中国——意法半导体此次在MWC上海 (6月26-28日) 展出的ST4SIM-300方案符合即将出台的 GSMA eSIM IoT部署标准。其又被称为SGP.32，这一标准引入了特殊功能，方便管理接到蜂窝网络的物联网设备。意法半导体边缘设备验证和M2M蜂窝营销经理 Agostino Vanore 表示：“ST4SIM-300 IoT eSIM解决方案利用即将出台的 GSMA新规范， 增强设计灵活性，简化了网络运营商的切换操作，并简化了对大量连接设备的管理过程。在一个连接量越来越多、安全保护越来越严密的世界中，新产品将能够在全球无缝跟踪资产，将智能设备连接到云端，安全处理数十亿台设备产生的数据，支持医疗服务和智能基础设施、城市、工厂和家庭。”与现有的M2M eSIM卡和Consumer eSIM卡的规范不同，IoT eSIM卡标准 (SGP.32) 的制定目的是满足当今的物联网部署需求。意法半导体ST4SIM-30可以最大限度地提高远程SIM卡配置 (RSP) 的自动化程度，轻松批量管理设备SIM 配置文件，支持网络运营商远程切换，省去实体换卡的操作。ST4SIM-300 eSIM卡符合最新的 5G 标准，方便部署用户界面功能有限的设备和低功耗广域网 (LPWAN) 设备。ST4SIM-300 eSIM卡有多种外形尺寸的样片，包括适用于智能电表、GPS 跟踪器、资产监视器、远程传感器、医疗穿戴设备等类似设备的晶圆级封装 (WLCSP)。ST4SIM-300搭载意法半导体的...
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2024/7/1 11:45:37
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌最近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic 表示：“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™ MOSFET 400 V G2等产品为客户提供支持，推动AI应用实现最高能效。”与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN™晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 D&...
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2024/7/1 11:41:33
2024 年 6 月 27 日，中国——意法半导体开始量产新系列车规高边功率开关管，新产品采用意法半导体专有的智能熔断保护功能并且支持SPI 数字接口，提高设计灵活性和功能安全性。四通道VNF9Q20F是意法半导体采用的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse专利技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)专利技术，检测到过流，支持100µs 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。VNF9Q20F 用作智能断路器，增强电路板上的电压稳定性，防止 PCB 电路板走线、连接器和线束过热。在防止破坏性过载中，意法半导体新的车规功率开关还支持电容充电模式，允许无危害性的冲击电流存在，因此，能够在大电容负载条件下正常运行。VNF9Q20F 适用于最新的区域控制电气/电子架构，还可替代保险丝和继电器， ECU配电隔离，支持驻车时整车电气系统的配电管理。由于STi2Fuse支持64 个限流值的可编程配置，为设计人员提供高精度的过载处理的灵活性。芯片内部集成10 位模拟数字转换器 (ADC) 和故障寄存器，可提供丰富的诊断信息和数字电流检测反馈，以支持车辆相关功能，例如，预测性维护。VNF9Q20F通过 SPI 提供诊断数据，内置自检功能， 可使系统达到 ISO 26262 规定的安全完整性等级。在发生故障或功能异常时，嵌入式故障安全模式可使系统保持工作状态。VNF9Q20F现已量产，采用6mm x 6mm QFN封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/1 11:33:58
随着国内轨道交通领域逐渐向高端化、成熟化迈进，市场对电源的成本、可靠性等指标提出更高要求。金升阳在深入分析轨道交通领域各类设备应用环境后，通过自主平台技术升级，推出机壳式封装DC/DC铁路电源URF1D_M-60WR3系列。该系列满足EN 50155铁标认证，采用机壳式封装设计使安装更便捷，内部集成EMC电路，可应用于温度环境恶劣、空间狭小的严苛环境，更能满足市场实际应用需求。一、产品优势（1）机壳式封装，散热性能好，安装便捷URF1D_M系列机壳式封装的铁路电源采用接线安装方式使安装更为简便，提高了电源模块的通用性和可替换性。该系列铁路电源结构紧凑，体积小巧，广泛适用于各铁路系统。同时，通过机壳式封装和散热孔的合理布局，电源内部的热量可以更迅速散发到外部环境中，从而保持产品的温升性能良好。URF1D_M系列产品拥有-40℃ to +80℃的宽工作温度范围，且可在55℃环境下满载工作。优良的温升性能确保产品可以在长时间高负荷运行下依然保持稳定的工作状态。这不仅延长了产品的使用寿命，还提高了整个系统的可靠性。（2）集成EMC电路，更高性价比铁路电源的电磁兼容性（EMC）至关重要。URF1D_M系列产品采用了集成EMC技术，无需配套滤波器使用，实现更高的性价比的同时有效抑制电磁干扰，为铁路系统提供稳定、可靠的电力支持。（3）加强绝缘3000VAC设计，满足EN 50155铁标认证URF1D_M系列产品设计满足EN 50155铁路标准，且采用了加强绝缘设计，隔离电压满足I-O:3000VAC、I/O-FG:3000VAC ，有效保障恶劣、极端环境条件下稳定运行。二、产品应用广泛应用于轨交、AGV、叉车等铁路系统及关联设备中三、产品特点4:1宽电压输入：40-160VDC高效率： 91%宽工作温度范围：-40℃ to +80℃（55℃满载）机壳式封装，安装便捷保护功能全面：输入欠压...
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2024/7/1 11:27:53
知情人士称，台积电正在探索一种芯片封装的新方法，使用矩形面板状基板而不是传统的圆形晶圆，这将允许在每个晶圆上放置更多组芯片。报道称，该研究处于早期阶段，可能需要“几年”才能商业化，但它代表了台积电的重大技术转变，此前台积电认为使用矩形基板太具挑战性。据知情人士透露，目前正在试验的矩形基板尺寸为510mm×515mm，可用面积是目前12英寸圆形晶圆的三倍多。消息人士称，矩形形状意味着边缘剩余的未使用面积会更少。台积电的芯片堆叠和组装技术采用12英寸硅晶圆，这是目前最大的硅晶圆。台积电正在扩大其芯片封装产能，以满足不断增长的需求。据知情人士透露，中国台湾台中工厂的扩建主要是为了英伟达，而台南工厂的扩建是为了亚马逊及其芯片设计合作伙伴Alchip。当被问及此事时，台积电表示“密切关注封装技术的进展和发展，包括面板级封装”。芯片封装技术曾经被视为芯片制造中技术含量相对较低的一个领域，但如今它对于保持半导体进步的步伐已变得越来越重要。以英伟达的H200和B200等AI计算芯片为例，仅使用的芯片生产是不够的，还需要采用台积电首创的芯片封装技术CoWoS。例如，对于B200芯片组，CoWoS可以将两个Blackwell图形处理单元组合在一起，并将它们与八个高带宽存储（HBM）芯片连接起来，从而实现快速数据吞吐量和加速计算性能。 伯恩斯坦研究公司（Bernstein Research）的半导体分析师马克·李（Mark Li）表示，台积电可能很快就需要考虑使用矩形基板，因为AI芯片组对每个封装中芯片数量的要求将越来越高。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/25 10:54:43
TDK 株式会社推出面向汽车和工业应用场景的 TAS8240 传感器，扩大了其隧道磁阻（TMR）角度传感器产品系列。这款全新传感器提供紧凑型 QFN16（3 x 3 mm²）和 TSSOP16 (5 x 6.4 mm²)封装，可实现四个冗余模拟单端 SIN/COS 输出和低功耗。此传感器有助于精确的角度测量，可在受限的空间环境中实现高性能。作为 360°角度传感器，TAS8240 适用于精确测量安全关键型装置（如动力转向、制动助力器或牵引电机）中使用的无刷直流电机的转子位置。*TAS8240 现已开始批量生产，可提供样品。TAS8240 是一款基于 TMR 的紧凑型传感器，带有冗余，经济实惠，由 4 个惠斯通电桥组成，适用于角度检测在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内，角度精度可达±1.0°在温度、磁场范围和寿命范围内具有较高的稳定性提供安全相关应用（如动力转向电机）所需的带冗余的精确转子位置测量该传感器包含四对 TMR 半桥，并通过在 x-y 平面上施加磁场提供四个单独的 SIN/COS 输出。然后，即使在其中一个输出信号发生故障的情况下，也可以实现高达 ASIL D 级的更高系统安全级别，同时提供更高的位置信息可用性。QFN16 封装是一款表面贴装技术（SMT）解决方案，与 TSSOP16 相比，其所占面积小得多，非常适合空间有限的应用场景。可润湿的侧板有助于保障焊接质量，并适用于汽车级场景。根据系统架构的不同，新传感器还可以支持故障后不影响操作的概念。TDK的 TMR 技术得益于公司在磁传感器技术方面的长期专业知识，并通过成功将精密的 TMR 技术集成到小型封装中，来优化其传感器产品。传感器的角度精度在不同温度和传感器使用寿命内可保持稳定。TAS8240 在已扩展磁场范围内的确定性行为开启了新的应用场景可能性...
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2024/6/25 10:53:35
德州仪器 (TI)推出了适用于 250W 电机驱动器应用的650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通常面临的许多设计和性能折衷问题。DRV7308 GaN IPM 可实现 99% 以上的逆变器效率，能够优化声学性能、缩减解决方案尺寸并降低系统成本。德州仪器电机驱动器业务部门经理 Nicole Navinsky 表示：“高压家用电器及 HVAC 系统的设计人员正努力达成更高的能效标准，以期支持全球环境可持续发展目标。同时，他们也致力于满足消费者对可靠、静音及小巧系统的需求。借助德州仪器全新的 GaN IPM，工程师能够设计出满足所有这些期望并以出色效率运行的电机驱动器系统。”德州仪器 GaN 助力提升系统效率和可靠性全球范围内针对家电和 HVAC 系统的能效标准（如 SEER、MEPS、Energy Star 和 Top Runner 标准）正变得日益严格。与现有解决方案相比，DRV7308 可利用 GaN 技术实现超过 99% 的效率，提升热性能，功耗可降低 50%，从而协助工程师满足上述标准。此外，DRV7308 实现了业内较低的死区时间和低传播延迟（均小于 200ns），这可达到更高的脉宽调制 (PWM) 开关频率，从而减少可闻噪声和系统振动。这些优势与 DRV7308 更高的功率效率和集成特性相得益彰，还能减少电机发热问题，进而提高系统可靠性并延长使用寿命。强大集成和高功率密度可缩减解决方案尺寸和成本顺应家电小型化的趋势，DRV7308 协助工程师开发更小巧的电机驱动器系统。全新 IPM 基于 GaN 技术，具有高功率密度，并采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在出色效率的加持下，DRV7308 无需外部散...
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2024/6/24 11:19:35
TDK 株式会社成功开发出一种用于下一代固态电池 CeraCharge 的材料，其能量密度达到 1,000 Wh/L，约为 TDK 传统固态电池能量密度的100倍。新型固态电池的能量密度是 TDK 传统固态电池的100倍。TDK 的目标是开发可用于各种可穿戴设备（如无线耳机、助听器、智能手表）的新型固态电池，以取代现有的纽扣电池。利用 TDK 的专有材料技术，TDK 成功开发出一种新型固态电池材料，由于使用了氧化物固体电解质和锂合金阳极，其能量密度大大高于 TDK的传统量产固态电池（类型：CeraCharge）。此外，氧化物固体电解质的使用也使电池尤为安全，可适用于可穿戴设备和其他与人体直接接触的设备。根据欧盟电池法规，纽扣电池要求更换为可充电电池，而该电池可用于取代纽扣原电池，从而减少对环境的影响。TDK 将以开发新产品固态电池为目标，努力开发电池芯和封装结构设计，并向量产迈进。此外，TDK 还将运用在电子元件业务中积累的生产工程技术，通过积层层压技术提高电池容量，并扩大其工作温度范围。主要应用各种可穿戴设备，如无线耳机、助听器和智能手表环境传感器代替纽扣电池主要特点和优点使用氧化物固体电解质使电池尤为安全更小的尺寸和更高的电容有助于缩小设备尺寸和延长工作时间免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/21 15:41:23
近日据外媒Wccftech报道，英伟达(NVIDIA) 2023年数据中心GPU出货量达400万片，吃掉市场98%供货量，完全主宰市场。报道称，早在2023年就预期NVIDIA数据中心和AI市场的“超级周期”即将开始。Hopper GPU和产品带来庞大需求，还有其他领域的AI应用，让大型科技公司数据中心GPU需求暴增。科技公司有足够运算能力不可或缺，NVIDIA成为最能充分利用市场需求的公司。TechInsights数据显示，NVIDIA 2023年成功出货约376万台数据中GPU，比2022年出货量增加近百万台，横扫整个2023年数据中心GPU市场，竞争对手几乎没有机会。数据还显示，NVIDIA以362亿美元拿下98%数据中心GPU市场营收，是2022年的三倍。市场没有足够的AI芯片满足暴增的需求，且大部分需求针对NVIDIA产品而来，竞争对手很难有长足进步。Blackwell产品进入供应链后，NVIDIA将获得更多的吸引力与利益。尽管AMD和英特尔等竞争对手方案越来越受欢迎，但要挑战NVIDIA还需更多努力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/18 11:02:05
2024年6月12日--智能电源和智能感知技术的企业安森美(onsemi)， 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来业界能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。应用于 150 千瓦的逆变器中时，QDual3 模块的损耗比同类最接近的竞品少 200 瓦（W），从而大大缩减散热器的尺寸。QDual3模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用于大功率变流器，例如太阳能发电站中央逆变器、储能系统 (ESS)、商用农业车辆（CAV）和工业电机驱动器。目前，根据不同的应用需求有两种产品可供选择——NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG。随着可再生能源采用率不断提高，对于高峰需求管理和持续供电保障等相关解决方案的需求也随之日益增长。要想维持电网稳定性和降低成本，就必须要削减电力需求高峰时段的用电量，即采取削峰填谷。利用 QDual3 模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统，提高能源管理效率，增强储存能力，从而更平稳地将太阳能电力并网到电网中。此外，该模块还支持将多余的电力储存在储能系统中，能够有效缓解太阳能发电的间歇性问题，确保供电的可靠性和稳定性。对于大型系统应用，可以将这些模块通过并联来提升输出功率，达到数兆瓦级别。与传统的600A模块解决方案相比，800A的QDual3模块显著减少了所需模块的数量，极大地简化了设计复杂度并降低了系统成本。QDual3 IGBT 模块采用 800 A 半桥配置，集成了新的第 7 代沟槽场截止 IGBT 和二极管技术，采用安森美的封装技术，从而降低了开关损耗和导...
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2024/6/18 10:59:11
连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。UJ4N075004L8S 的导通电阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是业内采用标准分立封装的 650V 至 750V 等级功率器件中导通电阻最低的器件。较低的导通电阻使发热量显著降低，加之紧凑的 TOLL 封装，使解决方案的尺寸比 TO-263 封装的同类产品小 40%。新品可应对目前电磁式断路器对有限空间尺寸的所有要求，且无需复杂的冷却系统即可运行，加速从电磁式断路器向基于半导体的固态断路器（SSCB）的转型。“随着 UJ4N075004L8S 的推出，Qorvo 将继续领导 SiC 电源产品的创新，以超小型元件封装的超低导通电阻 FET 器件助力电路保护等应用的发展。”Qorvo SiC 电源产品业务产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示，“SSCB 市场正迅速增长，Qorvo 的最新产品是这一技术演进中的重要里程碑。”Qorvo 的 JFET 器件坚固耐用，能够在电路故障时承受极高的浪涌电流并实现关断，非常适合应对电路保护领域的挑战。其最新款 JFET 还能承受高瞬时结温而不发生性能劣化或参数漂移。JFET 的常开特性使其能无缝集成到默认导通状态的系统中，并在故障条件下转为关断状态。UJ4N075004L8S 现已提供样品，并将于 2024 年第四季度投入量产；届时，Qorvo 还将推出更多 JFET 产品，包括额定电压为 750V 的 5mΩ 产品和额定电压 1200V 的 8mΩ 产品，均采用 TO-247 封装。...
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2024/6/18 10:57:26