M3SW-2-50DRA+是具有内部驱动器的高隔离快速切换反射型GaAs PHEMT SPDT开关。它在运行在+5V和-5V电源下，具有单个TLL兼容控制端口封装在3.25mm x 3.25mm的8引脚封装中。 高隔离，典型值48 dB。y高输入IP3，+47.3 dBm（典型值）。y低插入损耗，典型值0.6 dB。y快速上升/下降时间，典型值为3.3 ns/4.6 ns。y微小尺寸，3.25 x 3.25 x 0.9毫米
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2023/1/10 13:27:25
JSW6-33DR+是一款高功率反射式SP6T RF开关，在关闭状态下具有反射式短通输出端口。采用绝缘体上硅工艺制造，具有非常高的IP3、内置CMOS驱动器和负极电压发生器。其小巧的2x2mm、14引线外壳可在狭小空间和密集环境中实现宽带性能PCB布局。
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2023/1/10 13:25:12
Mini Circuits的JSW2-63VHDRP+是带有内部CMOS驱动器的反射对称MMIC SPDT开关设计用于5至6000MHz的宽带操作。该型号提供敢达2.5W的功率处理具有低插入损耗、高动态范围和快速切换速度的微型2x2mm 12导联MCLP包裹JSW2-63VHDRP+在单个正电源电压下工作，电流消耗低仅120µA。采用绝缘体上硅工艺生产，提供高水平的ESD保护和优异的重复性。该模型的开关逻辑将控制电压从COM切换到RF1，并且COM到RF2，控制电压处于高状态。也可提供替代型号（JSW2-63VHDRG+）为方便起见，具有相反的切换逻辑。
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2023/1/10 13:23:25
LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4357 用于控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保从一条路径至另一条路径的平滑电流转移而没有振荡现象。在电源发生故障或短路的情况下，快速关断操作可较大限度地减小反向电流瞬变。应用N+1 冗余电源高可用性系统AdvancedTCA 系统电信基础设施汽车系统
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2023/1/10 13:18:53
Mini Circuits的JSW2-63VHDRG+是一种带有内部CMOS的反射对称MMIC SPDT开关该驱动器设计用于5至6000MHz的宽带操作。该型号提供高达2.5W，具有低插入损耗、高动态范围和快速切换速度，采用2x2mm 12引线MCLP包裹JSW2-63VHDRG+在单个正电源电压下工作，电流消耗低仅120µA。采用绝缘体上硅工艺生产，提供高水平的ESD保护和优异的重复性。该模型的开关逻辑将控制电压从COM切换到RF2COM到RF1，控制电压处于高状态。也可提供替代型号（JSW2-63VHDRP+）为方便起见，具有相反的切换逻辑。
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2023/1/10 13:17:17
CSWA2-63DR+是50Ω 专为无线应用设计的高隔离、吸收SPDT射频开关，覆盖具有低插入损耗的500至6000MHz的宽频率范围。在非吸收模式下，开关可用降至0.3MHz。也可用于75Ω 系统在0.3-3000 MHz以上。CSWA2-63DR+在单个电源电压范围为+3V至+5V。该单元包括一个内部CMOS驱动器。CSWA2-63DR+交换机它采用了一个小型密封封装，4mm x 4mm x 1.2mm。预计MTBF为373年外壳温度85°C。该开关能够满足MIL对严重泄漏、细微泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和HTOL。如果需要，可以进行测试。
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2023/1/10 11:57:20
HMC754S8GE是一款GaAs/InGaP HBT双通道增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至1 GHz。 该多功能产品包含采用8引脚塑料SOIC-8单封装的两个增益模块，与采用推挽配置结构的两个放大器配合使用，同时使用外部巴伦以抵消二阶非线性并改善IP2性能。 在此配置中，HMC754S8G提供高增益，极低失真和简单外部匹配性能。 该高线性度放大器采用单正电源供电时功耗仅为160mA。应用CATV /宽带基础设施测试和测量设备线路放大器和光纤节点用户端设备
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2023/1/9 15:23:45
HMC773A是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚、RoHS兼容型LCC封装，可用作6 GHz至26 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC773A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。该混频器采用13 dBm或以上的LO驱动电平工作，具备出色的性能。HMC773A无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用点对点无线电点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器军用最终用途
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2023/1/9 15:22:29
HMC1131是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)驱动放大器，工作频率范围为24 GHz至35 GHz。 HMC1131在24 GHz至27 GHz范围下提供22 dB增益、35 dBm输出IP3和24 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为225 mA（采用5 V电源）。 HMC1131可提供25 dBm的饱和输出功率，采用紧凑型4 mm × 4 mm无引脚陶瓷芯片载体封装（24-引脚LCC）。 HMC1131是一款适合各种应用（范围为24 GHz至35 GHz）的驱动放大器，包括点到点无线电。应用点对点无线电点对多点无线电VSAT和SATCOM
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2023/1/9 15:21:03
HMC987LP5E 1:9扇出缓冲器设计用于低噪声时钟分配。 该器件旨在生成上升/下降时间小于100 ps的相对方波输出。 HMC987LP5E具有低偏斜和抖动输出以及快速上升/下降时间，从而可以控制混频器、ADC/DAC或SERDES器件等下游电路的低噪声开关功能。 这些应用中，当时钟网络带宽足够宽并允许方波切换时，噪底尤为重要。 HMC987LP5E的输出以2 GHz驱动，其噪底为-166 dBc/Hz，相当于0.6 asec/rtHz抖动密度，或8 GHz带宽内的50 fs。输入级可单端或差分驱动，可采用多种信号格式（CML、LVDS、LVPECL或CMOS），以及交流或直流耦合。 输入级同样具有可调输入阻抗。 该器件集成带有可调摆幅/功率电平的8路LVPECL输出和1路CML输出，步进为3 dB。各输出级可以通过硬件控制引脚或串行端口接口的控制使能或禁用，以便在不需要时节省电能。应用SONET、光纤通道、GigE时钟分配ADC/DAC时钟分配低偏斜和抖动时钟或数据扇出无线/有线通信电平转换高性能仪器仪表医疗成像单端至差分转换
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2023/1/9 15:19:36
HMC424ALP3E是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器，采用低成本、无引脚表贴封装，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定频率范围内具有出色的衰减精度（±0.2 dB + 4%的衰减状态）和高输入线性度，典型插入损耗小于4 dB。衰减器位值为0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，总衰减为31.5 dB，典型步长误差为±0.5 dB。该器件允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定。HMC424ALP3E采用−3 V至−5 V单个负电源供电，需要外部电平转换器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑(TTL)接口。HMC424ALP3E采用符合RoHS标准的紧凑型、3 mm × 3 mm、16引脚引脚架构芯片级封装(LFCSP)。应用蜂窝基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器中频(IF)和RF设计军事与太空
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2023/1/9 15:17:30
HMC988LP3E是一款超低噪声时钟分频器，可进行1/2/4/8/16/32分频。该器件是一款多功能器件，额外功能有：可调输出相位、可调延迟（60个步进，步长约20 ps）、时钟同步功能和时钟反转选项。 时钟分频器采用紧凑型3x3 mm SMT QFN封装，具有高级功能。 该器件采用3.3V电源供电，可连接5V电源并利用可选片内稳压器。 可以旁路片内稳压器。 SPI总线上最多可以同时使用8个可寻址HMC988LP3E器件。HMC988LP3E适合数据转换器应用，相位噪声要求极低。应用基站数字预失真路径(DPD)高性能自动测试设备(ATE)背板时钟偏斜管理多个时钟路径的相位相干时钟延迟管理可改善建立和保持时间裕量PCB信号传播时间失调电路ADC/DAC采样保持电路
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2023/1/9 15:15:06
HMC341LC3B是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器的工作频率范围为21至29 GHz，采用+3V单电源时提供13 dB增益和2.5 dB噪声系数。 隔直RF I/O匹配至50 Ω，无需外部元件。 HMC341LC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。Applications点对点无线电点对多点无线电和VSAT测试设备和传感器军用最终用途
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2023/1/9 15:09:52
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。HMC578LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-129 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC578LC3B采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
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2023/1/9 15:06:33
HMC586LC4B是一款宽带GaAs InGaP电压控制振荡器，集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管。 由于振荡器的单芯片结构，其输出功率和相位噪声性能在不同的温度下始终非常出色。 Vtune端口接受0至+18V的模拟调谐电压。 HMC586LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅55 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性于一体，构成独特的特性组合。应用工业/医疗设备测试和测量设备军用雷达、电子战和电子对抗
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2023/1/9 15:05:42
HMC1122是一款6位数字衰减器，工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC1122采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。HMC1122采用3.3 V至5 V单电源供电，由于集成了片内稳压器，性能不会发生变化。该器件集成一个驱动器，支持对衰减器进行串行和并行控制。该器件还提供用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他串行控制元件。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装，与HMC624A引脚兼容。同时提供完全填充的评估板。应用蜂窝通信基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器IF和RF设计
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2023/1/9 15:04:03
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。应用蜂窝/4G基础设施无线基础设施移动无线电测试设备
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2023/1/9 15:02:05
HMC985ALP4KE是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作范围为10 - 40 GHz，非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过40 dB动态范围的RF信号电平。它集成了由两个模拟电压Vctl1和Vctl2控制的分流型衰减器。该衰减器通过第一衰减级Vctl1在-5V至0 V电压范围内的变化实现优质线性度性能，Vctl2固定在-5V。第二衰减级的控制电压Vctl2应在-5V至0V电压范围内变化，Vctl1固定在0V。如果Vctl1和Vctl2引脚连接在一起，仅需稍微降低输入IP3性能便可实现全模拟衰减范围。具体应用包括微波点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电测试仪器仪表微波传感器军事、ECM和雷达
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2023/1/9 15:01:00