ADRF5301 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。ADRF5301 专为 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 应用而开发。该器件具有 1.4 dB 的低插入损耗、30 dB 的高隔离以及 28 dBm 平均值和 36 dBm 峰值射频 (RF) 输入功率处理能力。ADRF5301 包含一个负电压发生器 (NVG)，由施加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。ADRF5301 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。特性• 反射式设计• 低插入损耗：1.4 dB（典型值）• 高隔离：30 dB（典型值）• 高输入线性度：• P0.1dB：36 dBm• 输入 IP3：52 dBm应用• 工业扫描仪• 测试仪器仪表• 蜂窝基础设施毫米波 5G• 军用无线电、雷达和电子对抗 (ECM)• 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
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2025/6/6 13:50:39
ADRF5250是一款通用型单刀五掷(SP5T)、非反射式开关，采用硅工艺制造。ADRF5250采用4 mm × 4 mm、24引脚引线框芯片级封装(LFCSP)，在100 MHz至6 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。ADRF5250集成负电压发生器，当VSS引脚接地时，可采用施加于VDD引脚的3.3 V至5 V单正电源供电。当−3.3 V外部负电源电压施加于VSS引脚时，可禁用负电压发生器。ADRF5250提供1.8 V逻辑兼容、3引脚控制接口。特性• 非反射式50 Ω设计• 低插入损耗：1.5 dB（4 GHz时）• 高隔离度：50 dB（4 GHz时）• 高输入线性度• 0.1 dB压缩(P0.1dB)：34 dBm（典型值）• 三阶交调截点(IP3)：57 dBm（典型值）• 85°C时高功率处理能力• 33 dBm（通过路径）• 27 dBm（端接路径）• ESD额定值• 3.5 kV HBM，2级• 单电源或双电源供电• 可选内部负电压发生器(NVG)• 1.8 V逻辑兼容控制• 4 mm × 4 mm、24引脚LFCSP封装应用• 蜂窝/4G 基础设施• 无线基础设施• 移动无线电• 测试设备
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2025/6/6 13:48:30
ADRF5024 是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。该开关的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，提供优于 1.7 dB 的插入损耗和 35 dB 隔离性能。ADRF5024 的通过路径和热切换均具有 27 dBm 的射频(RF)输入功率处理能力。ADRF5024 在 +3.3 V 正电源电压和 -3.3 V 负电源电压下分别消耗 14 µA 和 120 µA 的低电流。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS) / 低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5024 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于超宽带产品，RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗特性。采用符合 RoHS 标准的 2.25 mm × 2.25 mm、12 引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。特性• 超宽带频率范围：100 MHz至44 GHz• 反射式设计• 具有阻抗匹配的低插入损耗• 1.0 dB（典型值）至18 GHz• 1.4 dB（典型值）至40 GHz• 1.7 dB（典型值）至44 GHz• 不具有阻抗匹配的低插入损耗• 0.9 dB（典型值）至18 GHz• 1.7 dB（典型值）至40 GHz• 2.1 dB（典型值）至44 GHz• 高输入线性度• P1dB：27.5 dBm（典型值）• IP3：50 dBm（典型值）• 高RF输入功率处理• 通过路径：27 dBm• 热切换：27 dBm应用• 工业扫描仪• 测试和仪器仪表• 蜂窝基础设施：5G毫米波• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
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2025/6/6 13:41:05
HMC550A和HMC550AE均为低成本SPST故障安全开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适合要求低插入损耗和极低功耗的开关应用。 这些器件具有0.7 dB的典型损耗，可控制频率范围为DC至6 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 “导通”状态下，该开关所需直流电流极低，并与CMOS和一些TTL逻辑系列兼容。 此故障安全拓扑结构使开关通常置于“导通”状态下，即未施加直流偏置时，RF1至RF2具有低插入损耗。特性• 故障安全操作 – 无电时“导通”• 宽Vdd范围： 12V至5V• 极低上电电流： 200 nA应用•RFID和电子收费（ETC）•标签、手机和便携设备•ISM、WLAN、WiMAX和WiBro•汽车远程信息处理•测试设备
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2025/6/6 11:56:44
ADG918是采用CMOS工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。 ADG918是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）开关。 这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 它们集成了片内CMOS控制逻辑，从而无需外部控制电路。 控制输入均兼容CMOS和LVTTL。 这些CMOS器件具有低功耗特性，使其非常适合无线和通用高频开关应用。特性• 宽带开关： -3 dB（4 GHz时）• 吸收式/反射式开关• 高关断隔离：43 dB（1 GHz时）• 低插入损耗：0.8 dB（1 GHz时）• 1.65 V至2.75 V单电源供电• CMOS/LVTTL控制逻辑• 8引脚MSOP和小型3 mm x 3 mm LFCSP封装• 低功耗(应用无线通信通用射频开关双频应用高速过滤器选择数字收发器前端开关中频切换调谐器模块天线分集切换
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2025/6/6 11:50:50
HMC221B是一款单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为10 kHz至3 GHz，采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关提供低于0.8 dB的极低插入损耗（频率高达3 GHz时），非常适合要求低插入损耗和小尺寸的接收器和滤波器开关应用。关断状态下，RF1和RF2反射短路，而两个控制电压（A和B引脚）所需直流偏置电流极低。请注意，HMC197B在备选引脚排列方面具有相似的性能。特性• 低插入损耗：0.4 dB（典型值）• 输出三阶交调截点(IP3)：55 dBm（典型值）• 正控制电压：0 V / 3 V• 超小型封装：SOT-23应用• 工业、科研和医疗(ISM)• PCMCIA无线卡• 蜂窝应用
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2025/6/6 11:40:32
大联大世平集团重磅发布高集成3D打印方案——以恩智浦RT1050高性能MCU为核心引擎，深度融合华邦存储芯片、纳芯微H桥驱动、圣邦微电源管理三件套及杰华特稳压模块，构建全链路国产化Klipper打印平台。该方案通过五大本土芯片协同，实现主控响应速度提升40%且BOM成本压缩30%，为亚太市场提供可量产的进口替代选择。3D打印机又称为增材制造技术，是一种利用数字模型文件，通过逐层堆叠材料来构建物体的技术。在使用中，用户仅需导入设计文件，即可在数小时内将创意转化为任意实体，真正实现“所见即所得”的柔性制造。目前，消费级打印机大多会使用Klipper作为3D打印固件。不同于传统的Marlin固件，Klipper采用执行与逻辑分离架构，由MPU负责逻辑运算，MCU负责执行，可实现更高的打印速度和打印质量。为推动3D打印机应用，大联大世平推出以NXP RT1050 MCU为核心，辅以华邦电子W25Q80 Flash、纳芯微NSD7312 H桥驱动IC、圣邦微SGM8651运算放大器、SGM61410同步降压稳压器、SGM2059 LDO稳压器以及杰华特JWH5141F同步降压稳压器的Klipper 3D打印机方案。本方案由MCU板、驱动板和底板三个部分组成。MCU板采用NXP RT1050 MCU和华邦电子旗下W25Q80 Flash。其中，NXP RT1050基于Arm®Cortex®-M7内核，主频高达600MHz，并配备512KB的SRAM，具有易用性和实时功能。华邦电子W25Q80 Flash具有较强的读取性能，且外观尺寸更小，能够满足工业与消费类应用场景中边缘计算的需求。驱动板由2个纳芯微NSD7312 H桥驱动IC和2个圣邦微SGM8651运算放大器组成。纳芯微NSD7312是一款直流有刷电机驱动芯片，其内置功率N-MOSFET并为功率级提供供电欠压保...
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2025/6/6 11:33:30
在制程竞赛白热化的2025年，台积电传来两大突破性进展：其美国亚利桑那州工厂即将于年底量产英伟达AI芯片，同时2nm制程良率突破90%大关。这座承载着"芯片本土化"战略重任的晶圆厂，正以超预期的产能爬坡速度，重塑全球半导体供应链版图。技术突破：2nm制程良率超90%据台积电内部数据显示，其2nm制程工艺在存储芯片领域已实现90%以上的良率，较3nm制程量产初期提升近15个百分点。这一突破得益于纳米片晶体管架构的成熟应用，以及化学机械抛光（CMP）环节的关键革新。台湾工具厂商Kinik披露，其供应的金刚石磨盘在台积电2nm产线的月需求量已达5万片，印证了制程扩产的强劲势头。美国工厂：产能利用率逼近极限台积电亚利桑那厂自今年初投产以来，产能利用率持续攀升。Cloud Express分析师Nobunaga Chai指出，该厂12英寸晶圆月产能已从1.5万片扩增至2.4万片，并计划在Q4达到3万片设计产能。苹果作为最大客户，将独占初期60%的产出，其M5系列芯片将成为"美国制造"的标杆产品。值得关注的是，英伟达Blackwell架构AI芯片已完成工艺验证，预计Q4量产后将贡献约20%的产能。价格逻辑：成本驱动下的涨价预期尽管产能快速爬坡，但美国制造的高成本压力已开始显现。业界消息称，台积电美国厂代工价格较台湾厂区高出25-30%，这主要源于人力成本（是美国本土厂商的1.8倍）、物流费用（增加40%）及初期良率损失（约5个百分点）。即便如此，英伟达、AMD等客户仍愿意支付溢价，以保障地缘政治风险下的供应链安全。产业影响：重构全球半导体版图台积电美国厂的扩张正引发连锁反应：其一，推动Kinik、Phoenix Silicon等设备材料商扩大北美布局；其二，倒逼英特尔、三星加快制程研发，英特尔18A工艺已进入风险试产阶段；其三，催生"近岸...
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2025/6/6 11:23:54
ADRF5716是一款硅制2位数字衰减器，衰减控制范围为48 dB，步长为16 dB，支持无毛刺操作。该设备的工作频率为100 MHz至30 GHz，插入损耗优于2.9dB，衰减精度优于1.5 dB。ADRF5716的ATTIN和ATTOUT端口在所有状态下的RF输入功率处理能力平均为30 dBm，峰值为33 dBm。ADRF5716需要+3.3V和-3.3V的双电源电压。该器件具有并行模式控制和互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管到晶体管逻辑（LVTTL）兼容控制。ADRF5716还可以在施加单个正电源电压（VDD）的情况下工作，负电源电压（VSS）接地。ADRF5716射频端口设计用于匹配50Ω的特性阻抗。ADRF5716采用20端子、3mm×3mm、符合RoHS标准的焊盘栅格阵列[LGA]封装，工作温度范围为-40°C至+105°C。特性•超宽带频率范围：0.1 GHz至30 GHz•衰减范围：16 dB阶跃至48 dB•插入损耗低•8 GHz时为1.6 dB•18 GHz时为2.2 dB•30 GHz时为2.9 dB•衰减精度•±（衰减状态的0.25+3.6%）dB，典型值高达8 GHz•±（衰减状态的0.10+1.8%）dB，典型值高达18 GHz•±（衰减状态的0.50+2.8%）dB，典型值高达30 GHz•典型步进误差•8 GHz以下典型值为±0.7 dB•±1.0 dB，最高可达18 GHz•高达30 GHz的典型值为±1.5 dB应用工业扫描仪测试和仪器蜂窝基础设施：5G毫米波军用无线电、雷达、电子对抗措施（ECM）微波无线电和甚小口径终端
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2025/6/5 14:26:09
HMC425ALP3E均为宽带6位GaAsIC数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。工作频率范围2.2GHz到8.0GHz，插入损耗低于4.5dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB，总衰减为31.5dB。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.5dB，IIP3为+40dBm。六个控制电压输入，在0和+3至+5V之间切换，用于选择每个衰减状态。需要+3至+5V的VDD单偏置。特性•0.5dBLSB步进至31.5dB•每位单个控制线路•误码率：±0.5dB（典型值）•+5V单电源•3×3mmSMT封装应用WLAN和点对多点光纤和宽带通信微波无线电和VSAT军用
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2025/6/5 14:23:40
HMC540SLP3E是一款宽带4位IC芯片数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。在0.1到8GHz频率下运行，插入损耗低于1dB典型值。对于15dB的总衰减，衰减器位值为1(LSB)、2、4和8dB。它具有出色的衰减精度，典型步长误差为±0.2dB。衰减器还具有+56dBmIP3。四位TTL/CMOS控制输入用于选择各衰减状态。它可采用+3.3V至5V单电源Vdd供电。特性•1dBLSB步进至15dB•步长误差：±0.2dB（典型值）•低插入损耗：1dB•高IP3：+50dBm•每位单个控制线路应用蜂窝通信基础设施ISM,MMDS,WLAN,WiMAX,WiBro微波无线电和VSAT测试设备和传感器
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2025/6/5 14:18:42
MAX7381是一款硅振荡器，可作为陶瓷谐振器、晶体和晶体振荡器模块的低成本替代方案，作为3V、3.3V和5V应用中微控制器和UART的时钟源。MAX7381是集成的振荡器，和晶体及谐振器一样，提供特定的频率，并提供满摆幅、50%占空比方波输出。无需采用锁相环(PLL)就可直接产生振荡频率。无需附加任何元件设置或调整频率。与典型的晶体和陶瓷谐振器不同，MAX7381具有抗震和抗EMI特性。高输出驱动电流和无高阻抗节点使振荡器不易受灰尘或湿度等工作条件影响。宽工作温度范围是该产品线的标准性能规范，这些振荡器用于高要求设备和汽车环境非常理想。MAX7381可提供10MHz至16MHz范围的频率。采用可节省空间的3引脚SC70封装。所有器件都能保证工作在-55°C至+135°C温度范围，并在-40°C至+125°C温度范围内保证性能指标。特性• 2.7V至5.5V工作电压• 工厂校准的振荡器(10MHz至16MHz)• 无需外部元件• ±10mA输出驱动电流• 2%的初始精度• ±100ppm/°C温漂• 快速启动时间：5µs• 最大占空比：40%至60%• 5ns输出上升/下降时间• 超低EMI敏感度(无高阻抗结点)• 无PLL• 低抖动：16MHz时180psP-P• -40°C至+125°C温度范围应用• 电器设备与控制• 汽车• 手持式产品• 微控制器系统• 便携式设备• 白色家电
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2025/6/5 14:12:48
MAX7377双速率硅振荡器内置复位电路，可用于替代陶瓷谐振器、晶振、晶体振荡器模块以及分立的复位电路。该器件为3V、3.3V以及5V应用中的微控制器提供主时钟源与辅助时钟源。MAX7377具有工厂编程的高速振荡器、32.768kHz振荡器和一个时钟选择输入。时钟输出随时可以在高速时钟与32.768kHz时钟之间切换，实现低功耗工作模式。切换由内部同步，时钟切换不会产生脉冲干扰信号。与一般晶体和陶瓷谐振器振荡电路不同，MAX7377具有较高的抗振动与EMI抑制特性。高输出驱动电流和无高阻抗节点等特性，使该振荡器对污浊或潮湿的工作环境不太敏感。MAX7377具有宽工作温度范围，是家用电器、工业与汽车环境应用的理想选择。MAX7377提供从32.768kHz至10MHz的工厂编程频率。标准频率见完整数据资料的表1，若需定制频率请与厂商联系。MAX7377采用5引脚SOT23封装。若需要≥10MHz的频率，请参考MAX7383数据资料。MAX7377标准工作温度范围为-40°C至+125°C。特性• 2.7V至5.5V工作电压• 精确的600kHz至10MHz的高速振荡器• 精确的32kHz低速振荡器• 可随时在高速和低速之间进行无干扰切换• ±10mA时钟输出驱动能力• 2%初始精度• ±50ppm/°C温度系数• 50%占空比• 5ns输出上升与下降时间• 低抖动：8MHz时160ps(P-P) (无PLL)• 3mA快速模式工作电流(8MHz)• 13µA低速模式工作电流(32kHz)• -40°C至+125°C温度范围应用• 电器设备与控制• 消费类产品• 手持式产品• 微控制器系统• 便携式设备• 白色家电
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2025/6/5 14:08:03
DS32kHz是一款输出频率为32.768kHz的温度补偿晶体振荡器(TCXO)。这款器件满足那些要求更高精度的计时应用，用于驱动绝大多数Dallas Semiconductor生产的实时时钟(RTC)、芯片组和其他包含RTC芯片的X1输入引脚。这款器件提供工作在商业级(DS32kHz)和工业级(DS332kHz-N)两种温度范围的型号。特性• 精度±4分钟/年(-40°C至+85°C)• 精度±1分钟/年(0°C至+40°C)• 备用电池用于连续计时• VBAT工作电压：2.7V至5.5V，且VCC接地• VCC工作电压：4.5V至5.5V• 工作温度范围：• 0°C至+70°C (商业级)• -40°C至+85°C (工业级)• 无需校准• 低功耗• 表贴BGA封装应用• 自动功率计• GPS接收机• 服务器、路由器、集线器及交换机中的网络定时与同步• 远程信息处理
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2025/6/5 14:02:48
MAX7375为硅振荡器，作为一种低成本改进方案，用于取代微控制器和UART在3V、3.3V或5V应用中的陶瓷振荡器、晶体和晶体振荡器模块等时钟源。MAX7375为完全集成的振荡器，提供特定的工厂校准频率，带有满摆幅、50%占空比方波输出。振荡器频率直接产生，无需锁相环(PLL)。无需附加任何器件设置或调整频率。与典型的晶体和陶瓷振荡器不同，MAX7375具有抗震和抗EMI等特性。高输出驱动电流及无高阻抗节点，使振荡器不易受灰尘或湿度等工作条件影响。在宽工作温度范围内，该振荡器是要求满足家电和汽车应用环境的理想选择。MAX3735采用节省空间的3引脚SC70和SOT23封装，提供标准或非标准的工厂设置频率，频率范围：600kHz至9.99MHz。特性• 2.7V至5.5V工作• 工厂校准的振荡器(600kHz至9.99MHz)• 无需外部元件• ±10mA输出驱动电流• 2%初始化精度• ±50ppm/°C温漂• 快速启动时间：5µs• 40%至60%最大占空比• 5ns输出上升和下降时间，低EMI• 极低的EMI敏感度―无需考虑高阻问题(没有PLL)• 低抖动：8MHz时160psP-P• 微型表贴封装(SC70, SOT23)• -40°C至+125°C温度范围应用• 电器设备与控制• null• 微控制器系统• 便携式设备• 白色家电
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2025/6/5 14:00:33
AD9508提供时钟扇出能力，针对能使系统性能达到优质的低抖动进行设计。这款器件能满足时钟数据转换器等应用所需的相位噪声和低抖动要求，可优化这些应用的性能。它集成4个独立的差分时钟输出，每一个输出都支持多种逻辑电平类型。包括LVDS (1.65 GHz)、HSTL (1.65 GHz)和1.8 V CMOS (250 MHz)。在1.8 V CMOS输出模式下，差分输出转换为两个CMOS单端信号。无论工作电源电压如何改变，CMOS输出始终为1.8 V逻辑电平。每路输出都有一个可编程分频器，可以旁路该分频器或者设置最高1024的整数分频比。此外，AD9508还支持输出相位在输出之间进行粗调。上电时，还可对器件进行各种固定配置的引脚编程，从而无需进行SPI或I2C编程。AD9508提供24引脚LFCSP封装，可以采用2.5 V或3.3 V单电源供电。温度范围为−40°C至+85°C。特性• 1.65 GHz差分时钟输入/输出• 10位可编程分频器，1至1024整数分频比• 高达4个差分输出或8个CMOS输出• 用于上电时进行硬连线编程的引脚绑定功能• 宽带随机抖动：• 加性输出抖动：41fs rms（12 KHz至20 MHz）• 出色的输出间隔离• 所有输出自动同步应用低抖动、低相位噪声时钟分布时钟高速ADC、DAC、DDS、DDC、DUC、MxFE高性能无线收发器高性能仪器宽带基础设施
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2025/6/5 13:54:57
MACOM的MADR-007097-000100是一个SPDT驱动器，用于TTL逻辑信号和基于PIN二极管的微波开关之间的接口。高速模拟CMOS技术用于在中等速度下实现低功耗。低输出电阻使其能够产生高输出电流尖峰，以确保快速的开关速度。互补输出级的结构使其可以用作SPST开关的反相或非反相驱动器，也可以用作SPDT开关的单输入互补驱动器。单片芯片采用SO-8塑料表面贴装封装，可用于大批量应用的磁带和卷轴封装。MADR-007097-000100驱动器非常适合驱动MACOM的HMIC开关系列。特性·中等速度，CMOS技术（25nS）·符合RoHS标准的DR65-0003版本·260°C回流兼容·无卤素“绿色”模塑料·铜上镀100%哑光锡·无铅SOIC-8封装·提供磁带和卷轴包装·高驱动电流能力（±50mA）·低电流消耗·SMT应用的塑料SOIC主体·互补输出应用·航空航天与国防·ISM
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2025/6/5 13:47:17
当ChatGPT日耗电50万度的数据震惊行业，AI军备竞赛已悄然转向能效战场。英飞凌科技（FSE:IFX）近日宣布，其OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET成功量产应用于全球TOP3芯片厂商的AI服务器中间总线转换器（IBC），在48V转12V关键链路实现能效突破。测试数据显示，该方案使单机架年节电量突破1万度，相当于为25辆特斯拉Model 3充满电的能量储备。三大技术亮点1. 封装革命● 双面铜柱连接：热传导路径增加200%● 0.3mm超薄基板：寄生电感降低至1.2nH（较传统SO-8减少60%）2. 材料突破● 第六代沟槽栅技术使电子迁移率提升40%● 晶圆减薄至50μm，通态电阻(Rds(on))达80V电压级全球最低3. 系统协同● 与TI TPS546C23控制器协同优化，开关频率提至1MHz● 动态死区控制使整机效率曲线平坦化（95%@20%-100%负载）攻克的核心技术挑战1. 热密度死亡螺旋● 传统封装：150W功耗时结温达125℃（环境25℃）● 突破方案：DSC封装+导热硅脂界面材料（导热系数8W/mK）2. 高频开关振铃抑制● 优化驱动环路电感：● 电压尖峰抑制至典型应用场景● AI服务器电源 ● NVIDIA GB200 NVL72机柜：每柜集成288颗，总损耗降低1.2kW液冷系统温差缩减至8℃（原方案15℃）● 边缘AI设备 ● 无人机快充模块：体积压缩40%，30分钟充入80%电量● 自动驾驶计算平台 ● 耐受200G机械冲击（MIL-STD-810H标准）市场前景据Omdia预测，2027年AI电源MOSFET市场规模将达$84亿：● 80V中压器件年复合增长率达26%● 双面散热渗透率将从2025年18%升至45...
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2025/6/5 13:38:23