Mini-Circuits的XLF-551+无反射滤波器采用了一种新颖的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度数据，最高+105°C尺寸小，3 x 3毫米应用谐波抑制宽带匹配发射机/接收机
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2025/5/20 11:47:47
Mini-Circuits的XLF-192+无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度数据，最高+105°C尺寸小，3 x 3毫米应用谐波抑制宽带匹配发射机/接收机
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2025/5/20 11:44:14
DLFCV-1000+是一种双低通滤波器，也可以作为LTCC封装中的平衡输入/输出低通滤波器运行。该滤波器具有更快的滚动速度，并提供低插入损耗、低VSWR和高功率处理。特性•插入损耗低•小尺寸•极佳的回波损耗•高拒绝率应用•军事应用•VHF/UHF发射机/接收机•谐波抑制•A/D转换器的输出•测试和测量
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2025/5/20 11:40:03
Mini-Circuits的LFCV-1652+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到16500MHz，支持各种应用。该模型提供了1.3 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达3.2W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用1210陶瓷小尺寸封装，非常适合密集的PCB布局，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特性•低损耗，典型值为1.3 dB•良好的抑制能力，典型值为35 dB•良好的功率处理能力，3.2W•小尺寸1210（0.126英寸x 0.098英寸x 0.039英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线应用
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2025/5/20 11:37:10
Mini-Circuits的XLF-312H+三段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的阻带抑制，典型值为51 dB。温度稳定，最高可达+105°C尺寸小，3 x 3毫米应用ISM应用可移动的无线电导航固定卫星无线电定位
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2025/5/20 11:27:31
MAR-2SM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。MAR-2SM+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为10000年。特性•宽带，直流至2 GHz•Avago MSA-0286的精确占地面积替代品•内部匹配50欧姆•无条件稳定应用•蜂窝•PCN仪表•VHF/UHF接收器/发射器引脚图
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2025/5/19 14:45:02
Mini-Circuits的RMK-3-31+倍频器提供3的乘法因子，将9至12 MHz的输入频率转换为27至36 MHz的输出频率，支持合成器、本地振荡器、收发器链、卫星上下变频器等应用。它提供+12至+17 dBm的输入功率范围、低转换损耗和良好的谐波抑制。乘法器采用微型表面贴装封装（0.25 x 0.31 x 0.16英寸），非常适合密集的电路板布局。特性•宽带•转换损耗低，典型值为14 dB。•高抑制F2，典型值-60 dBc。；F4，-60 dBc典型值。•成本低•可水洗应用•音响合成器•本地振荡器•卫星上下变频器•移动无线电
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2025/5/19 14:37:34
RAM-4+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在陶瓷表面贴装封装中。RAM-4+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在100°C的外壳温度下，预计MTBF为300年。特性•宽带，直流至1 GHz•可层叠陶瓷封装•内部匹配50欧姆•低噪声系数，典型值为6.5 dB。•出色的重复性•可水洗应用•蜂窝•UHF/VHF•通信系统•发射接收器引脚图
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2025/5/19 14:33:44
PGA-106-75+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性高IP3，典型值+37 dBm。0.5 GHz增益，典型值17.4 dB。0.5 GHz高POUT，典型值P1dB+19.8dBm。0.5 GHz低噪声系数，0.5 GHz时为3.1 dB应用有线电视GPONMOCA数据库
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2025/5/19 14:25:13
TSS-14252LN+是一款基于pHEMT的宽带、超低噪声MMIC放大器，具有高IP3、平坦增益和压控关断能力。该放大器的工作频率为1427至2570 MHz，具有典型的0.8 dB噪声系数、35.1 dB增益、+15.8 dBm P1dB和+27.9 dBm OIP3。这种特性组合使其成为敏感接收器应用的理想选择。该设备内部直流阻断，射频输入和输出端口存在直流接地路径，用于ESD保护。TSS-14252LN+在单个+3.3 V电源上运行，采用小型、低剖面、3x3 mm QFN式封装，便于集成到密集的电路板布局中。特性超低噪声系数，典型值。0.8分贝典型高P1dB。+15.8 dBmOIP3高，典型。+27.9 dBm高输入功率处理，最大+21 dBm停机功能单电源电压+3.3 V3x3 mm 12引线QFN型封装应用5G MIMO无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/5/19 14:20:02
PGA-106R-75+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的75欧姆放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性+5V/+3V操作高IP3，典型值+45 dBm。在2 GHz时，Vd=+5V低噪声系数，1 GHz时为0.6；2 GHz时为0.9 dB增益，典型值11.0 dB。2 GHz典型值P1dB+22.5dBm。频率为2 GHz，Vd=+5V应用有线电视返回路径
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2025/5/19 14:13:29
GALI-24+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为3000年。GALI-24+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。特性•高增益，典型值25 dB。100 MHz•高IP3，典型值35 dBm。•高磅，P1dB，典型值19dBm。•内部匹配50欧姆•瞬态保护•出色的ESD保护•无条件稳定•可水洗应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网
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2025/5/19 14:09:44
PGA-122-75+（符合RoHS标准）是一种使用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性高IP3，典型值+43dBm。0.5 GHz增益，典型值15.6 dB。0.5 GHz高POUT，典型值P1dB+73.1 dBmV。0.5 GHz低噪声系数，0.5 GHz时为2.9 dB可用频率超过5-2000 MHz应用有线电视，DOCSIS 3.1GPONMOCA数据库
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2025/5/19 14:05:52
金升阳LI10/20/40/60-20BxxPU系列导轨电源，通过一体化超薄塑壳设计（厚度仅95mm）与全球通用输入架构，实现了工业电源领域的双重突破。其核心技术亮点包括：1.微型化结构设计通过三维堆叠技术与磁芯优化方案，LI20-20BxxPU系列将体积压缩至22.5×85×95mm，较传统工业电源厚度减少38%，功率密度达0.43W/cm³（行业平均0.32W/cm³），首次实现60W级导轨电源的塑壳超薄化。2.宽域温度控制技术采用陶瓷基板与智能温控算法，在-30℃低温启动时间缩短至3秒（竞品需8秒），+70℃高温环境下持续工作寿命延长至10万小时（UL认证数据），突破工业级电源温度适应性瓶颈。3.电磁防护体系集成π型滤波电路与金属屏蔽层，通过±6kV接触静电（IEC 61000-4-2）和±4kV浪涌（IEC 61000-4-5）测试，电磁兼容性达到医疗设备级标准（CLASS B）。产品功能行业价值1. 空间革命：解决工业控制柜「线多箱满」痛点，设备布局效率提升30%；2. 能耗优化：90%转换效率推动碳中和目标，单台年减碳量达18.6kg；3.国产替代：4000VAC隔离耐压超越欧系竞品，打破高端电源进口依赖；4. 智能升级：恒流限制功能支持伺服电机/机械臂直接驱动，减少中间电路模块。技术难题与解决方案1. 散热瓶颈：● 难题：超薄结构导致散热面积减少60%；●突破：开发石墨烯导热膜+轴向散热风道，热阻降至1.2℃/W（行业平均2.5℃/W）。2. 电磁干扰：● 难题：塑壳屏蔽效能较金属外壳下降15dB；● 方案：植入纳米晶磁环与共模扼流圈，辐射骚扰测试余量达6dB（GB/T 9254标准）。应用场景与市场前景1. 核心场景：● 智能工厂（PLC控制柜/机械臂供电）● 轨道交通（车载控制系统电源）●新能源（...
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2025/5/19 13:57:01
2025年5月15日，台积电在台湾技术论坛宣布本年度将新建9座晶圆厂及封装设施，创下年度建厂数量新高。其中，台中晶圆25厂将于年底动工，计划2028年量产比2nm更的制程技术，标志着半导体工艺进入全新代际。全球产能布局加速台积电扩产节奏持续提速：2017-2020年平均年建3座厂，2021-2024年提升至5座/年，2025年更跃升至9座（含8座晶圆厂、1座封装厂）。新竹晶圆20厂与高雄晶圆22厂作为2nm核心量产基地，已于2022年动工，计划2025年内投产；高雄还将建设5座晶圆厂集群，覆盖2nm至A16（1.6nm）工艺。海外布局方面，美国亚利桑那州4nm厂已承接苹果、NVIDIA订单，日本熊本厂实现22nm量产，德国德累斯顿16/28nm厂正在建设中。台积电强调，海外工厂良率已追平台湾本土水平，验证全球化制造能力。技术代际突破与产能规划2nm工艺采用GAA晶体管架构，相较3nm性能提升15%、功耗降低30%，首批产能将优先供应苹果A20芯片及英伟达AI加速器。预计2025年底2nm月产能达5万片，2026年高雄厂投产后总产能将突破12万片/月。更激进的台中晶圆25厂将研发2nm以下技术，可能引入1.4nm节点或3D封装方案。台积电已采购65台EUV光刻机（含35台High-NA机型），支撑制程研发。封装成第二增长极为应对AI芯片需求爆发，台积电扩大封装产能：2022-2026年SoIC（系统整合芯片）产能年复合增长率超100%，CoWoS（晶圆级封装）增速达80%。嘉义新建的WMCM封装厂预计2026年量产，专供苹果iPhone 18的2nm芯片封装。行业影响与挑战●市场格局：TrendForce数据显示，台积电以61.7%市占率主导晶圆代工市场，2nm量产将扩大对三星、英特尔的代差优势；●成本压力：2nm晶圆成本高达3万美元/片，客户接受度成关键。苹果已推迟至202...
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2025/5/19 13:54:42
SYM-30DHW+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小5MHz，最大3000MHz，最大9.1dB转换损耗，符合ROHS标准，CASE TTT167，6针。规格参数射频:5 MHz to 3 GHz转换损失——最大:9.1 dBLO频率:5 MHz to 3 GHz中频:5 MHz to 1.5 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:29 dBm特性•宽带，5至3000 MHz•良好的L-R隔离，典型值为40 dB。•出色的L-I隔离，典型值为44 dB。•宽中频带宽，可用于3 GHz•高IP3，典型值为26 dBm。应用•CDMA•GSM•DCS•PCN
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2025/5/16 14:24:10
Mini-Circuits的PMA5-123-3W-D+是一款GaAs MMIC功率放大器，工作频率为8至12 GHz。内部匹配50Ω 放大器管芯提供29.8dB的增益、+35.5dBm的饱和输出功率和+40.2dBm的输出IP3，同时在+7V电源下工作并消耗1250mA的电流。此外，集成功率检测器允许无缝输出功率监测。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的微波无线电、卫星通信和雷达系统，同时保持非常低的失真特性。 特性高增益，典型。29.8分贝PSAT高，典型。+35.5 dBm优秀的PAE，典型。34.2%电源电压，+7 V@1250 mA集成功率检测器应用雷达、电子战和电子对抗防御系统MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小孔径终端
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2025/5/16 14:18:42
Mini-Circuits的MBDA-30-451HP+是一种高功率双向耦合器，可提供高达200 W的高功率处理和0.15 dB的主线损耗。24dB的高方向性提供了来自耦合端口的精确采样，30dB的回波损耗在整个频率范围内提供了出色的匹配。该型号覆盖225至450 MHz的频率，支持从功率放大器和天线馈电到各种数字通信等各种应用。耦合器设计为开放式印刷层压板（1.00“x 1.00”x 0.051“），带有环绕式端子，具有良好的可焊性和易于目视检查。特性高功率处理，高达200W出色的回波损耗，30dB低插入损耗，0.15 dB高指向性，24dB应用功率放大器天线馈源甚高频/超高频无线电国防和军事
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2025/5/16 14:14:25