1.概述AD9979 是一款专为高速数字摄像机应用而设计的高度集成 CCD 信号处理器。其像素速率最高达 65 MHz，内部集成完整的模拟前端（含模数转换）和可编程时序驱动器。Precision Timing™ 内核可在 65 MHz 工作时，以约 240 ps 的分辨率精细调整高速时钟。模拟前端包含黑电平钳位、相关双采样（CDS）、可变增益放大器（VGA）以及一片 65 MSPS、14 位模数转换器（ADC）。时序驱动器提供 CCD 所需的高速时钟驱动信号（RG、HL 及 H1～H4）。全部功能通过 3 线串行接口进行配置。AD9979 采用节省空间的 7 mm × 7 mm、48 引脚 LFCSP 封装，工作温度范围为 −25°C 至 +85°C。2.具备的特征1.8V模拟和数字核心电源电压具有-3 dB、0 dB、+3 dB和+6 dB增益的相关双采样器（CDS）6 dB至42 dB 10位可变增益放大器（VGA）14位65 MHz模数转换器带可变液位控制的黑色液位夹完整的片上定时发生器Precision Timing™内核，分辨率为240 ps，工作频率为65 MHz片上3V水平和RG驱动器用于快门和系统支持的通用输出（GPO）7毫米×7毫米，48导联LFCSP内部LDO稳压器电路3.常见应用专业高清摄像机专业/高端数码相机广播摄像机工业高速摄像机4.引脚配置信息如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:53:02
应用信息 - 评估板HMC470A 采用 4 层评估板设计。每层铜箔厚度为 0.5 oz（0.7 mil）。顶层介质材料为 10 mil 厚的 Rogers RO4350，以实现最佳高频性能；中间层和底层介质材料为 FR-4 类型，使整块板总厚度达到 62 mil。射频（RF）与直流（DC）走线布置在顶层铜箔上。底层和中间层为完整地平面，为射频传输线提供稳固的接地参考。射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，线宽 16 mil，地间距 13 mil，特性阻抗为 50 Ω。为加强射频与热接地，在传输线周围及封装裸露焊盘下方尽可能多地布置了金属化过孔。上图展示了已装配的 HMC470A 评估板顶视图。评估板通过 2×6 针排针 J3 接地。电源与数字控制引脚也连接至 J3。电源走线上放置了 1 nF 去耦电容，用于滤除高频噪声。RF1 与 RF2 端口通过 50 Ω 传输线分别连接至 SMA 连接器 J1 和 J2。RF1 与 RF2 端口通过外部 330 pF 电容实现交流耦合。一条直通（thru）校准线连接 J9 与 J10，该传输线用于在不同环境条件下测量 PCB 的损耗。ACG 引脚通过 330 pF 电容接地。下图与表分别给出了评估板的电路原理图与材料清单（BOM）。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:51:04
AD688 专为对温度性能要求极高的精密基准应用而设计。通过全面的温度测试，确保器件在整个工作温度范围内保持其高性能水平。下图展示了典型的输出电压漂移情况，并说明了测试方法。图中的矩形框左右边界为工作温度极限，上下边界为在整个工作温度范围内测得的 +10 V 输出误差电压的最大值与最小值。针对 +10 V 和 -10 V 输出所绘制的对角线斜率，决定了器件的性能等级。每一颗 AD688A 和 B 级器件均在 -40°C、-25°C、0°C、+25°C、+50°C、+70°C 和 +85°C 下进行测试。该方法确保在指定温度范围内，输出电压随温度变化而产生的波动被限制在一个矩形框内，其对角线斜率等于最大指定漂移值。该框在纵轴上的位置会因器件的初始误差及曲线形状不同而有所变化。下图中给出了对应温度范围内该框的最大高度。要复现这些测试结果，测试系统必须具备高精度与稳定的温控能力。对 AD688 的评估将产生与上图类似的曲线，但具体输出读数可能会因测试方法和所用设备的不同而有所差异。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:43:18
AD688是一款高精度±10V跟踪基准。低跟踪误差、低初始误差和低温度漂移使AD688具有以前单片形式无法获得的参考绝对±10 V精度性能。AD688使用专有的离子注入埋入式齐纳二极管，并对高稳定性薄膜电阻器进行激光晶片漂移微调，以提供出色的性能。其工作原理如下所示：工作原理AD688 由一个埋入式齐纳二极管基准源、放大器及相关薄膜电阻组成，如图所示。温度补偿电路使器件的温度系数达到 1.5 ppm/°C 或更低。放大器 A1 具有多种功能。其主要作用是将齐纳电压放大至所需的 20 V。此外，A1 还通过引脚5（GAIN ADJ）支持对 20 V 输出的外部调节。利用齐纳输出与 A1 同相输入之间的偏置补偿电阻，可在降噪引脚（引脚7）处接入一个电容，构成低通滤波器，从而降低齐纳噪声对电路的影响。两个匹配的 12 kΩ 标称薄膜电阻（R4 和 R5）将 20 V 输出分压为一半。放大器 A2 提供电路的接地检测功能。其同相输入端（引脚9）检测系统接地，并强制使 R4 与 R5 的中点成为虚拟地。引脚12（BAL ADJ）可用于对该中点进行精细调节。放大器 A3 和 A4 为内部补偿型，用于缓冲引脚6和引脚8上的电压，并提供完整的开尔文输出。因此，AD688 具备完整的开尔文能力，能够检测系统接地，并提供以该地为参考的强制与检测输出。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:39:03
STM32MP21微处理器（MPU）已为智能工厂、智能家居和智慧城市中的成本感知型边缘应用引入，结合了先进的核心和外设，并以SESIP三级和PCI预认证为目标，具备强大的安全防护。扩展ST的STM32MP2系列，新MPU配备了1.5GHz 64位Arm® Cortex-A35®核心和300MHz的高级32位Cortex-M33®，确保了快速且灵活的执行速度。这两个核心处理复杂任务和实时控制，增加了启动处理在Cortex-M33®上快速启动服务和加速系统从省电模式唤醒的机会。STM32MP21功能与性能STM32MP21 MPU集成了MIPI CSI-2和图像信号处理（ISP）流水线，用于工业检测和条码或二维码阅读器等机器视觉应用。此外，两个带有时敏网络（TSN）的千兆以太网端口支持需要确定性、低延迟、无抖动通信、同步和调度的应用，包括工业自动化、机器人技术、功能安全和传感器数据采集。除了支持DDR4/LPDDR4 DRAM外，该系列还支持DDR3L内存，使设计者能够优化系统性能、占用和BoM，同时在持续的DDR4/LPDDR4短缺和价格上涨中保持竞争力的价格和稳定供应。整个STM32MP2系列共享的安全架构旨在符合全球日益加强的法规，包括即将出台的欧盟网络韧性法案（CRA）。MPUs的SESIP三级安全保障目标符合CRA实施指南，该指南规定重要（二类）产品应达到AVA_VAN.2或AVA_VAN.3的抗性，关键产品至少为AVA_VAN.4。客户的应用程序在交付前就已通过ST工厂内的安全秘密配置（SSP）保护，以加载唯一身份和不可更改密码进行认证和认证。安全的硬件加密加速器可防止物理攻击，同时支持安全启动和应用需求。Arm TrustZone™ 的代码隔离保护启动和敏感进程，并通过利用 ST 专有资源隔离框架（RIF）对内存和外设的硬件...
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2026/1/9 10:28:04
在2026年国际消费电子展（CES 2026）上，高通技术公司正式推出了骁龙X系列的新成员——骁龙X2 Plus平台。这不仅是一次产品迭代，更是对下一代Windows 11 AI+ PC体验的全面革新。骁龙X2 Plus利用了第三代高通Oryon的强大性能™CPU 和 80 TOPS 的 NPU。作为骁龙X系列平台最新成员的一次大胆飞跃，它扩大了消费者和企业对先进性能和高端体验的覆盖，扩大了不断壮大的Windows 11 Copilot+ PC社区。Snapdragon X2 Plus为现代专业人士、有志创作者和日常用户带来了每一次点击和每一刻的体验，带来速度、多天续航和内置AI功能。特色第三代高通 Oryon CPU 支持最大 10 核基于切片的GPU架构，实现逼真的图形笔记本中最快的NPU，最高达80极其节能，电池续航多天真正的移动PC，电池使用时性能没有下降80 TOPS NPU 为下一代代理人工智能和无缝多任务处理设计50+ 的 AI 体验在设备上运行自动在线检测与生物识别认证由高通SPU搭载Microsoft Pluton，实现从芯片到云端的先进安全带外（OOB）远程管理闪电般的5G，带来极速Wi-Fi 7 并行高频段，峰值速度可达 X.X Gbps双蓝牙支持Snapdragon Sound高通技术公司高级副总裁兼计算与游戏业务总经理Kedar Kondap称，现代专业人士和创作者渴望成就更多、创作更多，并不断突破生成式AI和全天候性能的边界。骁龙X2 Plus平台凭借卓越的性能、能效和智能体验，将助力他们超越追求的目标，让每次体验更快响应、更个性化。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 10:24:16
纽约州锡拉库塞，2026年1月7日（环球新闻）——美光科技股份有限公司今天宣布，将于2026年2月16日在纽约州奥农达加县的大型晶圆厂正式破土动工。经过严格的环境审查和必要的许可批准，美光现在可以开始现场的地面准备和施工。该项目标志着纽约州历史上最大的私人投资，将成为世界上内存制造业的所在地，并将有助于满足对现代经济至关重要的人工智能系统日益增长的需求。这将是美国最大的半导体工厂，拥有多达四个晶圆厂。关于美光科技股份有限公司。美光科技股份有限公司是创新存储器和存储解决方案的行业领导者，该解决方案改变了世界如何利用信息丰富所有人的生活。凭借对客户、技术地位以及卓越的制造和运营的不懈关注，美光提供了丰富的高性能DRAM、NAND和NOR存储器和存储产品组合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 10:14:57
2026年1月7日，美光科技正式推出业界首款面向客户端计算的PCIe® 5.0 QLC SSD（美光3610 NVMe™ SSD）。美光3610 SSD基于美光成熟的G9 NAND技术，实现了高达11000MB/s的顺序读取速度和9300MB/s的顺序写入速度。将PCIe 5.0的速度与QLC经济性相结合，提供卓越的响应速度同时，不牺牲电池续航。采用G9 QLC NAND技术和单面M.2 2230外形规格，提供1TB至4TB容量选项，最高顺序读取速度达11000 MB/s，顺序写入速度达9300 MB/s，随机读取IOPS为1.5M，随机写入IOPS为1.6M。美光3610 SSD针对超薄设备和AI边缘场景优化，通过主机端散热管理技术确保无风扇设计下的稳定性能，并集成数据对象交换（DOE）和设备标识符组合引擎（DICE）等安全特性。目前产品已向OEM合作伙伴送样，提供M.2 2230、2242和2280等多种外形规格，定位介于高端PCIe 5.0 4600系列与主流PCIe 4.0产品之间，兼顾性能、容量和成本效益。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 10:09:26
摘要：2026年1月7日，全球最大专业技术组织IEEE宣布，NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋斩获年度最高荣誉——IEEE荣誉奖章。IEEE荣誉奖章（IEEE Medal of Honor）是电气电子工程师学会（IEEE）颁发的最高奖项，也是全球电子电气工程与信息技术领域公认的最高个人荣誉，常被称为该领域的“诺贝尔奖”。其设立于1917年，旨在表彰其贡献对技术及工程界产生深远影响的杰出人士。而历届获奖者包括互联网架构奠基人文顿·G·瑟夫和罗伯特·卡恩、GPS系统主要开发者布拉德福德·W·帕金森，以及台积电创始人张忠谋等。2026年1月7日，全球最大专业技术组织IEEE宣布，NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋斩获年度最高荣誉——IEEE荣誉奖章。作为工程技术领域的巅峰殊荣，该奖项不仅伴随200万美元奖金，更标志着业界对黄仁勋引领加速计算革命、构建AI核心基础设施的高度认可。在获得奖章后，黄仁勋则表示“获得IEEE荣誉奖章让我深感荣幸，也深受感动。这一认可是对NVIDIA成千上万工程师及研究人员的毕生努力和贡献的肯定。从GPU面世到成为现代AI工厂的核心引擎，我们已助力引领了一场崭新的工业革命。这一奖项属于建立了CUDA生态系统、推动计算超越摩尔定律，并持续推动人工智能前沿发展的整个社群。我们携手并进，为地球打造一个更美好的未来。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 9:38:43
同步功能（仅 MSOP 封装）低纹波 Burst Mode：将 SYNC 脚电压拉至 0.4 V（可直接接地或逻辑低电平）。外部时钟同步：在 SYNC 脚输入占空比 20 %–80 % 的方波，波谷 0.9 V、波峰 2.7 V（最高 5 V）。此时 LT8608 不会进入 Burst Mode，而是在轻载时通过“跳脉冲”维持稳压。可同步范围：200 kHz – 2.2 MHz。RT 电阻必须按“最低同步频率”或更低来设定开关频率。例如同步信号最低 500 kHz，则 RT 应设 500 kHz。斜率补偿量由 RT 决定；只要电感量足够大，能在 RT 设定频率下避免次谐波振荡，则在整个同步频段内斜补都足够。跳脉冲模式某些应用需要“跳脉冲”而非 Burst Mode，两者主要区别：时钟持续运行，所有开关周期都与时钟对齐；在更低负载下即可达到满开关频率（见图 2）。代价是静态电流增大。启用方法：将 SYNC 脚悬空即可。扩频模式如需进一步降低 EMI，可启用扩频调制：工作方式类似跳脉冲，但开关频率被 3 kHz 三角波调制；以 RT 设定频率为下限，向上调制约 +20 %；启用方法：SYNC 接 INTVcc 或外加 3.2 V–5 V 电压。注意：LT8608 不会进入强制连续模式，且不同封装默认模式固定：LT8608 DFN：仅支持 Burst Mode，无法跳脉冲；LT8608B DFN：仅支持跳脉冲，无法 Burst Mode。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/8 14:56:15
LT8608是一款紧凑型高效率、高速同步单芯片降压型开关稳压器，瞬态电流功耗仅为1.7µA。其引脚功能如下所示：引脚配置图引脚功能BST为顶侧功率开关提供高于输入电压的驱动电压。务必在 IC 旁边就近放置 0.1 µF 自举电容，且禁止在该脚串联电阻。SW内部功率开关的输出节点。接电感和自举电容，PCB 上该节点面积应尽量小，以保证性能。INTVcc内部 3.5 V 稳压器旁路脚。内部功率驱动及控制电路均由此供电，最大输出电流 20 mA；电压范围 2.8 V–3.5 V。须用 ≥1 µF 低 ESR 陶瓷电容旁路到功率地，禁止外接负载。RT在该脚与地之间接电阻设定开关频率。如需外部同步，电阻值应使 LT8608 频率 ≤ 最低同步输入频率。SYNC（仅 MSOP 封装）外部时钟同步输入。接地：轻载低纹波 Burst Mode；接时钟：同步至外部频率；悬空：无扩频的跳脉冲模式；接 INTVcc 或 3.2 V–5 V：带扩频的跳脉冲模式（此时静态电流升至数 mA）。DFN 封装无此脚：LT8608 DFN 内部将 SYNC 接地；LT8608B DFN 内部悬空。FBLT8608 以 0.778 V 为基准稳压。将反馈分压器抽头接至此脚。TR/SS（仅 MSOP 封装）输出跟踪与软启动脚。TR/SS 0.778 V 时，芯片强制 FB 等于 TR/SS 电压，实现跟踪；TR/SS 0.778 V 后，跟踪关闭，内部基准接管误差放大器。内部 2 µA 上拉电流（来自 INTVcc）可供外接电容设定输出电压爬升速率。关断或故障时，内部 300 Ω MOSFET 将其拉低；若由低阻抗源驱动，需串电阻。DFN 封装无此脚，内部悬空。PG电源良好开漏输出。当 FB 电压进入最终稳压值 ±8.5 % 以内且无故障时，PG 变高；只要...
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2026/1/8 14:50:39
MAX2871 可通过 3 线 SPI（CLK、DATA、LE）完成写操作，见图 1；读操作时，除上述 3 脚外，再借助 MUX 脚读取寄存器 0x06，见图 2。芯片内部共 6 个“仅写”32 位寄存器和 1 个“只读”32 位寄存器。每帧 32 位：高 29 位为数据，最低 3 位为寄存器地址。数据 MSB 在前，经 4 线 SPI 载入。时序：LE = 0 期间，DATA 电平在 CLK 上升沿移入移位寄存器；LE 上升沿，29 位数据被锁存到地址指定的寄存器。上电后必须完整写一遍所有寄存器，且建议连续写两次，两次之间至少间隔 20 ms：第一次写确保芯片使能；第二次写启动 VCO 自动选择过程。建议在上述过程中先关闭输出，完成后再通过 RFA_EN、RFB_EN 开启输出。“干净时钟”上电配置顺序（推荐）写寄存器 5（地址 0x05），等待 20 ms写寄存器 4（地址 0x04），bit5 和 bit8 置 0，保持 RFOUT 关闭写寄存器 3（地址 0x03）写寄存器 2（地址 0x02）写寄存器 1（地址 0x01）写寄存器 0（地址 0x00）再次写寄存器 5（地址 0x05）如需开启 RFOUT：在寄存器 4（地址 0x04）里把 bit5 和 bit8 置 1 即可。寄存器写入顺序必须为：0x05 → 0x04 → 0x03 → 0x02 → 0x01 → 0x00其中若干位采用“双缓冲”结构，只有按上述顺序完成写操作后，所有设置才会在同一时刻生效，详见各寄存器描述。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/8 14:37:32
1.概述MAX2871 是一款超宽带锁相环（PLL），内部集成多个压控振荡器（VCO），可工作于整数-N 与分数-N 两种模式。配合外部参考源和环路滤波器，即可构成高性能频率合成器，可在 23.5 MHz 至 6.0 GHz 范围内合成任意频率，并保持出色的相位噪声与杂散性能。器件通过多组覆盖 3000 MHz–6000 MHz 的内置 VCO，以及 1–128 级的输出分频器，实现超宽频率范围。芯片还提供两路差分输出驱动器，可独立编程，输出 –1 dBm 至 +8 dBm 的差分功率；两路均可通过软件或硬件控制静音。MAX2871 采用 4 线串行接口控制，兼容 1.8 V 逻辑电平。封装为 5 mm × 5 mm、32 引脚、无铅且符合 RoHS 的 TQFN，工作温度范围 –40 °C 至 +85 °C。相比 MAX2870，MAX2871 在功能、相位噪声等方面均有提升，且引脚与软件完全兼容。2.优势与特性输出二进制缓冲器/分频器扩展频率范围· 分频比：1/2/4/8/16/32/64/128· 覆盖 23.5 MHz – 6000 MHz高性能鉴相鉴频器（PFD）与参考频率降低频谱噪声· PFD 最高 140 MHz· 参考频率最高 210 MHz归一化带内相位噪声仅 –230 dBc/Hz，显著降低系统噪底贡献支持手动/自动 VCO 选择，实现快速切换输出相位复位与微调功能，便于多合成器同步集成 7 位 ADC 的温度传感器，确保最佳 VCO 选择周期滑步抑制与快速锁定功能，提升精度并缩短捕获时间整个温度范围内保持 VCO 锁定，实现无 glitch 运行双路差分可编程输出，最大化应用灵活性3.常见应用无线基础设施测试与测量时钟生成微波无线电4.引脚配置图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿...
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2026/1/8 14:28:51
通用串行输入/输出（I/O）操作一次串行通信周期分为两个阶段。第一阶段：向 AD9914 写入“指令字节”。该字节包含待访问寄存器的地址，并指明接下来的数据传输是“写”还是“读”。写周期第二阶段：数据从串口控制器传送到串口缓冲区。传输字节数取决于被访问的寄存器。例如访问控制功能寄存器 2（地址 0x01）时，第二阶段必须连续传输 4 字节；每位数据在对应 SCLK 上升沿被锁存。串口控制器要求一次性访问完该寄存器的全部字节，否则下次通信会失步。若想少写几个字节，可利用 SYNCIO 引脚：拉低 SYNCIO 可立即终止当前 I/O 操作并复位串口指针；下一个字节即被视为新的指令字节。注意：SYNCIO 之前已完整写入的字节会被保留在串口缓冲区，未写完的位/字节则丢弃。任何通信周期结束后，AD9914 都期待接下来的 8 个 SCLK 上升沿是下一轮的指令字节。数据生效写周期结束后，数据仍停留在串口缓冲区，尚未生效。必须发出 I/O UPDATE（可由软件指令、PROFILE 引脚变化或外部 IO_UPDATE 脉冲触发），才能把缓冲区内容载入真正起作用的“活动寄存器”。IO_UPDATE 可在每次写操作后立即发出，也可在所有串行操作完成后再统一发出。读周期第二阶段与写周期类似，区别有两点：数据源是“活动寄存器”而非串口缓冲区；数据在 SCLK 下降沿被驱动输出。若要回读任意 PROFILE 寄存器（地址 0x0B–0x1A），必须借助外部三根 PROFILE 选择引脚 PS[0:2]：例如想读 Profile 5（地址 0x15），须令 PS[0:2]=101。写 PROFILE 寄存器时则无此要求。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/8 14:19:36
AD9914是一款带12 位DAC的直接数字频率合成器(DDS)。该器件采用DDS技术，连同高速、高性能数模转换器，构成数字可编程的完整高频合成器，能够产生高达1.4 GHz的频率捷变模拟输出正弦波。AD9914 支持对芯片内三个独立模块分别掉电：数字内核DAC输入 REF CLK 时钟电路数字内核被关闭后，串/并 I/O 端口无法更新；但仍可通过清零“数字掉电位”(寄存器 0x00[7]) 避免进入不可恢复状态。软件掉电由 CFR1 寄存器中的 3 个独立掉电位控制。使用软件控制时，必须将 EXT_PWR_DWN 引脚强制为逻辑 0。此时，通过串行端口置位相应的掉电位 (0x00[7:5]) 即可关闭对应模块，清零则恢复功能。硬件掉电将 EXT_PWR_DWN 引脚拉高（逻辑 1）可同时关闭上述三个模块；此时 CFR1 内的掉电位被忽略并强制失效。掉电模式选择EXT_PWR_DWN 引脚触发的掉电类型由 CFR1[3] 决定：CFR1[3] = 1（默认）：进入完全掉电模式。唤醒后必须重新执行 DAC 校准；若 PLL 使能，还需执行 VCO 校准。CFR1[3] = 0：进入快速恢复掉电模式。该模式下 DAC 偏置、PLL、VCO 及输入时钟电路仍保持供电，因此唤醒后无需重新校准 DAC 或 VCO。虽然功耗节省幅度较小，但可实现极速唤醒。快速恢复掉电特别适用于使用 PLL 的场景：即使 EXT_PWR_DWN 保持高电平，PLL 仍锁定在输入参考信号上。需注意，在此模式下 DAC 并未完全“睡眠”，其输出可能出现未规定的信号或噪声；若应用要求在快速恢复掉电期间 DAC 输出保持安静，则须在外部增加静音/屏蔽电路。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/8 14:12:30
LT8640/LT8640-1 是一款单片、恒定频率、电流模式降压型 DC/DC 转换器。其工作原理详细如下：RT 引脚外接电阻设定振荡频率；每个时钟周期开始时，振荡器打开内部顶侧功率开关，电感电流随之上升，直至顶侧开关电流比较器翻转并关断顶侧开关。顶侧开关的关断峰值电感电流由内部 VC 节点电压控制：误差放大器通过比较 FB 引脚电压与内部 0.97 V 基准来伺服 VC 节点。负载电流增大时，反馈电压相对基准下降，误差放大器便抬高 VC 电压，使平均电感电流与新负载电流匹配。顶侧开关关断后，同步功率开关导通，直到下一时钟周期开始或电感电流降为零。如果过载导致底侧开关电流超过 10 A，下一时钟周期将被延迟，直至开关电流回到安全值。EN/UV 引脚为低时，芯片关断，仅消耗 1 µA 输入电流；当 EN/UV 高于 1 V，开关稳压器启动。为优化轻载效率，LT8640/LT8640-1 在轻载时进入 Burst Mode 工作：突发间隙，所有与输出开关控制相关的电路被关闭，输入供电电流降至 1.7 µA；典型无负载稳压应用仅消耗 2.5 µA。SYNC/MODE 引脚接地启用 Burst Mode；悬空则进入跳脉冲模式（LT8640）或强制连续模式（FCM，LT8640-1）。若在该脚施加时钟，器件将同步至外部频率，并分别工作在跳脉冲模式（LT8640）或 FCM（LT8640-1）。跳脉冲模式（仅 LT8640）下，振荡器持续运行，SW 正沿与时钟对齐；轻载时通过跳过开关脉冲来维持稳压，静态电流为数百 µA。LT8640-1 的强制连续模式（FCM）可在宽负载范围内实现快速瞬态响应并保持固定频率。FCM 允许负向电感电流，器件可从输出吸收电流并将其返回输入端，从而改善负载阶跃瞬态响应。为降低 EMI，LT8640/LT8640-1 ...
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2026/1/8 14:05:51
LT®8640/LT8640-1降压稳压器采用静音切换器架构，旨在最大限度地减少EMI排放，同时在高达3MHz的频率下提供高效率。引脚配置图关于其引脚配置功能详解如下所示：BIAS（引脚 1）当 BIAS 被置于高于 3.1 V 的电压时，内部稳压器改从 BIAS 而非 Vin 取电。若输出电压为 3.3 V–25 V，应把此脚直接接至 Vout。若接其它电源，须在该脚就近加 1 µF 旁路电容；若无合适电源，则接 GND。INTVcc（引脚 2）内部 3.4 V 稳压器旁路脚。内部功率驱动器与控制电路均由此供电，最大输出电流 20 mA，禁止外接负载。当 BIAS3.1 V 时由 BIAS 供电，否则由 Vin 抽取电流；BIAS 在 3.0 V–3.6 V 区间时，INTVcc 电压介于 2.8 V–3.4 V。须在该脚对功率地就近接 ≥1 µF 低 ESR 陶瓷电容。BST（引脚 3）为顶侧功率开关提供高于输入电压的驱动电压。务必在 IC 旁边就近放置 0.1 µF 自举电容。Vin1（引脚 4）LT8640/LT8640-1 需要两只 1 µF 输入旁路电容：一只接在 Vin1 与 GND1 之间，另一只接在 Vin2 与 GND2 之间，均须尽量靠近芯片。此外，还需在芯片附近放一只 ≥2.2 µF 的较大电容，其正端同时接 Vin1、Vin2，负端接地。GND1（引脚 6、7）功率开关地，为内部底侧功率开关的回流路径，两脚必须互连。输入电容负端应尽可能靠近 GND1，并与完整地平面相连。SW（引脚 8、9）内部功率开关输出节点。两 SW 脚互连后接电感与自举电容，该节点在 PCB 上面积应尽可能小，以获得最佳性能并降低 EMI。GND2（引脚 10、11）功率开关地，同 GND1 说明：两脚互连，输入电容...
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2026/1/8 13:52:58
多相并联运行当负载电流超过 10 A 时，可将 LTM4631 的两路输出并联，甚至把多颗 LTM4631 并联，并以错相方式工作，从而在不增加输入/输出电压纹波的前提下提供更大输出电流。MODE_PLLIN 引脚允许 LTM4631 同步至外部时钟（400 kHz–780 kHz），内部锁相环（PLL）还能锁定输入时钟的相位。CLKOUT 信号可接到下一级 LTM4631 的 MODE_PLLIN 引脚，使整个系统频率与相位保持一致。将 PHASMD 引脚分别接至 INTVCC、SGND 或悬空，可在 MODE_PLLIN 与 CLKOUT 之间产生 120°、60° 或 90° 的相位差。通过为每颗 LTM4631 的 PHASMD 引脚设定不同电平，最多可实现 12 相同时错相运行。图 3 给出了 2 相、4 相及 6 相设计的时钟相位示例表。多相电源可显著降低输入与输出电容的纹波电流：输入侧 RMS 纹波电流随相数增加而成比例减小（假设输入电压 相数 × 输出电压），等效纹波频率也乘以相数。当所有输出并联构成单路大电流电源时，输出电压纹波幅值同样随相数增加而降低。LTM4631 本质为电流模式控制，因此并联模块之间电流分配非常均衡，有利于整个系统的热平衡。图 26 给出了并联运行及引脚连接的示例。如有型号采购及选型需求，可知接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/8 13:46:34