RFSW8008是一款单极双掷开关（SPDT），专为Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac系统而设计。小封装尺寸最大限度地减少了客户应用中的布局面积，宽的操作频率范围使其在典型系统中具有广泛的应用范围。该器件采用1.0 mm x 1.075 mm x 0.5 mm的7针QFN封装。特性•插入损耗=900 MHz时典型的0.3 dB•插入损耗=2.5 GHz时的典型值0.4 dB•插入损耗=5 GHz时典型的0.75 dB•隔离度=27 dB•P0.1dB27 dBm•开关控制逻辑1.2 V•高ESD 2 kV HBM应用•接入点•客户驻地设备•无线路由器•无线网关•无线扩展器
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2025/5/9 14:25:01
TP0310K是一款功率低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对不同的频带进行调谐，目标是在0.03-3.8 GHz频带内实现低噪声、高功率和高线性。在1.85 GHz时，放大器通常提供16.5 dB增益、27.5 dBm OP1、+39 dBm OIP3和1.0 dB噪声系数，同时从+5 V电源汲取140-160 mA电流。TP0310K采用紧凑、低成本的双扁平无引线（QFN）3 x 3 x 0.8 mm、16针塑料封装。特性1850 MHz时的小信号增益：16.5 dBNF@1850MHz：1.0dBOP1dB@1850MHz：27.5 dBmOIP3dB@1850MHz：39dBm5V典型工作电压工作频率：0.03至3.8 GHz应用4G/5G基础设施无线电小细胞和细胞中继器L、 S波段相控阵雷达军用/商用无线电SDARS
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2025/5/9 14:19:33
TA9310E是一种宽带GaN功率晶体管，能够在500 MHz至4.0 GHz频带内提供20 W CW。晶体管可以在较低的频率下使用，同时降低输出功率。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。 TA9310E采用紧凑、低成本的双扁平无引脚（DFN）5 x 6 x 0.75 mm、8引脚塑料封装。特性● 900 MHz时的小信号增益：17.5 dB● 900 MHz时的大信号增益：14.0 dB● 900 MHz时的PSAT：44 dBm● 在900 MHz时，PSAT的PAE：55%● 28 – 32 V典型操作● 工作频率：30 MHz至4.0 GHz应用● 私人移动无线电手机● 公共安全无线电● 蜂窝基础设施● 军用无线电
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2025/5/9 14:15:11
TA9410E是一种宽带GaN功率晶体管，能够在20 MHz至3.0 GHz频带内提供25 W CW。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。 TA9410E采用紧凑、低成本的双扁平无引脚（DFN）5 x 6 x 0.75 mm、8引脚塑料封装。特性● 1000 MHz时的小信号增益：20 dB● 1000 MHz时P3dB的增益：17 dB● 1000 MHz时的P3dB:44 dBm● 1000 MHz时P3dB的PAE：57%● 50 V典型操作● 工作频率：20 MHz至3.0 GHz应用● 私人移动无线电手机● 公共安全无线电● 蜂窝基础设施● 军用无线电
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2025/5/9 14:09:32
LTM®8049 是一款双路 SEPIC / 负输出 μModule®(电源模块) DC/DC 转换器。可通过简单地把适当的输出电压轨接地而容易地将两个输出各自配置为 SEPIC 或负输出转换器。LTM8049 内置了功率器件、电感器、控制电路和无源组件。仅需采用输入和输出电容器、和小电阻器以设定输出电压和开关频率便可实现完整的设计。可以采用其他的组件来控制软起动和欠压闭锁。LTM8049 采用耐热性能增强的紧凑型 (15mm x 9mm) 模压树脂球栅阵列 (BGA) 封装，适合采用标准的表面贴装设备来进行自动化装配。LTM8049 采用 SnPb (BGA) 或符合 RoHS 标准的端子涂层。特性• 两个完整的开关模式电源• SEPIC 或负输出拓扑• 宽输入电压范围：2.6V 至 20V• 2.5V 至 24V 或 –2.5V 至 –24V 输出电压• 可从 12VIN 产生 1A/5VOUT• 可选的开关频率：200kHz 至 2.5MHz• 电源良好输出用于基于事件的排序• 可由用户配置的欠压闭锁• 具有金衬垫涂层并符合 (e4) RoHS 标准的封装• 扁平 15mm x 9mm x 2.42mm 表面贴装型 BGA 封装应用• RF 和微波设计• 电压电平转换• 通用软件无线电• 雷达系统• 点对点通信系统• 多输入/多输出 (MIMO) 无线电• 自动测试设备
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2025/5/9 13:57:54
全球电子元件巨头TDK株式会社全新发布HVC50高压直流接触器，专为1500 V高功率场景设计，支持750 A大电流承载能力。该产品可广泛应用于电动汽车牵引系统、锂离子电池通断控制、储能设备及兆瓦级充电基础设施，助力实现高效能源管理与低碳化目标，加速工业及交通领域的绿色电气化转型。HVC50能在单次动作中于30 ms内切断高达1500 V的直流电压和高达1000 A的直流电流；在连续运行条件下，其最大载流能力可达750 A。该元件兼具可靠性、安全性和易集成性，重量为1.7 kg，尺寸为97.8 x 140 x 94.2 mm，专为满足工业应用和商用车辆的苛刻要求而设计。HVC50采用气体填充设计的陶瓷灭弧室，即使在极端工况下，也能快速、安全地断开电流。其集成的镜像触点符合IEC 60947-4-1标准，可提供精确的开关反馈，从而增强了操作安全性。双向导电能力支持充/放电应用，赋予了接触器优异的灵活性。此外，双线圈设计支持12 V或24 V的工作电压，确保高效节能的运行。该元件的接通功率为50 W，稳态功率仅为6 W，因为其中一个线圈会在约200 ms后关闭。HVC50通过CE、UKCA和UL认证，符合全球安全和性能标准，广泛适用于包括欧洲、美国和亚洲在内的多个地区。HVC50可满足储能系统 (ESS) 以及兆瓦级充电系统 (MCS) 的高效可靠供电需求，有望加速可持续能源解决方案和高容量充电基础设施的全球推广。特性和应用主要应用牵引用电池系统储能系统 (ESS)兆瓦级充电系统 (MCS)主要特点和优势最大开断电流：1000 A (DC) @1500 V (DC)连续负载电流：≤ 750 A (DC) @1500 V (DC)主端子采用无极性设计（适合充/放电应用）辅助触点设计为镜像触点双线圈结构线圈采用TVS二极管端接符合RoHS标免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于...
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2025/5/9 13:53:33
英飞凌科技宣布推出CoolGaN™ G5系列中压晶体管，成为全球首款专为工业应用设计的集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品通过将肖特基二极管直接嵌入GaN晶体管结构，有效消除传统功率转换中的死区时间损耗，显著提升系统能效。在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联，或者通过控制器缩短死区时间。然而，无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解此类问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU） 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示：“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术，才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐，进一步推动宽禁带半导体材料的发展。”由于缺乏体二极管，GaN晶体管的反向传导电压（VRC）取决于阈值电压（VTH）和关断态下的栅极偏置偏压（VGS）。此外，GaN晶体管的VTH 通常高于硅二极管的导通电压，这就导致了反向传导工作（也称为第三象限）期间的劣势。因此，采用这种新型CoolGaN™ 晶体管后，反向传导损耗降低，能与更多高边栅极驱动器兼容，且由于死区时间放宽，控制器的兼容性变得更广，显著简化设计。首款集成肖特基二极管的GaN晶体管为采用3 x 5 mm PQFN 封装的100 V 1.5 m...
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2025/5/9 13:50:15
据行业最新消息，三星电子成功拿下高通第二代骁龙8至尊版（Snapdragon 8 Elite Gen 2）移动处理器的部分代工订单，计划采用其2nm制程技术进行生产，预计该处理器将于2025年下半年正式推出（数据来源：韩国《电子时报》）。这一合作标志着三星首次将2nm制程应用于高通旗舰级芯片生产，但业界分析指出，其订单规模仍远小于台积电。技术路线差异凸显工艺代差三星此次跳过3nm制程、直接以2nm切入，被视为对其3nm工艺竞争力不足的“曲线补救”。据市场研究机构TechInsights数据，台积电3nm制程良率已突破80%，而三星3nm良率仍徘徊在60%-70%之间。尽管如此，三星2nm制程通过GAA晶体管架构优化，在能效比上有望缩小与台积电的差距（数据来源：三星半导体官方技术白皮书）。订单分配折射供应链博弈尽管三星入局，但高通仍将大部分订单交给台积电，后者将采用升级版N3P制程生产主供版本。这种“双源代工”模式既保障了产能弹性，也符合高通近年来推动供应链多元化的战略。Counterpoint Research预测，2026年台积电在高端芯片代工市场的份额仍将维持在75%以上。产品节奏暗藏市场变数值得关注的是，三星2nm版骁龙8 Elite Gen 2或将由2026年下半年发布的Galaxy Z Fold 8首发搭载，这与三星传统上将专属优化版芯片优先用于Galaxy S系列旗舰机的策略形成鲜明对比。行业推测，三星可能调整产品路线图，或为折叠屏机型赋予更高技术优先级（数据来源：The Elec产业报道）。技术对决引发行业期待随着两款制程版本芯片同期面世，其性能与能效表现将成为焦点。半导体分析机构SemiAnalysis指出，2nm制程在相同功耗下可实现10%-15%的性能提升，但实际表现仍需观察量产良率与散热设计。对于消费者而言，2026年高端手机市场或将迎来“同芯不同命”...
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2025/5/9 13:48:15
在2025年台积电北美技术研讨会上，半导体制造巨头台积电宣布其1.4nm制程（A14）将延续现有技术路线，无需采用ASML最新High NA（高数值孔径）EUV光刻机。这一决策与此前公布的A16工艺（2nm增强版）形成技术路线延续，标志着台积电在制程领域构建起差异化竞争壁垒。成本博弈：单次曝光VS多次曝光的经济账据台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang透露，A14工艺预计2028年实现量产，其技术路线图显示，通过优化Low NA EUV光刻机的多重曝光工艺，可在不增加工艺复杂性的前提下，实现与High NA EUV相近的线宽控制能力。ASML官方数据显示，单台High NA EUV设备售价达3.8亿美元，较现有Low NA EUV设备高出111%。台积电测算表明，采用多重曝光方案可使单片晶圆成本降低约23%，设备折旧周期延长40%。技术路线分歧：英特尔激进与台积电稳健的博弈与台积电形成鲜明对比的是，英特尔正加速推进High NA EUV技术应用。作为全球首家接收ASML TWINSCAN EXE:5000系列设备的厂商，英特尔计划2025年在Intel 18A制程中导入该技术。然而，设备高昂的采购成本与维护支出，使得单个晶圆厂建设成本激增35亿美元。随着英特尔新任CEO陈立武近期与台积电高层展开会谈，业界猜测双方或将在封装领域探索合作可能，这为半导体行业技术路线之争增添新变量。工艺创新：背面供电技术成新赛道值得注意的是，台积电A14工艺虽未采用High NA EUV，但通过创新架构设计维持性能领先。其标准版A14工艺采用第二代纳米片晶体管技术，而计划2029年推出的A14P版本将首次引入背面供电网络（BSPDN），实现15%性能提升。更值得关注的是，台积电预留了技术升级窗口——A14X高性能版本或将根据High NA EUV设备成本变化，在2030年后评估导入可行性...
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2025/5/9 13:46:01
LFCG-2275+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，通带DC至2275 MHz，支持多种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.9 dB的典型插入损耗。该滤波器采用微小的0805陶瓷外形，带有可检查的环绕式端接，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性低插入损耗，典型值0.9dB。良好的回波损耗，典型值为15dB。阻带抑制，典型值45dB。 0805表面安装占地面积功率处理：4.5瓦应用ISM应用通信、雷达和防御系统测试和测量设备 LTE和5G MIMO基础设施
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2025/5/8 14:26:58
Mini-Circuits的LFCG-3500+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到3500 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.3 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达4.5W的射频输入功率，并提供-55°C至125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特性•低损耗，典型值为1.3 dB•典型高抑制40 dB•尺寸极小的0805（2.0毫米x 1.25毫米）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线应用
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2025/5/8 14:14:08
Mini-Circuits的LFCG-510+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至510MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.1dB的典型插入损耗。采用0805陶瓷外形，非常适合密集信号链PCB布局，与MMIC尺寸和性能相辅相成。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性插入损耗，典型值1.1dB。阻带抑制，典型值48dB。通带回波损耗，典型值15dB。0805表面安装占地面积功率处理：3.5瓦应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机测试和测量电信和宽带无线应用卫星通信调制解调器
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2025/5/8 14:08:58
Mini-Circuits的LFCG-1900+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至1.9GHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.9dB的典型插入损耗。采用0805陶瓷外形，非常适合密集信号链PCB布局，与MMIC尺寸和性能相辅相成。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性低插入损耗，典型值0.9dB。通带回波损耗，典型值15dB。阻带抑制，典型值51dB。0805表面安装占地面积功率处理：5.5瓦应用ISM应用程序通信、雷达和防御系统测试和测量设备LTE和5GMIMO基础设施
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2025/5/8 14:05:00
Mini-Circuits的LFCG-2000+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到2000 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.0 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特性•低损耗，典型值为1.0 dB•很好的抑制能力，典型值为50 dB•出色的功率处理能力，5.5W•尺寸极小的0805（0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•军事无线电应用•测试和测量•电信和宽带无线应用
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2025/5/8 14:00:02
Mini-Circuits的LFCG-900+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到850 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.3 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达4.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特性•低损耗，典型值为1.3 dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，4.5W•尺寸极小的0805（2.0mm x 1.25mm）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线应用•医疗遥测
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2025/5/8 13:57:15
Mini-Circuits的LFCG-360+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至360 MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.9 dB的典型插入损耗。采用0805陶瓷外形，非常适合密集信号链PCB布局，与MMIC尺寸和性能相辅相成。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性插入损耗，典型值0.9 dB。阻带抑制，典型值46 dB。通带回波损耗，典型值19dB。0805表面安装占地面积功率处理：3瓦应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机测试和测量电信和宽带无线应用卫星通信调制解调器
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2025/5/8 13:51:44
HFCN-2700A+是Mini-Circuits的一款陶瓷HPF滤波器芯片，最小5节，最大5节，其中心或截止频率（fo/fc）为2700MHz，符合ROHS标准，HERMETIC密封，陶瓷，外壳FV1206-1，6针。规格参数频率:2.9 GHz to 8.7 GHz带宽:5800 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:HFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.77 dB特性尺寸小5个部分温度稳定出色的功率处理能力，7W密封LTCC结构成本低应用次谐波抑制发射器/接收器
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2025/5/8 13:47:33
SBTCJ-1W+是Mini-Circuits的一款合路器芯片，其工作频率最小1MHz，最大750MHz，最大1.8dB插入损耗，0.150 X 0.150英寸，0.150英寸高，符合ROHS标准，微米级，外壳AT790，5针。规格参数频率:1 MHz to 750 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:3.81 mm x 3.81 mm x 3.81 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:SBTCJ封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.9 dB安装:Board Mount特性•低插入损耗，典型值为0.7 dB。•良好的隔离，典型值为23dB。•电压驻波比良好，典型值为1.25。所有端口•尺寸小，0.15X0.15“X0.15”•温度稳定，LTCC基座•成本低应用•蜂窝•UHF/VHF接收器/发射器
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2025/5/8 13:36:31