Mini-Circuits的FW-A系列是直流至12000 MHz频率范围内的固定衰减器，具有出色的衰减平坦度。FW-A系列的标称衰减范围为1至20 dB。该衰减器系列支持测试和测量应用。精确的性能、出色的VSWR和坚固的一体式结构使该模型成为需要在非常宽的频率范围内进行精确衰减的系统的理想解决方案。特性宽带覆盖，DC至12000 MHz额定功率高达1瓦坚固的一体式结构现成可用性成本非常低应用阻抗匹配信号电平调整尺寸图
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2025/3/19 13:22:14
Mini-Circuits的FW-A系列是直流至12000 MHz频率范围内的固定衰减器，具有出色的衰减平坦度。FW-A系列的标称衰减范围为1至20 dB。该衰减器系列支持测试和测量应用。精确的性能、出色的VSWR和坚固的一体式结构使该模型成为需要在非常宽的频率范围内进行精确衰减的系统的理想解决方案。规格参数封装 / 箱体:FF704衰减:5 dB阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel最大 VSWR:1.55商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C封装:Bulk功率额定值:1.4 W产品类型:Attenuators特性宽带覆盖，DC至12000 MHz额定功率高达2瓦坚固的一体式结构现成可用性成本非常低应用阻抗匹配信号电平调整尺寸图
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2025/3/19 13:17:51
LFCN-320+是Mini-Circuits的一款陶瓷滤波器芯片，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为460MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 320 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mi0000 ni-Circuits介入损耗:1 dB特性出色的功率处理能力，8.5W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机尺寸图
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2025/3/19 11:50:45
HFCN-1760+是Mini-Circuits的一款陶瓷滤波器芯片，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为1760MHz，符合ROHS标准，陶瓷密封，外壳FV1206，4针。规格参数产品:High Pass Filters频率:1.9 GHz to 5.5 GHz带宽:3600 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:HFCN封装:Reel封装:Cut Tape介入损耗:1.31 dB安装:Board Mount特性成本低尺寸小7节温度稳定出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用尺寸图
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2025/3/19 11:48:46
ADC-20-4+是Mini-Circuits的一款定向耦合器芯片，其工作频率最小5MHz，最大1000MHz，最大插入损耗1.3dB，符合ROHS标准，外壳CD542，6针。规格参数频率:1 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:ADC封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.7 dB特性•宽带，5-1000 MHz•主线损耗低，典型值为0.5 dB。•高指向性，典型值为21dB。•可水洗应用•有线电视•通信尺寸图
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2025/3/19 11:35:32
HMC427ALP3E是一款低损耗宽带正控制转换开关，采用无引脚表贴封装。 该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。 该开关采用0/+5V正控制电压工作，所需固定偏置为+5V (规格参数开关配置:SPDT最小频率:0 Hz最大频率:8 GHz介入损耗:1.8 dB关闭隔离—典型值:43 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16技术:GaAs系列:HMC427封装:Reel封装:Cut Tape特性• 高隔离度：40 ~ 45 dB，6 GHz• 低插入损耗：1.5 dB（6 GHz时）• 非反射式设计• 3×3mm SMT封装应用• 测试仪器仪表• 光纤和宽带通信• 基站基础设施• 微波无线电和VSAT• 军用无线电、雷达和ECM引脚配置图
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2025/3/19 11:30:36
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的英飞凌科技股份公司于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装，其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为1500 VDC的应用，是太阳能和电动汽车充电桩的理想之选。这款TO-247-2 封装的2000 V CoolSiC™肖特基二极管G5的额定电流范围为10 A至80 A。相比1200 V 解决方案，这款产品能使开发人员在应用中实现更高功率等级，同时将器件数量减半，从而简化整体设计，并有助于从多电平拓扑结构无缝过渡到两电平拓扑结构。此外，TO-247-2 封装的肖特基二极管还采用.XT互联技术，大大降低了热阻抗，提高了热管理能力。它还通过HV-H3TRB可靠性测试，验证了在潮湿环境中的稳定性。这款二极管没有反向恢复和正向恢复，且具有正向电压低的特点，从而确保了系统性能的提升。2000 V二极管系列可与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC 封装CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美匹配。除TO-247-2 封装外，CoolSiC™肖特基二极管 2000 V还提供 TO-247PLUS-4 HCC封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/19 11:24:52
安森美(onsemi)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等应用中的电子换向（EC）风机。EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美 IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖 15A 至 35A 的低电流）形成互补，提供从 40A 到 70A 的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对 EC 风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。 SiC IPM 可确保 EC 风机以更高能效可靠运行。与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC 风机需要比现有较大的 IGBT 解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前 IGBT 功率集成模块 (PIM) 的系统解决方案相比，在 70% 负载时的功率损耗为 ...
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2025/3/19 11:14:58
MNA-2W+是一款基于PHEMT的宽带MMIC放大器，具有高有源指向性。MNA将整个匹配网络和封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使MNA放大器的使用非常简单。该设计在单个2.8至5V电源上运行，与50Ω匹配良好，采用小巧、薄型的3x3mm 8引脚MCLP封装，可容纳密集的电路板布局。特性集成匹配、直流块和偏置电路高指向性，典型值+21 dB。2.5 GHz和5V工作电压超过2.8-5V电源电压选择，+2.8V至+5V微型尺寸.120“X.120”射频输入和输出端的内部直流阻断输出功率，典型值+17.5 dBm。2.5 GHz和5V可水洗应用缓冲放大器蜂窝基础设施通信卫星防御尺寸图
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2025/3/18 14:16:08
Mini-Circuits PSA-545+是一款基于E-PHEMT的超低噪声MMIC放大器，工作频率为50 MHz至4 GHz，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为敏感接收器应用的理想选择。该设计在单个3V电源上运行，电流仅为80mA，内部匹配为50欧姆。规格参数工作频率:50 MHz to 4 GHz工作电源电压:3 V工作电源电流:80 mA增益:10.4 dBNF—噪声系数:1.7 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6技术:SiP1dB - 压缩点:20.5 dBmOIP3 - 三阶截点:35.4 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PSA封装:Reel封装:Cut Tape特性•单正电源电压，+3V，Id=80mA•超低噪声系数，典型值为0.8 dB。1 GHz•高IP3，典型值高达35 dBm。1 GHz•输出功率为1dB comp。，典型值高达+20 dBm。•增益，典型值为20 dB。1GHz•微型SOT-363封装•可水洗•低附加相位噪声应用•蜂窝•ISM•GSM•WCDMA•LTE•WiMax•无线局域网•UNII和HIPERLAN尺寸图
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2025/3/18 14:11:16
PMA-5456+是一款高动态范围、低噪声、高IP3、高输出功率的单片放大器。采用E-PHEMT*技术制造，使其能够在单个正电源电压下工作。在工作频率范围内无条件稳定。规格参数工作频率:50 MHz to 6 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:60 mA增益:5.8 dBNF—噪声系数:2.4 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:SiP1dB - 压缩点:22.1 dBmOIP3 - 三阶截点:37.2 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PMA封装:Reel封装:Cut Tape特性超低噪声系数，0.8 dB高IP3，典型值为34 dBm。1GHz宽带，高达6 GHz低附加相位噪声适用于低相位噪声应用应用蜂窝ISMGSMWCDMALTEWiMAX无线局域网UNII和HIPERLAN尺寸图
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2025/3/18 14:09:11
YAT-A衰减器（符合ROHS标准）是使用高度重复的MMIC工艺制造的固定值吸收衰减器，包括GaAs基板上的薄膜电阻器。YAT-A衰减器包含晶片金属化通孔，以实现低热阻和宽带操作。YAT-As的标称衰减值为0至10 dB（以1 dB为步长），以及12、15、20和30 dB。包装在2毫米x 2毫米的微型MCLPTM包装中，适合狭小的空间。规格参数封装 / 箱体:MCLP-6衰减:12.8 dB最大频率:18 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel最大 VSWR:1.9商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape特性卓越的功率处理宽带，直流-18 GHz微型封装MCLP™2 x 2 mm出色的衰减精度和平整度应用蜂窝PCS通讯雷达防御尺寸图
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2025/3/18 14:02:10
Mini-Circuits PMA-545G2+是一款基于E-PHEMT*的低噪声MMIC放大器，工作频率为1.2至1.6 GHz，具有低噪声和高增益的独特组合，使其成为敏感接收器应用的理想选择。该设计在单个+5V电源上运行，内部匹配为50欧姆。规格参数工作频率:1.1 GHz to 1.6 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:158 mA增益:29.6 dBNF—噪声系数:1.1 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT技术:SiP1dB - 压缩点:22.4 dBmOIP3 - 三阶截点:34.3 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PMA封装:Reel封装:Cut Tape特性高增益，典型值30.4 dB。1.4 GHz超低噪声系数，典型值为1.0 dB。1.4 GHz高IP3，典型值为34 dBm。1.4 GHz输出功率，典型值高达+22dBm。1.4 GHz单正电源电压，5V微型尺寸-3mm x 3mm可水洗应用机载雷达全球定位系统国际海事卫星组织尺寸图
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2025/3/18 13:56:06
GVA-60+（符合RoHS标准）是一种使用HBT技术制造的宽带放大器，在宽频率范围内提供超平坦增益，具有高IP3。此外，GVA-60+在较宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件，并且具有出色的可靠性。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:10 MHz to 5 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:92 mA增益:14.2 dBNF—噪声系数:4.5 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:InGaPP1dB - 压缩点:10 dBmOIP3 - 三阶截点:19.3 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C特性在50至1000 MHz范围内具有出色的增益平坦度和回波损耗高IP3与直流功耗宽带高动态范围，无需外部匹配组件增益，典型值20dB。0.4 GHz增益平坦度：在50-1000MHz范围内为±0.3dB出色的输入回波损耗，高达2 GHz，17-24 dB高磅，典型值P1dB+20.0 dBm。0.4 GHz优异的ESD保护，HBM为1C级不需要外部匹配组件应用基站基础设施便携式无线有线电视和DBSMMDS和无线局域网LTE尺寸图
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2025/3/18 13:52:16
YAT-A衰减器（符合ROHS标准）是使用高度重复的MMIC工艺制造的固定值吸收衰减器，包括GaAs基板上的薄膜电阻器。YAT-A衰减器包含晶片金属化通孔，以实现低热阻和宽带操作。YAT-As的标称衰减值为0至10 dB（以1 dB为步长），以及12、15、20和30 dB。包装在2毫米x 2毫米的微型MCLPTM包装中，适合狭小的空间。规格参数封装 / 箱体:MCLP-6衰减:8.7 dB最大频率:18 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel最大 VSWR:1.96商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape功率额定值:1.2 W特性卓越的电源处理宽带，DC-18 GHz微型封装MCLP™2 x 2 mm出色的衰减精度和平整度应用蜂窝PCS通讯雷达防御尺寸图
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2025/3/18 13:39:07
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，全新推出 SRF0703HA 系列双绕组屏蔽功率电感器。Bourns® 全新符合 AEC-Q200 标准的车规级功率电感器，可用于并联、串联、双电感器或变压器配置，为设计师提供额定电流与电感设计灵活性。此外，此款单一封装的双绕组电感器相比于使用两个独立电感器，提供了节省空间和降低成本的解决方案。全新符合 AEC-Q200 标准的车规级电感器提供额定电流和电感设计灵活性，可用于并联、串联、双电感器或变压器配置Bourns® SRF0703HA 系列专为单端初级电感转换器 (SEPIC) 拓扑结构、汽车系统和电源供应器提供了解决方案。该系列拥有 -55°C 至 +150°C 的广泛操作温度范围，并具备磁屏蔽功能，能有效降低辐射，非常适用于需满足低噪音要求的应用场景。全新 Bourns® SRF0703HA 双绕组屏蔽功率电感器系列现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准且为无卤产品**。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。**Bourns 产品符合“无卤”要求前提 (a) 溴含量少于等于 900 ppm (b) 氯含量少于等于 900 ppm，并且 (c) 溴与氯的 含量总和少于等于 1500 ppm。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/18 13:26:55
全球连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布，推出旗下首款全集成低功耗超宽带（UWB）片上系统（SoC）QM35825，进一步拓展其 UWB 产品组合。这款高性能、超低功耗 SoC 凭借基于雷达的传感技术实现精准定位追踪，适用于存在检测自动化、家用安全门禁、非接触式生命体征监测，以及个性化内容体验等场景。得益于 Qorvo 在 UWB 领域深耕超过十年的专业积累，QM35825 实现令人瞩目的 104dBm 链路预算，并拥有片上人工智能（AI）及机器学习（ML）处理能力，显著提升测距精度与稳定性。该全新解决方案立足于以开发者为中心的架构，提供易于访问的 API，确保与现有生态系统的顺畅集成，加速 UWB 创新应用的部署。“Qorvo 持续推动 UWB 技术创新。我们的解决方案帮助客户迅速将产品推向市场，从而加快了 UWB 的普及。”Qorvo 副总裁兼连接解决方案事业部总经理 Marc Pégulu 表示，“QM35825 凭借卓越的射频（RF）性能，结合雷达功能和精细测距精度，为消费、工业与企业市场的下一代应用铺平了道路。”QM35825 目前已开始向关键客户和网络基础设施提供商提供样品，体现 Qorvo 致力于以行业性能推进 UWB 技术发展的承诺。为支持新兴应用场景，Qorvo 已构建由 30 多家企业组成的强大合作伙伴生态系统，并设立活跃的技术论坛以促进协作。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/18 13:23:00
为满足各行各业对高性能、数学密集型应用日益增长的需求，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）正式发布PIC32A系列MCU。该产品进一步扩充了公司强大的32位MCU产品线，专为汽车、工业、消费、人工智能/机器学习（AI/ML）及医疗市场提供高性价比、高性能的通用型解决方案。32位PIC32A MCU采用200 MHz CPU，集成高速模拟外设，旨在大幅减少对外部元件的需求。其特性包括高达40 Msps的12位ADC、5纳秒高速比较器和100 MHz增益带宽积（GBWP）运算放大器，适用于智能边缘传感。这些特性结合高性能CPU，可在单一MCU上实现多任务处理，优化系统成本和物料清单（BOM）。此外，集成的硬件安全功能包括闪存和RAM的纠错码（ECC）、内存内置自测试（MBIST）、I/O完整性监控、时钟监控、不可变安全启动及闪存访问控制，旨在为嵌入式控制系统应用中的软件代码提供安全的执行环境。PIC32A MCU内置64位浮点单元（FPU），可高效处理数据密集型数学运算，支持模型化设计快速部署。这些MCU可助力开发者在传感器接口和数据处理等计算密集型应用中实现加速执行。Microchip 负责MCU业务部的副总裁Rod Drake 表示：“PIC32A系列面向智能传感与控制应用，通过平衡成本效益、性能与模拟外设，扩充了我们现有32位产品组合。高速外设与其他集成功能减少了对特定外部组件的需求，在降低系统复杂度的同时提供高性能解决方案。” 开发工具 PIC32A MCU由MPLAB® XC32编译器、MPLAB Harmony嵌入式软件开发框架以及dsPIC33A Curiosity 平台开发板（EV74H48A）和PIC32AK1216GC41064通用DIM（EV25Z08A）提供支持。为支持功能扩展，Cu...
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2025/3/18 13:17:01