圣邦微电子推出 SGM05HU1AL，一款 5.5V 单向静电放电（ESD）和浪涌保护装置。该器件可应用于 USB VBUS 和 CC 线路保护、麦克风线路保护，以及 GPIO 保护。SGM05HU1AL 专用于保护电压敏感元件免受 ESD 影响。出色的箝位能力、低漏电、高峰值脉冲电流处理能力和快速响应时间为暴露于 ESD 的设计提供了同类最佳的保护。由于体积小，它适用于手机、平板电脑、数码相机以及其他许多需要占用大量电路板空间的便携式应用。器件特性：低钳位电压：6.9V低漏电：10nA小型封装：UDFN-1×0.6-2BL为下列 IEC 标准提供保护：IEC 61000-4-2 4 级：±30kV 接触放电IEC 61000-4-5（雷击）: 43A（8/20μs）无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/20 13:11:59
近日，野村证券在报告中指出，英伟达因多项产品需求放缓，将大福削减在台积电、联电等CoWoS-S订单量高达80%，预计将导致台积电营收减少1%至2%。野村半导体产业分析师郑明宗指出，英伟达Hopper平台芯片停产、最新GB200A需求有限，加上GB300A需求缓慢，是英伟达大幅削减2025年在台积电、联电的CoWoS-S预订量的原因，预估每年减少5万片CoWoS-S需求，将导致台积电营收减少1%至2%。不过，郑明宗表示，虽CoWoS-S大减单，仍预期AI将带领台积电今年营收增长，贡献占比高于20%。此前行业调研机构semiwiki分析称，台积电在中国台湾大举扩充先进封装产能，其中随着英伟达需求推动，预估2025年CoWoS月产能估计6.5万片-7.5万片，2026年估计月产9-11万片。此外，2025年预计英伟达占据CoWoS总需求的63%，表明其在采用CoWoS技术方面的领导地位。紧随其后的是博通，占据13%的份额。AMD和Marvell各占据8%并列第三，表明两家公司对这项技术的兴趣相当。最近英伟达产品频传故障。据外媒报道，英伟达最新一代人工智能芯片Blackwell在部署至数据中心时遇到技术问题，包括服务器机架过热和芯片连接异常。主要客户微软、亚马逊云部门、谷歌母公司Alphabet和Meta等公司已经减少了英伟达Blackwell GB200机架订单。一些客户正在等待改进版本的机架，或者计划购买该公司旧款的AI芯片。Blackwell芯片是英伟达的新一代图形处理器（GPU）。机架是数据中心中用于容纳芯片、电缆及其他关键设备的结构。与上一代产品 Hopper 相比，Blackwell 的能源效率提高四倍，微软、亚马逊、Google 和 Meta 等为此下达价值近100 亿美元的订单。然而，将多个高功耗芯片整合到一个服务器机架中比预期更具挑战。每个 Blackwell 机...
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2025/1/20 13:10:19
天风国际证券分析师郭明錤近日发文指出，GB200 NVL72组装量产时程不断延期，将导致出货量低于预期。预期目前影响市场情绪最大的不是出货量变化，而是GB200 NVL72数次延期后对市场信心造成的负面影响，建议谨慎面对短期NVIDIA与相关供应链的潜在风险。郭明錤指出，根据GB200 NVL72组装量产时程延期纪录，从2024年9月延到当年12 月，再往后到今年第一季、再延到第二季。大量出货数次延期的结果，就是出货量将低于预期。目前预期2025年GB200 NVL72出货可能约2.5万~3.5万柜，显著低于去年市场情绪最乐观时预期的5万~8万柜。GB200 NVL72开案时间是2023年第四季，以合理开发时间为1.5~2年算，今年第二季是较为合理且乐观的预期，若延后到2025年下半年也不会意外，但这很可能会打击市场信心。谈到市场信心不足所带来的负面影响，郭明錤认为供应链预期GB200 NVL72将在2025年第二季大量出货，但投资人没看到大量出货证据前，对此信心不足。再者，即便先前有些供应商或客户张贴少量/样品出货的GB200 NVL72成品照片，对NVIDIA或供应链股价帮助有限，投资人更在意的是供应链调查、营收等明确大量出货的证据。第三点，当股价提前反应利多、市场信心不足时，市场传闻就很容易被放大或过度解读，如先前ASIC取代NVIDIA AI芯片，与近期CoWoS扩产相关等。此外，目前GB200较低规格机种与HGX几种订单消耗的GPU，仅约等同2,000~4,000柜GB200 NVL72，对提振市场信心帮助有限。至于GB300 NVL72有数个关键规格升级并需要开发时间，可能到2026上半年才能大量出货。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/20 13:08:13
PE426462是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它在-55°C至+125°C的工作温度范围内提供低插入损耗、快速RF TRISE/TFALL时间和高隔离度。它非常适合在这个温度范围内需要扩展支持的恶劣工业应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:10 MHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE426462A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•射频跳闸/全触发时间为100 ns•31 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•支持-55°C至+125°C的工作温度•封装：24引脚4×4mm QFN应用•高达8 GHz的恶劣工业应用•需要在-55°C至+125°C范围内扩展温度支持的应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 14:15:00
PE4250是一款HaRP™增强型反射SPDT射频开关，适用于一般交换应用和移动基础设施。该器件提供3.3/5V的灵活电源电压、单引脚或互补引脚控制输入和4000V ESD容差。它为pin二极管和机械继电器开关提供了一种简单的替代解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:40 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT点击购买：PE4250MLI-Z特性•增强了HaRP™技术•低插入损耗：1000 MHz时为0.65 dB•高隔离度：1000 MHz时为51 dB•P1dB典型值：+30.5 dBm•IIP3典型值：+59 dBm•快速切换时间：150 ns•灵活的电源电压：3.3V±10%或5.0V±10%电源•卓越的ESD保护：4000V HBM•不需要隔直电容器•单针或互补控制输入•包装：8导联MSOP引脚图
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2025/1/17 14:10:43
PE42440是基于UltraCMOS®工艺技术开发的HaRP™增强型SP4T射频开关。这种通用交换机包含四个相同的RF端口，可用于高达3000 MHz的多种应用。它将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要隔直电容器。此符合RoHS标准的零件采用标准的3 x 3 x 0.75 mm QFN封装。规格参数开关配置:SP4T最小频率:50 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:123.145 mg点击购买：PE42440MLBB-Z特性•HaRP™-增强技术，实现无与伦比的线性•插入损耗极低：1000 MHz时为0.45 dB，2000 MHz时为0.5 dB•极高隔离度：1000 MHz时为34 dB，2000 MHz时为28 dB•极高的ESD耐受性•用于2针控制的集成解码器•4.5Ω串联导通电阻低•不需要隔直电容器•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN引脚图
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2025/1/17 14:05:51
PE43712是一款50Ω、HaRP™技术增强型7位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至6 GHz的宽频范围。它具有无毛刺衰减状态转换的特点，支持1.8V控制电压，工作温度范围扩展到+105°C，使该设备成为许多宽带无线应用的理想选择。PE43712是PE43601和PE43701的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行可寻址和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE43712覆盖了0.25 dB、0.5 dB和1 dB步长的31.75 dB衰减范围。它能够在4 GHz内保持0.25 dB单调性，在5 GHz内保持0.5 dB单调性和在6 GHz内保持1 dB单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.75 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:2.45 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:5.5 V点击购买：PE43712B-Z特性•0.25 dB、0.5 dB和1 dB的灵活衰减步长，最高可达31.75 dB•无故障衰减状态转换•单调性：0.25 dB至4 GHz，0.5 dB至5 GHz，1 dB至6 GHz•工作温度延长至+105°C•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•封装——32引线5×5mm QFN应用3G/4G无线基础设施陆地移动无线电（LMR）系统点对点通信系统引脚图
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2025/1/17 13:56:21
PE4314是一款75ΩHaRP™技术增强型6位RF数字步进衰减器（DSA），支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺衰减状态转换的特点，支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围，使该设备成为多有线宽带应用的理想选择。PE4314是PE4304、PE4307、PE4308和PE43404的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE4314的衰减范围为31.5 dB，步长为0.5 dB。它能够在2.5 GHz内保持0.5 dB的单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:2.5 GHz阻抗:75 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:1.5 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:1 MHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V点击购买：PE4314B-Z特性•衰减步长为0.5 dB至31.5 dB•无故障衰减状态转换•有线电视和多载波应用的低失真•工作温度延长至+105°C•并行和串行编程接口•封装：20引脚4×4×0.85毫米QFN应用•DOCSIS 3.1/0客户驻地设备（CPE）和基础设施•卫星CPE和基础设施•光纤CPE和基础设施引脚图
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2025/1/17 13:51:05
PE42823是HaRP™技术增强型50ΩSPDT射频保护开关，专为高功率和高性能无线基础设施应用而设计，如支持高达6 GHz频率的宏蜂窝。该开关具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。PE42823还具有出色的隔离性能、快速的开关时间，并采用16导联3×3×0.75 mm。规格参数开关配置: SPDT 最小频率: 700 MHz 最大频率: 6 GHz 介入损耗: 1.28 dB 关闭隔离—典型值: 23 dB 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 105 C 安装风格: SMD/SMT点击购买：PE42823A-X特性•51 dBm LTE的出色单事件峰值功率处理•卓越的线性性能•延长工作温度+105°C•4.5 kV HBM在射频引脚对地上的高ESD性能•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN应用•4G/4.5G无线基础设施•5G/5G之前的大规模MIMO系统•基于TDD的射频收发器引脚图
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2025/1/17 13:42:45
PE42820是一款HaRP™技术增强型高功率反射SPDT射频开关，专为移动无线电、继电器更换和其他高性能无线应用而设计。该开关是PE42510A的引脚兼容升级版本，具有更宽的频率和电源范围，以及外部负极电源选项。它在30 MHz至2.7 GHz的范围内保持了出色的线性度和功率处理能力。PE42820还具有低插入损耗、高功率处理的特点，并采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:30 MHz最大频率:2.7 GHz介入损耗:0.7 dB关闭隔离—典型值:24 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT单位重量:3 g点击购买：PE42820B-X特性•高功率处理•出色的线性•插入损耗低•2.3–5.5V的宽电源范围•+1.8V控制逻辑兼容•ESD性能•外部负电源选项•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/17 13:31:54
PE42562是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42562提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.148 g点击购买：PE42562A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•210 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 13:27:10
株式会社村田制作所推出了1210尺寸静噪元件共模扼流线圈“DLM11CN_HH2系列”新产品，适用于汽车中的LVDS、SerDes、USB、HDMI等高速差分接口——其中LVDS(Low Voltage Differential Signaling)是液晶面板用接口，SerDes(Serializer/Deserializer)则用于串行和并行信号互换的电路。本新产品已从2024年12月起开始批量生产。在汽车市场，随着高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶(AD)的发展，汽车周围检测用相机、以及通过激光束检测车辆周围障碍物的系统的LiDAR(Light Detection and Ranging）等传感设备、环视显示器、平视显示器、智能后视镜、液晶速度仪表等使用显示器的设备也不断增加。此类设备的图像数据需要通过LVDS/SerDes来传输。此外，车辆内座位上还配备了多个USB端口，用作与智能手机和个人电脑联动的接口，用于USB端口的小型产品的需求也随之不断增长。此类差分接口的共模静噪对策至关重要，因此需要适用于高速信号的小型共模扼流圈。为此，村田基于自主研发的层压技术，成功研发了相较原有的2012尺寸更小型的1210尺寸产品。主要规格AEC-Q200是汽车电子协会（AEC，Automotive Electronics Council）制定的一项标准。文章来源：Murata村田中国免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/17 13:21:01
市场调查机构Canalys的最新数据显示，PC市场在2024年第四季度实现连续5个季度的增长，台式电脑、笔记本和工作站的总出货量达到6740万台，增长4.6%。笔记本（包括移动工作站）的出货量为5370万台，增长6.2%，而台式机（包括台式工作站）的出货量则下降1.4%，为1370万台。Canalys分析师Kieren Jessop表示：“2024年是PC市场小幅回暖并回归传统季节性的一年，全年出货量增长3.8%（达2.55亿台）。在第四季度，增长小幅提升，出货量同比增长4.6%。”按品牌来看，2024年第四季度，联想引领全球市场，全球出货量高达1690万台，与2023年第四季度强劲的出货量相比，同比增长4.9%；惠普紧跟其后，位居第二，全球出货量达到1370万台，同比下降1.6%；戴尔稳居第三，但其出货量在全年各季度均呈下滑趋势，第四季度降幅达0.2%；苹果位居第四，出货量为590万台，年增长率达到3.1%；而华硕同比增长率为21.6%，成为前五大厂商中增幅最快的厂商。展望未来，Canalys预计，2025年将是加速增长的一年，因为微软会在10月终止Windows 10的系统支持，迫使数亿PC用户更新设备。Canalys首席分析师Ishan Dutt表示：“展望未来，受商用需求的推动，PC市场将加速增长，企业正为Windows 10系统结束做准备。CES 2025上展示的进步表明，PC市场正致力于将AI PC打造成明星类别，这引发消费者开始关注更广泛的机型进行探讨。鉴于CPU和PC厂商的产品路线图开始在各类别、各价格区间和各地区中应用端侧AI，我们预计2025年AI PC将占全球出货量的35%。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/17 13:18:01
PE42512是一款HaRP™技术增强型吸收SP12T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42512提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP12T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:2.4 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42512A-X特性•高隔离度：6 GHz时为39 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.3 dB•232 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：32引脚5×5mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/16 14:20:15
PE42424是一款HaRP™技术增强型反射式50ΩSPDT射频开关，专为高功率和高性能WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax和Wi-Fi 6E应用而设计，如运营商和企业Wi-Fi产品以及支持高达8.5 GHz带宽的超宽带应用。该交换机具有出色的端口到端口隔离、快速切换速度和高功率处理能力，所有这些都在一个紧凑的1.5×1.5 mm封装中。PE42424还具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。此外，该器件具有强大的ESD和温度性能，不需要隔直电容器或任何外部匹配组件。规格参数开关配置:SPDT最小频率:100 MHz最大频率:8.5 GHz介入损耗:1.08 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42420F-Z特性•802.11 a/b/g/n/ac/ax、Wi-Fi 6E和超宽带•（UWB）支持•卓越的隔离•快速切换•高功率处理•在整个供电范围内具有高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•高ESD耐受性•包装：6芯1.5×1.5毫米DFN引脚图
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2025/1/16 14:14:13
PE42420是一款HaRP™技术增强型吸收SPDT射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。它非常适合传输路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。这种通用交换机由两个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的出色端口间隔离。集成CMOS解码器有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:50 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买:PE42420F-Z特性•增强了HaRP™技术•高线性•高度隔离•支持+1.8V控制逻辑•+105°C工作温度•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/16 14:06:55
PE42359 UltraCMOS®RF开关设计用于覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用。这种反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，可以使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称3V电源电压，可以实现33.5 dBm的典型输入1 dB压缩点。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了AEC-Q100 2级认证。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:13 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42359SCAA-Z特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•单引脚或互补CMOS逻辑控制输入•插入损耗低•1000 MHz时隔离度为30 dB•2kV HBM的高ESD耐受性•典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm•最低电源电压1.8V•包装：6导联SC‐70引脚图
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2025/1/16 13:59:35
PE43650是一款高线性、5位RF数字步进衰减器（DSA）。这种高度通用的DSA以0.5 dB的步长覆盖15.5 dB的衰减范围。PE43650 50ΩRF DSA提供多个CMOS控制接口。它在频率和温度上保持高衰减精度，并表现出非常低的插入损耗和低功耗。由于板载稳压器，性能不会随VDD而变化。此pSemi DSA采用4×4 mm 24引脚QFN封装。规格参数衰减:15.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:5 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.4 dB最大工作温度:+ 85 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V, 5 V点击购买：PE43650A-Z特性•衰减：0.5 dB至15.5 dB•高线性度：典型+58 dBm IP3•出色的低频性能•编程模式：直接并行、锁存并行和串行•CMOS兼容•不需要隔直电容器•封装：24芯4×4×0.85毫米QFN应用•3G/4G无线基础设施▪ 射频/中频增益控制▪ 基站（BTS）和远程无线电头端（RRH）▪ 光学和射频中继器▪ 分布式天线系统（DAS）•陆地移动无线电系统•点对点通信系统引脚图
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2025/1/16 13:53:06