LT8316 是一款微功率、高电压反激式控制器。调节无需使用光隔离器。该器件从出现在变压器第三绕组上的隔离式反激波形对输出电压进行采样。准谐振边界模式可改善负载调整、减小变压器尺寸，并保持高效率。在启动时，LT8316 通过一个高电压电流源为其 INTVCC 电容器充电。在正常运行期间，该电流源关闭，而器件则从变压器上的第三绕组吸取其所需的功率，从而较大限度降低待机功耗。LT8316 可在很宽的输入电源电压范围内工作，并能提供高达 100W 的功率。该器件采用耐热性能增强型 20 引脚 TSSOP 封装，去掉了四个引脚以满足高电压引脚间隔要求。上图为LT8316IFE#PBF的引脚配置特征• 宽输入电压范围：16V至560V（最大值为600V）• 调节无需光耦• 准谐振边界工作模式• 恒流和恒压调节• 低纹波轻载突发工作模式(Burst Mode®)• 低静态电流：75μA应用• 隔离式电信、汽车、工业、医疗电源• 隔离型离线式内务处理电源• 电动车辆和电池组• 用于逆变器栅极驱动器的多输出隔离式电源
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2025/7/15 14:17:55
据央视报道，7月15日，美国英伟达公司创始人兼首席执行官黄仁勋宣布两个重要进展：美国已批准H20芯片销往中国；英伟达将推出RTXpro GPU。黄仁勋表示：“美国政府已经批准了我们的出口许可，我们可以开始发货了，所以我们将开始向中国市场销售H20。我非常期待能很快发货H20，对此我感到非常高兴，这真是个非常、非常好的消息。第二个消息是，我们还将发布一款名为RTX Pro的新显卡。这款显卡非常重要，因为它是专为计算机图形、数字孪生和人工智能设计的。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:12:54
意法半导体(ST)推出VIPer11B系列离线高压转换器，在4.9×3.9mm超紧凑封装内集成800V MOSFET与高压启动电路，为8W以下智能照明/家电提供10mW待机功耗解决方案。通过独创senseFET电流检测技术省去外部电阻，配合频率抖动EMC优化设计，实现外围元件减少40%的革命性突破。意法半导体的 VIPer11B电源转换器集成丰富的功能，有助于简化电路设计，节省外部元器件数量，从而降低物料清单成本。800V耐压 MOSFET 只需要小缓冲元器件，内部senseFET电流检测功能几乎没有任何损耗，无需外接电阻器。片上集成高压启动电路，只需一个外部电容为 Vcc 供电，而频率抖动振荡器则最大限度地减少了满足电磁兼容性 (EMC) 法规所需的外部滤波元器件。此外，这些转换器采用紧凑的 SSOP10 封装，可在空间狭小的环境中供电，这个优点在外形尺寸要求严格的应用中尤其有用，例如，LED 照明驱动器和智能灯泡。这些转换器还有助于满足生态设计法规的严格要求，低待机电流可将空载功耗降至 10mW 以下，脉冲跳跃操作模式可以提高轻载能效。设计灵活性是其另一大优势，宽压Vcc允许通过变压器辅助绕组或非隔离拓扑结构中的输出为转换器供电。VIPer11B 可用于非隔离反激式降压和降压/升压式拓扑结构，以及原边或副边有稳压器的隔离反激式拓扑结构。VIPer11B 转换器具有输出过载和过压保护功能，并带有自动重启、Vcc 钳位、过温保护和软启动功能，可帮助设计人员构建强大、可靠的电源。VIPer11B 转换器有两款产品在售：漏极最大电流370mA 的 VIPer113B 或漏极最大电流480mA 的VIPer114B。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:06:27
TDK株式会社于2025年6月正式量产C1608X7R2A105K080AC商用积层陶瓷贴片电容器（MLCC），在1.6×0.8×0.8mm的1608封装尺寸内实现100V/1μF容量，创下该规格下全球最高电容记录。此突破性产品瞄准48V人工智能服务器、储能系统等高效电源场景，通过10倍于传统电容的密度，显著减少元件数量与PCB占用面积。核心作用●空间压缩：单颗替代10颗传统电容，PCB面积缩减70%●能效提升：高瞬态响应保障48V系统转换效率＞95%●成本优化：BOM器件数量减少，贴装成本降低30%●可靠性强化：工业级温度适应性支持-55℃~125℃严苛环境关键竞争力●密度王者：1608封装1μF/100V（0.78μF/mm³）●性能稳增：较前代产品容量提升10倍9●即插即用：兼容标准SMT工艺，无需设计变更●绿色认证：符合RoHS 2.0与无卤素标准实际应用场景●AI服务器：GPU供电模块输入滤波（单板用量200+颗）●储能变流器：48V DC/AC转换母线电容●5G基站：射频功放电源去耦●工业无人机：电调系统浪涌抑制●医疗设备：便携超声发生器能量缓冲TDK C1608X7R2A105K的推出标志着高密度MLCC技术迈入新纪元。其1μF/100V在毫米级空间的突破性集成，直击48V系统小型化与高效化痛点，为AI基础设施和绿色能源设备提供核心支持。随着三季度产能爬坡，这款“以小博大”的电容解决方案将加速替代传统多颗并联方案，重塑电子电源设计范式。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:02:09
威世科技（Vishay）宣布其AC03-CS系列轴向绕线安全电阻新增WSZ引线版本，通过弯线设计实现表面贴装（SMT）兼容，显著降低汽车电子、工业电源等领域的高压电路装配成本。该器件在-40℃至+200℃极端环境下仍可安全熔断过载电流，符合AEC-Q200车规标准。技术难点与突破方案难点一：安全电阻的装配效率瓶颈传统轴向电阻需手工焊接，单板贴装时间＞5分钟，且虚焊率高达8%。✅ Vishay创新方案：WSZ精密弯脚结构（±0.1mm精度）兼容SMT贴片机，贴装速度达24,000cph，虚焊率降至0.1%。难点二：高压场景的二次火灾风险竞品电阻熔断时产生＞500℃电弧，引燃PCB基材。✅ Vishay创新方案：UL 94 V-0级硅酮水泥涂层，熔断瞬间包覆电弧，温升＜150℃，通过IEC 61000-4-5认证。核心作用：高压系统的“安全卫士”▶ 主动熔断防护：120/240VAC主电压误接时2ms内安全断开▶ 浪涌能量吸收：4kV雷击浪涌保护（1.2/50μs波形）▶ 三重安全屏障：突入电流限制+预充电缓冲+紧急熔断典型应用场景1. 新能源汽车OBC模块在800V高压平台中吸收20A突入电流，误接交流电时0.5ms熔断，保护价值$2,000的SiC模块。2. 智能电表防雷击4kV浪涌防护通过GB/T 17626.5测试，野外故障率降至0.01次/年。3. 工业变频器预充电200℃耐温保障电解电容预充电安全，延长驱动器寿命3倍。AC03-CS系列以200℃熔断防护与WSZ弯脚SMD化技术，改写安全电阻行业规则。车规级AEC-Q200认证+4kV浪涌能力，为800V新能源系统提供每颗$0.38的高性价比守护。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 13:58:07
半导体行业工艺竞赛迎来关键转折点。根据KeyBanc Capital Markets最新研究报告，英特尔18A（1.8nm）工艺良品率已提升至55%，超越三星SF2（2nm）的40%水平，虽仍落后于台积电N2（2nm）的65%，但标志着英特尔在制程领域取得重要突破，为其2025年底大规模量产计划注入强心剂。良率突破：从50%到55%的跃升路径报告显示，英特尔18A工艺良率较上一季度提升5个百分点，这一进展得益于其RibbonFET全环绕栅极（GAA）架构和PowerVia背部供电技术的持续优化。相比之下，三星2nm工艺虽略有提升但仍徘徊在40%区间，而台积电N2工艺凭借成熟的GAA实现65%的行业领先良率。Panther Lake量产倒计时：2025年Q4目标70%英特尔正按计划推进18A工艺量产进程，其首款搭载该工艺的移动CPU——Panther Lake系列已进入流片验证阶段。KeyBanc预测，到2025年第四季度，18A工艺良率有望达到70%，虽然难以超越台积电，但足以支撑英特尔在高端笔记本市场推出具有竞争力的产品。技术路线图：从18A到14A的战略布局英特尔采取"内部验证+外部拓展"双阶段策略：先通过18A工艺在Panther Lake等自研产品上验证技术可靠性，再于2026年推出14A（1.4nm）工艺向外部客户开放代工服务。这一路径与台积电A14（1.4nm）形成直接竞争，预计2027年前后将掀起新一轮制程大战。行业影响：重塑半导体代工格局此次良率突破对英特尔意义重大。若18A工艺能按计划在2025年底实现大规模量产，将有效缓解其IDM 2.0战略下的产能压力，并为争夺AMD、高通等潜在客户奠定基础。不过，要真正挑战台积电的霸主地位，英特尔仍需在2026年后的14A节点实现良率与性能的双重突破。结语在制程竞赛中，英特尔正通过"小步...
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2025/7/15 13:53:54
QPL8831是一款超线性GaAs pHEMT 75欧姆平衡放大器，工作频率为5 MHz至1218 MHz。非常适合前向或返回路径中的CATV放大器应用。特征•宽工作带宽5MHz至1218MHz•高增益：17 dB•OIP3+42 dBm•OIP2 67 dBm•P1dB 24 dBm•5伏，280毫安•pHEMT GaAs器件技术•SOIC 8封装应用•HFC光节点和放大器•DOCSIS 3.1前向路径放大器•DOCSIS 3.1和4.0返回路径•平衡天线应用
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2025/7/14 14:56:35
IDTFO552 1710MHz至2050MHz双路采样中频（SIF）接收机的规格，该接收机是多模多载波基站接收机的理想选择。该系列设备覆盖了高达2.7 GHz的所有UTRA频段，并提供了比目前可用解决方案更好的噪声和失真性能。支持高达450 MHz的中频。IDTF0552 SIF提供29dB增益，并以1dB为步长提供47dB增益调整，设计用于在单个5V电源下运行。名义上，该设备使用450mA的Iec提供+45 dBm的输出IP3。或者，可以将设备配置为低电流（LC）模式，以将功耗降低到<1.9瓦。该器件封装在10x10 68针薄型QFN中，具有50欧姆单端RF输入和200欧姆差分IF输出阻抗，便于集成到接收器阵容中。根据第51页的应用图纸，EvKit被配置为将200欧姆差分中频输出与100欧姆差分匹配，以适应宽范围的中频中心频率。特征•用于分集/MIMO系统的双信道•结合了FlatNoiseTM和零失真TM技术•总功率增益29dB•47 dB增益控制范围•1 dB增益步长•超线性+45 dBm IP3O•低NF：9.6 dB@GMAX•50Ω输入阻抗•匹配100Ω差分输出阻抗•超高+19.8 dBm P1dBo•独立通道待机模式•STBY模式下的恒定LO阻抗•6位并行控制•60 MHz至450 MHz中频频率范围•出色的2x2、3x3、IM2、二次谐波抑制•ICC=450mA STD模式，375mA LC模式•10x10 68针TQFN封装
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2025/7/14 14:47:54
F1456是发射机应用中使用的高增益/高线性2100MHz至2950MHz TX可变增益放大器。F1456 TX VGA提供32.1dB最大增益，OIP3为+38dBm，噪声系数为3.9dB。使用数字步进衰减器（DSA）和KLIN™RF可变增益放大器增益调节的组合，可实现高达31.5dB的增益控制。该设备使用单个5V电源和215mA ICC。该器件封装在6×6mm、28-QFN中，具有50Ω单端RF输入和RF输出阻抗，便于集成到信号路径中。特性•宽带2100MHz至2950MHz•最大增益32.1dB•最大增益时为3.9dB NF（2650MHz）•31.5dB总增益控制范围，0.5dB步长•主要增益转换之间的超调量<2 dB•+38dBm OIP3•在13dB增益调节范围内保持+21.5dBm输出P1dB•用于DSA控制的SPI接口•单5V电源电压•ICC=215mA•TCASE工作温度高达+105°C•50Ω输入和输出阻抗•待机以节省电力•引脚兼容700–1100MHz和1400–2300MHz版本•6×6mm，28-QFN封装应用多模多载波发射机WiMAX和LTE基站UMTS/WCDMA 3G基站PHS/PAS基站公共安全基础设施
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2025/7/14 14:32:48
F0448是一款3.3GHz至4.2GHz双射频数字可变增益放大器（DVGA），专为接收机设计。这种双RF DVGA提供两条独立的接收器路径，每条路径具有13dB的典型最大增益和6dB的噪声系数，设计用于在单个+5V电源下运行。对于每条路径，增益控制被分成3个单独的衰减器；DSA0使用单个控制引脚进行单个6dB步长的调整，DSA1使用1dB步长的23dB SPI控制增益调整，DSA2包括使用两个控制引脚控制的6dB步长中的18dB衰减。F0448使用220mA总ICC提供+37dBm标称输出IP3。该设备采用6 x 6 mm、36-QFN、50Ω 单端RF输入和RF输出阻抗，便于集成。特征射频频率范围：3.3GHz至4.2GHz用于分集/MIMO接收机的双路径RF放大器和DSADSA转换之间的超调<2dB3.6GHz时13dB典型最大增益DSA0：单6dB粗步长DSA1:23dB总增益范围，步长为1dBDSA2:18dB增益范围，步进6dB+3.6GHz时为37dBm OIP33.6GHz时6dB噪声系数+5V电源电压ICC=220mA独立待机：7mA待机电流DSA1的SPI接口DSA0的1位控制DSA2的2位控制50Ω输入输出阻抗宽带，内部匹配温度范围：-40°C至+105°C6 x 6毫米，36-QFN封装应用多模多载波接收机PHS/PAS基站分布式天线系统数字广播
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2025/7/14 14:27:15
F0424是一款600MHz至5000MHz的SiGe高增益宽带射频放大器。低噪声系数（NF）和高线性性能的结合使该设备可用于接收器和发射器应用。特征•射频范围：600MHz至5000MHz•2600MHz时的噪声系数=2.3dB•2600MHz时增益=17.3dB•2600MHz时，OIP3=+40dBm•2600MHz时的输出P1dB=+21dBm•增益与温度接近恒定•3.3V或5V电源•ICC=70mA•2mA备用电流•5V电源下的350mW典型直流电源•50Ω输入和输出阻抗•工作温度（TEP）范围：-40°C至+105°C•2×2毫米，8-DFN封装应用4G TDD和FDD基站2G/3G基站中继器和DAS点对点基础设施公共安全基础设施军用手持设备
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2025/7/14 14:22:41
F1471是一款高线性射频驱动放大器，设计用于在400MHz至4200MHz频带内工作。利用单个5V电源和仅130mA的ICQ，F1471提供17dB的增益和+28.5dBm的OP1dB。F1471采用3×3 mm 16-VFQFPN封装，具有匹配的50Ω输入和输出阻抗，便于集成到信号路径中。特征•射频范围：400MHz至4200MHz•17dB典型增益•+28.5dBm OP1dB•5V电源•可调直流偏压•偏置控制兼容3.3V和5V操作•50Ω单端输入和输出阻抗•待机模式以节省电力•内部直流过电压保护•内部射频过载保护•片上ESD保护•工作温度（TEP）范围：-40°C至+115°C•3×3毫米，16-VFQFPN封装应用•4G/5G蜂窝基站•多模多载波发射机•有源天线系统•通用无线
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2025/7/14 14:19:04
ADRV9026 是一款高度集成的射频 (RF) 捷变收发器，提供四个独立控制的发射器、用于监测每个发射器通道的专用观测接收器输入、四个独立控制的接收器、集成式频率合成器和数字信号处理功能，形成了完整的收发器解决方案。该器件提供了各种蜂窝基础设施应用所需的性能，例如小型蜂窝基站无线电、 3G/4G/5G宏系统和大规模多路输入/多路输出 (MIMO) 基站。接收器子系统包括四个具有宽动态范围的独立宽带宽直接变频接收器。四个独立发射器使用直接变频调制器，可在低功耗下实现低噪声运行。该器件还包括两个宽带宽分时观测路径接收器，每个接收器具有两路输入，用于监测发射器输出。完整的收发器子系统包括自动和手动衰减控制、直流失调校正、正交误差校正 (QEC) 以及数字滤波功能，因此数字基带中不再需要这些功能。它还集成了模数转换器 (ADC)、数模转换器 (DAC) 和用于提供各种数字控制选项的通用输入/输出 (GPIO)接口。为了实现高的 RF 性能水平，收发器包括了五个完全集成的锁相环 (PLL)。两个 PLL 为发射器和接收器信号路径提供低噪声和低功耗小数 N分频 RF频率合成。第三个完全集成的 PLL 支持观测接收器的独立本振 (LO) 模式。第四个 PLL 可生成转换器和数字电路所需的时钟，第五个 PLL 可为串行数据接口提供时钟。多芯片同步机制可在多个 ADRV9026 芯片之间同步所有 LO相位 和基带时钟。集成了所有压控振荡器 (VCO) 和环路滤波器元件，并可通过数字控制接口进行调整。串行数据接口包括四个串行器通道和四个解串器通道。该接口支持 JESD204B 和 JESD204C 标准，可在高达 16 Gbps 的数据速率下运行。该接口还支持针对更低带宽的交错模式，从而将高速数据接口通道数减少至1。支持固定和浮点数据格式。浮点格式可使内部自动增益控制 (AGC) 对解调器器...
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2025/7/14 14:07:27
随着智能家电与电动工具能效要求升级，单电机控制精度成为行业核心痛点。瑞萨电子全球首发RA2T1系列MCU，通过3通道同步采样保持(S&H)技术与死区自校准PWM引擎，在24-QFN（4x4mm）超小封装内实现±0.5%转矩控制精度，为吸尘器、电动工具等单电机设备提供全栈解决方案。技术难点与突破性方案难点一：异步采样导致的转矩波动传统MCU顺序采样三相电流引入10%时序误差，引发电机振动与噪音。✅ 瑞萨创新方案：集成硬件级3通道S&H，同步捕获三相电流信号，将控制延迟降至100ns，转矩波动减少40%。难点二：高温环境下的控制失效125℃工作温度下，竞品PWM时序漂移＞5%，导致MOS管击穿风险。✅ 瑞萨创新方案：内置温度自适应死区补偿，全温域（-40℃~125℃）PWM精度保持±0.1%，通过AEC-Q100认证。核心作用：单电机系统的“智能心脏”毫秒级安全响应：高速比较器+端口使能功能实现2μs级过流关断能效跃升：1.6V超低电压运行，待机功耗＜10μA算法自由拓展：FSP软件包预置FOC/SVPWM算法库，开发周期缩短70%实际应用场景解读1. 无绳电动工具在18V锂电池电压波动±20%工况下，保持电钻堵转转矩控制精度±0.5Nm，延长电池寿命30%。2. 变频冰箱压缩机通过死区自补偿技术，在-30℃冷媒环境中降低开关损耗40%，能效达新国标1级。3. 高速吹风机24-QFN封装集成于手柄电路板，支持125℃高温连续运行，风速波动＜±3%。RA2T1以硬件同步采样与车规级温控精度，终结了小型电机“性能与体积不可兼得”的行业困境。据Frost & Sullivan预测，2026年全球智能电机市场将突破$200亿，该MCU凭借每年2.3亿颗电机控制芯片的成熟生态，必将成为单电机设备的首选控制核心。免责...
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2025/7/14 13:55:35
三星电子正推进其半导体供应链国产化战略，韩国掩模制造商S&S Tech的极紫外（EUV）空白掩模版已进入最终验证阶段。若通过质量评估，这将是韩国企业继东进世美肯EUV光刻胶后，在半导体材料领域实现的又一里程碑式突破，有望显著降低三星对日本供应商的依赖。核心进展与战略意义技术验证关键节点●实测阶段：三星光刻团队正使用S&S Tech提供的EUV掩模版样品进行实际工艺环境测试，重点检测表面缺陷率与工艺兼容性●时间表明确：最终质量评估计划于2025年下半年完成，商业化量产时间将根据测试结果确定供应链重构逻辑●降低地缘风险：当前三星EUV掩模版90%采购自日本豪雅，2025年日本地震曾导致交货延迟，促使三星寻求本土替代方案●成本优化空间：EUV空白掩模版单片成本高达数万美元，韩国本土采购预计每年可节省数千万美元，并将交货周期缩短30%以上产能布局与技术壁垒设备投资动态●检测设备到位：S&S Tech于2024年12月向日本Lasertec订购的EUV掩模检测设备（单价417亿韩元），经三星协调后，设备将于2025年10月抵达其龙仁新工厂●产能爬坡规划：初期规划月产能5000片，后续根据三星需求逐步扩张技术挑战突破●精度控制难题：EUV掩模版需达到纳米级平整度，S&S Tech通过自主研发的离子束修整技术，将缺陷密度控制在0.1个/cm²以下●行业标准适配：产品已通过SEMI E178等国际认证，满足3nm及以下制程要求行业影响与竞争格局韩国半导体生态升级●材料领域突破：继HBM存储芯片后，韩国在EUV关键材料领域形成"设计-制造-材料"全链条自主能力●本土产业链协同：S&S Tech与三星、SK海力士建立联合研发实验室，加速新技术导入全球供应链震荡●豪雅应对策略：为巩固市场地位，日本豪雅2025年在新加坡增设掩模...
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2025/7/14 13:51:47
英伟达市值历史性突破4万亿美元大关，成为全球首家达成此里程碑的科技企业。这一成就不仅巩固了其在AI芯片领域的统治地位，更折射出资本市场对人工智能技术商业化前景的强烈信心。核心驱动：AI算力需求爆发市值跃升轨迹●历史性突破：公司股价周三盘中涨2.8%至164.42美元，创历史新高，最终收涨1.8%●增速对比：2023年6月市值首破万亿美元后，仅用约两年时间实现四倍增长，增速超越苹果（3.74万亿美元）和微软（3.74万亿美元）行业地位强化●标普500权重：英伟达占该指数7.3%，超过苹果（7%）和微软（6%）●估值对比：当前动态市盈率32倍，低于三年平均水平37倍，显示市场对其增长持续性认可市场反应与挑战并存投资者情绪分化●乐观派观点：Dakota Wealth高级投资组合经理Robert Pavlik指出，企业AI支出转向印证技术革命趋势●谨慎派考量：亚马逊、微软等云服务商面临AI投资回报率压力，可能影响未来采购决策竞争格局演变●AMD突围：通过推出低成本AI处理器，试图蚕食英伟达市场份额●客户自研趋势：部分科技巨头加速定制化AI芯片开发，长期或削弱对第三方依赖财务数据透视业绩增长亮点●2025财年Q1：营收441亿美元，同比增69%，净利润率维持高位●Q2指引：预计营收450亿美元（±2%），毛利率预期稳定●年度表现：2025年迄今股价累计上涨22%，跑赢费城半导体指数（.SOX）15%涨幅行业影响与未来展望生态链重构●硬件主导权：英伟达CUDA平台绑定全球90%以上AI开发者，形成技术护城河●软件服务延伸：通过DGX Cloud等订阅服务，构建"硬件+软件"复合盈利模式地缘因素挑战●贸易政策影响：2025年全球半导体关税调整，促使企业加速区域化供应链布局●新兴市场机遇：东南亚、中东AI基础设施投资升温，或成下一增长极结语：科技股新范式确立英...
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2025/7/14 13:46:54
LTC2949 是一款适用于电动车辆和混合动力车辆以及其他隔离式电流检测应用的高精度电流、电压、温度、电量和电能表。通过同时监测多达两个检测电阻上的压降和电池组电压，它可以推断出流入和流出电池组的电量和电能。低偏置ΔΣ ADC可确保以微小的功率损耗精确测量电压和电流。电流和功率的持续集成可确保对电池组所传递或接收的电量和电能进行无损跟踪。可以将内置串行接口配置为支持与主机的隔离式 isoSPI 通信或用作 SPI 接口。LTC2949 具有 12 个内部缓冲高阻抗输入（V1至V12），用于测量来自外部传感器或电阻分压器的电压，从而可以测量温度、高压链路电压、机箱隔离以及监控接触器状态。LTC2949 具有多达五个可编程数字输出，这些输出可以设置为接地、电源或以 400kHz 的频率进行切换。特征• 测量电池组电压、电流和功率• 指示累积的电池电量和电能• 具有 <1μV 失调电压的 20 位电流测量• 内置的隔离式 isoSPI™ 或 SPI 接口• 与 LTC68xx/ADBMS68xx 兼容，支持电池监控器同步测量• 多达 12 个缓冲电压测量输入• 多达 5 个 GPO，可配置为驱动接地、电源或以 400kHz 的频率进行切换• 高侧或低侧电流检测应用• 电动车辆和混合动力车辆• 隔离式电流检测• 备用电池系统• 高功率便携式设备
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2025/7/11 14:38:46
LTC®4155 是一款 15W I2C 控制型电源管理器，具有 PowerPath™ 即时接通操作、高效率开关电池充电和 USB 兼容性。LTC4155 可无缝地管理从两个 5V 电源 (例如：一个 USB 端口和一个墙上适配器) 至单节可再充电锂离子 / 锂聚合物电池及一个系统负载的功率输送。LTC4155的开关电池充电器可自动限制其输入电流以保持 USB 兼容性，也可以从一个高功率墙上适配器吸收高达 3A 的电流。高效率降压型开关充电器设计用于向应用电路提供最大的功率，并减少高功率密度应用中的热量。由于可通过 I2C 来调节输入电流、充电电流、电池浮动电压、充电终止及许多其他参数，因而实现了更大的灵活性。主要的系统及充电参数的 I2C 状态报告有利于做出智能化的控制决策。USB On-The-Go 支持能力可在无需使用任何附加组件的情况下向 USB 端口回送 5V 电源。一个双通道输入、优先级多路复用、过压保护电路用于保护 LTC4155 的 VBUS 引脚免遭高电压的损坏。LTC4155 采用扁平 (0.75mm) 28 引脚 4mm x 5mm QFN 表面贴装型封装。特征• 高效率充电器能提供 3.5A 的充电电流• 单片式开关稳压器较佳地利用了有限的功率与热预算• 双通道输入过压保护控制器• 针对多个输入的优先级多路复用• I2C / SMBus 控制及状态反馈• NTC 热敏电阻 ADC 用于温度相关型充电算法 (JEITA)• 利用低电量电池可实现“即时接通”操作• 电池理想二极管控制器用于电源管理• 至 USB 端口的 USB On-The-Go 功率输送• 具有 4 种浮动电压设定值的全功能锂离子 / 锂聚合物电池充电器• 28 引脚 4mm x 5mm QFN 封装应用平板电脑超移动PC频媒体播放器数码相机、GPS、PDA智能手...
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2025/7/11 14:26:05