PE43713是一款50Ω、HaRP™技术增强型7位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至6 GHz的宽频范围。它具有无毛刺衰减状态转换功能，支持1.8V控制电压，包括扩展至+105°C的工作温度范围和可选的VSS_EXT旁路模式，以提高杂散性能，使该设备成为测试和测量（T&M）的理想选择。PE43713是PE43703的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行可寻址和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE43713覆盖了0.25 dB、0.5 dB和1 dB步长的31.75 dB衰减范围。它能够在4 GHz内保持0.25 dB单调性，在5 GHz内保持0.50 dB单调性和在6 GHz内保持1 dB单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:2.45 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:2.3 V to 5.5 V单位重量:5.058 g点击购买：PE43713B-Z特性•0.25 dB、0.5 dB和1 dB的灵活衰减步长，最高可达31.75 dB•无故障衰减状态转换•单调性：0.25 dB至4 GHz，0.5 dB至5 GHz，1 dB至6 GHz•工作温度延长至+105°C•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•封装——32引线5×5mm QFN应用•测试和测量（T&M）•通用射频衰减器引脚图
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2025/1/15 13:56:52
AD9681是一款8通道、14位、125 MSPS模数转换器(ADC)，内置片内采样保持电路，专门针对低成本、低功耗、小尺寸和易用性而设计。该产品的转换速率模数转换器最高可达125 MSPS，具有杰出的动态性能与低功耗特性，适合比较重视小封装尺寸的应用。 该ADC要求采用1.8 V单电源供电以及LVPECL/CMOS/LVDS兼容型采样速率时钟信号，以便充分发挥其工作性能。无需外部基准电压源或驱动器件即可满足许多应用需求。AD9681会自动倍乘采样速率时钟，以便产生合适的LVDS串行数据速率。它提供数据时钟输出（DCO±1、DCO±2），用于在输出端捕获数据，以及帧时钟输出（FCO±1、FCO±2）用于发送新输出字节信号。支持独立关断各通道；禁用所有通道时，器件典型功耗低于2 mW。该ADC内置多种功能特性，可使器件的灵活性达到较佳、系统成本较低，例如可编程时钟与数据对准、生成可编程数字测试码等。可获得的数字测试码包括内置固定码和伪随机码，以及通过串行端口接口(SPI)输入的用户自定义测试码。采用符合RoHS标准的144引脚CSP-BGA封装。额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。该产品受美国专利保护。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:BGA-144分辨率:14 bit通道数量:8 Channel接口类型:SPI采样比:125 MS/s输入类型:Differential结构:Pipeline模拟电源电压:1.7 V to 1.9 V数字电源电压:1.7 V to 1.9 VSNR – 信噪比:74.8 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C转换器数量:8 Converter工作电源电压:1.8 V输出类型:CMOS/LVDS/TTLPd-功率耗散:988 mW电源电压-最...
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2025/1/15 13:48:48
节能系统电源及传感解决方案供应商Allegro MicroSystems, Inc.今天宣布推出两款全新电流传感器IC - ACS37030MY和ACS37220MZ。凭借Allegro的尖端传感技术，这些IC提供低内部导体电阻、高工作带宽和可靠的性能，适用于各种汽车、工业和消费类应用。“Allegro持续推动传感器IC技术的创新前沿，我们很高兴推出最新的电流传感器IC，”Allegro MicroSystems全球营销和应用副总裁Ram Sathappan表示，“我们最新的传感器树立了精度和可靠性的新标杆，助力客户克服设计和效率标准的重重挑战，同时也生动地展示了我们的技术如何驱动一个更智能、更高效的未来。”Allegro的新型电流传感器IC专为在紧凑耐用的封装中进行精确电流传感而设计。ACS37030MY和ACS37220MZ采用宽体设计，与市面上现有的16引脚封装相比，尺寸缩小40%，隔离度更高。新的创新设计还降低了电阻，有助于减少功耗。ACS37030MY是一款完全集成的电流传感器IC，具有快速的响应时间，可保护宽带隙GaN器件。它结合了霍尔效应和感应线圈信号路径，可在宽频率范围内感测电流。这种创新的封装产品不仅比现有解决方案快5倍，而且尺寸缩小了40%。ACS37030也提供窄体封装，适用于隔离要求较低的应用。ACS37220MZ是一款完全集成的霍尔效应电流传感器，具有150 kHz带宽和故障引脚。该器件专为经济型电流传感应用而设计，是广受欢迎的ACS724/5系列产品的后续产品。ACS37220MZ的新封装解决方案尺寸缩小了40%，电阻更低，功耗更低。关于Allegro MicrosystemsAllegro MicroSystems, Inc.利用三十多年的磁传感和电源IC专业知识，通过提高效率、性能和可持续性的解决方案来推动汽车、清洁能源和工业自动化向前发展。...
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2025/1/15 13:44:41
据知情人士透露，软银集团及其持有多数股权的Arm正在探索收购Ampere Computing的交易。匿名知情人士表示，甲骨文支持的半导体设计公司Ampere在探索战略选择时引起了Arm的收购兴趣。不过，谈判仍有可能破裂。Ampere也有可能最终被另外公司收购。Ampere设计使用Arm技术的半导体，在2021年日本软银提出的一项少数股权投资中，其估值达到80亿美元。尚不清楚Ampere的最新估值是多少。2024年9 月报道称，Ampere一直在与财务顾问合作，以帮助其争取收购意向。这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司有意与业内一家大型企业达成交易，这表明该公司认为首次公开募股（IPO）的道路并不轻松。Ampere的早期支持者还包括凯雷投资集团（Carlyle Group）。此次交易将加入一波希望利用人工智能（AI）支出热潮的芯片公司浪潮。甲骨文去年表示，它拥有这家初创公司29%的股份，并可以行使未来的投资选择权，从而控制这家芯片制造商。尽管Ampere将从持续的AI热潮中受益，但市场竞争愈演愈烈，几家大型科技公司争相开发与Ampere相同类型的芯片。随着数据中心行业为迎接AI时代而进行重组，人们对关键部件的控制权产生了浓厚的兴趣，但与规模更大的竞争对手英特尔和AMD公司一样，Ampere也不得不应对从中央处理器（CPU）向英伟达加速器芯片的支出转移。Ampere使用Arm技术为数据中心设备制造处理器。Arm正逐渐从基本标准和基本蓝图的授权者转变为更完整的芯片制造商。Ampere工程师的加入可能会为Arm CEO Rene Haas进军该市场增添专业知识和动力，其中许多人曾在英特尔的服务器芯片部门工作。Ampere创始人兼CEO、前英特尔高管Renee James曾考虑让Ampere上市。该公司于2022年4月表示，已秘密申请美国IPO，当时芯片需求正在激增。Ampere的...
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2025/1/15 13:42:30
英伟达CEO黄仁勋在CES 2025上揭开了RTX 5090、RTX 5080和RTX 5070系列的神秘面纱，前两款产品将于1月30日上市，而RTX 5070系列则计划在2月推出。为了符合美国出口限制，该公司还宣布了一款中国独有的RTX 5090D，这款产品保留了其全球版本的大部分规格——除了人工智能（AI）性能方面。RTX 5090采用英伟达Blackwell架构，搭载旗舰级GB202芯片，启用170个流式多处理器，拥有21760个CUDA核心。英伟达将VRAM容量从24GB提升至32GB，同时采用更快、更新的GDDR7内存，带宽达到1.792TB/s。美国贸易制裁规定，任何TPP（总处理能力）超过4800的GPU不得在中国销售。基于Ada架构的RTX 4090略微超出这一限制10%，迫使英伟达为中国市场推出定制版RTX 4090D。据英伟达称，RTX 5090D的规格几乎与全球版RTX 5090相同，甚至包括基础频率和加速频率。唯一的差异在于AI性能，RTX 5090的3352 AI TOPS被降低到RTX 5090D的2375 AI TOPS，降幅为29%。据报道，RTX 5090D的TPP为4750，仅比限制门槛低50。Blackwell架构为FP4数据类型提供了硬件支持，同时在每个张量核心的计算性能上带来显著提升。借助RTX 50系列独有的DLSS 4多帧生成功能，完全禁用SM级别上某些数据类型的支持似乎不太可能。尽管存在明显的不足，但RTX 5090D的AI TOPS性能仍比RTX 5080高出31%。因此，预计在使用AI加速技术（如帧生成）时，RTX 5090D与RTX 5090之间的性能差异会成为大问题。总的来说，原始光栅性能不太可能受到影响。英伟达尚未澄清RTX 5090D如何满足出口法规的具体细节。RTX 5090D计划于1月30日在中国零售市场开售，...
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2025/1/15 13:40:38
PE43705是一款50Ω、HaRP™技术增强的7位射频数字步进衰减器（DSA），专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该DSA是PE43703的引脚兼容升级版本，具有更高的功率处理能力和更宽的频率、控制电压和工作温度范围。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。它以0.25 dB、0.50 dB或1 dB的步长覆盖31.75 dB的衰减范围，从50 MHz到8 GHz保持单调的阶跃响应。PE43705还具有安全的衰减状态转换功能，采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0V直流电，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.75 dB最大频率:8 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.25 dB商标:pSemi最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel产品类型:Attenuators点击购买：PE43705B-Z特性•衰减选项：覆盖0.25 dB、0.5 dB或1.0 dB步长的31.75 dB范围•安全衰减状态转换•高功率处理•高线性度：+58 dBm IIP3•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•编程模式：直接并行、锁存并行、串行和串行可寻址•通电时的高衰减状态（PUP）•ESD性能•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/14 14:23:39
PE4312是一款50Q、HaRPTM技术增强型6位射频数字步进衰减器（DSA），专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该DSA是PE4302的引脚兼容升级版本，具有更高的线性度、更高的衰减精度和更快的切换速度。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。它以0.5 dB的步长覆盖31.5 dB的衰减范围，从1 MHz到4 GHz保持高线性和低功耗。PE4312还具有外部负极电源选项，采用20引脚4×4 mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在O VDC，则不需要外部隔直电容器。PE4312采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是蓝宝石基板上绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。Peregrine的HaRPTM技术增强提供了高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一个创新特征，它提供了GaAs的性能，同时具有传统CMOS的经济性和集成性。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:4 GHz阻抗:50 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.1 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:1 MHz最小工作温度:- 55 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:2.3 V to 5.5 V点击购买：PE4312C-Z特性衰减：0.5 dB阶跃至31.5 dB安全衰减状态转换单调性：0.5 dB至4 GHz高衰减精度±（0.10+1%x Atten）@1 GHz±（0.15+2%x Atten）@2.2 GHz±（0.15+8%x Atten）@4 GHz高线性度：+59 dBm IIP32.3–5.5V的宽电源范围1.8V控制逻辑兼容105°C工作温度编程模式直接并联锁紧平行序列号独特的加电状态选择...
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2025/1/14 14:17:03
PE42542是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，专为测试/ATE、微波和其他无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到18 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。PE42542具有低插入损耗、高隔离性能和快速稳定时间。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:9 kHz最大频率:18 GHz介入损耗:3.9 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42542B-X特性•HaRP技术得到增强•插入损耗低•高度隔离•ESD性能引脚图
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2025/1/14 14:12:00
PE42525是HaRP™技术增强型反射SPDT RF开关管芯，支持9 kHz至60 GHz的宽频率范围。这种宽带倒装芯片开关与PE42524和PE426525引脚兼容。它具有低插入损耗、快速切换时间和高隔离性能，使该设备成为测试和测量、微波回程、雷达和军事通信（mil-comm）应用的理想选择。在50 GHz时，PE42525的插入损耗为1.9 dB，隔离度为37 dB。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:60 GHz介入损耗:2.7 dB关闭隔离—典型值:36 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel单位重量:325.667 mg点击购买：PE42525A-X特性•支持高达60 GHz的宽带•插入损耗低•8 ns的快速切换时间•端口间隔离度高•高线性度：IIP3为48 dBm•倒装芯片芯片，引脚对引脚兼容PE42524和PE426525应用•测试和测量•微波回程•雷达•军事通信引脚图
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2025/1/14 13:58:21
PE42521 SPDT吸收式射频开关专为测试/ATE和其他高性能无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到13 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。该开关是PE42552的引脚兼容升级版本，具有快速的开关时间和更高的功率处理能力，在50Ω@4 GHz下可处理36 dBm的连续波（CW）和38.5 dBm的瞬时功率。PE42521具有高隔离度、快速稳定时间，采用3 x 3 mm QFN封装。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:13 GHz介入损耗:1.85 dB关闭隔离—典型值:17 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C单位重量:308.167 mg点击购买：PE42521C-Z特性•增强了HaRP™技术•500 ns的快速切换时间•50Ω内4 GHz的高功率处理•高线性•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/14 13:49:23
PE42520 SPDT吸收式射频开关专为测试/ATE和其他高性能无线应用而设计。这种宽带通用开关在9 kHz到13 GHz的范围内保持了出色的射频性能和线性。该开关是PE42552的引脚兼容升级版本，在50Ω@8 GHz下具有36 dBm连续波（CW）和38 dBm瞬时功率的更高功率处理能力。PE42520具有高隔离度、快速稳定时间，采用3×3mm QFN封装。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:13 GHz介入损耗:2 dB关闭隔离—典型值:18 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel单位重量:170.646 mg点击购买：PE42520C-Z特性•增强了HaRP™技术•高功率处理@8 GHz，50Ω•高线性•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/14 13:45:29
PE42482是一款HaRP™技术增强型吸收SP8T射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为无线基础设施和高达8 GHz无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP8T最小频率:10 MHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.280 g点击购买：PE42482A-X特性•高隔离度：6 GHz时为41 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•227 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•封装：24引脚4×4mm QFN应用•无线基础设施•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/14 13:38:56
PE42426是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关，专为陆地移动无线电（LMR）和一般交换应用而设计。它在整个工作频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42426成为一般开关应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:20 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE42426A-Z特性•跨频带最佳线性度•特殊谐波•低插入损耗和高隔离性能•3 kV HBM的高ESD性能•封装：12芯3×3×0.75mm QFN应用•陆地移动无线电（LMR）•通用开关应用引脚图
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2025/1/14 13:34:44
PE42441是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，设计用于跨越多个市场的各种交换应用，包括无线基础设施、宽带以及测试和测量。该交换机有四个对称的射频端口，具有低插入损耗和出色的隔离性能。片上CMOS解码逻辑有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42441E-Z特性•四个对称的50Ω吸收端口•高度隔离•插入损耗低•高线性•兼容1.8V控制逻辑•ESD性能•封装：32引脚5×5mm LGA引脚图
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2025/1/14 13:25:30
随着半导体产业不断升级，智能电子产品也逐渐朝更高效、更智能，甚至更多元化拓展。虚拟现实（VR）、增强现实（AR）和基于前两者的混合现实（MR）逐渐进入大众视野，相对应的终端智能产品也以不同的产品形态被推广到市场供大众体验。相较成熟的智能手机市场，VR/AR/MR 未来有望成为智能产品市场一个新的增长点。现在用于头戴式 VR 设备的都是 LCD 显示屏。头戴式 VR 设备的 LCD 屏距离人眼非常近，如果要支持高速运作的运动场景，厂商需要解决视觉上的动态拖影，以减少动态模糊。黑帧插入（Black Frame Insertion）技术被广泛运用在 LCD 显示屏的 VR 设备上。黑帧插入，顾名思义，即在帧与帧之间插入黑帧，利用人眼的视觉暂留效应，掩盖住灰色拖影，减少视觉上的动态模糊。插黑后，LCD 屏的背光系统成了脉冲式负载，插黑时关闭所有 LED 背光通道，仅在每一帧画面的刚开始点亮背光通道。这种情况下，传统 DC/DC 电源在提供 LED 灯串阳极供电时，会面临输入电流冲击的问题。图 1 展示了传统 DC/DC 电源提供 LED 灯串阳极供电时，10% LED 点亮时间下的动态波形（测试条件：单节锂电池 3.6V 输入电压，30V 阳极电压输出，60Hz 刷新率，六通道，100mA 每通道）。图中波形可见，当背光点亮，负载等效为 30V 输出；0mA 到 600mA 的动态，等效到 3.6V 输入源，为接近 6A 直流电，需要以 60Hz、10% 的周期循环从电池抽取。在考虑实际 PCB 走线阻抗和电池内阻的情况下，插黑操作导致的输入电流脉冲显著降低了系统所能支持的最低工作电压。为此，圣邦微电子推出的插黑背光驱动芯片 SGM3791 采用了自主研发的专利技术，有效缓解了插黑过程中引起的输入电流冲击问题。SGM3791 典型应用原理图，如图 2 所示。SGM3791 具备输入...
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2025/1/14 13:16:03
PE42524是HaRP™技术增强型反射SPDT RF开关管芯，支持10 MHz至40 GHz的宽频率范围。这种宽带倒装芯片开关具有高隔离性能、出色的线性度和低插入损耗，使其成为测试和测量、微波回程、雷达和军事通信（mil-comm）应用的理想选择。在30 GHz时，PE42524表现出17 dB的有源端口回波损耗、47 dB的隔离和2.2 dB的插入损耗。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持高达40 GHz的宽带•端口间隔离度高•出色的线性性能•55 ns的快速射频三通/四通时间•插入损耗低•倒装芯片芯片应用•测试和测量•微波回程•雷达•军事通信引脚图
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2025/1/13 14:31:18
PE42543是一款吸收型SP4T射频开关，专为测试/ATE、微波和其他无线应用而设计。这种宽带通用交换机是PE42542的引脚兼容版本，具有更快的切换时间和稳定时间。它在9 kHz至18 GHz的频率范围内表现出低插入损耗、高隔离度和线性性能。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•500 ns的快速切换时间•插入损耗低•高度隔离•ESD性能•封装：29引脚4×4mm LGA引脚图
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2025/1/13 14:27:00
PE42723是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关，专为DOCSIS 3.0/1有线调制解调器、机顶盒和住宅网关等有线应用而设计。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42723成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.4 dB关闭隔离—典型值:34 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•特殊谐波•2fo为-121 dBc，频率为17 MHz•3倍–140 dBc@17 MHz•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1218 MHz时插入损耗为0.3 dB•204 MHz时的隔离度为54 dB•3 kV HBM的高ESD性能•封装：12芯3×3mm QFN应用•宽带市场（DOCSIS 3.0/1）▪ 电缆调制解调器▪ 机顶盒▪ 住宅网关•过滤器组切换•DOCSIS 3.0和DOCSIS 3.1配置之间的中继替换引脚图
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2025/1/13 14:19:03