HMC576LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器电子元器件，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下，Fo和3Fo隔离大于20 dBc。HMC576LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC576LC3B采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用表贴制造技术。规格参数工作频率:18 GHz to 29 GHz电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:82 mA最大输入频率:29 GHz最大工作温度:+ 85 C最小输入频率:18 GHz最小工作温度:- 55 C工作电源电压:5 VPd-功率耗散:709 mW单位重量:2.629 g点击购买：HMC576LC3B特性• 高输出功率： +15 dBm• 低输入功耗驱动： 0至+6 dBm• Fo隔离： 20 dBc（Fout = 24 GHz时）应用•时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64•点对点和甚小孔径终端无线电•测试仪器•军事与航天引脚配置
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2024/12/9 14:13:23
ADG1436是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。LFCSP封装器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。ADG1436采用iCMOS® 工艺设计。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。iCMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。规格参数通道数量:2 Channel配置:2 x SPDT导通电阻—最大值:1.8 Ohms电源电压-最小:5 V电源电压-最大:16.5 V最小双重电源电压:+/- 5 V最大双重电源电压:+/- 16.5 V运行时间—最大值:120 ns空闲时间—最大值:130 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C高度:0.83 mm长度:4 mmPd-功率耗散:30 uW电源电流—最大值:285 uA电源类型:Single Supply, Dual Supply开关直流:400 mA宽度:4 mm单位重量:58.600 mg特性• 导通电阻：1.5 Ω• 导通电阻平坦度：0.3 Ω• 通道间导通电阻匹配：0.1 Ω• 每个通道的连续电流• LFCSP封装：最高400 mA• TSSOP封装：最高260 mA• ...
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2024/12/9 14:05:22
ADM709内置一个电源监控器电子元器件，它会在上电、关断和掉电情况下产生系统复位脉冲。当VCC 降至复位阈值以下时，RESET变为低电平，使微处理器保持复位状态。上电时，在VCC 升至阈值以上之后，RESET输出保持低电平140 ms。即使VCC低至1 V，RESET输出仍然可以工作。有三种电源电压阈值电平可用，适合监控+5 V、+3.3 V和+3 V电源。实际复位电压阈值请参考数据手册。ADM709提供8引脚DIP和SOIC两种封装。规格参数阈值电压:3.08 V被监测输入数:1 Input输出类型:Push-Pull人工复位:No Manual Reset看门狗计时器:No Watchdog电池备用开关:No Backup重置延迟时间:280 ms电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C芯片启用信号:No Chip Enable高度:1.5 mm (Max)长度:5 mm (Max)工作电源电流:200 uA过电压阈值:3.15 VPd-功率耗散:470 mW电源电压-最小:2.7 V欠电压阈值:3 V宽度:4 mm (Max)单位重量:540 mg特性• 精密电源电压监控器• +5 V、+3.3 V、+3 V电源监控器• 静态电流：35 µA应用微处理器系统计算机控制器智能仪器关键mP监测汽车系统临界mP功率监测引脚配置
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2024/12/9 13:53:46
AD7887是一款高速、低功耗、12位模数转换器（ADC），采用2.7 V至5.25 V单电源供电，吞吐量可达125 kSPS。通过输入采样保持功能可在500 ns内采集一个信号，并采用单端采样方案。AD7887的输出编码为直接二进制式，能够转换最高2.5 MHz的全功率信号。 通过片内控制寄存器可将AD7887配置为单通道或双通道工作模式。在默认的单通道模式下，AD7887可作为只读ADC工作。以单通道模式工作时，存在一个模拟输入（AIN0），并且AIN1/V REF引脚用作V REF功能。通过此V REF引脚，用户可使用内部的2.5 V基准电压，或者将外部基准电压加载至此V REF引脚，为器件提供基准电压。外部基准电压的范围为2.5 V至V DD，AIN0上的模拟输入范围为0至V REF。以双通道模式工作时，AIN1/VREF引脚用作AIN1功能，以便提供第二个模拟输入通道。这种情况下，器件的基准电压通过VDD引脚提供，因此，AIN0和AIN1上的模拟输入范围均为0至VDD。CMOS结构可确保获得低功耗，正常工作模式下的典型功耗为2 mW，省电模式下为3 µW。该电子元器件提供8引脚、0.15英寸宽窄体SOIC和8引脚MSOP两种封装。规格参数分辨率:12 bit通道数量:2 Channel接口类型:SPI采样比:125 kS/s输入类型:Single-Ended结构:SAR模拟电源电压:2.7 V to 5.25 V数字电源电压:2.7 V to 5.25 VSNR – 信噪比:71 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 CDNL - 微分非线性:+/- 2 LSB增益误差:+/- 2 LSB高度:1.5 mmINL - 积分非线性:+/- 2 LSB输入电压:2.5 V长度:5 mmADC 输入端数量:1 Input/2 Input转换器...
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2024/12/9 13:46:07
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，全新推出 SRP-F 系列屏蔽功率电感器。九款全新型号采用扁平线结构，具有低 DCR，尺寸小、薄型 (0.7 至 1.0 毫米) 特性。扁平线结构透过显著降低 DCR，进而提高了该新型功率电感器的效率，相较于使用传统线材的同类尺寸功率电感器，性能更优化。Bourns® SRP-F 系列采用金属合金粉芯、扁平线技术和成型技术，在小尺寸中实现了更高的饱和电流和加热电流水平，同时保持低辐射。该系列提供低噪音解决方案，电感范围为 0.3 至 10 µH，工作温度范围为 -40 至 +125°C。这些特性适用于日益增长的空间受限应用，无论是消费电子、工业和电信应用中的DC-DC转换器和电源供应，SRF系列都是满足大电流且满足较低功耗目标的理想选择。Bourns® SRP-F 屏蔽功率电感器系列现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准且为无卤产品**。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。**Bourns 产品符合“无卤”要求前提 (a) 溴含量少于等于 900 ppm (b) 氯含量少于等于 900 ppm，并且 (c) 溴与氯的含量总和少于等于 1500 ppm。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/9 13:34:54
在5G技术与人工智能深度融合的背景下，各行各业正迎来前所未有的创新机遇。为了加速5G移动宽带（MBB）行业向智能化转型，并简化边缘计算应用的开发流程，移远通信近期隆重推出了基于骁龙®5G调制解调器及射频系统打造，集成边缘计算功能的5G MBB解决方案。移远通信此次发布的集成边缘计算功能的5G MBB解决方案包含多个关键组件：一块搭载移远5G模组的定制化PCBA电路板，移远自主研发的宝维塔TM AI算法平台「匠心」，以及可提升计算能力的软件平台服务。移远通信集成边缘计算功能的5G MBB解决方案包含多个关键组件该解决方案旨在将边缘计算能力无缝融入5G MBB产品中，借助算法的强大赋能，使原本具备高带宽、低时延、高可靠性网络传输能力的5G MBB设备，未来能够进一步实现与用户的个性化智能交互，如自动语音识别、面部识别、手势控制、跌倒检测、文本互转以及丰富的可视化呈现等都将成为可能，为5G移动物联领域注入全新使用体验和活力。对于寻求边缘计算开发支持的MBB客户，移远AI算法平台「匠心」则提供了稳健的算法模型能力。该平台集成了数据上传、数据标注、模型测试、模型发布、一键部署等一系列功能，具备推理性能卓越、功能全面、高效易用等显著优势。通过「匠心」平台，客户可以访问一站式、具备成本效益、用户友好的AI模型部署服务，加速AI技术在MBB领域的落地和广泛应用。移远通信集成边缘计算功能的5G MBB解决方案应用广泛通过移远5G MBB解决方案以及公司在算法领域所积累的技术底蕴，相关设备能够更好地理解用户需求并精准响应，极大地拓展了5G MBB设备的功能边界和创新应用场景，如机器视觉、智能安全、能源管理和自动化、个性化虚拟助理、老人监护等，为家庭和企业带来便捷和智能体验。方案中的PCBA电路板采用移远5G模组，基于骁龙X75、X72 5G调制解调器及射频系统打造，包括支持5G R1...
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2024/12/9 13:30:33
研究机构Canalys发布报告，2024年全球智能手机出货量预计为12.2亿台，同比上升6%。在经历今年强势反弹后，智能手机2024年至2028年的年复合增长率进一步下调至1%。Canalys表示，折叠屏手机市场增长率逐渐进入瓶颈期，预计2024全年折叠屏手机出货量仅同比增长13%，2025年市场恐迎来同比下滑。折叠屏新形态在短期内引发市场兴趣，但该形态依然需要解决产品价值点位、耐用性等因素来维持需求延续性。得益于潜在新玩家，生成式AI以及更清晰产品定位等推动因素，2026年折叠屏市场仍有望迎来反弹。报告还指出，2024年第三季度，全球600美元以上价位段高端智能手机出货量同比增长15%，其中苹果同比增长10%，全球份额63%居于高端市场榜首；三星同比增长22%，以21%的份额位居第二；华为同比增长32%，以8%的份额位列第三；谷歌同比增长157%，出货量位居第四；荣耀同比增长68%，份额位列第五。Canalys预计2024年AI手机渗透率将达17%，预计2025年AI手机渗透率将达到32%，出货量近四亿台。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/9 13:26:27
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0.34 mW，最大限度减少了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时通过低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了热性能。SiJK140E允许设计人员使用一个器件（而不用并联两个器件）实现相同的低导通电阻，从而提高了可靠性，并延长了平均故障间隔时间（MTBF）。 MOSFET采用无线键合（BWL）设计，最大限度减少了寄生电感，同时最大限度提高了电流能力。采用打线键合（BW）封装的TO-263-7L解决方案电流限于200 A，而SiJK140E可提供高达795 A的连续漏极电流，以提高功率密度，同时提供强大的SOA功能。与TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封装占位面积为120 mm2，可节省27 %的PCB空间，同时厚度减小50 %。SiJK140E非常适合同步整流、热插拔和OR-ing功能。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。为了避免这些产品出现共通，标准级FET提供了2.4Vgs的高阈值电压。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试。PPAK10x12与 TO-263-7L规格对比免责声明：本文为转载文章，转载此文目的...
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2024/12/6 13:54:02
2024 年 12 月 4 日，中国——意法半导体 L99MH98 8通道栅极驱动引入专利技术，可构建没有电流检测电阻的直流电机驱动设计，从而降低耗散功率和物料成本。L99MH98 能够独立控制四路全桥预驱或八路半桥预驱或八路高边/低边预驱，适用于驱动电动座椅、天窗、侧滑门和电动尾门等直流电机应用。L99MH98内置电荷泵，可用于驱动反接保护 MOSFET。L99MH98最大栅极驱动电流可达120mA, 栅极驱动能力可配置，满足驱动多个外部 MOSFET需求。三段式栅极控制分三步施加栅极电流，最大程度降低电磁辐射。L99MH98内置模数转换器 (ADC),可采样每路MOSFET的漏极-源极电压 (VDS)，用间接电流测量方法取代传统电流检测电阻方法。意法半导体的间接电流测量专利技术是用VDS电压测量值和RDS(on) 电阻测算值来计算每路 MOSFET 路径电流，其中，RDS(on)是用传感器(二极管)测量到的温度值换算得到MOSFET导通内阻。可编程多重故障保护是意法半导体的另一项专利功能，该功能可以单独关闭出现故障的半桥，防止故障影响整个驱动电路，同时让没有受故障影响的半桥正常运行，从而提高驱动系统的可靠性。多重故障保护可检测电源过压、半桥过压/欠压、高温报警、电荷泵故障、VDS监测失效等故障，并根据故障类型选择性地关闭功能诊断、看门狗和电荷泵等功能。L99MH98已获得AEC-Q100 认证，并符合 ISO 26262 功能安全标准要求，满足功能安全 ASIL B等级。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/6 13:51:03
市场消息传出，英伟达下一代Blackwell架构芯片GB200的量产计划再度遭遇技术瓶颈，微软将削减订单。供应链透露，这次问题来自美商大厂，为了将72颗Blackwell GPU通过5000根NVLink铜缆进行高速互连，所开发出的全新cartridge连接器模组，每个cartridge中有几千根线，在GH200规格下达到每根112G，而GB200规格预计升级至224G，难度大幅提升，现在面临良率不佳测试不过关的瓶颈，量产时间恐再推迟至2025年3月。据悉，英伟达今年3月发布了全新的Blackwell计算平台及GB200超级芯片。与前一代H100 GPU相比，GB200超级芯片在大语言模型推理工作负载方面的性能提升了30倍。近期有知情人士透露，英伟达的GB200芯片在装有72个芯片的服务器中使用时会过热。这些设备预计每个机架功耗高达120kW。这些问题迫使英伟达多次重新评估其服务器机架的设计，因为过热会限制GPU性能并存在组件损坏的风险。客户们担心这些挫折可能会阻碍他们在数据中心部署新芯片的时间表。作为对延误和过热问题的回应，英伟达发言人表示，“我们正在与云服务提供商合作，将其作为我们工程团队和流程中不可或缺的一部分。工程迭代是正常且符合预期的。将GB200这一迄今为止的系统集成到各种数据中心环境中，需要与我们的客户共同设计。”英伟达还表示，“目前客户正在抢占GB200系统的市场先机”。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/6 13:45:51
AD8295在4 mm × 4 mm小型封装内集成了精密仪表放大器前端所需的全部器件，其中包含一个高性能仪表放大器、两个通用运算放大器和两个精密匹配的10 kΩ电阻。 AD8295有助于实现轻松且高效的印制电路板布线。AD8295器件布局合理，其典型应用电路仅需较短布线和少量过孔。与大多数芯片级封装不同，AD8295器件背面没有裸露的金属焊盘，从而节省了额外的布线与过孔空间。AD8295采用4 mm × 4 mm LFCSP封装，需要的电路板空间仅为8引脚SOIC封装的一半。AD8295包含一个高性能可编程增益仪表放大器电子元器件，其增益可编程范围为1至1000，利用单个电阻即可进行设置。AD8295具有低噪声和出色的共模抑制特性，即使在存在大型共模干扰的情况下，也能够轻松探测微弱信号。AD8295采用单电源或双电源供电，适合使用±10V输入电压的应用。在-40°C至+85°C的整个工业温度范围内，AD8295级别的产品均能保证性能。AD8295的工作温度范围为-40°C至+125°C；欲了解器件在高达125°C温度下的工作特性，请参考典型性能特性部分。规格参数通道数量:1 Channel3dB带宽:1.2 MHzSR - 转换速率 :2.6 V/usCMRR - 共模抑制比:140 dBIb - 输入偏流:200 pAVos - 输入偏置电压 :120 uV电源电压-最大:18 V电源电压-最小:2.3 V工作电源电流:2.3 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C带宽:750 kHz电压增益 dB:60 dB单位重量:41.800 g特性• 节省电路板空间• 内置精密仪表放大器、2个运算放大器，以及2个匹配电阻• 4 mm × 4 mm LFCSP封装• 无需散热...
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2024/12/5 14:32:53
AD8224是第一款单电源、JFET输入仪表放大器电子元器件，采用节省空间的4 mm x 4 mm、16引脚LFCSP封装。它所需的电路板面积与典型的单通道仪表放大器相同，但通道密度却提高一倍，每个通道的成本更低，且性能不受影响。 它针对高性能、便携式仪器的需要而设计，直流时的最小共模抑制比(CMRR)为86 dB，在10 kHz、G = 1时的最小CMRR为80 dB。最大输入偏置电流为10 pA，在整个工业温度范围内通常保持在300 pA以下。虽然采用JFET输入，但AD8224的噪声转折频率典型值仅为10 Hz。随着混合信号处理技术日益普及，各系统所需的电源数量也不断增加。为了缓解这一问题，AD8224设计为既可以采用±18 V双电源供电，也可以采用+5 V单电源供电。在便携式应用中常见的低电源电压下，该器件的轨到轨输出级可以使动态范围达到较大。它能够采用5 V单电源工作，因而无需使用较高电压的双电源。AD8224每个放大器的静态电流为750 µA，是电池供电设备的理想之选。此外，AD8224也可以配置为单通道、差分输出仪表放大器。差分输出提供高抗扰度，这在输出信号必须穿过噪声环境传输时(例如与远程传感器配合使用)会很有用。该配置还可用于驱动差分输入ADC。规格参数通道数量:2 Channel3dB带宽:1.5 MHzSR - 转换速率 :2 V/usCMRR - 共模抑制比:94 dBIb - 输入偏流:10 pAVos - 输入偏置电压 :300 uV电源电压-最大:36 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:750 uA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C双重电源电压:+/- 18 V高度:0.83 mm长度:3 mm宽度:3 mm工作电源电压:4.6 V to 36 V单位重量:34.500 mg特性• 带有隐藏焊盘的定...
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2024/12/5 14:28:22
AD622是一款低成本、采用传统引脚配置的较精密仪表放大器电子元器件，仅需要一个外部电阻来设置2与1000之间的任意增益。对于增益为1的情况，则不需外部电阻。AD622是一个全差分或减法器放大器系统，同时通过集成精密激光调整电阻提供出色的线性和共模抑制。AD622可以取代低成本、分立的两运放或三运放仪表放大器设计，并提供良好的共模抑制、出色的线性、温度稳定性、可靠性以及低功耗和较少的电路板面积。AD622的低成本使其无需设计分立仪表放大器，从而满足了严苛的成本目标要求。这个低成本解决方案还提供改进的性能并节省空间。规格参数通道数量:1 Channel3dB带宽:1 MHzSR - 转换速率 :1.2 V/usCMRR - 共模抑制比:103 dBIb - 输入偏流:2 nAVos - 输入偏置电压 :60 uV电源电压-最大:15 V电源电压-最小:2.6 V工作电源电流:900 uA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C带宽:1 MHz双重电源电压:2.6 V to 18 Ven - 输入电压噪声密度:12 nV/sqrt Hz增益V/V:1 V/V to 1000 V/VIos - 输入偏置电流 :2.5 nA工作电源电压:2.6 V to 18 V单位重量:540 mg特性• 易于使用• 低成本解决方案• 性能优于两运放或三运放设计• 单位增益无需外部电阻• 与一个外部电阻配合使用即可提供可选增益(增益范围：2至1000)• 宽电源电压范围：±2.6 V 至 ±15 V• 提供8引脚PDIP和8引脚SOIC_N封装• 低功耗，最大电源电流：1.5 mA• DC性能增益精度：0.15% (G=1)最大输入失调电压：125 µV最大输入失调漂移：1.0 µV/°C最大输入偏置电流：5µA最小共模抑制...
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2024/12/5 14:21:07
MAX22506E ESD保护RS-485/RS-422收发器针对高达50Mbps的高速通信进行了优化。该收发器集成热插拔保护和故障安全接收器，可确保当输入信号短路或开路时间超过10μs（典型值）时接收器输出为逻辑高电平。此外，接收器滞回较大，可提高噪声抑制性并改进信号完整性。MAX22506E电子元器件旨在用于恶劣的工业环境，并针对在高电磁干扰(EMI)环境中实现稳健通信进行了优化。MAX22506E采用8引脚SOIC和8引脚μMAX封装。该收发器的工作温度范围为-40°C至+125°C。规格参数激励器数量:1 Driver接收机数量:1 Receiver数据速率:50 Mb/s电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C输入电压:3 V to 5.5 V工作电源电流:4 mA工作电源电压:3.3 V输出电流:250 mA传播延迟时间:32 ns, 40 ns特性• 长距离高速运行• 数据速率高达50Mbps• 接收器灵敏度高• 接收器的带宽较宽• 对称接收器阈值• 集成保护功能提高了稳健性• 共模范围：-15V至+15V• ±15kV ESD保护（人体模型）• ±7kV IEC 61000-4-2气隙放电ESD保护• ±6kV IEC 61000-4-2接触放电ESD保护• 可承受超过±4kV的EFT• 驱动器输出受到短路保护• 灵活适用于许多不同应用• 电源电压范围：3V至5.5V• 低关断电流：5μA（最大值）• 采用8引脚SOIC和μMAX封装• 工作温度范围：–40°C至+125°C应用• 运动控制• 编码器接口• 现场总线网络• 工业控制系统• 背板总线引脚图
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2024/12/5 14:13:03
MAX22163是一个快速、低功耗的六通道增强型数字电气隔离器电子元器件，采用ADI专有工艺技术。具有强化绝缘功能，对3kVRMS电压额定值的耐受持续时间为60秒。汽车应用和通用型器件的额定工作环境温度范围为-40°C至+125°C。带有/V后缀的器件通过了AEC-Q100认证。工业 隔离式SPI、RS-232/422/485、CAN、数字I/O 现场总线通信 电机控制 医疗系统 这些器件在具有不同电源域的电路之间传输数字信号，在1Mbps速率下每通道功耗低至0.71mW（1.8V电源）。低功耗特性有助于降低系统功耗、提高可靠性并实现紧凑型设计。这些器件的最大数据速率为25Mbps或200Mbps，并提供默认高电平或默认低电平输出。这些器件的传输延迟和时钟抖动双低，有助于减少系统延迟。此外，这些器件每侧配备独立的1.71V至5.5V电源，因此很适合用作电平转换器。MAX22163有三个通道以一个方向传输数字信号，另有三个通道以相反方向传输数字信号。规格参数通道数量:6 Channel极性:Unidirectional数据速率:200 Mb/s绝缘电压:3000 Vrms电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:1.71 V工作电源电流:7.83 mA传播延迟时间:9.9 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C最大下降时间:1 ns最大上升时间:0.8 ns脉冲宽度:5 ns, 6.67 ns脉冲宽度失真:0.4 ns反向通道:3 Channel特性• /V类器件获得了AEC-Q100认证• 为数字信号提供增强型电气隔离• 采用爬电距离和电气间隙为4mm的16-QSOP封装• 3kVRMS耐受持续时间可达60s (VISO)• 可持续耐受445VRMS (VIOWM)• 可耐受GNDA和GNDB之间1.2/50µs波形的...
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2024/12/5 14:03:33
ADuM1253提供两个开漏通道（一个单向，一个双向），适用于需要在同一线路上双向传输数据但具有单向时钟的应用（例如I2C）。为了防止闩锁行为，第1侧输出包含特殊缓冲器，可将逻辑低电平电压调节为0.64V，并且输入逻辑低电平阈值比输出逻辑低电平电压至少低50mV。第2侧具有不调节逻辑低电平输出电压的传统缓冲器。ADuM1253在隔离器的第1侧和第2侧均具备1.71V至5.5V独立电源。该器件的工作频率高达2MHz。每侧均提供21μA的超低待机电流，非常适合电池供电系统。ADuM1253首先对总线引脚进行预充电，然后监视总线状态以发现空闲总线或检测I2C停止条件，再连接第1侧和第2侧，从而为第2侧的热插拔连接提供无干扰总线连接。ADuM1253采用8引脚窄体SOIC封装。该电子元器件的额定工作环境温度范围为-40°C至+125°C。规格参数通道数量:2 Channel极性:Bidirectional, Unidirectional绝缘电压:848 V rms电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:1.71 V工作电源电流:146 uA, 270 uA传播延迟时间:93.7 ns, 82.6 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C最大下降时间:64.7 ns特性• 低VOL(MAX)可实现更高的I2C器件兼容性• 第1侧：0.69V• 第2侧：0.4V• 超低功耗可延长电池使用时间• 400kHz时每通道142μA（典型值）• 较宽的独立VDD1/VDD2电源范围支持更多逻辑电压电平并可实现电平转换• 两侧均为1.71V至5.5V• 热插拔第2侧I/O可防止数据损坏• 初始第2侧连接发生在总线空闲或停止状态• 双向I2C数据传输高达2MHz SCL• 强大的灌电流能力可降低RPULL-UP值，从而实现更快的总线速度• 第1侧：5mA• ...
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2024/12/5 13:59:27
ADuM1252为需要在同一线路上双向传输数据的应用（例如 I2C）提供两个双向开漏通道。为了防止闩锁行为，第 1 侧输出包含特殊缓冲器，可将逻辑低电平电压调节为 0.64V，并且输入逻辑低电平阈值比输出逻辑低电平电压至少低 50mV。第 2 侧具有不调节逻辑低电平输出电压的传统缓冲器。ADuM1252 在隔离器的第 1 侧和第 2 侧均具备 1.71V 至 5.5V 独立电源。该套件的工作频率高达 2MHz。每侧均提供 21μA 的超低待机电流，非常适合电池供电系统。ADuM1252 首先对总线引脚进行预充电，然后监视总线状态以发现空闲总线或检测 I2C 停止条件，再连接第 1 侧和第 2 侧，从而为第 2 侧的热插拔连接提供无干扰总线连接。ADuM1252 采用 8 引脚窄体 SOIC 封装。该套件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。规格参数通道数量:2 Channel极性:Bidirectional绝缘电压:445 V rms电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:1.71 V工作电源电流:146 uA, 270 uA传播延迟时间:37.6 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C正向通道:2 Channel最大下降时间:36.1 nsPd-功率耗散:735 mW脉冲宽度失真:56.1 ns特性• 低 VOL(MAX) 可实现更高的 I2C 套件兼容性• 第 1 侧：0.69V• 第 2 侧：0.4V•超低功耗可延长电池寿命•400 kHz 时每通道 142μA（典型值）•较宽的独立 VDD1/VDD2 电源范围支持更多逻辑电压电平并可实现电平转换• 两侧均为 1.71V 至 5.5V•增强型热插拔第 2 侧 I/O• 初始第 2 侧连接发生在总线空闲或停止状态，以防止数据损坏•双向 I 2 C 数据传输高达...
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2024/12/5 13:57:15
HMC-C019是一款高速、高隔离度的GaAs MESFET SPDT开关，封装在微型密封模块中，带有可现场更换的SMA连接器。 该开关的工作频率范围为直流至20 GHz，在最高4 GHz频率下提供100 dB的隔离，在最高20 GHz频率下提供65 dB的隔离。 CMOS接口允许在很低直流电流条件下提供+5V正向偏置电压。 这款非反射式开关展现了很快的开关速度，具有很低的开关瞬变，这些特性使得它非常适用于高速RF脉冲调制应用。规格参数频率:20 GHz电源电压-最小:5 V电源电压-最大:5 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:5 V单位重量:41.800 g特性• 高隔离度： 100 dB（最高至4 GHz）65 dB（最高至20 GHz）• 低插入损耗： 3.5 dB (10 GHz)4.0 dB (16 GHz)• 快速切换RF脉冲调制器应用•基站基础设施•光纤和宽带电信•微波无线电和甚小孔径终端•军用无线电、雷达和ECM•测试仪器尺寸图
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2024/12/5 13:49:31