台积电高雄2nm晶圆厂举行进机典礼，预计明年上半年展开试产，这也是台积电在高雄的首座晶圆厂，象征台积电高雄布局迈入新里程碑。台积电对于此次的高雄2nm晶圆厂进机典礼相当低调，属于内部活动，不对外公开。传闻称，此次典礼由台积电资深副总经理暨共同营运长秦永沛主持，高雄市长陈其迈和供应链伙伴也受邀参加，不过依据高雄市政府信息，陈其迈公开行程仅出席市政总质询。台积电董事长暨总裁魏哲家在10月法说会中表示，对2nm制程感到兴趣的客户比想像的多，台积电将准备比3nm更多的产能。按照规划，台积电2nm制程将于明年量产，在新竹宝山和高雄两地布建2nm产能；其中，新竹宝山第1座2nm厂已于今年4月进机，将于明年生产，宝山第2座2nm厂将于2026年量产，台积电高雄第1座2nm厂也将于2026年量产。根据台积电官方公布的数据显示，台积电2nm制程在相同功耗下，速度较升级版3nm（N3E）制程提升10%至15%；在相同性能下，功耗则降低25%至30%；整体的芯片密度也将提升逾15%。市场预期，台积电大客户苹果（Apple）和AMD应是其首批2nm客户。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/29 11:37:37
AD648是一对匹配的低功耗、精密、单片运算放大器，偏置电流（最大10 pA，预热状态）和静态电流（最大400 µA）均非常低，采用离子植入FET和激光调整技术制造。在AD648的整个共模电压范围内，保证输入偏置电流符合额定性能。经济型J级的最大保证失调电压低于2 mV，失调电压漂移低于20 µV/°C。低静态电流和低失调电压漂移使得自热效应导致的输入失调电压变化非常小。AD648推荐用于要求低功耗和出色直流与交流性能的双电源运算放大器应用。在电池供电的精密仪器前端和CMOS DAC缓冲器等应用中，AD648的低输入失调电压和漂移、低偏置电流以及低1/f噪声这些特性的较佳组合可降低输出误差。在高阻抗缓冲应用中，其高共模抑制和高开环增益可保证12位以上的线性度。AD648采用标准双通道运算放大器引脚排列配置，按性能分为七种等级。AD648J和AD648K的额定温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。AD648提供8引脚小型塑封DIP和SOIC两种封装。规格参数GBP-增益带宽产品:1 MHzSR - 转换速率 :1.8 V/usVos - 输入偏置电压 :750 uVIb - 输入偏流:20 pA电源电压-最大:+/- 18 V电源电压-最小:+/- 4.5 V工作电源电流:400 uA每个通道的输出电流:2.4 mACMRR - 共模抑制比:76 dBen - 输入电压噪声密度:30 nV/sqrt Hz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C双重电源电压:+/- 15 V最大双重电源电压:+/- 18 V最小双重电源电压:+/- 4.5 VPd-功率耗散:500 mW (1/2 W)单位重量:540 mg特性• 直流性能：静态电流：400 µA（最大值）• 交流性能：压摆率：1.8 V/µ...
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2024/11/28 14:03:58
OP292为双通道、低成本、通用运算放大器，针对单电源应用而设计，非常适合5 V系统。OP292系列采用ADI公司的CBCMOS工艺制造，具有一个PNP输入级，输入电压范围包括地电压。BiCMOS输出级使输出摆幅可以达到地电压，同时提供吸电流。 OP292系列为单位增益稳定型，速度与性能俱佳，适合单电源或双电源操作。二者均提供高压摆率和高带宽，开环增益超过40,000，失调电压低于800 Ω (OP292)和1 mV (OP492)。所有这些特性组合，以及低电源电流，使得OP292系列成为电池供电应用的较佳选择。OP292系列可以采用单电源或双电源供电，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。规格参数GBP-增益带宽产品:4 MHzSR - 转换速率 :3 V/usVos - 输入偏置电压 :800 uVIb - 输入偏流:700 nA电源电压-最大:33 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:2.4 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V单位重量:540 mg特性• 单电源供电：4.5 V至33 V• 输入共模范围包括地电压• 输出摆幅可以达到地电压• 高压摆率: 3 V/µs• 高增益带宽：4 MHz• 低输入失调电压• 高开环增益• 无反相应用磁盘驱动器移动电话伺服控制调制解调器和传真机寻呼机电源监控和控制电池供电仪器引脚图
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2024/11/28 13:56:24
AD8429是一款超低噪声仪表放大器，设计用于在宽温度范围（−40°C至+125°C）内测量极小信号。AD8429擅长测量微小信号，可提供1 nV/√Hz的超低输入噪声性能。AD8429具有高共模抑制比(CMRR)，可防止干扰信号破坏数据采集。CMRR随着增益提高而提高，能够在需要的时候提供高抑制性能。AD8429采用高性能引脚配置，在远高于典型仪表放大器的频率下，仍能够可靠地保持高CMRR性能。AD8429能够可靠地放大快速变化的信号，其电流反馈架构能够在高增益时提供高带宽，例如，G = 100时的带宽为1.2 MHz。设计中还包括用于改善大输入电压瞬变后的建立时间的电路。AD8429具有出色的失真性能，能够用在振动分析等要求苛刻的应用中。增益通过单个电阻设置，增益范围为1至10,000。用户可以利用参考引脚使输出电压偏移，与单电源信号链接口时，可以利用这一特性转换输出电平。AD8429的额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，采用8引脚塑封SOIC封装。规格参数通道数量:1 Channel3dB带宽:15 MHzSR - 转换速率 :22 V/usCMRR - 共模抑制比:140 dBIb - 输入偏流:150 nAVos - 输入偏置电压 :50 uV电源电压-最大:18 V电源电压-最小:4 V工作电源电流:6.7 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C带宽:15 MHz双重电源电压:4 V to 18 V增益V/V:1 V/V to 10000 V/V高度:1.5 mm长度:5 mm最大输入电阻:10 kOhms工作电源电压:4 V to 18 VVcm - 共模电压:4 V to 18 V电压增益 dB:80 dB宽度:4 mm单位重量:71.200 mg特性• 低噪声-- 输入噪声：1...
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2024/11/28 13:48:16
LT®3028是一款具有独立输入的双通道、微功率、低噪声、低压差稳压器。利用一个外部0.01μF旁路电容器，可把输出噪声降低至20μVRMS(在10Hz至100kHz的带宽内)。该器件专为在电池供电型系统中使用而设计，每路输出30μA的低静态电流使其成为一种理想的选择。在停机模式中，静态电流减小至0.1μA以下。停机控制对于每路输出是独立的，从而在电源管理中提供了灵活性。该器件能够在一个1.8V至20V的输入电压范围内工作。输出1可提供500mA的输出电流和一个320mV的压差电压。这款器件能从输出2提供100mA的输出电流和一个300mV的压差电压。在压差状态中，静态电流是良好受控的。LT3028稳压器可在采用低至1μF(对于100mA输出)和3.3μF(对于500mA输出)输出电容器时保持稳定。可以使用小的陶瓷电容器，而无需其他稳压器所要求的串联电阻。内部保护电路包括反向电池保护、电流限制和热限制保护。该器件可用作一款具一个1.22V基准电压的可调型器件。LT3028稳压器采用耐热性能增强型16引脚TSSOP封装和外形扁平的16引脚(5mmx3mmx0.75mm)DFN封装。规格参数输出电压:1.22Vto20V输出电流:100mA,500mA输出端数量:2Output极性:Positive静态电流:30uA输入电压-最小值:1.8V输入电压-最大值:20VPSRR/纹波抑制—典型值:65dB最小工作温度:-40C最大工作温度:+125C回动电压:300mV,320mV回动电压—最大值:350mV,370mVIb-输入偏流:30nA线路调整率:1mV负载调节:1mV工作电源电流:30uA输出电压范围:1.22Vto20V单位重量:541.598mg特性低噪声：20μVRMS(10Hz至100kHz)低静态电流：每路输出30μA独立输入宽输入电压范围：1.8V至...
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2024/11/28 13:40:00
AD7858L均为高速、低功耗、12位模数转换器，采用5 V单电源供电，二者分别针对速度和低功耗进行了优化。当满足一组默认条件时，ADC上电，此时可作为只读ADC使用。ADC含有自校准和系统校准选项，可确保操作精度不受时间和温度影响，还具有适合低功耗应用的多个省电选项。当满足一组默认条件时，这些器件上电，可作为只读ADC使用。AD7858L的吞吐量可达100 kHz。通过输入采样保持功能可在500 ns内采集一个信号，并采用伪差分采样方案。AD7858L的电压范围为0至VREF，采用标准二进制和二进制补码两种输出编码。输入信号范围可至电源电压，而且能够转换100 kHz的全功率信号。CMOS结构可确保获得低功耗，正常工作模式下的典型功耗为5.4 mW，省电模式下为3.6 µW。提供三种封装：24引脚、0.3英寸宽、双列直插式封装（DIP）；24引脚小形集成封装（SOIC）；以及24引脚紧缩小型封装（SSOP）。规格参数分辨率:12 bit通道数量:8 Channel接口类型:SPI采样比:100 kS/s模拟电源电压:3 V to 5.5 V数字电源电压:3 V to 5.5 VSNR – 信噪比:70 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 CDNL - 微分非线性:+/- 1 LSB增益误差:+/- 4 LSB高度:1.75 mmINL - 积分非线性:+/- 1 LSB输入电压:3 V/5 V长度:8.2 mm工作电源电压:5 VPd-功率耗散:33 mW功耗:25 mW电源电压-最大:5 V电源电压-最小:5 V宽度:5.3 mm单位重量:1.700 g特性• 额定电压（VDD）：3 V至5.5 V• 系统校准和自校准，上电时自动校准应用电池供电系统（个人数字助理、医疗器械、移动通信）笔式电脑仪表和控制系统高速调制解调器引脚图
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2024/11/28 13:27:02
AD9901是亚德诺一款数字相位/频率鉴别器，能够直接比较高达200 MHz的相位/频率输入。高速沟槽氧化物隔离工艺与创新设计相结合，使AD9901具有线性检测范围，没有其他数字设计常见的不确定相位检测区域。AD9901的一个主要特点是它能够在没有预分频器的情况下比较标准中频频率下的相位/频率输入。还消除了标准PLL配置中常见的过度相位不确定性。AD9901提供了传统相位/频率鉴别器的锁定速度和模拟混频器的相位稳定性。AD9901具有单个+5 V电源，可配置为以TTL或CMOS逻辑电平工作；当使用a-5.2V电源时，它也可以使用ECL输入进行操作。开路集电极输出允许输出摆动与滤波后的输入要求相匹配。一个简单的电流设置电阻器控制输出级电流范围，允许在较低频率下工作时降低功率。规格参数电路数量:1 Circuit最大输入频率:200 MHz电源电压-最大:5.25 V电源电压-最小:4.75 V最小工作温度:- 25 C最大工作温度:+ 85 C商标:Analog Devices高度:3.56 mm长度:19.94 mm工作电源电流:54 mA工作电源电压:- 5.2 V, 5 V宽度:7.87 mm单位重量:1.200 g特性相位和频率检测ECL/TTL/CMOS兼容线性传递函数没有“死区”可提供符合MIL-STD-883标准的版本应用低相位噪声参考环路快速调整“敏捷”中频环路安全的“跳跃”通信相干雷达发射机/接收机链引脚图
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2024/11/28 13:18:28
BFCN-2275+LTCC带通滤波器由12层构成，以实现微型尺寸和高性能重复性。环绕式端子可最大限度地减少寄生效应引起的性能变化。这些单元覆盖2275 MHz±105 MHz，具有低插入损耗和良好的抑制性能。规格参数频率:2.275 GHz带宽:210 MHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:3 dB单位重量:1.430 g点击购买：BFCN-2275+特性•体积小•温度稳定•密封•LTCC结构应用•谐波抑制•发射器/接收器尺寸图
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2024/11/27 13:48:34
Mini-Circuits的TCW4-262+是一款阻抗比为1:4的微型陶瓷RF平衡-不平衡变压器，适用于2300至2600 MHz的各种无线通信应用。该型号具有低插入损耗、低相位不平衡（相对于180°）、低振幅不平衡和高达2W的射频输入功率处理能力。它提供从输入到输出的直流隔离，使其可用于输出端外部电路的直流偏置。该装置采用LTCC技术制造，采用小巧坚固的陶瓷封装（0.06 x 0.03 x 0.02英寸），适用于恶劣的工作环境。规格参数频率:2.3 GHz to 2.6 GHz带宽:3 GHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C介入损耗:1.8 dB特性微型尺寸0603（0.063英寸[1.6毫米]x 0.031英寸[0.8毫米]x 0.024英寸[0.6毫米]）成本低可水洗应用ISM频段无线局域网蓝牙Zigbee尺寸图
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2024/11/27 13:43:47
BFCG-1952+LTCC带通滤波器利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，在毫米波频率下实现了微型尺寸和高可重复性的性能。16.8-21GHz的通带损耗低至0.9dB，典型的阻带抑制在25dB到38.5GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。规格参数频率:18.8 GHz带宽:4.2 GHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C介入损耗:0.9 dB点击购买：BFCG-1952+特性•体积小•温度稳定•密封•LTCC结构应用•卫星通信尺寸图
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2024/11/27 13:33:36
BFHK-1982+LTCC带通滤波器利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。17.5–22.2 GHz的通带损耗低至2.8 dB，典型的阻带抑制在80 dB至39 GHz和55 dB至53 GHz。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数频率:19.7 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C特性超高阻带抑制结构——典型值为80 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试和测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2024/11/27 13:29:02
BFHK-2492+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。22-28 GHz的通带损耗低至3.3 dB，典型的阻带抑制在80 dB到50 GHz和55 dB到67 GHz。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数频率:24.9 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C点击购买：BFHK-2492+特性超高阻带抑制结构——典型值为80 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试和测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2024/11/27 13:23:55
TPCW-183+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）50欧姆传输线，通过18GHz具有低插入损耗，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.3dB的典型插入损耗。传输线采用微小的0603陶瓷形状，带有可检查的环绕式端子，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数频率:18 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C介入损耗:1.1 dB点击购买：TPCW-183+特性低插入损耗，典型值0.3dB。回波损耗，典型值10dB。0603表面安装占地面积用于小型电路LTCC滤波器的多功能“灯座”功率处理：7.5W应用测试和测量设备通信、电子战、雷达和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电系统卫星通信尺寸图
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2024/11/27 13:16:18
英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600 V G1晶体管，实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN™ 650 V G5晶体管输出电容中存储的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和栅极电荷（Qg）均减少了多达 60%。凭借这些特性，新器件在硬开关和软开关应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比，其功率损耗大幅降低，根据具体使用情况可降低20%-60%。这些优势使该系列器件能够在高频率下以极低的功耗工作，因此具有出色的功率密度。CoolGaN™ 650 V G5晶体管使SMPS应用变得更小、更轻，或在规定外形尺寸的情况下提高输出功率范围。该新型高压晶体管产品系列提供多种 RDS(on) 封装组合。十种 RDS(on) 级产品采用各种SMD封装，如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有产品均在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上生产。未来，CoolGaN™将过渡到 12 英寸生产线。这将使英飞凌进一步扩大其CoolGaN™产能，并确保在GaN功率市场上拥有稳健的供应链。Yole Group预测到2029年，该市场规模将达到 20 亿美元。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/27 11:49:21
2024年11月26日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP® 系列SMF（DO-219AB）封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化，在同类器件中，不仅在反向恢复电荷（Qrr）和正向压降之间实现了权衡，还提供了更低的结电容和更短恢复时间。日前发布的Vishay整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3，以及符合AEC-Q101标准的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。为了降低开关损耗并提高效率，这些器件融合了低至45 ns的快速恢复时间，低至105 nC的Qrr（典型值），低至1.45 V的正向压降和低至3.0 pF的结电容等特点。性能可靠的整流器在尺寸为4.2 mm x 1.4 mm的紧凑封装中提供了高达21 A的非重复峰值浪涌电流，厚度低至1.08 mm，最小爬电距离仅2.2 mm。器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动器功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET提供去饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车（EV）车载充电器和电机、发电和储能系统，以及Ćuk转换器和工业LED SEPIC电路。 整流器采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统的可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流可...
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2024/11/27 11:46:38
据报道，近期业界传出，台积电通知海内外设备供应商，暂缓2026年设备需求及设备交付计划，等待后续安排。业界人士认为，AI趋势并未变，此举主要是考虑特朗普上台后政策的不确定性，必须先观察形势，之后再重新评估需求，以应对未来时局变化。目前台积电全力扩充CoWoS产能，2024~2025两年产能目标连续逾倍增，且还是供不应求。报道重点介绍了台积电的建设进度，包括其从群创光电台南四厂新收购的工厂（AP8厂），该工厂预计将于2025年3月至4月完工。设备安装计划于2025年下半年进行，生产贡献将于当年晚些时候开始。据报道，台积电还在与群创光电谈判收购第二家工厂。与此同时，其嘉义工厂的目标是在2025年底前交付设备，并在2026年初安装，重点是SoIC（集成芯片系统）扩展，生产可能在2026年底开始。客户方面，业内消息称，台积电计划在2025年将其CoWoS封装产能增加一倍以上，英伟达将消耗高达60%的扩大产能，而AMD和ASIC开发商则努力增加其份额。台积电的每月CoWoS产能目前预计在2024年将达到每月35000片，为十多个主要客户提供服务，其中英伟达占据一半以上的可用产能。展望2025年，台积电每月的CoWoS产能将达到75000片，其中英伟达已通过预订获得60%的产能。这一重要分配反映了市场对英伟达H200和Blackwell系列的强劲需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/27 11:43:12
11月25日消息，据台媒《经济日报》报道称，近日业内传出消息称，处理器大厂AMD有意进入移动芯片领域，相关产品将采用台积电3nm制程生产，有利于助攻台积电3nm产能利用率维持“超满载”盛况，订单能见度直达2026下半年。对于相关传闻，AMD不予评论。台积电也不评论市场传闻，亦不评论与单一客户的业务细节。根据传闻显示，在AMD MI300系列AI加速器（APU）在AI服务器领域快速冲刺之际，也在规划要推出面向移动设备的APU，预计将采用台积电3nm制程。值得注意的是，AMD此前已经与三星进行合作，将其RDNA GPU IP授权给了三星，使得三星自研的手机SoC Exynos 2200加入了基于AMD RDNA 2构架打造Xclipse GPU，使得三星能够支持光线追踪等图像处理能力。鉴于AMD已在智能手机芯片领域与三星进行了合作，业界预计，其新款移动APU也有望率先被用于三星旗舰智能手机，而该APU可能会是交由台积电3nm代工。当然也不能排除，AMD是将其相关IP授权的给三星，使得其可以将之整合到自己的旗舰SoC当中。报道称，AMD今年有望续居台积电前三大客户，并与台积电延伸封装合作。根据AMD与台积电技术论坛公布的信息，AMD MI300系列不仅采用台积5nm家族制程，并藉由台积电3DFabirc平台多种技术整合，例如将5nm GPU与CPU以SoIC-X技术堆叠于底层芯片，并再整合在CoWoS封装，实现百万兆级高速运算创新。市场研究机构TrendForce此前的报告也指出，台积电不仅最大客户苹果积极采用3nm制程，AMD、联发科、高通等主要客户也相继导入台积电3nm。随着客户群在3nm应用日益多元，台积电3nm家族订单能见度并已延长至2026下半年。根据预计，台积电3nm今年相关产能较去年大增三倍，但仍无法满足客户订单，传闻台积电已陆续祭出多项措施来扩充更多产能，并加速产...
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2024/11/27 11:35:27
Mini-Circuits的LFCG-530+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到530 MHz，支持各种应用。该模型提供了1 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达3.5W的射频输入功率，并提供-55°C至125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数频率:DC to 530 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:1 dB点击购买：LFCG-530+特性•低损耗，典型值为1dB•典型高抑制30dB•出色的功率处理能力，3.5W•尺寸极小的0805（2.0mm x 1.25mm）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•PCB上直流线路的射频抑制•A/D转换器的抗混叠尺寸图
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2024/11/26 14:14:38