应用信息典型应用电路图 86 给出了 HMC521ALC4 的典型应用电路。HMC521ALC4 为无源器件，无需任何外部元件。LO 与 RF 引脚内部已做交流耦合；IFx 引脚内部为直流耦合。若应用无需直流工作，可在此端口外接串联电容进行直流隔离，电容值按所需中频范围选取。若需要 IF 直流工作，则不得超过“绝对最大额定值”表中给出的 IFx 源/灌电流额定值。上变频时的边带选择选用上边带：将 IF1 接混合器的 90° 口，IF2 接 0° 口；选用下边带：将 IF1 接混合器的 0° 口，IF2 接 90° 口。输入信号来自混合器的和口，差口接 50 Ω 端接。下变频时的边带选择低本振（上边带）：IF1 接混合器 0° 口，IF2 接 90° 口；高本振（下边带）：IF1 接混合器 90° 口，IF2 接 0° 口。输出信号取自混合器的和口，差口同样接 50 Ω 端接。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:41:49
HMC966LP4E 是一款紧凑型 GaAs MMIC I/Q 下变频器，采用无铅、符合 RoHS 标准的 SMT 封装。该器件在小信号下提供 14 dB 的转换增益、2.5 dB 的噪声系数，并在整个频段内实现 40 dBc 的镜像抑制。HMC966LP4E 内部结构为 LNA 后接镜像抑制混频器，混频器由一个主动 ×2 倍频器驱动。镜像抑制混频器省去了 LNA 后的滤波器，并抑制了镜像频率处的热噪声。芯片提供 I 和 Q 两路混频输出，需外接 90° 移相器以选择所需边带。HMC966LP4E 体积远小于传统的混合式镜像抑制下变频组件，且兼容表面贴装生产工艺。具备的特征转换增益：14 dB图像抑制：40 dBc2 LO到RF隔离：40 dB噪声系数：2.5 dB输入IP3:0 dBm24芯4X4毫米SMT封装：16mm²HMC966LP4E非常适合：•点对点和点对多点无线电•军用雷达、电子战和电子情报•卫星通信如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:35:34
图 7 所示的中频（IF）放大器采用差分开集电极输出（IF+ 与 IF-），并提供一个用于调整内部偏置的引脚 IFBIAS。IF 输出端必须通过供电电压 Vcc 进行偏置，Vcc 经匹配电感 L1、L2 引入；也可通过变压器中心抽头供电。每个 IF 输出引脚约吸收 67 mA 直流电流（两路共 134 mA）。为获得最佳性能，L1、L2 建议选用高 Q 值绕线片式电感；若成本受限，可改用多层片式电感，性能会略有下降。图1图2单端最佳性能为了获得最优单端性能，差分 IF 输出需经外部 IF 变压器或分立 IF 巴伦电路合成。评估板（见图 1 与图 2）采用 4:1 匝比 IF 变压器，同时完成阻抗变换与差分-单端转换。也可省去变压器，直接驱动差分滤波器或差分放大器。IF 输出阻抗在中频可等效为 950 Ω 电阻与 1.2 pF 电容并联，小信号模型见图 8。表 3 给出了随频率变化的差分 IF 输出阻抗数据，该数据以封装引脚为参考（无外接元件），已包含芯片及封装寄生效。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:30:46
LTC5551 是一款工作电压 2.5 V–3.6 V 的混频器，专为需要极高动态范围的射频下变频应用而优化。其射频（RF）频率覆盖 300 MHz–3.5 GHz，本振（LO）频率范围 200 MHz–3.5 GHz。该器件在保持低功耗的同时，提供非常高的输入三阶截点（IIP3）和 1 dB 压缩点（P1dB）。典型应用为 700 MHz–2.7 GHz 频段基站接收机。RF 输入可在宽频段内完成匹配，中频（IF）可用至 1 GHz。将 ISEL 引脚拉高即可进入低功耗模式，功耗降低约 1/3，但 IIP3 会相应降至约 +29 dBm。通过 EN 引脚可对混频器进行开关控制。LTC5551 的高集成度最大程度地降低了整体方案成本、占用板面积及系统级差异，同时为严苛的接收机应用提供业界最高的动态范围。特征+36dBm输入IP32.4dB转换增益低噪声系数：10dB+18dBm超高输入P1dB670mW功耗2.5V至3.6V操作50Ω单端射频和本振输入0dBm LO驱动电平低电量模式–40°C至105°C操作（TC）解决方案规模小启用引脚16引脚（4mm×4mm）QFN封装应用GSM、LTE、LTE-Advanced基站中继器DPD观测接收机公共安全无线电、军事和国防航空电子设备无线电和空中交通预警和防撞系统应答机有源相控阵天线空白频段无线电接收机如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:21:55
ADL5350 是一款基于 GaAs pHEMT 工艺的单端无源混频器，内部集成了本振（LO）缓冲放大器。该器件利用 FET 结漏-源沟道电导随电压变化的特点，对射频（RF）信号进行调制。其简化原理图见图 57。本振信号施加于 FET 缓冲放大器的栅极。缓冲放大器为 LO 提供足够增益，以驱动作为电阻开关的混频核心。同时，内部反馈回路为 FET 缓冲放大器和 RF/IF 端口提供所需偏置，使其在常见蜂窝频段内获得最佳调制效率。混频过程通过“以 LO 频率将 RF/IF 端口沟道电导切换至地”来完成。RF 信号先经外部带通网络，抑制镜像频段并降低进入混频器的宽带噪声。受带限后的 RF 信号被加到 RF/IF 端口这一时变负载上，使其包络按 LO 频率被幅度调制。IF 端口需外接滤波网络，用于滤除 RF 分量并保留所需混频产物。在下变频应用中，IF 滤波网络设计为让差频通过，并对入射 RF 频率呈现开路；在上变频应用中，则让和频通过并抑制入射 RF。因此，混频器的整体频率响应由外部 RF/IF 滤波网络的频率特性决定。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:12:16
LT5560 内部包含一个双平衡混频器、一个共基极输入缓冲放大器以及偏置/使能电路。该芯片专为最高 4 GHz 的频率转换应用而设计，若在更宽频段内工作，性能会有所下降。为获得最佳性能，射频输入与输出应作差分连接。本振（LO）输入可由单端源驱动，支持低本振或高本振两种注入方式。LT5560 在量产测试时采用单端本振驱动进行表征。芯片的静态直流电流可通过外接电阻在 4 mA 以下至约 13.5 mA 范围内调节，使用户能够根据具体应用在三阶交调性能（IIP3）与功耗之间做出权衡。依据不同应用需求，提供三块演示板，详见表 1。所列输入/输出频率范围基于实测 12 dB 回波损耗带宽，而本振端口频率范围则基于 10 dB 回波损耗带宽。DC963B、DC991A 与 DC1027A 的通用电路拓扑分别示于图 1、图 2 与图 3，其 PCB 布局分别见图 23、图 24 与图 25。低频演示板 DC1027A 还可重新配置用于上变频应用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/12/23 11:50:37
全球微电子工程公司Melexis宣布，推出新版本双输入电感传感器接口MLX90514，专为机器人、工业及移动出行应用设计，通过其SSI输出协议提供具备高抗噪能力的绝对位置信息。在机器人关节控制、工业电机换向及电动出行驱动系统等应用领域，市场对能够提供高精度位置反馈的传感器的需求日益增长，同时这些应用也需克服光学编码器和磁性解决方案所存在的局限性与挑战。此类应用要求传感器外形紧凑、易于集成、响应延迟低，并对环境压力源具有高弹性。这给既有的光学或磁性解决方案在性能和可扩展性方面提出了巨大挑战。MLX90514通过非接触式电涡流原理有效应对以上挑战，在严苛的操作环境下仍能保持稳定且可重复的性能表现。其双输入架构能够同时处理来自两个线圈组的信号，从而在芯片上计算出游标角度。在实际应用中，例如测量电动自行车、摩托车或机器人关节中电机的输入与输出位置时，该架构将位置传感功能整合于单个芯片之中，既减少外部电路的使用，确保测量的同步性，也支持增强的功能安全性。MLX90514采用5V供电电压，可广泛适用于各类设计，能够测量旋转与线性应用。其支持的线圈直径范围从20mm至300mm，线性位移测量范围可达400mm。该器件提供高达16位的位置分辨率，可实现精度优于0.1°的零延迟测量，确保在严苛环境下仍能保持精确控制。通过即插即用的便捷配置方式，工程师仅需对有限的参数（特别是偏移补偿与线性化）进行编程，即可以最小的系统集成工作量实现快速可靠的部署。对于工程师而言，MLX90514提供了一个紧凑且完全集成的位置传感解决方案。其电感测量原理无需永磁体即可运行，减少了与磁体采购和集成相关的设计工作量和供应链考量。同时，其基于PCB的线圈设计也简化了组装流程并降低成本。与光学解决方案相比，该传感器对灰尘、机械磨损及污染具有极高的鲁棒性。此外，MLX90514的所有信号处理均在片上完成，其设计...
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2025/12/23 11:32:46
全球微电子工程公司Melexis宣布，推出专为单线圈无刷直流（BLDC）冷却风扇设计的800mA驱动器MLX90411-D。作为MLX90411产品家族的最新成员，该器件在客户可配置性、电机控制平稳性以及系统集成便捷性方面均有显著提升。该创新产品专为工作电压为5V、12V、24V或32V的单线圈风扇设计，目标应用领域广泛，涵盖消费电子（如游戏设备、个人电脑）、家用电器（如冰箱）以及电力基础设施（如不间断电源、储能系统）等。冷却风扇在众多应用场景中扮演着不可或缺的角色，其覆盖范围从游戏机、个人电脑到冰箱、不间断电源（UPS）以及储能解决方案（ESS）等多个领域。这些市场的制造商面临双重挑战：既要确保产品具备出色的耐用性和长期稳定性，又需满足日益严苛的降本降噪的市场需求。MLX90411-D以一种高度平衡的策略精准应对上述需求：在成本优化的封装设计中集成电机控制功能的同时，又延续了迈来芯在实际应用中久经市场验证的可靠性与卓越性。MLX90411-D的核心优势在于采用经过优化升级的电机控制算法，能够实现更平稳的启动与停止操作，有效降低声学噪声，并显著延长产品使用寿命。其改进后的比例-积分（PI）调节功能表现出色，即便在极低转速条件下（低于1000转/分钟），也能确保电机稳定运行。此外，该产品提供多种启动与停止模式，以灵活适配不同应用场景的特定需求；支持灵活定义速度曲线，进一步提升了产品的可配置性。用户还能够自由设置最大和最小运行点，实现更精准的气流控制，并通过降低风扇的最低转速来有效降低功耗。为简化系统设计流程，MLX90411-D创新集成FG（频率发生器）与RD（旋转检测）输出功能，无需特定型号设备即可轻松实现系统级监控。该产品还提供可选的上拉或下拉PWM输入接口，省去使用外部反相器，从而在不同系统架构中展现出更高的灵活性，同时有效减少了物料清单（BoM）的组件数量，降低了系统...
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2025/12/23 11:20:51
半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布，正式推出GD32H78D/77D系列高性能32位通用微控制器，产品基于高性能Arm® Cortex®-M7内核，主频高达750MHz，配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存（TCM），搭载专用数学加速引擎及丰富的外设接口，实现了高性能、低功耗与专用加速器的完美融合。该系列MCU全新集成MIPI DSI接口，提供出色的多媒体处理能力，广泛适用于高端嵌入式HMI、手持云台、专业声卡、便携医疗设备、智能家居等丰富人机交互场景，为高性能嵌入式系统提供全面可靠的硬件平台。GD32H78D/77D系列芯片基于Arm® Cortex®-M7内核。GD32H78D系列MCU主频高达750MHz，GD32H77D系列MCU主频高达600MHz，为不同性能与可靠性需求的应用提供精准选择。该系列CoreMark®测试得分高达3736分，性能表现达4.98 CoreMark/MHz。该系列拥有优异的存储配置，集成了2MB Execution Flash与8MB Storage Flash，并搭载1.2MB的SRAM，其中特别配备高达640KB大容量紧耦合内存（TCM），可与CPU同频运行，实现指令与数据的零等待执行。这一核心架构设计可让CPU以峰值效率持续运行，充分释放其全部计算潜能，确保系统即便在极度消耗算力的实时任务、复杂控制算法及高频数据处理中，也能实现更快、更稳定的代码执行，为高端嵌入式应用提供了至关重要的性能基础。GD32H78D/77D系列芯片支持1.71V至3.6V的工作电压范围，内置三种可灵活配置的节能模式，无论在高性能动态运行，还是在低功耗静态待机状态下，其功耗表现均具有显著优势，为能效管理提供了精细化的解决方案。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传...
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2025/12/23 11:16:07
功能概述FM25W256 是一款串行 F-RAM 存储器。其存储阵列逻辑上组织为 32 768 × 8 位，通过工业标准的串行外设接口（SPI）总线进行访问。F-RAM 的功能操作与串行 Flash 和串行 EEPROM 类似，主要区别在于 FM25W256 具备更优异的写入性能、更高的擦写寿命以及更低的功耗。存储器架构访问 FM25W256 时，用户可对 32 K 个 8 位数据单元进行寻址，数据以串行方式移入或移出。地址通过 SPI 协议传输，包含片选信号（允许多器件共享总线）、操作码和 2 字节地址。地址最高位为“无关”位，完整的 15 位地址可唯一指定每个字节地址。FM25W256 的大部分功能由 SPI 接口控制或由片内电路自动处理。存储器操作的访问时间几乎为零，仅受限于串行协议本身，即读写操作以 SPI 总线速度进行。与串行 Flash 或 EEPROM 不同，无需轮询“就绪”状态——写入操作在总线传输完成时即已结束。接口章节将对此做更详细说明。注意：FM25W256 内部仅集成简单的上电复位电路，不含其他电源管理电路。用户必须保证 VDD 在数据手册规定范围内，以防止异常操作。建议不要在片选有效时断电。串行外设接口 — SPI 总线FM25W256 作为 SPI 从器件，最高工作频率 20 MHz。该高速串行总线为 SPI 主器件提供高性能通信。常见微控制器大多自带硬件 SPI 端口，可直接连接；若无，也可用普通 I/O 口模拟 SPI 时序。FM25W256 支持 SPI 模式 0 和模式 3。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/22 11:04:14
FM25W256-GTR 是英飞凌一款高速 256 Kbit F-RAM，具有 151 年的数据保留时间、快速的总线速度写入操作和相当强的写入耐久性，使其成为可靠的非易失性存储器应用的理想选择。它的性能优于传统的串行闪存和 EEPROM，在 -40°C 至 +85°C 的宽工业温度范围内提供高效可靠的性能。其保证的规格和高速 SPI 总线兼容性使其适用于支持 1014 读/写周期或比 EEPROM 多 1 亿倍写入周期的关键应用。具备的特征• 256 Kbit F-RAM 逻辑组织为 32K × 8 • 高耐用性，100 万亿 (1014) 次读/写• 数据保留 151 年• NoDelay ™写入• 高可靠性铁电工艺• 非常快速的串行外设接口 (SPI)• 频率高达 20 MHz• 完善的写保护方案• 低功耗• 宽电压操作：VDD = 2.7 V 至 5.5 V• 工业温度：-40°C 至 +85°C应用• 车载充电（OBC）如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/22 10:56:24
自动增益控制（AGC）没有 AGC 的电路在输入增益过大时，输出会出现削顶失真。AGC 能在输入增益过高时防止输出削顶，从而彻底消除削波。图 1 展示了话筒输入信号过强时，有无 AGC 的对比效果。MAX9814 的 AGC 工作原理如下：首先检测输出电压是否超过预设门限；一旦超限，便按设定的“起控时间”常数降低话筒放大器增益，以抑制过大的输出幅值。该过程称为“attack（起控）”。当输出信号幅值随后下降时，增益先保持一段短暂时间，再缓慢恢复到正常值；这段“先保持、再缓慢恢复”的过程称为“hold & release（保持与释放）”。放大器对输入信号变化的响应速度由外部定时电容 Cct 和施加在 A/R 引脚的电压共同决定。AGC 门限可通过调整 VrH 来设定。增益衰减量随输入信号幅度变化，最大可达 20 dB。图 2 展示了一次输入突发脉冲超过预设门限后，输出的起控、保持与释放过程。如果起控与释放时间设置得过快，增益会随信号动态快速起伏，容易产生所谓的“抽吸声”或“呼吸声”等可闻失真。为获得最佳效果，应根据音源类型调整 AGC 的时间常数。若主要音源为音乐 CD，建议采用 160 µs 的起控时间与 80 ms 的释放时间。音乐类应用通常比语音或影视内容需要更短的释放时间。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/22 10:47:31
MAX9814 是一款低成本、高品质的话筒放大器，集成自动增益控制（AGC）和低噪声话筒偏置。芯片内部包含低噪声前置放大器、可变增益放大器（VGA）、输出放大器、话筒偏置电压发生器以及 AGC 控制电路。低噪声前置放大器的固定增益为 12 dB；VGA 增益根据输出电压和 AGC 阈值在 20 dB 至 0 dB 之间自动调节。输出放大器提供 8 dB、18 dB、28 dB 三档可选增益。无压缩时，三级放大器级联后的总增益分别为 40 dB、50 dB 或 60 dB。一个三态数字输入用于设定输出放大器增益；外部电阻分压器设定 AGC 阈值，单颗电容设定起控/释放时间；另一个三态数字输入设定起控与释放时间之比。AGC 保持时间固定为 30 ms。低噪声话筒偏置电压发生器可为大多数驻极体话筒提供偏置。MAX9814 采用节省空间的 14 引脚 TDFN 封装，工作温度范围为 –40 °C 至 +85 °C。特征● 自动增益控制（AGC）● 三种增益设置（40dB、50dB、60dB）● 可编程攻击时间● 可编程攻击和释放比● 2.7V至5.5V电源电压范围● 30nV/√Hz的低输入参考噪声密度● 低THD：0.04%（典型值）● 低功耗关机模式● 内部低噪声麦克风偏置，2V● 提供节省空间的14针TDFN（3mm x 3mm）包装● -40°C至+85°C扩展温度范围应用● 数字照相机● 数码摄像机● PDAs● 蓝牙耳机● 娱乐系统（如卡拉OK）● 双向沟通者● 高品质便携式录音机● IP电话/电话会议如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/22 10:32:15
ADV7513 是亚德诺一款 165 MHz 的高清多媒体接口（HDMI）发射器，适用于 DVD 播放机/录像机、数字机顶盒、A/V 接收器、游戏主机和 PC 等设备。该数字视频接口内置兼容 HDMI v1.4 / DVI v1.0 的发射器，支持所有 HDTV 格式。ADV7513 支持 HDMI v1.4 的特定功能，包括 3D 视频。它还支持 x.v.Color、高比特率（HBR）音频，以及可编程的辅助视频信息（AVI）InfoFrame 功能。通过集成 HDCP，ADV7513 可按照 HDCP v1.4 协议安全传输受保护内容。ADV7513 支持 S/PDIF 和 8 通道 I²S 音频。其高保真 8 通道 I²S 接口可传输立体声或 7.1 环绕声，采样率最高可达 768 kHz。S/PDIF 接口支持包括 Dolby Digital、DTS 和 THX 在内的压缩音频。该芯片采用先进 CMOS 工艺制造，提供 64 引脚 LQFP 表面贴装塑料封装（带裸露焊盘），工作温度范围为 -25°C 至 +85°C。主要特性通用特性集成 HDMI v1.4 功能，包括 3D 视频支持165 MHz 带宽，支持高达 1080p 和 UXGA 的所有视频格式支持色域元数据包传输集成 CEC 缓冲器/控制器兼容 DVI v1.0 和 HDCP v1.4视频/音频输入接受 1.8 V 至 3.3 V 逻辑电平数字视频支持 3D 视频可编程双向色彩空间转换器支持 RGB、YCbCr 和 DDR支持基于 ITU-656 的嵌入式同步信号自动输入视频格式时序检测（CEA-861-E）数字音频支持标准 S/PDIF，用于立体声线性脉冲编码调制（LPCM）或压缩音频，最高 192 kHz支持高比特率（HBR）音频支持 8 通道未压缩 LPCM I...
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2025/12/22 10:28:16
意法半导体扩展其抗辐射集成电路产品系列，新增三款专为近地轨道卫星电源电路设计的低压整流二极管。LEO1N58xx二极管采用批量生产的轻量化SOD128塑料封装，可直接用于飞行任务，为开关电源及高频DC-DC转换器等电路提供可靠的电源管理与保护功能。 LEO1N58xx系列采用意法半导体久经航天验证的肖特基功率整流与和超快恢复二极管制造技术，能够满足新兴航天产业对成本效益、抗辐射性、小型化、质量保证及更大规模供应的严苛要求。该系列产品基于已通过欧洲航天元器件协调组织（ESCC）认证的意法半导体航天级二极管开发而成，新推出的LEO适用器件采用符合汽车行业IATF 16949标准的制造流程生产，具备晶圆级追溯能力，生产过程执行严格的质量控制。这些器件均符合AEC-Q101认证标准，经过晶圆批次验收测试（WLAT），并随附产品合格证书（CoC）。LEO1N5819肖特基二极管的通态电流为1A，最大反向电压为45V；LEO1N5822肖特基二极管的通态电流为3A，最大反向电压为40V； LEO1N5811超快恢复二极管的通态电流为6A，最大反向电压为150V。两款肖特基器件的工作结温在 -40°C 至 150°C之间，而 LEO1N5811 的最大结温提高到175°C。这三款产品都采用专门的抗辐射加固设计，适用于恶劣的工作环境条件，包括存在温度、总电离辐射(TID)、非电离辐射(TNID)和单粒子效应(SEE)的环境，符合ESCC 22900的TID测试要求(最高 300 krad(Si))、ESCC 22500的TNID测试要求(最高 3 x 1011 p/cm2)和 ESCC 25100的单粒子烧毁(SEB)测试要求(最高 60 MeV/cm²/mg）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。...
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2025/12/22 9:56:13
思瑞浦正式发布了其新一代四通道、16位高精度电压/电流输出数模转换器——TPC2884。该芯片不仅以0.025%的全温电压精度和±50V的超电源轨耐压能力树立了性能新高度，更通过极低的上下电瞬态干扰与创新的自适应电源温控方案，为工业系统设计提供了兼具高精度、高可靠性与高集成度的终极解决方案。核心性能突破：超高精度与超强耐压的工业级组合TPC2884的核心价值在于其将实验室级别的精度与工业现场级的鲁棒性完美融合。TPC2884产品特性•高分辨率与耐压能力：具备16-Bit分辨率，输出端口兼容 UIO，通过外接二极管可实现±50V耐压。•灵活可配置输出：电流输出：可配置范围为4mA20mA、0mA20mA或 0mA24mA，全温TUE为0.1%FSR，支持多个档位漏电补偿及 HART连接。电压输出：可配置范围为0V5V、0V10V、±5V或 ±10V，全温TUE为0.09%FSR，支持20%过量程输出及4线电压模式。•强大内置功能与保护机制：内置12-BitADC，可用于输出电压、电流和AVDD监控及输出错误自检等；具备CRC校验、看门狗、电流输出断路和负压报警、输出电压过流检测（区分过流方向）、独立的AVDD UVLO、过温保护等多种保护机制。•宽温工作与紧凑封装：工作温度范围为-40℃125℃，采用 QFN48-7mm*7mm封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/22 9:52:57
电子元器件制造商 Bourns 近日宣布，在其Riedon™品牌下扩充大功率厚膜电阻产品线，一举推出 PSD220S、PSD227、PSD126 和 PSD220T-50 四个全新系列。这些产品覆盖从 25W到200W 的宽广功率范围，并提供了从插件式TO封装到表贴DPAK封装的多样化选择，旨在为工程师在高要求的能量控制与测量应用中提供坚实、可靠且灵活的解决方案。电阻值范围广，温度系数精准为满足不同应用场景的需求，这四款新系列电阻器提供了广泛的电阻值范围，从20毫欧（mΩ）到100千欧（kΩ），温度系数（TCR）范围则为±50至±600 ppm/°C。这一精准的温度控制能力，使得电阻器在各种温度环境下都能保持稳定的性能，为高精度测量和稳定电路提供了有力支持。坚固可靠，定制调整灵活结合坚固的结构设计和可靠的热性能，Bourns的PSD系列电阻器非常适合用于电源供应器、马达驱动器、测试与量测设备、整流器、电容放电应用及缓冲电路等高要求领域。此外，每个系列均可根据具体应用需求进行定制调整，满足不同客户的个性化需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/22 9:50:27
国内模拟芯片领军企业圣邦微电子正式推出一款高集成度、高精度的单节锂电池保护芯片——SGM41010。该芯片不仅集成了全部电压检测与延时功能，更以芯片级可编程的检测精度和极致低功耗为核心亮点，为设计工程师提供了兼具灵活性、可靠性及高性价比的电池管理解决方案。SGM41010系列电池保护芯片，以其卓越的性能，为锂离子和聚合物电池提供了坚实的保护屏障。它内置的高精度电压检测电路包括：●过充电检测电压：4.1V至5.0V（5mV步进），精度：±15mV；●过充电恢复滞回电压：0mV至400mV（100mV步进），精度：±40mV；●过放电检测电压：2.1V至3.0V（10mV步进），精度：±35mV；●过放电恢复滞回电压：100mV至400mV（100mV步进），精度：±35mV；●放电过流检测电压：3mV至100mV（0.25mV步进），精度：±0.75mV；●负载短路检测电压：20mV至100mV（1mV步进），精度：±3.5mV；●充电过流检测电压：-100mV至-3mV（0.25mV步进），精度：±0.75mV。所有这些检测的延迟时间都由内部电路精确控制，无需额外的外部电容。SGM41010支持上电自动激活。在电池电压为0V时，充电会被禁止。如果发生过充或短路保护（OCD/SCP），系统会在条件允许时尝试重新启动。设计优化：简化外围与极致低耗，延长电池寿命除高精度外，SGM41010在系统设计与功耗控制上也体现了卓越的工程师思维。●高度集成，简化设计：所有检测延时均由内部电路精确控制，无需任何外部延时电容，显著节省PCB面积和BOM成本。其典型应用电路极为简洁。●极致低功耗：在工作状态下，芯片自身电流消耗典型值仅1.5μA；在过放保护状态下，功耗更是低于1μA。这对于依赖小容量电池、需要长待机的物联网和穿...
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2025/12/22 9:47:18