LTC®4063是亚德诺一款具有可调低压降线性稳压器 (LDO)、用于单节锂离子电池的独立型线性充电器。该可调 LDO 可在高达 100mA 的负载电流条件下实现 1.2V 至 4.2V 的输出电压调节范围。当输入电源 (交流适配器或 USB 电源) 被拿掉时，LDO 对输出电压调节且不会中断。电池充电器和 LDO 稳压器可单独使能。由于采用了内部 MOSFET 架构，因此充电操作无需使用外部检测电阻器或外部隔离二极管。内部热反馈功能可调节充电电流，以便在大功率工作或高环境温度条件下维持恒定的芯片温度。浮动电压固定于 4.2V，充电电流利用一个外部电阻器来设置。充电终止方法包括最小充电电流法或最大时间法。在施加电源的情况下，可将 LTC4063 置于停机模式，以便把电源电流减小至 35µA，并将电池漏电流降至 2µA 以下。其它功能包括智能再充电、欠压闭锁、LDO 电流限制和一个用于指示充电周期结束的充电状态引脚。特性• 高达 1A 的可设置充电电流• 集成 100mA 可调低压降线性稳压器• 直接从 USB 端口对单节锂离子电池进行充电• 精度达 ±0.35% 的预设充电电压• 无需外部 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管• 热调整功能可在无过热危险的情况下实现充电速率的最大化• 可调 LDO 输出电压范围：1.2V 至 4.2V• 可设置充电终止定时器• 可设置充电电流检测/终止• SmartStart™ 功能延长了电池的使用寿命• 充电状态输出• 停机模式中的充电器静态电流为 35µA• 15µA LDO 静态电流• 采用扁平 (高度仅 0.75mm) 的 10 引脚 (3mm x 3mm) DFN 封装应用手持式计算机便携式MP3播放器数码相机引脚配置
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2024/11/4 13:54:54
LT®3652HV 是亚德诺一款完整的单片式、降压型电池充电器，可在 4.95V 至 34V 的输入电压范围内运作。LT3652HV 提供了一种恒定电流 / 恒定电压充电特性，最大充电电流可在外部设置至高达 2A。该充电器采用了一个 3.3V 浮动电压反馈基准，因此可以使用一个电阻分压器来设置任何期望并可高达 18V 的电池浮动电压。 LT3652HV 运用了一个输入电压调节环路，如果输入电压降至一个编程电平 (由一个电阻分压器来设定) 以下，则该输入电压调节环路将减小充电电流。当 LT3652HV 由一块太阳能电池板来供电时，输入调节环路将用于把太阳能电池板保持在峰值输出功率。 可以通过配置使 LT3652HV 在充电电流降至编程最大值的 1/10 (C/10) 以下时终止充电操作。当充电操作终止时，LT3652HV 将进入一种低电流 (85μA) 待机模式。如果电池电压下降至编程浮动电压以下达 2.5%，则一种自动再充电功能将起动一个新的充电周期。LT3652HV 还包含一个可编程安全定时器，用于在到达一个期望时间之后终止充电操作。这在电流小于 C/10 的条件下提供了 “top-off” 型充电。特性• 用于太阳能应用中峰值功率跟踪 (MPPT) 的输入电源电压调节环路• 宽输入电压范围：4.95V 至 34V (40V 绝对最大值)• 可编程充电速率高达 2A• 可由用户选择的充电终止方式：C/10 或板上充电终止定时器• 可采用电阻器设置和可高达 18V 的浮动电压能迎合 4 节锂离子 / 锂聚合物电池、5 节 LiFePO4 (磷酸铁锂) 电池、铅酸电池化学组成• 可通过并联提供较高的输出电流• 1MHz 固定频率• 0.5% 浮动电压基准准确度• 5% 充电电流准确度• 2.5% C/10 检测准确度• 二进制编码集电极开路状态引脚• 耐...
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2024/11/4 13:44:53
LTC®6811 是亚德诺一款多节电池的电池组监视器，可测量多达 12 个串接电池的电压，并具有小于1.2mV 的总测量误差。0V 至 5V 的电池测量范围使 LTC6811 成为大多数电池化学组成的合适之选。所有 12 节电池可在 290μs 内完成测量，并可选择较低的数据采集速率以实现高的噪声抑制。可以把多个 LTC6811 器件串接起来，因而能在长的高电压电池串中实现电池的同时监视。每个 LTC6811 具有一个 isoSPI 接口，用于实现高速、抗 RF 干扰的远程通信。使用 LTC6811-1 时，多个器件采用菊链式连接，且所有器件采用一根主处理器接线。而使用 LTC6811-2 时，则多个器件并联连接至主处理器，对每个器件进行个别寻址。LTC6811 可直接采用电池组或一个隔离式电源供电。LTC6811 拥有针对每节电池的电荷被动平衡、以及用于每节电池的个别 PWM 占空比控制功能。其他特点包括一个内置的 5V 稳压器、5 根通用型 I/O 线和一种睡眠模式 (在该模式中电流消耗减小至 4μA)。特性• LTC6804 的引脚兼容型升级器件• 可测量多达 12 节串联电池• 1.2mV 最大总测量误差• 可堆叠式架构能支持几百个电池• 内置 isoSPI™ 接口 •1Mb 隔离式串行通信• 采用单根双绞线，长达 100 米• 低 EMI 敏感度和辐射• 可在 290μs 内完成系统中所有电池的测量• 同步的电压和电流测量• 具可编程三阶噪声滤波器的 16 位 ΔΣ ADC• 针对符合 ISO26262 标准的系统而进行设计• 采用可编程定时器的被动电池电荷平衡• 5 个通用的数字 I/O 或模拟输入•温度或其他传感器输入• 可配置为一个 I2C 或 SPI 主控器• 4μA 睡眠模式电源电流• 48 引脚 SSOP 封装应用• 电动和混合动力汽车• 备...
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2024/11/4 13:37:52
AD7606C-18是一款18位、同步采样、模数转换数据采集系统(DAS)，具有八个通道。每个通道均包含模拟输入箝位保护、可编程增益放大器(PGA)、低通滤波器(LPF)和18位逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)。AD7606C-18还包含灵活的数字滤波器、低漂移、2.5 V精密基准电压源和用于驱动ADC的基准电压源缓冲区，以及灵活的并行和串行接口。AD7606C-18采用5 V单电源供电，在所有通道以1 MSPS的吞吐量采样时，可适应以下输入范围：双极单端：±12.5 V、±10 V、±6.25 V、±5 V和±2.5 V 单极单端：0 V至12.5 V、0 V至10 V和0 V至5 V 双极差分：±20 V、±12.5 V、±10 V和±5 V 输入箝位保护可承受高达±21 V的电压。由于采用单电源供电、片内滤波和高输入阻抗，因此无需外部驱动运算放大器（这些放大器需要双极电源）。对于吞吐率较低的应用，AD7606C-18灵活数字滤波器可用于提高噪声性能。特性• 18位、1 MSPS ADC（所有通道）• 具有 1MΩ 最小模拟输入阻抗 (RIN) 的输入缓冲器• 5 V模拟单电源，VDRIVE：1.71 V至5.25 V• 每通道可选模拟输入范围• 双极单端：±12.5 V, ±10 V, ±6.25 V, ±5 V, ±2.5 V• 单极单端：0 V to 12.5 V, 0 V to 10 V, 0 V 至 5 V• 双极差分：±20 V, ±12.5 V, ±10 V, ±5 V• 两种带宽选项：每通道25 kHz或220 kHz• 灵活的数字滤波器，过采样率高达25...
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2024/11/4 13:25:51
ADRF6780是一款采用硅锗(SiGe)设计的宽带、微波上变频器，针对点到点微波无线电设计进行优化，工作频率范围为5.9 GHz至23.6 GHz。该上变频器提供两种频率转换模式。该器件能够从基带I/Q输入信号直接变频为射频(RF)，也能够从实中频(IF)输入载波频率单边带(SSB)上变频。基带输入为高阻态，通常采用100 Ω差分后部端接电阻接进行片外端接。可禁用基带I/Q输入路径，并将0.8 GHz至3.5 GHz范围内的任何调制实IF信号馈入IF输入路径且上变频为5.9 GHz至23.6 GHz，同时抑制典型优于25 dBc的无用边带。串行端口接口(SPI)支持正交相位调整的调节，以实现较佳边带抑制性能。此外，SPI接口在无需功率监控时可关断输出功率检测器以便降低功耗。ADRF6780上变频器采用紧凑的散热增强型、5 mm × 5 mm LFCSP封装。ADRF6780工作温度范围为−40°C至+85°C。特性• 宽带RF输出频率范围：5.9 GHz至23.6 GHz• 两种上变频模式• 从基带IQ直接变频至RF• 从实IF单边带上变频• LO输入频率范围：5.4 GHz至14 GHz• LO倍频器最高可达28 GHz• 匹配100 Ω平衡RF输出、LO 输入和IF输入• 高阻抗基带输入• 边带抑制和载波馈通优化• 用于Tx功率控制的可变衰减器和功率检测器• 可通过四线式SPI接口编程• 32引脚LFCSP 5 mm × 5 mm微波封装应用点对点微波无线电雷达、电子战系统仪器、自动测试设备（ATE）引脚配置点击购买：ADRF6780ACPZN
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2024/11/4 13:21:59
MACOM的MA4AGSW1是一种铝镓砷化物、单极、单掷（SPST）、PIN二极管开关。该开关采用MACOM专利异质结技术形成的增强型AlGaAs阳极。该技术生产的开关比传统的AlGaAs工艺损耗更小。在50GHz下，插入损耗可以降低0.3dB。该制造工艺旨在实现高器件均匀性和极低寄生效应。二极管本身具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并有一个额外的聚合物层用于划痕保护。保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。需要片外偏置电路。AlGaAs的高电子迁移率和PIN二极管的低电容使这种开关成为快速开关、高频、多投开关设计的理想选择。这些多功能AlGaAs PIN开关可用于各种微波应用，如雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件组件的开关阵列。特性超宽带：50 MHz至50 GHz聚合物防刮擦保护氮化硅钝化MACOM独特的AlGaAs异质结阳极技术。低电流消耗0.3 dB插入损耗功能带宽：50 MHz至70 GHz50 GHz时的46 dB隔离-5V用于低损耗状态+隔离状态10mA应用航空航天与国防ISM点击购买：MA4AGSW1
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2024/11/4 11:46:14
供应链透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减NAND闪存产量。这表明，尽管AI服务器需求强劲，但整体需求令人失望。人工智能服务器需求旺盛，提振了主要存储制造商的运营，但随着大型云服务提供商逐渐增加库存水平，势头正在减弱。全球两大NAND闪存制造商计划在第四季度减产。减产很可能根据市场情况分阶段进行。重新减产可能意味着未来六个月NAND闪存业务的前景黯淡。年底价格下跌，NAND生产商正在建立更多库存，这引发了对第四季度可能减产的担忧。三星和铠侠合计占据超过50%的市场份额。减产幅度尚未确定，但如果这些减产激发整个行业采取类似行动，NAND价格可能会回升。针对减产传闻，三星透露了部分细节，称无意在第四季度减少NAND产量，但将根据市场情况灵活调整。三星每年年底都会进行组织调整，由于2024年半导体部门盈利表现惨淡，存储器行业竞争压力加大，大幅改组和大规模人员调动在所难免。2022年行业大幅度减产，三星试图通过逆势降价来赶走竞争对手，却是最后一批跟进的企业之一，导致库存调整期最长，盈利复苏不如竞争对手。虽然三星内部仍在讨论削减产能，要等到新的人事决定做出后才能确定。业界认为，三星已经从错误中吸取了教训，并改变了市场策略，积极应对低需求，确保了在存储领域的领导地位。铠侠由于担心库存上升，以及为应对生成性AI浪潮，2025年大规模生产第八代NAND设备，计划在第四季度减少产量，以避免产能过剩问题。业界观察，PC、移动及消费产业出货量维持低迷，服务器需求相对稳定，不过经过一年多云服务商持续补货，今年下半年起订单动能已有所放缓，大中华区云客户也已在第三季前抢先囤货，以降低地缘政治风险。NAND制造商面临的最紧迫问题是库存控制。由于该行业预期制造商将降价，库存成本上升可能会破坏定价策略并产生过剩供应压力。系统运营商和主要CSP预计价格会下降，导致对短期订单持谨慎态度，这可能会形成恶性循环...
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2024/11/4 11:39:02
针对手机摄像头的拍照应用，美芯晟最新推出了支持ALS和Flicker的小尺寸闪烁光传感器芯片MT3211，可检测环境中闪烁光的干扰频率，避免摄像头拍照时图片产生干扰条纹，在各种光照条件下都能自动实现出色、精准的白平衡点，从而获得出色的拍摄效果。产品特性采用全镀膜方案，支持ALS 和Flicker检测采用OLGA6封装，尺寸仅为2mm×1mm×0.5mm芯片检测灵敏度低至0.1m lux/lsb，适合暗光下检测Flicker检测频率支持最大10kHz，采用独立检测通道，内置高达1KB的FIFO存储空间芯片接口管脚支持1.8V/1.2V电压，适用于1.2V新平台技术亮点■ 精确测量MT3211内部集成高精度光电二极管阵列，光电信号经过专用的模拟-数字转换器，产生高精度的信号数据。此架构对环境光强度和Flicker数据可进行实时精确测量。■ 增益设置MT3211的增益设置允许芯片根据输入信号的强弱来选择最适合的增益级别，从而优化信号的线性度和信噪比。■ 温度计功能该芯片集成了高精度温度计功能，能够实现实时监控芯片的工作温度。此功能不仅提高了系统的可靠性，还支持温度补偿，使芯片在不同温度条件下都能保持稳定的性能。■ 超低功耗通过优化内部电路架构和采用功耗管理策略，MT3211在保持高性能的同时，实现了极低的静态和动态功耗，sleep功耗低至0.35µA，非常适合对功耗敏感的移动端设备。在手机领域，公司凭借持续创新，开发了窄缝环境光和接近传感器、屏下色温和接近传感器、闪烁光传感器和激光测距传感器四个产品系列，已覆盖LCD屏幕应用、OLED屏幕应用、后置摄像头应用等在内的多样化场景，并接连进入多个国内外知名手机品牌客户。此外，公司持续深化手机产业链上下游布局与发展，继续向手机端多细分场景拓展，并将逐步完善多光...
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2024/11/1 13:22:24
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新型浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL高能系列器件最大能量吸收能力达340 J，比高环境温度下竞品器件高五倍，在25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理能力，可提高汽车和工业应用中有源充放电电路的性能。日前发布的热敏电阻R25阻值为150 W至1.5 kW，可实现更高效率，并处理高达1200 VDC的最高电压。器件在更高环境温度下的能量吸收能力高——85 °C下高达180 J，105 °C下高达130 J——设计人员可通过减少电路中使用的元件而节省空间并降低成本。PTCEL高能系列支持较高的开关温度，工作温度高达+105 °C，所有阻值的热容达2.6 J/K。该热敏电阻符合AEC-Q200标准并具有自我保护能力——没有过热风险—— 在AC/DC和DC/DC转换器；DC-Link、电池管理和紧急放电电路；车载充电器；家用储能系统；热泵；电机驱动器和焊接设备中提供限流和过载保护。在这些应用中，器件可承受超过10万次浪涌功率循环，以及在25 kW非开关峰值功率下具备高度迅速的恢复能力。PTCEL高能系列钛酸钡热敏电阻由焊接在两根镀锡CCS引线之间的陶瓷芯块组成，并涂有符合UL 94 V-0标准的高温硅酮漆。器件采用编带和卷盘包装，可使用取放设备自动处理，以降低放置成本。热敏电阻采用10 mm的标准引线间距，也可采用5.0 mm和7.5 mm的引线间距。符合RoHS标准的器件提供SPICE和3D模型。可提供符合RoHS规范的SPICE和3D模型。器件规格表：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联...
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2024/11/1 11:58:39
全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9 NAND闪存芯片。在现有的NAND芯片中，存储单元堆叠在外围设备的顶部，其功能相当于芯片的大脑。然而，堆叠300层或更高存储单元往往会损坏外围设备。在V10 NAND中，三星计划采用创新的键合技术，在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合。三星表示，这种方法将实现“超高”NAND堆叠，具有大存储容量和出色的散热性能，是AI数据中心使用的超大容量固态硬盘（SSD）的理想选择。据三星称，这种芯片被称为键合垂直NAND闪存或BV NAND，是“AI的理想NAND”。2013年，三星在业内率先推出垂直堆叠存储单元，从而开创了V NAND芯片的先河，实现了容量的最大化。据三星称，其BV NAND可将单位面积的比特密度提高1.6倍。三星的目标是在2027年推出V11 NAND，将数据输入和输出速度提高50%，从而进一步发展堆叠技术。该公司还计划推出SSD订购服务，目标客户是希望管理AI半导体投资高成本的科技公司。到2030年，NAND芯片将超过1000层三星誓要巩固其在大容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。基于NAND的存储设备竞争非常激烈，因为AI芯片侧重于推理，而推理需要大容量的存储设备来存储和处理图像及视频。NAND闪存是一种非易失性存储芯片，即使在电源关闭时也能存储数据。它目前用于智能手机、U盘和服务器等设备。根据市场追踪机构TrendForce的数据，截至第二季度，三星已成为NAND领域的主导企业，控制着全球36.9%的市场份...
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2024/11/1 11:51:46
Mini-Circuits D19GA+是一款MMIC定向耦合器，专为1400至1700 MHz的应用而设计。该型号在微型设备封装（3.1 x 3.0 x 1.6 mm）中提供了高达4W的出色功率处理。隔离端口上的内置50Ω端子简化了电路设计并减少了组件数量。该型号采用硅IPD技术制造，提供高水平的ESD保护和出色的可靠性。特性•主线损耗低，典型值为0.3 dB。•出色的驻波比，典型值为1.1:1。输入/输出•出色的重复性•微型薄型封装•可水洗应用• GPS电气原理图外观尺寸图点击购买：D19GA+
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2024/10/31 14:35:57
Mini-Circuits的SBDC-6-62HP+表面贴装双向耦合器提供高达10W的高功率处理和0.8 dB的低主线损耗，通常适用于30至600 MHz的应用。该耦合器具有安装在8引脚印刷层压板基座上的芯线结构，带有环绕式端子，具有出色的可焊性。该装置尺寸为0.38 x 0.50 x 0.25“，可容纳密集的电路板布局。特性高功率处理，10W全十年带宽主线损耗低，0.8 dB高指向性，20 dB出色的驻波比，1.20:1应用甚高频/超高频信号监测通讯军用移动电话电气原理图外观尺寸图
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2024/10/31 14:29:16
Mini-Circuits的EDC21-24+是一款21 dB定向耦合器，工作频率为4至20 GHz，采用MCLP 4 x 4mm、24引脚封装。它在宽频带上提供了出色的耦合平坦度和良好的回波损耗。该耦合器还在直通端口和耦合器端口的信号之间提供正交相移。使用GaAs技术制造，该模型在性能上具有相对较高的可重复性。特性•主线损耗低，典型值为0.7 dB。•优异的耦合平面度，±2dB•尺寸小，4x4毫米•高度可重复的性能（基于GaAs的设计）•无需外部终止应用•卫星通信•无线基础设施•测试和测量电气原理图外观尺寸图点击购买：EDC21-24+
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2024/10/31 14:21:07
Mini-Circuits的RDC-20-52-10W+表面贴装定向耦合器为30至520 MHz的50Ω应用提供20 dB的耦合，具有高方向性、低主线损耗和良好的回波损耗，支持各种宽带应用，包括VHF/UHF、蜂窝等。该型号的核心和电线结构具有环绕式端子，具有良好的可焊性和易于目视检查。特性宽带30至520 MHz低干线损耗，典型值为0.3 dB 520 MHz平面耦合，±0.5 dB良好的回波损耗，典型值为22dB应用甚高频/超高频有线电视国防/军事军事/无线电应用电气原理图外观尺寸图
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2024/10/31 14:15:57
Mini-Circuits的ADC-20-132+是一种表面贴装定向耦合器，可在100至1300 MHz的频率范围内提供20 dB的耦合。该模型提供了良好的耦合平坦度、低主线损耗、高方向性和高达4W的RF输入功率处理。该单元采用微型6引脚塑料封装（0.27 x 0.31 x0.11“），在密集的PCB布局中节省了空间。特性•可用于1500 MHz•主线损耗低，典型值为0.4 dB。•高指向性，典型值为22dB。•可水洗应用•有线电视电气原理图外观尺寸图点击购买：ADC-20-132+
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2024/10/31 13:57:33
DBTC-7-152+是Mini-Circuits的一款定向耦合器芯片，其工作频率最小10MHz，最大1500MHz，并且具备最大3.2dB插入损耗，符合ROHS标准，微型，外壳AT790-1，5针。特征•非常扁平的联轴器•超宽带，多倍频程•温度稳定，LTCC基座•全焊接结构•连接引线以提高可焊性•微型耦合器•可水洗应用•VHF/UHF发射机•蜂窝电气原理图外观尺寸图点击购买：DBTC-7-152+
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2024/10/31 13:53:02
HMC984LP4E是一款高性能、超低相位噪声、SiGe BiCMOS鉴频鉴相器和电荷泵，设计搭配HMC983LP5E（小数分频器）使用，共同组成高性能、低噪声、超低杂散发射小数N分频频率合成器。与HMC983LP5E搭配使用虽然能获得最佳性能和最多特性，但HMC984LP4E还可作为低相位噪声鉴频鉴相器独立使用。HMC984LP4E可接受差分VCO输入以及高达150 MHz的基准频率。 与HMC983LP5E一同使用时，该器件提供14位基准频率R分频器和自动AND/OR可配置锁定检测指示器，以及集成式CSP（防周跳）能力，可极大地改进频率锁定时间。集成式电荷泵相位扫描选项可实现至VCO的无缝接口以及带有反转极性的有源环路滤波器。特性• 超低噪声：-231 dBc/Hz FOM整数模式-227 dBc/Hz FOM小数模式• 超低杂散发射： 低于60 dBc小数杂散• 差分鉴相器输入• 14位基准分频器• 锁定指示器输出• 相位测量功能• GPIO（通用输入/输出）测试引脚• 配合使用HMC984LP4E，支持防周跳• 24引脚、4 x 4 mm、LP4E封装应用HMC984LP4E适用于：•测试设备•便携式仪器•具有超低杂散发射的高性能分数N频率合成器•军事功能图点击购买：HMC984LP4E
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2024/10/31 13:41:34
HMC960LP4E是一款数字可编程双通道可变增益放大器。 该器件支持0到40 dB分立式增益步进，步长为精确的0.5 dB。 该器件采用无毛刺架构，具有出色的平滑增益跃迁性能。 器件的匹配增益路径提供宽信号带宽内出色的正交平衡。还能够提供SPI可编程输入阻抗（默认为100Ω差分或400Ω差分）。HMC960LP4E的外部控制共模输出特性使其具有灵活的输出接口，能与信号路径上的其他器件对接。 通过并行接口(GC[6:0])或读/写串行端口(SPI)，可控制增益。并且采用紧凑型4x4mm (LP4) SMT QFN封装，只需极少的外部元件，为更复杂的开关放大器架构提供了一种低成本替代解决方案。特性• 低噪声： 6 dB NF• 高线性度： 输出IP3 +30 dBm• 可变增益： 0至40 dB• 高带宽： DC至100 MHz• 精确增益精度：0.5 dB增益步进• 出色的幅度和相位响应• 外部控制共模输出电平• 并行或串行增益控制• 读/写串行端口接口(SPI)• 24引脚4x4 mm SMT封装16 mm²• 可编程输入阻抗（400Ω差分或100Ω差分）应用HMC960LP4E适用于：•基带I/Q收发器•直接转换和低中频收发器•分集接收器•ADC驱动器•自适应增益控制功能图
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2024/10/31 13:35:34