WP4P1+是Mini-Circuits的一款合路器，其工作频率最小1525MHz，最大2375MHz，2dB插入损耗最大，0.118 X 0.118英寸，0.035英寸高，符合ROHS标准，外壳DQ1225，12针。特性出色的隔离性能，典型值为26 dB。相位不平衡度极佳，典型值为1度。振幅不平衡性极佳，典型值为0.15 dB。尺寸小，.118“x.118”x 0.035“ESD水平高可水洗应用PCS/DCSWCDMAGPSMMDS电气原理图外观尺寸图点击购买：WP4P1+
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2024/10/29 11:27:03
ULP-40+是采用SMT技术制造的顶帽封装（尺寸为0.25英寸x 0.25英寸）的低通滤波器。这些单元覆盖直流至40 MHz带宽，在通带内具有良好的匹配性和高抑制性。该型号使用微型高Q电容器和芯片电感器，以实现高可靠性。此外，它在不同生产批次中具有可重复的性能，在不同温度下具有一致的性能。特性•高拒绝率•插入损耗急剧下降•良好的VSWR，通带典型值为1.1:1•超微型表面贴装封装应用•无线通信•接收器/变压器•实验室使用功能示意图典型频率响应外观尺寸图点击购买：ULP-40+
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2024/10/29 11:19:44
VHFG-2100+是一款采用坚固一体式结构的50W高通滤波器。这些单元覆盖2200-6000 MHz带宽，在通带内具有良好的匹配性，在阻带内具有很好的抑制性。VHFG 2100+具有低插入损耗和出色的功率处理能力。它可处理高达4W的射频输入功率，并提供-55°C至125°C的宽工作温度范围。特征•温度稳定•卓越的功率处理能力，4W•连接包•坚固的一体式结构应用•发射器/接收器•全球定位系统（GPS）•卫星广播应用•无线局域网功能示意图典型频率响应外观尺寸图
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2024/10/29 11:13:18
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns。今天发布的光耦合器包含一个AlGaAs LED（该LED通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路，用于太阳能逆变器和微逆变器）、交流和无刷直流工业电机控制逆变器，以及用于UPS中交流/直流转换的逆变级。器件非常适合直接驱动额定值达1200 V / 100 A的IGBT。VOFD341A和VOFD343A支持的工作温度高，这为更紧凑的设计提供了更高的温度安全裕量，而器件的高峰值输出电流无需额外的驱动级即可实现更快开关。器件的传播延迟低，可将开关损耗降至最低程度，同时有助于进行更精确的PWM调节。光耦合器的高隔离封装可支持高达1140 V的高工作电压，因此可用于高压逆变级，同时仍能保持足够的电压安全裕量。这些器件符合RoHS规范，可支持高达50 kV/µs的抗扰，从而防止在快速开关功率级中出现下降函数。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/29 10:43:40
2024 年 10 月 24 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布与英特尔携手，推出一款电源管理解决方案，为搭载英特尔®全新酷睿™ Ultra 200V系列处理器的笔记本电脑实现最佳的电池效率。瑞萨同英特尔紧密合作，开发出创新的定制化电源管理芯片（PMIC），全面满足最新一代英特尔处理器的电源管理需求。这款高度集成的PMIC，配合预稳压器和电池充电器，面向采用全新英特尔处理器的个人电脑提供一站式解决方案。这三款全新器件协同工作，为客户端笔记本电脑，特别是运行高功耗人工智能（AI）应用的笔记本电脑，提供了量身定制的高效电源解决方案。针对移动应用优化的功能集此次发布的电源管理解决方案包括RAA225019 PMIC、RAA489301高效预稳压器以及ISL9241电池充电器，产品的功能集针对低功耗移动计算应用进行了优化——瑞萨的解决方案依托经测试的参考设计和强大的应用支持。RAA225019 PMIC面向Lunar Lake应用进行高度可配置设计，并配备完全集成的功率MOSFET和电流感测电路。它支持高开关频率，非常适合小尺寸应用，同时不会牺牲效率。RAA489301预稳压器是一款3电平降压转换器，旨在为RAA225019 PMIC提供优化的供电电压范围。其创新架构相比传统的2电平降压设计提升了热性能，并支持宽输入和输出电压范围。这使得它在紧凑型、高功率密度的应用中具有卓越的效率，成为高要求电源解决方案的理想选择。Josh Newman, Vice President, Client Computing Group and General Manager, Product and Platform Marketing at Intel表示：“随着最新英特尔酷睿Ultra处理器的推出，我们致力于让客户获得理想的电池续航体验。我们与瑞萨共同发布的解...
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2024/10/29 10:35:45
全新可编程逻辑器件和无代码设计工具可降低工程设计复杂性和成本、减少布板空间并缩短时间。德州仪器 (TI)近日推出了可编程逻辑器件 (PLD) 系列。此产品系列以德州仪器出色的逻辑产品系列为基础，旨在帮助工程师简化任何应用的逻辑设计。德州仪器的全新 PLD 产品系列能够在单个器件中集成多达 40 个组合和顺序逻辑及模拟功能，与分立式逻辑实施方案相比，可帮助将电路板尺寸缩小高达 94%，并降低系统成本。此外，与市场上的同类可编程逻辑器件相比，新产品系列还大幅节省了空间。德州仪器全新可编程逻辑产品系列允许工程师在单个芯片上集成多达 40 个逻辑及模拟功能，与分立式实施方案相比，大幅减小了电路板尺寸。利用德州仪器易于使用的 InterConnect Studio 工具，工程师可在数分钟内设计、仿真和配置其器件以进行评估，而无需任何软件编码。InterConnect Studio 利用拖放式 GUI 和集成仿真功能加快了逻辑器件设计过程。设计人员还可以使用方便的点击编程和直接订购功能。这些功能可简化编程和采购，有助于加快产品上市步伐。关键所在“工程师们正在越来越多地考虑使用可编程逻辑器件来降低设计复杂性、减小布板空间、简化供应链管理以及缩短产品上市时间，”德州仪器接口产品部门副总裁兼总经理 Tsedeniya Abraham 表示，“但是，现有可编程逻辑器件的复杂性超出了许多应用的需求，涉及到编程专业知识，或者提供的封装选择有限。我们的全新可编程逻辑产品系列以 德州仪器 60 年逻辑产品设计经验为基础，采用业界通用封装，尺寸小至 2.56mm2，功耗低，通过 AEC Q-100 认证，温度范围为 -40°C 至 125°C，适用于汽车、工业和个人电子产品等应用。”如需了解更多信息，请参阅技术文章“开启可编程逻辑器件的无限可能”。更多详情德州仪器的 PLD 产品系列...
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2024/10/29 10:30:56
最新消息称，2025年台积电的5nm、4nm、3nm制程的代工报价涨幅高于先前所预估的约4%。台积电还将对人工智能（AI）在内的高性能计算（HPC）产品相关客户的订单进行定价调整，预计将在2025年提高8%至10%；而对于移动通信客户的定价，则会提高约6%。由于台积电在5nm以下制程领域几乎处于垄断地位，其他供应商如三星电子和英特尔可能无法满足需求，并且他们的生产工艺和技术水平也不如台积电。台积电董事长魏哲家日前表示，AI需求是真实的，整体芯片需求企稳，并开始改善。以美元计算，预计其2024年全年营收将增长近30%。作为全球最大的芯片代工厂，台积电“超预期”涨价可能预示着全球半导体产业链的需求仍非常旺盛。据台积电最新发布的财报，台积电三季度营收7596.9亿新台币（合约235亿美元），同比增长39%；当季净利润录得3252.58亿元新台币（合约101亿美元），同比增长54.2%，以上数据均高于市场预期。期内公司实现毛利率57.8%，环比上升4.6个百分点、同比上升3.5个百分点，这一毛利率表现远高于上一个财报季管理层给出的53.3%—55.5%的预期区间。管理层指出，这是因更高的产能利用率和更有利的汇率所导致。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/29 10:26:53
PVA-453-34+是一种吸收式电压可变衰减器MMIC管芯，采用GaAs pHEMT技术制造，封装在3.5x2.5 mm的小型SMT封装中。该VVA覆盖10至45 GHz的频率范围，提供高动态范围、低失真和低插入损耗。它具有两个独立控制的衰减器，使用-4V至0V的模拟控制电压。该产品非常适合使用直流电压来控制射频信号电平的应用，如温度补偿和自动增益控制电路。特性超宽带，10至45 GHz衰减范围广，典型值高达51 dB。30 GHz在所有衰减状态下都具有出色的回波损耗插入损耗低，典型值为2 dB。所有衰减状态下的高IIP3应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统应用电路和焊盘说明点击购买：PVA-453-34+
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2024/10/28 14:43:40
KAT-15+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号的工作频率为直流至43.5 GHz。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。产品特点•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的VSWR，典型值1.13:1。•高功率处理，1.4W典型应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御引脚规格图特性测试电路点击购买：KAT-15+
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2024/10/28 14:38:18
PSA2-6+是使用GaAs HBT技术制造的宽带放大器。该设备提供+5.6 dBm P1dB、15.2 dB增益、+17 dBm OIP3和2.4 dB NF，非常适合用于通信应用、雷达系统和宽带测试和测量设备。它具有可重复的性能，并且封装在紧凑的1.85 x 2 mm 6引脚SOT-363中。特性宽带，直流至7000 MHz典型低噪声系数。2.4分贝高增益，典型。15.2分贝内部匹配至50欧姆单+5V电源电压典型低电流。15毫安应用5G MIMO无线电系统测试和测量设备雷达系统功能图外观尺寸图点击购买：PSA2-6+
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2024/10/28 14:27:40
Mini-Circuits的TS-83LN+是一款基于GaAs pHEMT的宽带、旁路模式、低噪声MMIC放大器，具有高IP3和平坦增益的组合。该放大器的工作频率为0.4至8 GHz，具有高动态范围，噪声系数为1.5 dB，增益为22 dB，P1dB为+22.9 dBm，OIP3为+33.6 dBm。这种特性组合使其成为敏感、高动态范围接收器应用的理想选择，在高功率RF信号存在的情况下，可能需要快速绕过增益级。TS-83LN+在单个+5 V或+6 V电源上运行，与50Ω很好地匹配，并采用小巧、低剖面的3x3 mm QFN式封装，便于集成到密集的电路板布局中。特性低损耗旁路模式功能典型低噪声系数。1.5分贝高OIP3，典型+33.6 dBm典型高P1dB+22.9 dBm3x3 mm 12引线QFN型封装应用雷达、电子战和电子对抗防御系统5G Sub6，MIMO无线基础设施系统测试和测量设备功能图外观尺寸图
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2024/10/28 14:20:59
PMA3-5123+是一款基于pHEMT的超低噪声MMIC放大器，具有高IP3和平坦增益。该放大器的工作频率为5.5至12.5 GHz，具有高动态范围，典型的噪声系数为1.0 dB，增益为21.6 dB，P1dB为+16.8 dBm，OIP3为+28.1 dBm。这种特性组合使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设备内部直流阻断，射频输入和输出端口存在直流接地路径，用于ESD保护。PMA3-5123+在单个+4 V电源上运行，与50Ω很好地匹配，并采用小型、低剖面的3x3 mm QFN式封装，便于集成到密集的电路板布局中。特性典型低噪声系数。1.0分贝高OIP3，典型+28.1 dBm典型高P1dB+16.8 dBm单电源电压，+4 V和72 mA3x3 mm 16引脚QFN型封装应用测试和测量设备回程无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统功能图外挂尺寸图点击购买：PMA3-5123+
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2024/10/28 14:16:11
Mini-Circuits的M3SWA2-34DR+是一款GaAs MMIC SPDT吸收开关，其内部驱动器专为直流至30 GHz的宽带操作而设计。该开关能够在宽频率范围内实现快速、纳秒级的切换，而不会产生栅极滞后效应。该型号具有出色的隔离性、高线性度，能够承受+27 dBm的射频输入功率。它采用3x3 mm QFN风格的小型封装，便于集成到紧凑的组件中。特性宽带，直流至30 GHz典型低插入损耗。1.0分贝高隔离，典型。65分贝高输入IP3，典型+48 dBm快速上升/下降时间，典型值。6.9纳秒/7.1纳秒3x3 mm，16引脚QFN型封装应用雷达、电子战和电子对抗防御系统通信基础设施测试和测量功能图外观尺寸图点击购买：M3SWA2-34DR+
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2024/10/28 13:59:34
Mini-Circuits的ZX60-06183P+是一款宽带、低噪声、连接器化放大器，在非常宽的频率范围内提供低噪声系数和高增益的独特组合。它支持广泛的应用和许多需要宽带高性能的系统。该设计使用单个+5V电源，采用坚固、紧凑的一体式外壳（0.74 x 0.75 x 0.46英寸），带有SMA连接器，使其成为恶劣操作条件和拥挤系统布局的理想选择。特性宽带，6至18 GHz高增益，典型值24dB。低噪声系数，15 GHz时典型值为1.7 dB。内部电压调节和反向电压保护方向性极佳，典型值为30dB。应用微波点对点无线电军事电子战和雷达卫星系统功能图外观尺寸图点击购买：ZX60-06183P+
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2024/10/28 13:59:34
Mini-Circuits ZMX混频器具有3700MHz至10000MHz的频率范围、5dB的典型转换损耗和30dB的典型L-R隔离额定值。该混频器具有-55°C至+100°C的宽工作温度范围，50mW射频功率和40mA中频电流。Mini-Circuits ZMX混频器适用于仪器仪表、国防和联邦通信、卫星通信和超高频（SHF）应用。特性双平衡混合器转化率低高L-R隔离应用卫星通信仪器仪表国防和联邦通信SHF规格7级（LO功率+7dBm）3700MHz至10000MHz频率范围5dB典型转换损耗30dB典型L-R隔离50mW射频功率40mA中频电流-工作温度范围为55°C至+100°C尺寸
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2024/10/28 13:50:48
德州仪器(TI) 宣布，已开始在日本会津的工厂生产氮化镓（GaN）功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位于德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI现针对GaN 功率半导体的自有产能可增加至四倍之多。TI的技术与制造资深副总裁Mohammad Yunus表示，以超过10年的GaN晶片设计与制造专业知识，我们已成功验证8吋GaN 技术，并在会津展开量产，这是现今扩充性最高且最具成本竞争力的GaN 制造技术。这个里程碑使我们拥有更多的GaN 晶片自有产能，并在2030年前将内部制造的比率提升至95%以上，同时也让我们可从多个TI 据点进行采购，确保整个高功率、节能半导体GaN 产品组合的可靠供应。TI表示，GaN 做为矽的替代方案，这款半导体材料可在许多领域中提供优势，包括节能、开关速度、电源解决方案尺寸与重量、整体系统成本，以及在高温与高压条件下的性能等。GaN晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空间提供更多功率，使其能应用于笔记型电脑或行动电话的电源转接器，或是更小、更节能的加热与空调系统和家用电器马达。现在，TI提供最广泛的整合式GaN功率半导体产品组合，从低电压到高电压都包含在内，借此实现最为节能、可靠且具高功率密度的电子产品。TI的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian表示，利用GaN，TI就能更有效率地在小巧的空间中提供更高效的功率，这也是推动我们众多客户创新的主要市场需求。诸如服务器电源、太阳能发电和AC/DC 转接器等系统的设计师正面临必须要减少功耗并提升能源效率的挑战，他们对于TI高性能GaN 晶片可靠供应的需求也与日俱增。TI的整合式GaN功率级产品组合让客户可实现更高的功率密度、提升易用性，并降低系统成本。此外，凭借TI的专利矽基氮化镓制程、经过超过8,000万小时的可靠性测试，并具备整合式保护功能，TI的GaN晶片能确保高电压系统安全...
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2024/10/28 13:39:51
随着人工智能（AI）技术从云服务器扩展到消费设备，对AI的需求不断增长，美光科技已将其高带宽内存（HBM）生产能力完全分配给2025年。公司副总裁兼美光中国台湾负责人Donghui Lu表示，美光正利用AI需求的激增，并预计2025年性能将有所提高。Donghui Lu强调，特别是大型语言模型的出现，对内存和存储解决方案产生了前所未有的需求。作为存储制造商之一，美光完全有能力利用这一增长。他认为，尽管最近AI投资激增，主要集中在建立新的数据中心以支持大语言模型，但这一基础设施仍在建设中，需要几年时间才能完全开发。美光科技预计，下一波AI增长将来自将AI集成到智能手机和个人电脑等消费设备中。这一转变将需要显着增加存储容量以支持AI应用。Donghui Lu介绍，HBM涉及封装技术，它结合了前端（晶圆制造）和后端（封装和测试）工艺元素，给行业带来新的挑战。在竞争激烈的存储行业中，公司开发和改进新产品的速度至关重要。Donghui Lu解释说，HBM生产可能会蚕食传统内存生产，因为每个HBM芯片都需要多个传统内存芯片，这可能会给整个行业产能造成压力。他指出，内存行业供需之间的微妙平衡是重大问题，并警告生产过剩可能导致价格战和行业衰退。Donghui Lu强调了中国台湾在美光AI业务中的作用，该公司在中国台湾的重要研发团队和制造设施对于HBM3E开发和生产至关重要。美光HBM3E产品通常与台积电的CoWoS技术集成，这种密切合作提供了显著优势。认识到EUV技术对于提高存储芯片性能和密度的重要性，美光已决定推迟在1α和1β节点的采用，选择优先考虑性能和成本效益。Donghui Lu强调了EUV设备的高成本和复杂性，以及为适应它需要在制造过程中进行的重大改变。美光的主要目标是以具有竞争力的成本生产高性能存储产品。他表示，推迟采用EUV使他们能够更有效地实现这一目标。美光一直表示，其8层...
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2024/10/28 13:28:18
全球最大的OLED面板制造商三星显示将为下一代iPhone SE 4供应OLED面板。自iPhone X发布以来，这家韩国公司一直在向苹果供应OLED面板，尽管其供应份额逐年下降，但它仍将继续供应。三星显示将为2025年上半年发布的iPhone SE 4提供OLED面板。这将是首款采用OLED面板的iPhone SE。之前所有的iPhone SE机型都使用LCD屏幕。不过，为即将推出的iPhone SE 4供应OLED面板的不止三星显示一家。LG显示也将为iPhone SE 4供应OLED面板。几年前，LG显示的P-OLED面板存在一些问题，包括寿命和功耗。不过，该公司后来已经解决这些问题，其面板现在与三星显示的OLED面板不相上下。苹果一直在减少对三星显示OLED面板的依赖。在过去几年里，该公司更多地从LG显示购买面板用于高端iPhone。苹果的首款OLED iPad使用了LG显示和三星显示的Tandem OLED面板。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/28 13:26:33