LTM4615 是一款具有一个额外 1.5A VLDO (非常低压差) 线性稳压器的完整 4A 双路输出开关模式 DC/DC 电源。其引脚功能主要如下：VIN1, VIN2 (J1-J5, K1-K5); (C1-C6, D1-D5)：电源输入引脚施加于这些引脚与GND引脚之间的输入电压。建议将输入去耦电容直接放置在VIN引脚与GND引脚之间。VOUT1, VOUT2 (K9-K12, L9-L12, M9-M12); (C9-C12, D9-D12, E11-E12)：电源输出引脚在这些引脚与GND引脚之间连接输出负载。建议将输出去耦电容直接放置在这些引脚与GND引脚之间。GND1, GND2, (H1, H7-H12, J6-J12, K6-K8 L1, L7-L8, M1-M8); (A1-A12, B1, B7-B12, C7-C8, D6-D8, E1, E8-E10)：输入和输出回路的公共接地引脚TRACK1, TRACK2 (L3, E3)：输出电压跟踪引脚当模块配置为主控输出时，若在RUN/SS引脚对地接入软启动电容，可控制主调节器的斜坡上升；或通过外部电阻分压网络将其连接至主控调节器的跟踪引脚以实现从属控制。若无需跟踪功能，则将TRACK引脚连接至VIN。注意：跟踪功能必须存在负载电流才能正常工作。FB1, FB2 (L6, E6)：开关稳压器误差放大器的负向输入引脚内部通过一个4.99kΩ精密电阻连接至VOUT。可通过在FB与GND引脚间外接电阻来编程设定不同的输出电压。两个电源模块可通过将此引脚并联至相邻模块的FB引脚实现均流。FB3 (F6)：LDO误差放大器的负向输入引脚内部通过一个4.99kΩ电阻连接至LDO_OUT。可通过在FB3与GND引脚间外接电阻来编程设定不同的输出电压。COMP1, COMP2 (L5, E5)：电流控制阈值及误差放大器...
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2026/3/18 11:38:07
半导体产品供应商MACOM宣布推出其新型448G PAM4调制器驱动器，旨在加快下一代1.6T和3.2T光收发器的上市时间。每通道传输超过400G，使得开发高密度、高性能的光收发器，具备行业领先的能效，支持人工智能（AI）、机器学习（ML）和高性能计算（HPC）数据中心架构中的高容量数据网络解决方案。MACOM的新款MAOM-025408马赫-泽恩德尔驱动器和MAOM-022404 EML驱动器是业界最早支持每通道400G传输的设备之一。这些驱动采用经过验证的大批量硅工艺技术，支持多种光学平台，包括硅光子学、电吸收调制激光器（EML）和薄膜铌酸锂（TFLN）调制器，使客户能够自信地扩展下一代连接系统，降低集成风险。MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示：“我们很高兴能用全新的400G每条车道驱动球手产品突破极限。”“这些产品能够支持各种互连应用和形制。”MAOM-025408 Mach-Zehnder 驱动能提供超过 120 GHz 的射频带宽、高增益、输出电压和出色的线性度。它非常适合针对300G和400G PAM4传输的硅光子调制器。MAOM-022404 EML驱动可提供超过120 GHz的射频带宽，远超400G PAM4传输的最低要求，同时具备高增益和低功耗。它非常适合用于微分EML和TFLN调制器。MAOM-025408和MAOM-022404均可采用线键合芯片或凸起芯片，用于紧凑型翻转芯片封装，支持大规模生产，并可选择并排和三维组件。驱动偏置不需要外部组件，这使模块厂商的集成更简单，且节省了材料清单。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/18 10:05:07
半导体产品供应商MACOM技术解决方案公司（“MACOM”）宣布推出其最新的铜连接解决方案——带均衡器的MACD-41804电缆驱动器，旨在实现低功耗、高密度铜线互连，应用于下一代大规模应用。MACOM的有线驱动器和均衡器系列为重定时架构提供了有吸引力的替代方案，带来了显著优势，包括更低功耗、更低延迟和更低的系统成本。产品线最新成员MACD-41804带均衡器的有线驱动器，补充了MACOM现有的多通道均衡器设备组合，提供下一代性能和灵活性。MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示：“MACOM专注于提供差异化的连接解决方案，以实现高性能扩展架构。”“我们的新电缆驱动器解决方案能够帮助客户提升数据传输吞吐量，同时保持铜线的优势，包括相较于光学器件更低的功耗和成本。”MACD-41804集成了输入均衡、宽动态范围、可选增益适配和任务模式诊断功能。MACD-41804 针对多种形制（包括 1.6 吨 OSFP）的低成本和节能链路进行了定制。增益自适应及相关诊断功能为用户提供了增强的链路能力和监测反馈，从而转化为供电和经济高效的铜线连接。它采用凸起芯片形式，用于紧凑型翻转芯片封装，支持大规模生产。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/18 10:02:59
MACOM宣布了业界首款经过PCIe 7.0优化的线性均衡器和交叉点交换设备，扩展了MACOM在光纤和铜线互连领域的全面产品组合。新的MAEQ-39964和MAEQ-39966设备优化为128 GT/s运行，支持包括PCIe 7.0、PCIe 6.0和CXL在内的下一代协议，实现了铜缆互联的更长覆盖和更高性能。MACOM最新的均衡器旨在满足新兴PCIe 7.0系统对信号完整性的严格要求，能够在保持协议完全透明的同时，扩展被动铜缆的覆盖范围。它们非常适合数据中心、高性能测试与测量设备、服务器和存储系统等应用。MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示：“随着PCIe 7.0推动更高的信号传输速度，维护铜线和系统板上的信号完整性变得越来越具有挑战性。”“我们的新型均衡器为客户提供了一条清晰且可扩展的PCIe 7.0路径，同时最大化现有铜线基础设施的覆盖范围和价值。”MAEQ-39964是一款四通道线性均衡器，支持2.5 NRZ到128 Gbps的PAM4数据速率，专为有源铜缆（ACCs）设计。MAEQ-39966是一款四通道线性均衡器，支持2.5 NRZ至128 Gbps的PAM4数据速率，并集成了2×2切换功能，适用于系统和服务器应用。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/18 10:00:08
TDK公司推出了TDK-Lambda i1R ORing场效应晶体管模块，能够在60安或80安特下工作，最大输入电压为60伏直流。这些OR模块旨在替代传统二极管，用于需要OR功能以实现电源冗余或并联运行的应用。i1R系列采用基于MOSFET的电路，在减少反向电流瞬态的同时，提供更优的性能水平。i1R模块的应用包括通信、测试和测量设备，以及需要高度冲击和振动的恶劣工业和机器人环境。虽然i1R系列设计时是为补充其他TDK-Lambda解决方案，包括i7A和i7C非隔离转换器、GQA和HQA工业隔离直流直流转换器（用于高震波环境）以及RGF差模滤波模块，但其灵活的架构使其能够与其他功率解决方案同时部署。i1R系列具有500纳秒（类型）快速的关断响应，能在故障条件下阻挡反向电流瞬态，从而获得更好的保护。该产品典型的导通电阻为2.5和1.5 mΩ，减少了功率损失和散热，简化了热量设计。该产品的屏蔽金属封装尺寸为紧凑的1 x 1英寸（26.3 x 26.3毫米），节省了宝贵的电路板空间并支持高效的散热。为了增加便利性和简便性，该系列无需任何外部元件即可操作。主要应用通信、测试与测量、恶劣环境、工业和机器人技术需要高度的冲击和振动主要特点与优势效率99.5%紧凑尺寸故障条件下的快速关断取代传统二极管免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/18 9:58:17
Bourns很高兴地宣布推出75ABF、75ABM、76AAF、76AAM、78ADF和78ADM系列大功率模块化触点，专为需要更高功率输送和每个触点更高额定电流的应用而设计。这些新系列旨在为要求苛刻的工业、移动、医疗*和消费类应用提供卓越的性能，包括但不限于工业自动化、精密仪器和对高可靠性至关重要的高级对接应用。Bourns®大功率模块化触点具有对称的焊盘布局、自动对中、端到端可堆叠性、拾取和放置兼容性、紧凑的占地面积和每个触点高达8A的电流额定值，所有这些都具有至少50000次循环的延长寿命。这些功能增强了耐用性和灵活性，有利于用户设计成果。其坚固的结构可确保在苛刻的条件下保持一致的连接。常见应用手持通信——移动电话、寻呼机、无绳电话、GPS、PIC、收音机便携式消费设备-PDA、HPC、笔记本电脑、相机、录音机、PIC、游戏免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/18 9:52:56
LT3790LT®3790 是一款同步四开关降压 - 升压电压/电流调节控制器。它同样可在输入电压高于、低于或等于输出电压时，实现对输出电压、输出电流或输入电流的精确调控。其恒定频率、电流模式架构支持频率在 200kHz 至 700kHz 间可调或同步。在降压或升压运行中亦无需顶部 FET 刷新开关周期。具备 60V 输入与输出能力，并能在不同工作区域间平滑过渡，LT3790 是汽车、工业、通信及电池供电系统中电压调节器和电池/超级电容充电器的理想选择。此外，LT3790 还提供输入电流监控、输出电流监控以及多种状态标志功能，例如 C/10 充电终止指示和输出短路标志。LT3791-1LT®3791-1 是一款同步四开关降压 - 升压电压/电流调节控制器。该控制器可在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下，对输出电压、输出电流或输入电流进行稳压控制。其恒定频率、电流模式架构允许工作频率在 200kHz 至 700kHz 范围内调整或与外部时钟同步。在降压或升压操作中无需顶部 FET 刷新开关周期。凭借 60V 输入能力、60V 输出能力以及各工作区间之间的无缝切换特性，LT3791-1 非常适用于汽车、工业、电信乃至电池供电系统中的电压调节器、电池/超级电容器充电器等应用。对于新设计，我们推荐使用 LT8390：一款 60V 同步四开关降压 - 升压控制器，因其在性能上相比 LT3791-1 有多项改进。两者的区别LT3790 是 LT3791-1 的改进版本，推荐用于新设计中。部分外部元件值可能有所调整，但除此之外，LT3790 电子元器件在功能上与 LT3791-1 等效。两者之间的主要区别如下：电流检测满量程电压不同LT3790 的典型全量程电流检测电压 V_(ISP-ISN) 为 60mV，而 LT3791-1 为 100mV（典型值）。这一改...
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2026/3/17 11:35:07
基本的 PCB 布局要求设置一个专用的接地层平面。此外，对于大电流应用，多层板可为功率元件提供散热路径。PGND 接地层平面不应布设任何走线，并应尽可能靠近功率 MOSFET 所在的层。将输入电容 C_IN、开关 M1、M2 和二极管 D1 放置在一个紧凑区域内；将输出电容 C_OUT、开关 M3、M4 和二极管 D2 放置在另一个紧凑区域内。使用过孔（via）直接连接各元件（包括 LT3790 的 SGND 和 PGND 引脚）至接地层平面。每个功率元件应使用多个大型过孔。为 V_IN 和 V_OUT 使用完整的铜箔平面，以维持良好的电压滤波效果并降低功率损耗。将所有未使用的层用铜箔填充（铺铜）。铺铜有助于降低功率元件温升，并应将铜区连接到任意直流网络（如 V_IN 或 PGND）。分离信号地与功率地。所有小信号元件的地应统一返回至 SGND 引脚的一点，该点再就近连接至功率源（即开关 M2 和 M3）附近的 PGND。尽量将开关 M2 和 M3 靠近控制器放置，同时保持 PGND、BG 和 SW 走线短而粗。将高 dV/dT 节点（SW1、SW2、BST1、BST2、TG1、TG2）远离敏感的小信号节点。由开关 M1、M2、D1 和输入电容 C_IN 构成的回路应具有短的引线长度和 PCB 走线；同样，由开关 M3、M4、D2 和输出电容 C_OUT 构成的回路也应尽量缩短引线和走线。输出电容的负极（–）端子应尽可能靠近输入电容的负极（–）端子连接。将顶部驱动器自举电容 C1 紧邻 BST1 和 SW1 引脚放置；将顶部驱动器自举电容 C2 紧邻 BST2 和 SW2 引脚放置。将输入电容 C_IN 和输出电容 C_OUT 尽量靠近功率 MOSFET 放置。这些电容在升压和降压操作中承载 MOSFET 的交流电流。SNSN 和 SNSP 引脚的走线应并行布置，且间距最小...
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2026/3/17 11:31:00
LT3790 是一款电流模式控制器，可提供高于、等于或低于输入电压的输出电压。LTC 专有拓扑与控制架构在降压（buck）或升压（boost）操作中均使用一个电流检测电阻。所感应的电感电流由反馈放大器 A11 和 A12 的输出——即 Vc 引脚上的电压进行控制。Vc 引脚受三个输入信号控制：一路来自输出环路反馈，一路来自输入电流环路，第三路来自另一个反馈环路。无论哪个反馈输入更高，都将优先起作用，从而迫使转换器进入恒流模式或恒压模式。LT3790 电子元器件被设计为可在两种工作模式之间平滑切换。电流检测放大器 A1 检测 IVINP 与 IVINN 引脚之间的电压，并向放大器 A11 提供预增益。当 IVINP 与 IVINN 间电压达到 50mV 时，A1 输出 IVINMON_INT 至 A11 的反相输入端，此时转换器进入恒流模式。若电流检测电压超过 50mV，A1 输出增大，导致 A11 输出下降，从而减少输送到输出的电流量。以此方式，电流检测电压被稳定在 50mV。输出电流放大器的工作方式类似于输入电流放大器，但其基准电压为 60mV 而非 50mV。输出电流检测电平也可通过 CTRL 引脚调节。将 CTRL 强制拉低至 1.2V 以下，可使 ISMON_INT 与 CTRL 保持相同电平，从而实现电流限制控制。该输出电流放大器支持轨到轨操作。同样地，若 FB 引脚电压高于 1.2V，则 A11 输出降低，以减小电流水平并调节输出电压（恒压模式）。LT3790 提供监控引脚 IVIMON 和 ISMON，它们分别与输入和输出电流放大器两端的电压成比例。主控制环路可通过将 EN/UVLO 引脚拉低来关闭。当 EN/UVLO 引脚电压高于 1.2V 时，内部 14μA 电流源会对 SS 引脚处的软启动电容 CSS 充电。随后，Vc 电压会被钳位在一个比 SS 电压高...
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2026/3/17 11:14:48
一个有源理想二极管进入反向偏置状态时的动态行为，最准确的描述是：先经历一段延迟期，随后进入反向恢复期。在延迟阶段，由于寄生电阻和电感的限制，会积累一定的反向电流。在反向恢复阶段，储存在寄生电感中的能量会被转移到电路中的其他元件上。此时的电流变化率（slew rate）可能高达 100A/μs 或更高。高变化率与串联在输入和输出路径上的寄生电感相结合，可能在 LTC4359 的 IN、SOURCE 和 OUT 引脚处引发潜在破坏性的瞬态电压——尤其是在反向恢复期间。若输入端对地发生零阻抗短路，则问题尤为严重，因为它允许在延迟阶段建立起最大可能的反向电流。当 MOSFET 最终切断该反向电流时，LTC4359 电子元器件的 IN 和 SOURCE 引脚将承受负向电压尖峰，而 OUT 引脚则出现正向电压尖峰。为防止在输入短路条件下损坏 LTC4359，应按下图所示保护 IN、SOURCE 和 OUT 引脚：IN 和 SOURCE 引脚：通过两个 TransZorb® 或 TVS 二极管钳位至 VSS 引脚进行保护。对于 ≥24V 的输入电压，需使用 D4（70V TVS）以在输入短路期间保护 MOSFET 栅极氧化层。在 MOSFET 关断后出现的负向尖峰，可通过 D2（24V TVS）进行钳位；D2 允许最高 24V 的反向输入电压，同时保持 MOSFET 关闭 —— 若无需反向输入保护，则可省略 D2。D1（70V TVS）用于在负载阶跃和过压条件下保护 IN 和 SOURCE 引脚免受正向电压冲击。OUT 引脚：可通过以下方式之一进行保护：使用至少 1.5μF 的输出电容 C_OUT；在 MOSFET 两端并联 TVS 二极管；利用 MOSFET 自身的雪崩击穿能力。注意：若依赖 MOSFET 的雪崩击穿来保护 OUT 引脚，必须确保其 BV_DSS 额定值远低于...
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2026/3/17 11:07:58
LTC4359 是一款正高压理想二极管控制器，用于驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它通过控制 MOSFET 的正向压降，确保即使在轻载条件下也能实现平滑电流传输而不产生振荡。若电源发生故障或短路，其快速关断功能可最大限度减少反向电流瞬态。该器件还提供关断模式，可将静态电流降低至负载开关应用下的 9μA，或理想二极管应用下的 14μA。在大电流二极管应用中，LTC4359 电子元器件可降低功耗、热耗散、电压损耗及 PCB 板面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力以及高温额定值，LTC4359 能够满足汽车和电信应用的严苛要求。此外，LTC4359 还可轻松在具有冗余电源的系统中实现电源“或”功能。具备的特征通过更换功率肖特基二极管来降低功耗宽工作电压范围：4V至80V反向输入保护至-40V9µA低关断电流低150μA工作电流平稳切换，无振荡控制单沟道或背对背N沟道MOSFET提供6引脚（2mm×3mm）DFN、8引脚MSOP和8引脚SO封装AEC-Q100符合汽车应用标准常见应用汽车电池保护冗余电源供应停滞电信基础设施计算机系统/服务器太阳能系统
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2026/3/17 11:03:02
正确使用情况下，LTC1562 滤波器电子元件可承受远超其供电电压的输入信号摆幅。这要求在设计时加以注意——例如，当需要从较小期望信号中滤除大带外干扰时，该特性非常有用。这种对宽范围输入电压的灵活性源于 INV 输入端处于“虚拟地”电位，类似于带有负反馈的运算放大器的反相输入端。LTC1562 本质上响应的是输入电流，而外部阻抗 Z_IN（下图）两端仅出现输入电压 V_IN。为接受超出电源电压范围的输入信号，必须确保：LTC1562 始终处于上电状态（非关断模式）；避免使接收输入的二阶模块的 V1 或 V2 输出饱和。若违反上述任一条件，INV 输入将偏离虚拟地电位，导致过载状况，其恢复时间取决于具体电路细节。如果此过载迫使 INV 输入超出电源电压范围，则可能损坏 LTC1562。防止过载最微妙的一点是：需考虑所有可能的输入信号或频谱，并确保没有任何一个信号会驱动 V1 或 V2 达到电源轨极限。请注意，即使某个通道未被用作信号输出，也不允许其输出饱和。如有必要，可通过降低通带增益（即增大文中图片中的 Z_IN 阻抗）来减小输出摆幅。最后需要解决的问题是：电流和电压限制。流入虚拟地 INV 节点的电流最终会流经驱动 V1 和 V2 的输出电路。因此，输入电流幅度（|V_IN / Z_IN|，见图3）应通过设计限制在小于 1mA，以保证良好的失真性能。另一方面，输入电压 V_IN 出现在外部元件 Z_IN（通常为电阻或电容）两端。该元件当然必须额定能承受施加于其上的电压幅值。
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2026/3/17 10:42:51
LTC1562 是一款具有轨至轨输入和输出的低噪声、低失真、连续时间滤波器电子元器件，其专为 10kHz 至 150kHz 的中心频率 (f0) 而优化。其功能呢描述如下所示：功能描述LTC1562 包含四个匹配良好的二阶、三端子通用连续时间滤波器模块，每个模块均具有一个虚拟地输入节点（INV）和两个轨到轨输出端（V1, V2）。在基本应用中，一个滤波器模块配合三个外部电阻可同时提供二阶低通和带通响应（可见下图，其中使用了一个阻值为 Z_IN 的电阻）。这三个外部电阻用于设定标准二阶滤波器参数：中心频率 f₀、品质因数 Q 和增益。通过内部精密元件与外部电阻 R2 的组合，可设定每个二阶滤波器模块的中心频率 f₀。LTC1562 在出厂时已进行微调，确保当外部电阻 R2 精确为 10kΩ 时，f₀ = 100kHz ±0.5%（PDIP 封装典型值为 ±0.6%）。然而，低通/带通滤波仅是 LTC1562 中二阶/带通模块的一种特定应用。若文中图片中的外部阻抗 Z_IN 变为电容 C_IN（其值仅影响增益，不影响关键频率），则可获得高通响应。此外，通过其他连接方式还可实现零点响应。而且，由于每个二阶模块均采用虚拟地输入结构，因此具备多种运算能力，例如：增益（预放大）多路输入求和与加权处理超出电源电压范围的输入信号直接接受电流或电荷信号这些 Operational Filter™ 频率选择性构建模块的性能几乎可与运算放大器媲美。
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2026/3/17 10:36:07
ADE9000 集成电路电子元器件配备一个由 2048 个 32 位存储单元组成的波形缓冲区。要将数据配置到该缓冲区中，需使用 WFB_CFG 寄存器中的 WF_SRC 和 WF_CAP_SEL 位。数据可来自以下四个来源：Sinc4 输出（32 kSPS）：每个通道的波形缓冲区可容纳 8 ms 的波形数据。Sinc4 + IIR 低通滤波器输出（8 kSPS）：每个通道的波形缓冲区可容纳 32 ms 的波形数据。经 DSP 处理的电流与电压通道波形（8 kSPS）：每个通道的波形缓冲区可容纳 32 ms 的波形数据。经 DSP 重采样的波形（每线周期 128 点）：数据速率随线路周期变化；每个通道的波形缓冲区可容纳 80 ms 的波形数据。对于固定采样率的数据，波形缓冲区提供以下几种填充模式：缓冲区满时停止填充连续填充ADE9000 允许用户选择特定事件来触发波形缓冲区捕获，并提供选项在事件发生时保存当前波形缓冲区地址，以便用户将事件与波形样本同步。当缓冲区处于连续填充模式时，以下波形缓冲区动作可与事件关联：触发时停止填充以触发点为中心进行捕获保存事件地址并继续填充请使用 SPI 突发读取模式读取波形缓冲区内容。默认情况下，该操作会一次性读出波形缓冲区中所有通道的数据。波形缓冲区在最后一个地址被填满后，会在 IRQ0 引脚产生中断。若要使用波形缓冲区功能，DSP 必须处于开启状态。
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2026/3/17 10:23:58
能量累加能量以 8 kSPS 的采样率累加到一个 42 位有符号的内部能量寄存器中。该内部寄存器可累加用户定义数量的样本或半线周期，具体由 EP_CFG 寄存器中的 EGY_TMR_MODE 位配置。当启用半线周期累加时，需通过 ZX_LP_SEL 寄存器中的 ZX_SEL 位配置过零点源。样本数或半线周期数在 EGY_TIME 寄存器中设置。EGY_TIME 的最大值为 8191d。在全量程输入下，内部寄存器将在 13.3 秒后溢出。对于 50 Hz 信号，为防止在半线周期累加过程中发生溢出，EGY_TIME 必须低于 1329（十进制）。在完成 EGY_TIME + 1 个样本或半线周期后，STATUS0 寄存器中的 EGYRDY 位被置位，同时更新能量寄存器。根据 EP_CFG 寄存器中 EGY_LD_ACCUM 位的设置，来自内部能量寄存器的数据会被添加或锁存到用户能量寄存器中。能量寄存器为有符号数，总宽 45 位，分为两个 32 位寄存器，如下图所示。用户可通过 EP_CFG 寄存器中的 RD_RST_EN 位在读取时复位用户能量寄存器。在全量程输入下，用户能量寄存器将在 106.3 秒后溢出。功率累加ADE9000 电子元器件将三相的总有功、无功和视在功率及其基波分量分别累加至对应的 32 位有符号寄存器：xWATT_ACC 与 xFWATT_ACC、xVAR_ACC 与 xFVAR_ACC、以及 xVA_ACC 与 xFVA_ACC。累加的样本数量由 PWR_TIME 寄存器设定。在累积 PWR_TIME + 1 个样本（采样率为 8 kSPS）后，STATUS0 寄存器中的 PWRRDY 位被置位。PWR_TIME 寄存器的最大值为 8191（十进制），最大功率累加时间为 1.024 秒。PHSIGN 寄存器中的 xSIGN 位指示在 PWR_TIME 时间...
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2026/3/17 10:19:36
半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布正式推出专为电机控制场景量身打造的GD32M531系列32位微控制器，以Arm® Cortex®-M33为核心，集成电机控制专属硬件加速器与高集成度外设资源，凭借优异的运算性能、精准的控制能力与工业级高可靠性，实现双电机+PFC精准调控，为空调外机、空气源热泵、洗衣机/干衣机、洗碗机、多头电磁灶等多种电机控制应用场景提供高能效、高性价比的解决方案。GD32M531系列的核心优势在于专为电机控制优化的硬件架构，从算力、控制精度到保护机制实现全维度升级：内置三角函数及矢量空间SVPWM硬件加速器，专为FOC算法设计，大幅降低CPU运算负荷，使无感FOC算法执行效率大幅提升，实现出色的电机转速控制精度，显著降低运行噪音并提升能效。搭载2路增强型AD-Timers，支持两组FOC独立驱动，配合硬件相移ADC联动触发功能，实现电流、电压信号的同步精准采集，解决传统软件触发带来的延迟问题。创新集成POC>OC端口输出控制器，无需CPU干预即可实现滤波过流保护，响应时间低至微秒级，为电机运行提供全天候安全防护。关键特性：超强算力支撑复杂控制算法采用Arm® Cortex®-M33内核，主频高达180MHz，集成DSP扩展指令集与浮点运算单元Coremark®跑分可达705，DMIPS达267，轻松应对复杂FOC控制算法及多任务处理需求。存储配置方面，配备256KB Flash、64KB Data-Flash及32KB SRAM，满足电机控制程序存储与实时数据处理需求，全区支持ECC纠错功能，保障数据传输完整性。宽压宽温适应严苛环境支持2.7V5.5V宽电压供电范围，适配家电产品多样化电源设计；工作温度覆盖-40℃105℃，结温可达-40℃125℃；具备优异的静电放电（ESD）防护...
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2026/3/17 10:01:05
半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布，其1.2V超低功耗SPI NOR Flash GD25UF系列已实现8Mb至256Mb全线容量扩展。这一举措精准响应了从高性能AI计算到低功耗电池供电设备等多元应用场景的差异化存储需求。该产品凭借低电压与超低功耗优势，为可穿戴设备、智能耳机、AI ASIC平台、医疗电子等高速发展的新兴应用市场提供强有力支撑，在显著延长终端设备续航能力的同时，将进一步推动产品向边缘AI与超小型化演进，加速新一代智能终端的创新升级。深度适配SoC低电压演进，重塑系统设计架构随着半导体工艺的持续革新，为了追求更高的能效比，主控芯片与处理器工作电压已逐步跨入1.2V时代。兆易创新GD25UF系列SPI NOR Flash应需而生，其1.14V至1.26V的工作电压完美匹配了这一低电压主控平台趋势。GD25UF系列能够与1.2V主控实现电源系统的无缝衔接，开发者无需再为存储器额外配置电压转换电路或复杂的电源管理模块。这种架构上的精简不仅大幅减少了外围元器件的数量，降低了系统整体BOM成本，更从源头上消除了电压转换过程中的能量损耗，显著提升了能源利用效率。双向容量扩展：满足AI计算与小型化双重挑战随着AI基础设施由超大规模数据中心向边缘侧不断延伸，在更大规模模型、更复杂推理任务以及海量数据传输趋势的推动下，AI服务器、高性能计算平台及机器学习系统正面临与日俱增的需求压力。从超大规模数据中心的代码存储，到CXL等高带宽内存互连架构，再到光模块的高速数据传输，稳定可靠的本地非易失性存储正变得愈发关键。为此，GD25UF系列将容量进一步扩展至256Mb，以提供更充足的存储空间，推动AI推理效率与系统灵活性的提升。与此同时，针对物联网、智能可穿戴设备及光模块等对空间布局极其苛刻的应用场景，GD25UF系列提供低至8Mb的小容量选择，并支持WLCSP晶圆级封装。...
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2026/3/17 9:56:33
Mythic选择了Microchip Technology子公司Silicon Storage Technology®（SST®）的memBrain™神经形态硬件知识产权（IP），用于其下一代边缘到企业级模拟处理单元（APU）。Mythic将利用SST的SuperFlash嵌入式非易失性存储器（eNVM）比特单元，每瓦特提供高水平的模拟内存计算（aCIM）性能。该合作使Mythic能够实现120 TOPS/瓦的推理处理，实现边缘和数据中心的高效AI加速：Mythic的APU目标能效是传统数字图形处理单元（GPU）的100倍。截至目前，Mythic授权的SST SuperFlash技术已发货1500亿套。SuperFlash技术是工业、汽车、消费和计算等多个行业的关键数据和代码存储的事实电子非视频（eNVM）解决方案，并被全球十大半导体代工厂授权使用。Microchip Edge AI业务部副总裁Mark Reiten表示：“Mythic正在工业、汽车和数据中心应用中开创AI推理处理和AI传感器融合的创新解决方案，有效克服当前AI能力的限制。”“作为Mythic下一代产品的核心存储技术，memBrain为边缘和数据中心应用带来了显著的能效和高性能。”memBrain 细胞具备：每个比特单元最多可支持8位数据（8 bpc） 存储单位纳安（nA）比特单元读电流工作温度下10年数据保留10万次耐力循环8 位元的多态写入操作的全状态机控制aCIM的单周期乘加运算Mythic首席执行官Taner Ozcelik博士表示：“Mythic在对eNVM技术的行业范围内广泛搜索后，确定memBrain单元技术最能帮助我们实现客户所需的超低功耗和高性能，”Taner Ozcelik博士表示。“此外，其行业验证的SuperFlash技术在代工厂的广泛可用性，加上SST工程团队的...
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2026/3/17 9:44:51