LFCN-1000+是一款滤波器，部分数量-最小值7段，最大截面数7段，中心或截止频率(fo/fc)为1300MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206。特性出色的功率处理能力，10W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用点击购买：LFCN-1000+LFCN-1000+尺寸图
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2024/8/22 15:30:28
AD9856在单芯片上集成了一个高速直接数字频率合成器(DDS)、一个高性能、高速12位数模转换器(DAC)、时钟乘法器电路、数字滤波器以及其它DSP功能，构成一个完整的正交数字上变频器。它主要用作通用上行与下行I/Q调制器，适合视成本、尺寸、功耗和动态性能为关键因素的交互式HFC电缆网络应用。特性• 通用低成本调制器解决方案，适合通信应用• 输出带宽：DC至80 MHz• 集成12位数模转换器• 可编程采样速率插值滤波器• 可编程基准时钟乘法器• SIN(x)/x内部补偿滤波器应用HFC数据、电话和视频调制解调器无线和卫星通信蜂窝基站点击购买：AD9856ASTZAD9856ASTZ引脚图
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2024/8/22 13:56:40
LTC®5569 双通道有源下变频混频器专为要求低功率和小尺寸的分集和 MIMO 接收机应用而优化。每个混频器包括一个独立的 LO 缓冲器放大器、有源混频器内核以及偏置电路和使能引脚。该 IC 的对称性可确保给每个混频器施加一个相位和幅度相干的 LO。RF 输入在 1.4GHz 至 3.3GHz 的范围内 50Ω 匹配，并可利用简单的外部匹配处理轻松实现针对较高或较低 RF 频率的匹配。LO 输入在 1GHz 至 3.5GHz 的范围内 50Ω 匹配，即使在一个混频器被停用或者两个混频器均被停用的情况下也不例外。利用简单的外部匹配处理可很容易地使 LO 输入实现针对较高或较低频率 (低至 350MHz) 的匹配。低电容差分 IF 输出可在高达 1.6GHz 的频率条件下使用。特征• 高 IIP3：26.8dBm (在 1950MHz)• 2dB 转换增益• 低噪声指数：11.7dB (在 1950MHz)• 在 5dBm 隔离条件下噪声指数 (NF) 为 17dB• 44dB 通道隔离• 低功率：3.3V/600mW 总值• 非常小的解决方案外形尺寸• 用于每个混频器的使能引脚• 宽 IF 频率范围• 在所有模式中 LO 输入 50Ω 匹配• -40℃ 至 105℃ 工作温度范围• 16 引脚 (4mm x 4mm) QFN 封装应用无线基础设施分集接收机MIMO基础设施接收器远程无线电单元点击购买：LTC5569IUF#PBFLTC5569IUF#PBF引脚图
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2024/8/21 17:38:20
HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚表贴塑料封装(MSOP)。 无源MMIC混频器采用GaAs Schottky二极管和新颖的平面变压器片内巴伦结构。 该器件可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。 当用作下变频器（3.5至8 GHz）和上变频器（4.5至8 GHz）时，该混频器可正常工作。 低转换损耗、高隔离和宽IF带宽使该混频器非常适合各种Rx和Tx频率计划。特征• 无源双平衡拓扑结构• 输入IP3： +17 dBm• 低转换损耗： 7 dB应用• 基站、中继器和接入点 • WiMAX、WiBro和固定无线 • 便携式设备和订阅服务器 • PLMR、公共安全及远程信息处理点击购买：HMC218BMS8GEHMC218BMS8GE引脚图
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2024/8/21 17:33:08
ADL5350是一款高线性度、上/下变频混频器，能够在较宽的输入频率范围内工作，非常适合要求高灵敏度和高效抗扰度的蜂窝基站混频器设计。这款器件基于GaAs pHEMT、单端混频器架构，能提供出色的输入线性度和低噪声系数，而无需高功耗本机振荡器(LO)驱动。在850 MHz/900 MHz接收应用中，ADL5350的典型变频损耗仅为6.8 dB。集成的LO放大器只需一个低LO驱动电平，对于大多数应用，其典型值仅为4 dBm。输入IP3典型值大于25 dBm，输入压缩点为19 dBm。该器件具有高输入线性度，因而是适合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗扰度通信系统的出色混频器。在2 GHz时，需要一个略微较高的电源电流才能获得类似的性能。特征• 宽带射频(RF)、中频(IF)和本机振荡器(LO)端口• 变频损耗：6.8 dB• 噪声系数：6.5 dB• 高输入IP3：25 dBm• 高输入P1dB：19 dBm应用蜂窝基站点对点无线电链路射频仪器点击购买：ADL5350ACPZ-R7ADL5350ACPZ-R7引脚图
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2024/8/21 17:26:56
HMC8193是一款无源同相/正交(I/Q)单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器，工作频率范围为2.5 GHz至8.5 GHz。 HMC8193的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。 该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。作为一款无源混频器，HMC8193无需任何直流电源。 相比有源混频器，它提供较低的噪声系数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。HMC8193采用GaAs MESFET工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。 该器件采用4 mm × 4 mm、24引脚紧凑型LFCSP封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。 该器件同时提供评估板。特征• 无源I/Q混频器• RF和本振(LO)范围： 2.5 GHz至8.5 GHz• 宽IF范围：DC至3.5 GHz• 单端RF、LO和IF• 转换损耗： 8 dB（典型值）• 输入三阶交调截点(IIP3)： 21 dBm（典型值）• 高镜像抑制： 32 dBm（典型值）• 高LO至RF隔离： 40 dB（典型值）• 高LO至IF隔离： 40 dB（典型值）• P相位平衡：+5°• 降低IF滤波要求• 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚LFCSP封装应用测试和测量仪器军事、航空航天和雷达直接变频接收机点击购买：HMC8193LC4HMC8193LC4引脚图
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2024/8/21 17:19:49
HMC520A是一款紧凑型砷化镓（GaAs）、单片微波集成电路（MMIC）、同相正交（I/Q）混频器，采用24端子、符合RoHS标准的陶瓷无引线芯片载体（LCC）封装。该设备既可以用作图像抑制混频器，也可以用作单边带上变频器。该混频器使用两个标准的双平衡混频器单元和一个在GaAs金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺中制造的90混频器。HMC520A是混合式图像抑制混频器和单边带上变频器组件的较小替代品。HMC520A消除了引线键合的需要，允许使用表面贴装制造技术。特征射频范围：6 GHz至10 GHzLO输入频率范围：6 GHz至10 GHz转换损耗：6 GHz至10 GHz时典型为8 dB镜像抑制：6 GHz至10 GHz时的典型值为23 dBcLO到RF隔离：典型值为43 dBLO到IF隔离：典型值为25 dB输入IP3:典型值19 dBm输入P1dB压缩：7.1 GHz时典型值为10 dBm8.5千兆赫宽中频频率范围：直流至3.5 GHz24端子陶瓷无引线芯片载体应用点对点微波无线电点对多点无线电视频卫星数字收音机仪器仪表自动测试设备点击购买：HMC520ALC4HMC520ALC4引脚图
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2024/8/21 17:15:40
LTC®5541 隶属于一个覆盖 700MHz 至 4GHz 频率范围的高动态范围无源下变频混频器系列。LTC5541专为 1.3GHz 至 2.3GHz RF 应用而优化。LO 频率必须位于 1.4GHz 至 2.0GHz 的范围之内，以获得较佳性能。该器件的典型应用是具有一个 1.7GHz 至 2.2GHz RF 输入和低端 LO 的 LTE 或 W-CDMA 接收器。LTC5541 专为 3.3V 工作电压而设计，然而；IF 放大器可由 5V 电压来供电，旨在实现高的 P1dB。一个执行快速开关操作的集成 SPDT LO 开关可接受两个有源 LO 信号，同时提供高隔离度。 特性• 转换增益：7.8dB (在 1950MHz)• IIP3：26.4dBm (在 1950MHz)• 噪声指数：9.6dB (在 1950MHz)• 可针对 13dBm 输入 P1dB 进行配置• 3.3V 电源，630mW 功耗• 停机引脚• 50Ω 单端 RF 和 LO 输入• LO 输入 50Ω 匹配 (停机时)• 高隔离度 LO 开关• 0dBm LO 驱动电平• 高 LO-RF 和 LO-IF 隔离度• 小的解决方案外形尺寸• 20 引脚 (5mm x 5mm) QFN 封装点击购买：LTC5541IUH#PBFLTC5541IUH#PBF引脚图
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2024/8/21 17:10:22
LT®5557 有源混频器专为高线性度、宽动态范围下变频器应用而优化。该 IC 包括一个用于驱动双平衡混频器的高速差分 LO 缓冲放大器。RF 和 LO 输入端上的宽带、集成变压器负责提供单端 50Ω 接口。差分 IF 输出可提供至差分 IF 滤波器和放大器的便利连接，也可轻松地实现匹配以驱动 50Ω 单端负载 (采用或不采用外部变压器均可)。 RF 输入在 1.6GHz 至 2.3GHz 频率范围内进行了至 50Ω 的内部匹配处理，而 LO 输入则在 1GHz 至 5GHz 频率范围内进行了至 50Ω 的内部匹配处理。利用简单的外部匹配处理即可轻松实现两个端口的频率范围扩展。IF 输出进行了部分匹配处理，并可用于高达 600MHz 的 IF 频率。 LT5557 的高集成度较大限度地减少了总体解决方案的成本、电路板占用空间和系统级偏差。特性• 宽 RF 频率范围：400MHz 至 3.8GHz• 高输入 IP3：•25.6dBm (在 900MHz)• 24.7dBm (在 1950MHz)• 23.7dBm (在 2.6GHz)• 转换增益：•3.3dB (在 900MHz)• 2.9dB (在 1950MHz)• –3dBm LO 驱动电平• 低 LO 泄漏• 低噪声系数：• 10.6dB (在 900MHz)• 11.7dB (在 1950MHz)• 低功耗: 3.3V/269mW• 50Ω 单端 RF 和 LO 端口• 极少的外部组件• 16 引脚 (4mm x 4mm) QFN 封装应用蜂窝、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA和UMTS基础设施WiMAX无线基础设施接收器无线基础设施PA线性化900MHz/2.4GHz/3.5GHz无线局域网点击购买：LT5557EUF#PBFLT5557EUF#PBF引脚图
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2024/8/21 17:05:26
ADL5801利用一个高线性度双平衡有源混频器内核以及集成的本振缓冲放大器来提供10 MHz至6 GHz的高动态范围频率转换。专有的线性化架构使混频器能在高输入电平下提供增强的IP3性能。偏置调整特性可通过单一控制引脚实现输入线性度、单边带噪声指数，以及直流电流的较优化。在手机应用中，带内阻塞信号可能会导致动态性能下降，ADL5801的高输入线性度使其能够满足这一应用的严苛要求。自适应偏置功能使得该款器件能够在出现强阻塞信号时实现高IP3性能。当强干扰不再出现时，ADL5801会自动偏置以实现低噪声指数和低功耗。平衡的有源混频器可提供出色的本振至射频与本振至中频泄漏，其典型值优于-40 dBm。IF的输出内部连接至200Ω的源阻抗，当负载为200Ω时，电压转换增益为7.5 dB(典型值)。开集IF输出的宽频率范围使得ADL5801适合用作各种传输应用中的上变频器。特性• 宽带通道上/下变频器• 功率转换增益：1.5 dB• 宽带RF、本振和IF端口• 边带噪声指数：10 dB• 出色的阻塞单边带噪声指数• 输入IP3：27 dBm应用蜂窝基站接收机无线电链路下变频器宽带块转换仪器仪表点击购买：ADL5801ACPZ-R7ADL5801ACPZ-R7引脚图
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2024/8/21 17:01:56
HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。HMC219B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。特性• 转换损耗：9 dB（典型值）• LO至RF隔离：40 dB（典型值）• LO至IF隔离：35 dB（典型值）• RF至IF隔离：22 dB（典型值）• 输入IP3：18 dBm（典型值）• 输入P1dB：11 dBm（典型值）• 输入IP2：55 dBm（典型值）• 无源双平衡拓扑结构• 8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装应用• 微波无线电• 高性能无线电局域网(HiperLAN)和免执照国家信息基础设施(U-NII)• 工业、科研和医疗(ISM)点击购买：HMC219BMS8GETRHMC219BMS8GETR引脚图
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2024/8/21 16:58:11
AD608提供低功耗、低失真、低噪声混频器和使用“连续检测”技术的完整单片对数/限幅放大器。它既提供80 dB动态范围的高速RSSI（接收信号强度指示器）输出，也提供硬限制输出。RSSI输出来自两极后解调低通滤波器，提供+0.2V至+1.8V的可加载输出电压。AD608在3V下以21mW的典型功率电平在单个2.7V至5.5V电源下工作。AD608的限幅器输出提供400 mV p-p的硬限幅信号输出。限幅放大器对此输出的电压增益超过100 dB。对于-75 dBm至+5 dBm的信号，过渡时间为11 ns，在10.7 MHz时相位稳定在±3以内。AD608由CMOS逻辑电平电压输入启用，响应时间为200 ns。禁用时，待机功率在400 ns内降至300 uW。AD608适用于2.7 V至5.5 V电源的-25℃至+85℃的工业温度范围，以及4.5 V至5.5伏电源的-40℃至+85C的工业温度。它采用16针塑料SOIC。特点-15 dBm 1 dB压缩点-5 dBm IP324 dB转换增益500 MHz输入带宽对数/限幅放大器80 dB RSSI范围3相位稳定性超过80 dB范围低功耗应用PHS、GSM、TDMA、FM或PM接收机电池供电仪器基站RSSI测量AD608引脚图
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2024/8/21 16:52:57
LTC5562是一款通用型低功率混频器，专为要求宽输入带宽、低失真和低LO泄漏的应用而优化。该混频器可用于上变频或下变频应用，并提供一个1dB的标称转换增益。差分输入专为用于1:1传输线路巴伦而优化，输入在30MHz至7GHz范围内具有50Ω宽带匹配。LO可以是差分或单端，并且只需要–1dBm的LO功率就能实现卓越的失真和噪声性能。LO输入端上的阻抗匹配在关断期间得到保持。这款混频器可提供低LO泄漏，大幅减少了输出滤波满足LO抑制要求的需要。LTC5562采用一个3.3V电源以实现低功耗，而且启用控制可使器件关断以进一步节省功率。总的混频器电流可通过简单地增设一个与LGND引脚串联的电阻器进行调节，以适合要求更低功率的应用。特性• 宽带频率范围至 7GHz• 低功率：2.7V 至 3.6V，40mA 电源• 电源电流可调节到低至 15mA• 能够进行上变频或下变频• OIP3：在 3.6GHz 输出频率时为 +20dBm• 转换增益：+1dB• 低 LO 驱动功率：–4dBm 至 +2dBm• 低阻抗匹配在停机期间得到保持• 启用控制，10μA 停机电流• 2kV ESD (HBM 和 CDM)• –40℃ 至 105℃ 工作温度范围• 小外形 2mm x 2mm 10 引脚 QFN 封装应用便携式收音机便携式测试仪器无线基础设施固定无线接入设备甚高频和超高频混频器无线中继器点击购买：LTC5562IUC#TRPBFLTC5562IUC#TRPBF引脚图
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2024/8/21 16:39:13
LT®5560 是一款低功率、高性能宽带有源混频器。该双平衡混频器可采用一个单端 LO 电源来驱动，而且只需要 -2dBm 的 LO 功率。这种平衡设计使 LO 到输出泄漏低，而且集成输入放大器具有卓越的 LO 至 IN 隔离度。信号端口可在很宽的频率范围实现阻抗匹配，从而使 LT5560 能够在众多应用中被用作一个上变频或下变频混频器。LT5560 具有 10mA 的电源电流特性；然而，DC 电流则是可调的，这使得能够利用单个电阻器来针对每种应用进行性能的优化。例如：当偏置施加13.4mA 的最大电源电流上时，对于一个 900MHz 输出，典型的上变频混频器 IIP3为+10.8dBm。特性• 上变频或下变频应用• 噪声指数：典型值为 9.3dB (在 900MHz 输出频率)• 转换增益：典型值为 2.4dB• IIP3：典型值为 9dBm (在 ICC = 10mA)• 可调电源电流：4mA 至 13.4mA• 低 LO 驱动电平：-2dBm• 单端或差分 LO• 端口至端口的高隔离度• 具有低断态漏电流的使能控制• 2.7V 至 5V 单电源• 小型 3mm x 3mm DFN 封装应用• 便携式无线• 有线电视/DBS接收机• WiMAX无线电• PHS基站• 射频仪器• 微波数据链路• VHF/UHF双向无线电点击购买：LT5560EDD#PBFLT5560EDD#PBF引脚图
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2024/8/21 16:34:17
ADuCM4050微控制器单元(MCU)是一款集成电源管理的超低功耗集成式微控制器系统，可用于处理、控制和连接。MCU系统基于Arm® Cortex®-M4F处理器。MCU还由数字外设、嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)和嵌入式闪存、一个提供时钟、复位和电源管理功能的模拟子系统以及模数转换器(ADC)子系统组成。特性• EEMBC ULPBench™ score: 203• 超低功耗活动和休眠模式• 有效：• 单电源供电(VBAT)：1.74 V至3.6 V• 可选降压转换器可提高效率• 存储器选项• 集成ECC的512 KB嵌入式闪存• 4 KB高速缓存可降低有源功率• 128 KB可配置系统SRAM，带奇偶校验• Up to 124 KB of SRAM can be retained in hibernate mode• 安全• 带有专用片内振荡器的看门狗• 内置可编程多项式的硬件CRC• 多奇偶校验位保护的SRAM• ECC保护嵌入式闪存• 安全• 硬件加密加速度计，支持AES-128、AES-256和SHA-256• 存储在闪存中的保护密钥，基于密钥的SHA-256• HMAC、密钥包装和解包• 用户代码保护• 真正的随机数发生器(TRNG)• 数字外设• 3个支持硬件流控制的SPI接口，可与传感器、无线电和转换器实现无缝接口• 一个I2C和2个UART串行接口• SPORT用于与转换器和无线电本地接口• 可编程GPIO（44个采用LFCSP封装，51个采用WLCSP封装）• 3个支持PWM的通用定时器• 用于驱动RGB LED的RGB定时器• 带有SensorStrobe™ 和时间戳的RTC和FLEX_RTC• 可编程传呼机• 27通道DMA控制器• 时钟特性• 26 MHz时钟：片内振荡器、外部晶体振荡器、用于外部时钟的SYS_CLKIN...
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2024/8/19 17:32:29
DS87C520 EPROM高速微控制器均为快速的8051兼容微控制器。它们采用重新设计的处理器内核，不会浪费时钟和存储器周期。因此，在相同的晶体速度下，这些器件执行每条8051指令的速度比原始内核快1.5到3倍。使用相同的代码和相同的晶体，典型应用的速度将提高2.5倍。DS87C520提供33MHz的最大晶体速度，从而使表观执行速度达到82.5MHz（约2.5倍）。DS87C520与标准8051的所有三种封装引脚兼容，并包括三个定时器/计数器、串行端口和四个8位I/O端口等标准资源。它们具有16kB EPROM或掩模ROM，以及额外的1kB数据RAM。采用OTP和窗口式封装。除了更高的速度外，该微控制器还包括第二个完整硬件串行端口、七个附加中断、可编程看门狗定时器、欠压监视器和电源故障复位。该器件还提供双数据指针(DPTR)以加速块数据存储器移动。它还可以在2到9个机器周期范围内调整MOVX数据存储器访问的速度，以便灵活地选择外部存储器和外设。新的电源管理模式(PMM)非常适用于便携式应用。借助此功能，软件可以选择更低速度的时钟作为主时基。正常操作的机器周期速率为每周期4个时钟，而PMM会以每个周期64或1024个时钟运行处理器。例如，在12MHz时，标准操作的机器周期速率为3MHz。在电源管理模式下，软件可以选择187.5kHz或11.7kHz机器周期速率。当处理器运行速度变慢时，功耗也会相应降低。特性• 80C52兼容• 8051引脚和指令集兼容• 四个8位I/O端口• 三个16位定时器/计数器• 256字节暂存区RAM• 大容量片内存储器• 16kB程序存储器• 用于MOVX的1kB额外片内SRAM• ROMSIZE特性• 选择0至16kB范围内的内部ROM大小• 支持访问整个外部存储器映射• 可通过软件动态调节• 可用作外部闪存的引导块• 高速架构• 4个时钟/机...
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2024/8/19 17:21:08
ADuC841是完整的智能传感器前端，在单个芯片上集成了一个高性能自校准多通道ADC、一个双通道DAC和一个优化的单周期20 MHz 8位MCU（兼容8051指令集）。ADuC841的时钟由一个最高频率为20 MHz的外部晶振提供该微控制器是经过优化的8052内核，峰值性能最高可达20 MIPS。提供三种不同的存储器选项，最大支持62 kB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩展RAM。这些器件还内置其它模拟功能、两个12位DAC、电源监视器和一个带隙基准电压源。片内数字外设包括2个16位Σ-Δ型。DAC、1个双通道输出16位PWM、1个看门狗定时器、1个时间间隔计数器、3个定时器/计数器和3个串行I/O端口（SPI、I2C和UART）。特性• 提高性能• 单周期20 MIPS 8052内核• 高速420 kSPS 12位ADC• 增加内存• 高达62 KB片内Flash/EE程序存储器• 4 KB片内Flash/EE数据存储器• 电路内可编程• Flash/EE，保持时间为100年，耐久性为10万个周期• 2304字节片内数据RAM• 更小的封装• 8 mm × 8 mm芯片级封装• 52引脚PQFP引脚兼容升级• 模拟I/O• 8通道、420 kSPS高精度、12位ADC• 片内、15 ppm/°C基准电压源• DMA控制器、高速ADC转RAM捕获• 两个12位电压输出DAC• 双通道输出PWM Σ-Δ型DAC• 片内温度监控器功能• 高性能单周期内核• 32 kHz外部晶振，片内可编程PLL• 12个中断源，2个优先级• 双数据指针，11位扩展堆栈指针• 片内外设• 时间间隔计数器(TIC)• UART、I2C®和SPI®串行I/O• 看门狗定时器...
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2024/8/19 17:18:10
DS80C320为快速的80C31兼容微控制器。使用重新设计的处理器内核，避免了浪费时钟和存储器周期。因此，在相同的晶体速度下，每条8051指令的执行速度比原始内核快1.5到3倍。使用相同的代码和相同的晶体，典型应用的速度提高了2.5倍。DS80C320提供33MHz的最大晶体速率，从而使表观执行速度达到82.5MHz（约2.5倍）。DS80C320与标准80C32的所有三种封装引脚兼容，并提供相同的定时器/计数器、串行端口和I/O端口。简而言之，这些器件对于8051用户来说非常熟悉，但提供了16位处理器的速度。除了更高的速度之外，DS80C320还提供了一些额外特性。其中包括第二个完整硬件串行端口、七个附加中断、可编程看门狗定时器、电源故障中断和复位。该器件还提供双数据指针(DPTR)以加速块数据存储器移动。它还可以将片外数据存储器访问的速度调整为2到9个机器周期，以便灵活地选择存储器和外设。DS80C320工作电压范围为4.25V至5.5V，非常适合作为现有5V系统的高性能升级产品。特性• 80C32兼容• 8051引脚和指令集兼容• 四个8位I/O端口• 三个16位定时器/计数器• 256字节暂存区RAM• 地址64kB ROM和64kB RAM• 高速架构：• 4个时钟/机器周期(8032 = 12)• DC至33MHz (DS80C320)• 121ns内的单周期指令• 完成同等工作的功耗更少• 双数据指针• 通过可选的可变长度MOVX访问快/慢RAM/外设• 高集成度控制器包括：• 电源故障复位• 可编程看门狗定时器• 预警电源故障中断• 两个全双工硬件串行端口• 总共13个中断源，其中6个为外部中断源• 采用40引脚DIP、44引脚PLCC和44引脚TQFP封装应用• 健身监测器• 工业传感器• IoT• 便携式医疗设备• 运动手表• 可穿戴医疗设备点击购买：...
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2024/8/19 17:04:19