Mini-Circuits的XLF-362H+三段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性阻带内匹配50Ω，消除不必要的反射可级联出色的阻带抑制，典型值为48 dB。温度数据，最高+105°C尺寸小，3 x 3毫米
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2024/8/5 16:24:02
Mini-Circuits的MAC混频器采用独特的新设计和高度可重复、严格控制、自动化的工艺，以非常实惠的价格提供行业领先的可靠性。符合我们严格规格的肖特基二极管四边形被粘合到多层集成LTCC基板上，然后在受控气氛下用镀金盖和共晶AuSn焊料密封。这些被动双平衡混合器能够满足MIL对总泄漏、精细泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和HTOL的要求（如果需要，可以进行测试），并且每个MAC混合器都有我们3年的保修期。特点•宽带，3800至12000 MHz•转换损耗低，典型值为6.0 dB。•LTCC双平衡混频器•可水洗•成本低•低轮廓，0.060英寸
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2024/8/5 16:21:37
Mini-Circuits的LFCV-1752+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至17.5 GHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1dB的典型插入损耗。采用1210陶瓷外形，非常适合密集信号链PCB布局，与MMIC尺寸和性能相辅相成。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特点插入损耗低，典型值为1dB。通带回波损耗，典型值14dB。阻带抑制，典型值38 dB。 1210表面安装占地面积功率处理：4.5瓦
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2024/8/5 16:11:55
Mini-Circuits的XHF-14M+两段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特点•阻带内匹配50Ω，消除不必要的反射•可级联•阻带抑制良好，典型值为41 dB。•温度稳定，最高可达105°C•尺寸小，3 x 3毫米
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2024/8/5 16:09:28
AADuM342E 是基于 ADI 公司 iCoupler® 技术的四通道数字隔离器。这些隔离元件结合了高速、互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和背对背单片空芯变压器技术，可提供出色的性能特性，并满足 5Mbps 的 CISPR 32/EN 55032 B 类限制。在 5V 运行时，最大传播延迟为 10ns，脉宽失真低于 3ns。在最大 3.0ns 时，通道匹配是紧密的。ADuM342E 数据通道是独立的，具有多种配置，耐受电压额定值为 5.7kV RMS。这些套件在 2.25V - 5.5V 之间的电源电压（任意一端）下工作，兼容更低的电压系统，支持跨隔离栅的电压转换功能。提供两个不同的故障安全选项，在未接入输入电源时，输出可转换为预定状态。特性• 高共模瞬变抗扰度：180kV/µs（典型值）• 高辐射和传导噪声抗扰性能• 低传播延迟• 对于 5V 操作，典型值为 6.2ns（最大值为 10ns）• 低动态功耗，1Mbps 时，为• 2.25V - 5.5V 电平转换• 5V 工作电压下，最大保证数据速率为 150Mbps• 高温运行：125°C• 安全和监管审批• UL 认证：5700V RMS 持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准• VDE 符合性证书（待定）• DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01• VIORM = 1173V 峰值• 10000V 加强浪涌隔离电压
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2024/7/30 14:03:24
ADA4510-2是一款双通道、40 V、高精度、低输入偏置电流、低失调电压、低失调电压漂移、低噪声、轨到轨输入和输出运算放大器，可用于信号链的任意点，包括检测、调理和输出驱动。借助ADI公司专有的DigiTrim™技术，ADA4510-2可实现出色的低失调漂移（典型值：±0.07 μV/°C，最大值：±0.5 μV/°C）和低失调电压（典型值：±5 μV，最大值：±20 μV），从而简化了精密设计中的温度校准过程。ADA4510-2提供出色的直流精度和交流性能，使其成为各种信号链应用的上佳选择。通过集成可靠的多路复用兼容架构，ADA4510-2可有效解决常见的系统失真和建立问题，并提供多路复用多通道精密信号链中所需的出色精度。ADA4510-2的额定工作温度范围为−40°C至+85°C和−40°C至+125°C，采用8引脚SOIC_N封装。特性• 低失调电压漂移：±0.07 μV/°C（典型值）• 低失调电压：±5 μV（典型值），±20 μV（最大值）• 低电压噪声：1 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz，典型值）• 低电压噪声密度：5 nV/√Hz（典型值，f = 1 kHz）• 高共模抑制：140 dB（典型值）• 低输入偏置电流：±10 pA（最大值）• 宽增益带宽积：10.4 MHz（典型值）• 高摆率：19 V/μs（典型值）• 低THD：-134 dB（f = 1 kHz时）• 低静态电流：每个放大器1.45 mA（典型值）
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2024/7/30 14:00:36
MAX20830/MAX20830T是具有PMBus接口的全集成、高效、降压DC-DC开关稳压器。这些设备在2.7V至16V的输入电源下运行，输出可以从0.4V调整到5.8V，提供高达30A的负载电流。器件的开关频率可以从500kHz配置到2MHz，以提供在尺寸和性能方面优化设计的能力。MAX20830/MAX20830T采用固定频率、电流模式控制和内部补偿。IC具有可选择的高级调制方案（AMS），可在快速负载瞬态期间提供改进的性能。通过将PGM_引脚的引脚带电阻器连接到地或使用PMBus命令，可以选择操作设置和可配置功能。MAX20830/MAX20830T具有内部1.8V LDO输出，为栅极驱动器（VCC）和内部电路（AVDD）供电。这些器件还具有可选的LDO输入引脚（LDOIN），允许从2.5V到5.5V的偏置输入电源连接，以优化效率。该IC具有多种保护功能，包括正负过电流保护、输出过电压保护和过热保护，以确保稳健的设计。特性•低元件数的高功率密度•紧凑型4.3mm x 6.55mm，16针FC2QFN封装•内部薪酬•集成LDO的单电源操作，用于产生偏压•操作范围广•2.7V至16V输入电压范围•0.4V至5.8V输出电压范围•500kHz至2MHz可配置开关频率•-40°C至+125°C结温范围•优化了性能和效率•峰值效率94.5%，VDDH=12V，VOUT=1.8V•具有可选外部偏置输入电源的高效率•AMS改善负载瞬态响应•差分遥感
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2024/7/30 13:47:51
HMC273AMS10G(E)是一款通用型宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用10引脚MSOP塑料封装。工作频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于3 dB。对于31 dB的总衰减，衰减器位值为1 (LSB)、2、4、8和16 dB。在±0.2 dB（典型值）时，精度较佳且IIP3高达+46 dBm。五位控制电压输入，在0和+3至+5 V之间切换，用于选择每个衰减状态。需通过外部5K Ohm电阻施加+3至+5 V的单Vdd偏置。特性• 产品符合RoHs标准• 1 dB LSB步进至31 dB• 每位单正电压控制• 误码率：±0.2 dB（典型值）
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2024/7/30 13:42:13
HMC1019ALP4E是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。在0.1到30.0 GHz频率下运行，插入损耗低于4.0 dB典型值。对于15.5 dB的总衰减，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.3 dB，IIP3为+45 dBm。控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入。HMC1019ALP4E具有用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他ADI控制组件。特性• 0.5 dB LSB步进至15.5 dB• TTL/CMOS兼容、串行控制• 利用独特的异步模式控制，实现即时衰减电平设置• 误码率：±0.5 dB（典型值）• 高输入IP3：+45 dBm• 24引脚4x4mm SMT封装：16mm2
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2024/7/30 11:57:47
HMC291SE是一款通用型宽带2位正控制硅IC数字衰减器，采用6引脚SOT26表贴塑料封装。在工作频率范围内，插入损耗通常介于0.4 dB至1 dB之间。对于12 dB的总衰减，衰减器位值为4 (LSB)和8 dB。在± 0.4 dB（典型值）时，稳态误差较佳且IIP3高达57 dBm。两位控制电压输入在0和+3V或+5V之间切换，用于选择每个衰减状态（每个小于25 µA）。需通过外部4.7K Ohm电阻施加+3V至+5V的单VDD电源电压。特性• 产品符合RoHS标准• 4 dB LSB步进至12 dB• 每位单正电压控制，0/+3V• 典型步进误差：±0.3 dB• 微型SOT 26封装： 9 mm²
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2024/7/30 11:51:43
HMC468ALP3E是一款宽带3位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。 在DC到6.0 GHz频率下工作，插入损耗低于1 dB典型值，最高达到4 GHz。 衰减器位值为1 (LSB)、2和4 dB，总衰减为7 dB。 衰减精度非常高，典型步长误差为±0.4 dB，IIP3为+55 dBm。 三个控制电压输入在0和+5V之间切换，用于选择每个衰减状态。 需要+5V的单个Vdd偏置。特性• 1 dB LSB步进至7 dB• 高IP3： +55 dBm• 误码率：±0.25 dB（典型值）
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2024/7/30 11:48:21
ADRF5740是一款硅、4位数字衰减器，以2 dB步长提供22 dB的衰减控制范围。ADRF5740的工作频率范围为10 MHz至60 GHz，在55 GHz下提供小于3.3 dB的插入损耗和衰减精度（±0.2 + 7.0%的衰减状态）。在所有状态下，ADRF5740的ATTIN端口具有24 dBm（平均值）和24 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。ADRF5740需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。ADRF5740具有并行模式控制、CMOS和低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5740 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5740采用符合RoHS标准的16引脚、2.5 mm × 2.5 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。特性• 超宽带频率范围：10 MHz至60 GHz• 衰减范围：2 dB步进至22 dB• 低插入损耗• 1.4 dB，最高为20 GHz• 2.2 dB，最高为44 GHz• 3.3 dB，最高为55 GHz• 衰减精度• ±(0.1 + 1.0%)的状态，最高20 GHz• ±(0.2 + 3.0%)的状态，最高44 GHz• ±(0.2 + 7.0%)的状态，最高55 GHz• 典型步进误差• ± 0.30 dB，最高为20 GHz• ± 0.50 dB，最高为44 GHz• ± 0.60 dB，最高为55 GHz应用• 工业扫描仪• 测试和仪器仪表• 蜂窝基础设施：5G 毫米波• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
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2024/7/30 11:40:03
ADRF5714是一款硅制1位数字衰减器，衰减16dB，支持无毛刺操作。该器件的工作频率为100 MHz至30 GHz，插入损耗优于1.3dB，衰减精度极佳。ADRF5714的ATTIN和ATTOUT端口具有平均30dBm和峰值33dBm的RF输入功率处理能力。需要+3.3V和-3.3V的双电源电压。该器件具有互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）兼容控制功能。ADRF5714还可以在施加单个正电源电压（VDD）的情况下运行。负电源电压（VSS）被连接在一起。ADRF5714射频端口设计用于匹配50Ω的特性阻抗。ADRF5714采用12端子、2.25mm×2.25mm、符合RoHS标准的LGA封装，工作温度范围为-40°C至+105°C。特性•超宽带频率范围：0.1 GHz至30 GHz•16dB单衰减步长•插入损耗低•8 GHz时为0.7 dB•18 GHz时为0.9 dB•30 GHz时为1.3 dB•衰减精度：在高达30 GHz的频率下，典型值为±0.20 dB•输入线性度高•P0.1dB插入损耗状态：33 dBm•P0.1dB 16 dB衰减状态：29 dBm•IP3插入损耗状态：典型值为51 dBm•IP3 16 dB衰减状态：典型值为49 dBm
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2024/7/30 11:34:17
HMC941A芯片是一个宽带5位GaAs IC数字衰减器MMIC芯片。覆盖0.1至30 GHz，插入损耗通常小于4 dB。衰减器位值为0.5（LSB）、1、2、4、8，总衰减为15.5dB。衰减精度极佳，典型阶跃误差小于±0.5 dB，IIP3为+45 dBm。五个控制电压输入，在+5V和0V之间切换，用于选择每个衰减状态。特性0.5 dB LSB阶跃到15.5 dB每比特一条正控制线±0.5 dB典型比特误差高输入IP3:+45 dBm模具尺寸：2.29毫米x 0.96毫米x 0.1毫米
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2024/7/30 11:29:54
HMC-C025是一款6位GaAs IC串行数字衰减器，在DC至13 GHz的频率下工作，封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有4 dB的典型插入损耗和+38 dBm的输入IP3，位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 它具有出色的衰减精度，典型步长误差为±0.3 dB。六个控制电压输入，在0和+5V之间切换，用于选择每个衰减状态。 单个Vdc偏置为-5V，允许在低至DC的频率下运行。 可移除的SMA连接器可以拆卸，以便将模块I/O引脚直接连接到微带或共面电路。特性• 0.5 dB LSB步进至31.5 dB• 每位单个控制线路• 典型误码率： ±0.3 dB• CMOS兼容控制
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2024/7/30 11:27:12
ADRF5715是一款硅制1位数字衰减器，衰减16dB。工作频率为1 MHz至30 GHz，插入损耗优于1.15 dB，衰减精度极佳。ADRF5715的ATTIN和ATTOUT端口具有30dBm稳态平均值和33dBm稳态峰值的RF功率处理能力。需要+3.3V和-3.3V的双电源电压。该器件具有互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）兼容控制。还可以在施加单个正电源电压（VDD）的情况下工作，同时将负电源电压（VSS）接地。ADRF5715射频端口设计用于匹配50Ω的特性阻抗。ADRF5715采用12端子、2.25mm×2.25mm、符合RoHS标准的LGA封装，工作温度范围为-40°C至+105°C。特性•超宽带频率范围：1 MHz至30 GHz•衰减范围：典型值为16dB•插入损耗低•8 GHz时为0.6 dB•18 GHz时为0.8 dB•30 GHz时为1.15 dB•衰减精度•±0.15 dB，最高可达18 GHz•18 GHz至30 GHz的典型值为±0.20 dB•输入线性度高•P0.1dB插入损耗状态：典型值为33dBm•P0.1dB 16 dB衰减状态：典型值为30 dBm•IP3插入损耗状态：典型值为51 dBm•IP3 16 dB衰减状态：典型值为49 dBm
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2024/7/30 11:22:01
ADRF5717是一款硅制2位数字衰减器，衰减范围为48 dB，步长为16 dB，支持无毛刺操作。ADRF5717的工作频率为1 MHz至30 GHz，插入损耗优于2.8 dB，衰减精度优于3.3 dB。ADRF5717的ATTIN和ATTOUT端口具有30dBm稳态平均值和33dBm稳态峰值的RF功率处理能力。ADRF5717需要+3.3V和-3.3V的双电源电压。该器件具有并行模式控制和互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管到晶体管逻辑（LVTTL）兼容控制。ADRF5717还可以在施加单个正电源电压（VDD）的情况下工作，同时将负电源电压（VSS）接地。ADRF5717射频端口设计用于匹配50Ω的特性阻抗。ADRF5717采用20端子、3 mm×3 mm、符合RoHS标准的LGA封装，工作温度为-40°C至+105°C特性•超宽带频率范围：1 MHz至30 GHz•衰减范围：16 dB典型步长至48 dB•插入损耗低•1.5 dB至8 GHz•2.0 dB至18 GHz•2.8 dB至30 GHz•衰减精度•±（衰减状态的0.20+2.3%）dB，典型值高达8 GHz•±（衰减状态的0.30+3.2%）dB，典型值高达18 GHz•±（衰减状态的0.30+6.5%）dB，典型值高达30 GHz•典型步进误差•8 GHz以下典型值为±0.8 dB•18 GHz以下典型值为±1.3 dB•高达30 GHz的典型值为±3.3 dB
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2024/7/30 11:19:35
HMC8073 是一款 6 位数字步进衰减器 (DSA)，工作频率范围为 0.6 GHz 到 3.0 GHz，衰减范围为 31.5 dB，步进为 0.5 dB。HMC8073 通过硅工艺实现，具有很短的建立时间、低功耗以及高静电放电 (ESD) 抗扰性。该器件具有安全状态转换功能，从而能够在不发生过冲的情况下发生衰减状态变化，该器件还进行了优化，可以在工作频率和温度范围内实现出色的步进精度以及高功率和高线性度。射频 (RF) 输入和输出可在内部与 50 Ω 相匹配，不需要任何外部匹配组件。该设计是双向的，RF 输入和输出可互换。利用 HMC8073 的外部地址功能，用户可以通过单条总线控制多达八个 DSA。该 DSA 具有一个片内稳压器，该稳压器支持 3.3 V 到 5.0 V 的宽电源工作范围，而不会在电气特性方面产生性能变化。HMC8073 包含一个互补金属氧化物半导体 (CMOS) - 和晶体管晶体管逻辑 (TTL) - 兼容接口，该接口支持对衰减器进行串行（3 线）控制。HMC8073 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。特性• 衰减范围：0.5 dB LSB，步进为 31.5 dB• 低插入损耗• 1.0 GHz 时为 1.1 dB• 2.0 GHz 时为 1.5 dB• 极高的衰减精度• 低于 ±0.25 dB（以及 3% 的衰减状态）• 低相移误差：1.0 GHz 时相移为 4°• 双向使用：30 dBm 高功率处理能力• 在 RFIN/RFOUT 引脚上提供内部直流隔断器• 高线性度• P1dB：31 dBm（典型值）• 输入 IP3：52 dBm（典型值）• 安全状态转换
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2024/7/30 11:16:36