ADMV1139A是一款硅绝缘体（SOI）、微波、上变频器和下变频器，专为在37 GHz至50 GHz频率范围内工作的5G无线电设计而优化。上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是从复杂中频（IF）信号转换和/或转换为复杂中频信号，然后通过可选的片上90°IF混合，称为IF模式。另一种模式是从差分基带同相/正交（I/Q）输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0.7 V和1.5 V之间编程。当该设备被用作图像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的图像项通常被抑制到26dBc。ADMV1139A提供平方律功率检测器，以允许监测下变频器的混频器输入处的功率电平。射频接收输入、射频发射输出和本振（LO）接口均为单端，匹配50Ω。片上射频开关提供了将发射和接收射频端口组合在一起的选项，用于时分双工（TDD）应用。串行端口接口（SPI）提供LO链I/Q相位的调整，以实现最佳边带抑制。此外，SPI允许在不需要载波馈通优化时关闭输出包络检测器以降低功耗。ADMV1139A上变频器和下变频器安装在一个紧凑的、热增强的、6毫米×6.5毫米的球栅阵列（BGA）封装中。这种BGA封装能够使ADMV1139A从封装的顶部散热，以实现最有效的散热。ADMV1139A在−40°C至+95°C TC范围内工作。特点•将上变频器（发射机）、下变频器（接收机）和LO链与4×乘法器集成在一个芯片中•射频频率范围：37 GHz至50 GHz•发射器和接收器之间的可选片上射频开关端口•LO输入频率范围：7.25 GHz至12.05 GHz•上变频器和下变频器的两种操作模式•差分基带I/Q的直接转换（基带模式）•复杂的中频操作，可选片上混合（中频模式）•可编程基带输出共模电压，在接收模式下为0.7 V至1.5 V，通过SPI或物理引脚...
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2024/4/2 16:06:42
ADMV1530是一款通用的双平衡混频器，采用无障碍、符合RoHS标准的表面贴装技术（SMT）封装，可用作5 GHz至30 GHz之间的上变频器或下变频器。中频（IF）端口具有从0 GHz到10 GHz的宽带宽，可实现灵活的频率规划，避免产生杂散产品。该混频器采用砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）工艺制造，不需要外部组件或匹配电路。由于优化了巴伦结构，ADMV1530提供了极好的本地振荡器（LO）到RF和LO到IF抑制。混频器以19dBm的典型LO幅度工作。RoHS-compliantADMV1530消除了引线接合的需要，允许使用表面安装制造技术。ADMV1530采用紧凑型4毫米×4毫米18端接地栅格阵列（LGA）封装，可在−40°Cto+85°C的温度范围内工作。特点•转换损耗（下变频器）：15 GHz至30 GHz时的典型损耗为7 dB•输入IP3（下变频器）：27 dBm，典型频率为15 GHz至30 GHz•输入IP2（上变频器）：50 dBm，典型频率为15 GHz至30 GHz•输入1 dB压缩点（下变频器）：典型值为17 dBm•LO至RF隔离：典型值为40 dB•LO到IF隔离：在15 GHz到30 GHz时典型为50 dB•射频到中频隔离：在15 GHz到30 GHz时典型为25 dB•18端子，符合RoHS标准，4 mm×4 mm LGA封装
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2024/4/2 16:04:58
ADMV1550是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作15 GHz至65 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口上具有DC至20 GHz的宽带宽，可进行灵活的频率规划以免出现杂散产物。该混频器采用砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。ADMV1550采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至IF抑制性能。该混频器采用15 dBm（典型值）的LO幅度运行。符合RoHS标准的ADMV1550无需线焊，可使用表贴制造技术。ADMV1550采用紧凑型4 mm × 4 mm、18引脚基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。特点• 转换损耗：8 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入IP3（下变频器）：20 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入IP2（下变频器）：40 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入P1dB（上变频器）：11 dBm（典型值）• LO至RF隔离：35 dB（典型值）• LO至IF隔离：35 dB（典型值）• RF至IF隔离：45 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 符合RoHS标准的18引脚、4 mm × 4 mm LGA封装应用• 微波和小型卫星地面站(VSAT)无线电• 测试设备• 军事电子战(EW)• 电子对抗(ECM)• 指挥、控制、通信和情报
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2024/4/2 16:00:07
ADMFM2000是一款双通道微波下变频器，封装系统（SiP）模块，输入射频和本地振荡器（LO）频率范围为5 GHz至32 GHz，输出中频（IF）频率范围从0.5 GHz至8GHz。一个公共LO输入信号被分割以馈送两个分离的缓冲放大器以驱动每个通道中的混频器。每个下变频路径由LNA、混频器、IF滤波器、数字步进衰减器（DSA）和IF放大器组成。ADMFM2000采用表面安装和裸模组件相结合的方式制造，具有精确的增益调节功能和低失真性能。ADMFM2000采用紧凑型屏蔽20.00 mm×14.00 mm、179球芯片级封装球栅阵列[CSP_BGA]，可在−40°C至+85°C的温度范围内工作。特点•双通道，0.5 GHz至32 GHz接收器•集成LNA•集成下变频混频器•混合器旁路集成开关•集成中频LPF:8 GHz带宽•集成DSA•衰减范围：31 dB，步长为1 dB•单个普通LO输入•50Ω匹配输入和输出•20.00 mm×14.00 mm，179球CSP_BGA
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2024/4/2 15:56:30
2024 年 3 月 26 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布率先在业内推出基于内部自研CPU内核构建的通用32位RISC-V微控制器（MCU）——R9A02G021。尽管多家MCU供应商最近加入了投资联盟以推动RISC-V产品的开发，但瑞萨已独立设计并测试了一款全新RISC-V内核——该内核现已在商用产品中实现应用，并可在全球范围内销售。全新的R9A02G021 MCU产品群为嵌入式系统设计人员提供了一条清晰的路径，让他们能够基于开源指令集架构（ISA）开发各种功耗敏感及成本敏感型应用。 虽然当今的RISC-V解决方案大多针对特定应用，而R9A02G021产品群MCU则面向多个终端市场而设计，包括物联网、消费电子产品、医疗设备、小家电和工业系统等。与现有通用MCU类似，设计人员可以充分利用瑞萨及其广泛工具链合作伙伴网络为R9A02G021搭建的全面开发环境，从而使他们能够显著降低成本、节省工程资源，并缩短开发时间。Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示：“从我们的RISC-V专用ASSP到此款新型通用MCU，我们的目标是为客户提供商业上可行的产品，使其能够快速投入量产，同时展示RISC-V架构的优势。此外，客户经常面对复杂的设计挑战和权衡，如性能、功耗、内存或CPU架构的取舍。全新RISC-V MCU为希望采用开放式架构的客户，带来更多选择。”作为早期采用RISC-V的供应商，瑞萨拥有丰富的RISC-V特定应用产品，包括32位语音控制和电机控制ASSP产品，以及基于Andes Technology CPU内核的RZ/Five 64位通用微处理器（MPU）。R9A02G021产品群作为基于瑞萨自研RISC-V内...
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2024/4/2 10:57:48
这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。在表面贴装封装中，H2PAK-2（2 引线）和 H2PAK-7（7 引线）适用于有散热基板的底部散热设计或有热通孔或其他增强散热功能的 PCB板。两款新产品还提供 HU3PAK和ACEPACK™ SMIT顶部散热表面贴装封装。STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款产品STH60N099DM9-2AG，是一款采用H2PAK-2封装符合 AEC-Q101标准的 27A N沟道 600V 器件，典型导通电阻 RDS(on) 为 76mΩ。 意法半导体将扩大该产品系列，提供型号齐全的产品，涵盖更宽的额定电流范围和 23mΩ 到 150mΩ 的 导通电阻RDS(on)。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:55:59
全球半导体产业发展在2023年经历了较大波动。Omdia最新的行业报告显示，半导体行业的收入从2022年的5977亿美元下降到2023年的5448亿美元，下降9%。在经历了两年创纪录的增长之后，这一降幅突显出半导体市场的周期性。“先前半导体需求激增，导致市场短缺，但情况发生了逆转。由于宏观经济因素，需求有所减弱，而半导体元件供应有所增加，”Omdia高级研究分析师Cliff Leimbach评论道。2023年，尽管半导体行业整体低迷，人工智能却成为该行业的重要增长动力，专注于该领域的公司从中受益。英伟达是这一领域明显的赢家，其半导体收入从2022年增加了一倍多，到2023年达到490亿美元。英伟达的发展轨迹凸显了这一成就，因为2019年其半导体收入还不到100亿美元。值得注意的是，英伟达并不是唯一受益于这一趋势的公司。2023年，汽车领域在半导体市场的影响力更大，收入增长超过15%，超过750亿美元。电动汽车的增加以及汽车智能化的融合正在推动该领域对半导体的需求，约占整个半导体市场的14%。“英伟达半导体收入的快速增长使其在2023年成为收入第二大的半导体公司，仅次于英特尔。三星是2022年的行业领导者，但由于其内存收入比2021年下降了近一半，到2023年跌至第三位。”Leimbach补充道。经济低迷对主要内存制造商的影响尤为明显，按营收计算，这些制造商传统上都是排名前几位的半导体公司。此前，从2017年到2021年，三星电子、SK海力士、美光科技的销售额都排在前5位。但是，在存储器市场严峻的情况下，到2023年，三星电子排在第3位，SK海力士排在第6位，美光科技排在第12位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:51:23
成均馆大学化学工程学院教授权锡俊在参加韩国投资信托管理公司主办的2024年ACE半导体新闻发布会时表示，「AI半导体一词被广泛用来指代用于各种用途的芯片，例如学习、推理、创建、终端、服务器和云使用。随着市场多元化，英伟达和HBM的垄断结构可能会被打破。」权锡俊教授预测，由于不可能有一种通用芯片能够满足人工智能的所有不同应用，因此对包括DRAM在内的各种产品的需求将会增加。他提到，「三星电子和Naver宣布的「Mach 1」人工智能芯片不采用 HBM，而是使用低功耗 LPDDR5内存。与 HBM相比，LPDDR5的带宽较低，但价格更便宜且功耗更低，随着此类模型的出现，这可能会导致AI芯片的多样化。」预计今年内存业务将有所改善，三星电子由于其早期投资，有望从DRAM中获得可观的收益。「随着兴趣从HBM转移，HBM和DRAM之间的价格差距从5-6倍缩小到2-3倍，生产稳定产量的DRAM可能会变得有利。三星电子作为HBM的后来者，也可能会与AMD等公司进行战略合作。」权锡俊教授补充道。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:50:49
ADPA9002 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 功率放大器，工作频率范围为直流至 10 GHz。该放大器可以提供 15 dB 的增益、42 dBm 的 OIP3 和 31.5 dBm 的饱和输出功率 (PSAT)，只需要 12 V 的工作电压和 385 mA 的工作电流。ADPA9002 在正常工作时自偏置，并具有可选偏置控制以进行电源静态电流 (IDQ) 调整。该放大器适用于军用和航空航天以及测试设备应用。ADPA9002 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，采用符合 RoHS 指令的 5 mm × 5 mm LFCSP 预制腔体封装，与大批量表面贴装技术 (SMT) 组装设备兼容。特点• OP1dB：29 dBm（典型值）• 增益：高达 15 dB（典型值）• OIP3：高达 43 dBm（典型值）• 385 mA 时自偏置电压 VDD = 12 V（典型值），VGG1 上提供可选偏压控制以进行 IDQ 调整• 50 Ω 匹配输入/输出• 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP
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2024/3/27 15:33:55
HMC797APM5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，工作频率范围为DC至22 GHz。该放大器提供13.5 dB增益、39 dBm输出IP3和+28 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400 mA（采用+10 V电源）。该多功能PA在4至20 GHz范围内具有正增益斜率，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。HMC797APM5E放大器I/O内部匹配至50 Ω，方便集成到多芯片模块（MCM）中，采用无引脚QFN 5×5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。特点• 高P1dB输出功率：28 dBm• 高Psat输出功率：29.5 dBm• 高增益：13.5 dB• 高输出IP3：39 dBm• 电源电压：+10 V（400 mA时）• 50 Ω匹配输入/输出• 32引脚5×5 mm SMT封装：25 mm2
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2024/3/27 15:29:02
HMC441LH5是一款宽带7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用密封型SMT无引脚封装。 该放大器提供15 dB增益，饱和功率为21.5 dBm（25% PAE时），电源电压为+5V。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件，且RF I/O经过隔直，非常适合用作线性增益模块或驱动放大器。 HMC441LH5可以使用表贴制造技术，适用于高可靠性军事、工业和空间应用。特点• 增益： 15 dB• 饱和功率：+21.5 dBm (25% PAE)• 单正电源： +5V• 50 Ω匹配输入/输出• 密封型SMT封装，25mm²• 按照MIL-PRF-38535筛选
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2024/3/27 15:27:41
HMC865LC3是一个限幅放大器，采用无引脚3x3 mm陶瓷表贴封装，支持高达43 Gbps工作速率。 该放大器提供30 dB差分增益。 使用VAC模拟控制输入，可在高达800 mVp-p差分范围内调节输出电压摆幅。 32 Gbps工作速率时，加性rms抖动低于300 fs。 HMC865LC3具有内部直流失调校正电路，提供差分10 mVpp输入灵敏度。HMC865LC3的所有输入/输出RF信号以50 Ω端接至片上+3.3V，可采用交流或直流耦合。 器件的输出可采用差分或单端配置工作。 输出可直接连接50 Ω端接系统（以3.3V为基准），如果端接系统通过50 Ω连接非3.3V电平，则可使用隔直电容。特点• 支持高达43 Gbps的数据速率• 低功耗： 300 mW（Vcc = +3.3V）• 差分小信号增益： 30 dB• 高输入灵敏度： 10 mVp-p（差分）• 3 dB带宽： 26.5 GHz• 高达800 mVp-p差分的可调输出电压摆幅• 16引脚3x3mm SMT封装： 9mm²
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2024/3/27 15:25:08
HMC463LP5(E)是一款GaAs MMIC pHEMT低噪声AGC分布式放大器，采用无铅5x5 mm表贴封装，工作频率范围为2至20 GHz。 该放大器提供13 dB增益、2.8 dB噪声系数和18 dBm输出功率（1 dB增益压缩），采用+5V电源时功耗仅为60mA。 它还提供可选的栅极偏置(Vgg2)，可调增益控制(AGC)可达到8 dB（典型值）。 HMC463LP5(E)在6 - 18 GHz范围内提供0.5 dB的出色增益平坦度，因而非常适合EW、ECM雷达和测试设备应用。 HMC463LP5(E) LNA I/O内部匹配50 Ω，并经过内部隔直。特点• 增益： 13 dB• 噪声系数： 2.8 dB (10 GHz)• P1dB输出功率： +18 dBm (10 GHz)• 电源电压： +5V (60mA)• 50 Ω匹配输入/输出• 32引脚5x5mm SMT封装： 25mm²
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2024/3/27 15:20:22
HMC998APM5E是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器，工作频率范围为DC至22 GHz。该放大器提供+15 dB增益、+42 dBm输出IP3和+32 dBm输出功率（1dB增益压缩），功耗仅为500mA（采用+15V电源）。HMC998APM5E在3至17 GHz范围内具有略正增益斜率，因而非常适合军事、太空和测试设备应用。HMC998APM5E放大器I/O内部匹配至50 Ω，采用符合RoHS标准的5x5 mm QFN无铅表贴封装。特点• P1dB输出功率：+32 dBm• Psat输出功率：+34 dBm• 高增益：15 dB• 输出IP3：+42 dBm• 电源电压：Vdd = +15V (500 mA)• 50 Ω匹配输入/输出• 32引脚5×5 mm SMT封装：25 mm2
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2024/3/27 15:18:37
HMC464LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在2 GHz到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供14 dB增益、+30 dBm输出IP3和+26 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为290 mA（采用+8V电源）。 HMC464LP5(E)在2 - 18 GHz范围内的增益平坦度非常出色，因而非常适合EW、ECM、雷达驱动放大器以及测试设备应用。 宽带放大器I/O内部匹配50 Ω。特点• 输出功率： +26 dBm P1dB• 增益： 14 dB• 输出IP3： +30 dBm• 电源电压： +8V (290 mA)• 50 Ω匹配输入/输出• 25 mm²无引脚SMT封装
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2024/3/27 15:13:38
ADPA1105是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在带宽范围为0.9 GHz至1.4 GHz时提供46 dBm (40 W)功率和60%典型功率附加效率(PAE)。ADPA1105在0.9 GHz至1.4 GHz带宽范围内提供±0.5 dB增益平坦度。ADPA1105非常适合脉冲应用，如无线基础设施、雷达、公共移动无线电和通用放大。ADPA1105采用带预制空腔的32引脚架构芯片级封装(LFCSP_CAV)。特点• PIN的输出功率 = 19 dBm：46 dBm（典型值）• 小信号增益：34.5 dB（典型值，0.9 GHz至1.4 GHz时）• PIN的功率增益 = 19 dBm：27 dB（典型值）• 带宽：0.9 GHz至1.6 GHz• PIN的PAE = 19 dBm：60%（典型值），0.9 GHz至1.4 GHz时• 电源电压：VDD = 50 V（400 mA，10%占空比）• 32引脚、5 mm × 5 mm LFSCP_CAV封装
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2024/3/27 15:03:38
HMC760LC4B是一款SiGe单芯片、全差分、单列、采样保持(T/H)放大器，面向宽带采样信号系统提供前所未有的带宽和动态范围性能。 此款放大器在5 GHz的带宽范围内提供精密的信号采样，在DC至5 GHz的输入频率范围内具有9至10位线性度、0.9 mV噪声和特点• 输入带宽：5 GHz（1 Vpp满量程）• 最大采样速率：4 GS/s• ≥66 dB SFDR（0.5 Vpp输入，CLK = 1 GS/s）• ≥56 dB SFDR（1 Vpp输入，CLK = 1 GS/s）• 直接耦合I/O• 超洁净输出波形，最小毛刺• 60 dB保持模式馈通抑制• 0.9 mV RMS保持模式输出噪声• 符合RoHS标准的4x4 mm SMT封装
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2024/3/27 14:59:25
HMC7543是一款集成式E波段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)中等功率放大器，集成温度补偿型片上功率检波器，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC7543提供21.5 dB增益、25 dBm输出功率（1 dB压缩）和26.5 dBm饱和输出功率（20%功率附加效率(PAE)），采用4 V电源供电。 HMC7543提供出色的线性度并针对E频段通信和高容量无线回程无线电系统进行优化。 放大器配置和高增益使其成为天线之前最后一级信号放大的较佳选择。 所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过各端口上宽度为3 mil、厚度为0.5 mil、长度为7 mil的焊线连接。特点• 增益： 21.5 dB（典型值）• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率： 25 dBm（典型值）• 饱和输出功率(PSAT)： 26.5 dBm（典型值）• 输出三阶交调截点(OIP3)： 30 dBm（典型值）• 输入回波损耗： 12 dB（典型值）• 输出回波损耗： 12 dB（典型值）• 直流电源： 4 V (450 mA)• 无需外部匹配• 裸片尺寸： 3.599 mm × 1.999 mm × 0.05 mm
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2024/3/27 14:57:48