SN65HVD230控制器局域网（CAN）收发器与ISO 11898-2高速CAN物理层标准（收发器）的规范兼容。这些设备设计用于高达每秒1兆比特（Mbps）的数据速率，并包括许多提供设备和CAN网络稳健性的保护功能。SN65HVD23x收发器设计用于德州仪器3.3 VµP、带有CAN控制器或等效协议控制器设备的MCU和DSP。这些设备旨在用于根据ISO 11898标准采用CAN串行通信物理层的应用中。特点使用单个3.3 V电源运行•与ISO 11898-2标准兼容•PCA82C250封装的低功耗更换•总线引脚ESD保护超过±16 kV HBM•高输入阻抗允许总线上最多120个节点•可调节的驱动器转换时间，可提高排放性能–SN65HVD230和SN65HVD231•SN65HVD230：低电流待机模式–370μA典型•SN65HVD231：超低电流睡眠模式–40 nA典型•专为高达1Mbps的数据速率（1）而设计•热停堆保护•开路故障安全设计•热插拔应用的无故障通电和断电保护
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2024/3/25 16:12:51
ADS1110是一款精度高、连续自校准的模数（A/D）转换器，在小型SOT23-6封装中具有差分输入和高达16位的分辨率。车载2.048V参考电压差分提供±2.048V的输入范围。ADS1110使用I2C兼容串行接口，通过2.7V至5.5V的单电源供电。ADS1110可以以每秒15、30、60或240个样本的速率执行转换。板载可编程增益放大器（PGA）提供高达8的增益，允许以高分辨率测量较小的信号。在单转换模式下，ADS1110在转换后自动断电，大大降低了空闲期间的电流消耗。ADS1110专为需要高分辨率测量的应用而设计，其中空间和功耗是主要考虑因素。典型的应用包括便携式仪器、工业过程控制和智能变送器。特点•小型SOT23-6包中的完整数据采集系统•车载PGA•车载振荡器•16位无缺失代码•INL：FSR最大值的0.01%•持续自我校准•单循环转换•可编程数据速率：15SPS至240SPS•I2C™接口——八个可用地址•电源：2.7V至5.5V•低电流消耗：240µA•应用程序•便携式仪器•工业过程控制•智能变送器•消费品•工厂自动化•温度测量
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2024/3/25 16:09:00
ADS1256是极低噪声的24位模数（A/D）转换器。它们为最苛刻的应用提供了完整的高分辨率测量解决方案。转换器由四阶Δ∑调制器和可编程数字滤波器组成。柔性输入多路复用器处理差分或单端信号，并包括用于验证连接到输入的外部传感器的完整性的电路。可选输入缓冲器大大增加了输入阻抗，低噪声可编程增益放大器（PGA）以二进制步长提供从1到64的增益。可编程滤波器允许用户在高达23位的无噪声分辨率和高达每秒30k个样本（SPS）的数据速率之间进行优化。转换器提供用于测量多路复用输入的快速通道循环，并且还可以执行仅在单个循环中稳定的单次转换。通信通过SPI兼容的串行接口进行处理，该接口可以通过2线连接进行操作。板载校准支持所有PGA设置的偏移和增益误差的自身和系统校正。提供双向数字I/O和可编程时钟输出驱动器用于一般用途。ADS1256封装在SSOP-28中。特点•24位，无缺失代码•所有数据速率和PGA设置•高达23位无噪声分辨率•±0.0010%非线性（最大值）•数据输出速率达到30kSPS•快速通道循环•在1.45kHz时，18.6位无噪声（21.3有效位）•单循环设置的一次性转换•带传感器检测的灵活输入多路复用器•斩波器稳定输入缓冲器•低噪声PGA:27nV输入参考噪声•所有PGA设置的自身和系统校准•5V容错SPI™-兼容串行接口•模拟电源：5V•数字电源：1.8V至3.6V•功耗•正常模式下低至38mW•待机模式下0.4mW
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2024/3/25 16:06:44
STM32H743IIT6设备基于高性能Arm®Cortex®-M7 32位RISC内核，工作频率高达480 MHz。Cortex®-M7核心采用浮点单元（FPU），支持Arm®双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H743IIT6设备支持全套DSP指令和内存保护单元（MPU），以增强应用程序的安全性。STM32H743IIT6设备包含高速嵌入式存储器，具有高达2兆字节的双组闪存、高达1兆字节的RAM（包括192千字节的TCM RAM、高达864千字节的用户SRAM和4千字节的备份SRAM），以及连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。特点•ROP、PC-ROP、主动夯实机•通用输入/输出•多达168个具有中断功能的I/O端口•重置和电源管理•D2：通信外围设备和定时器•D3：复位/时钟控制/电源管理•1.62至3.6 V应用电源和I/O•POR、PDR、PVD和BOR•专用USB电源嵌入3.3 V内部调节器，为内部PHY供电•嵌入式调节器（LDO），具有可配置的可扩展输出，为数字电路供电•运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）•备用调节器（~0.9 V）•模拟外围设备/VREF的参考电压+•低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT•低功耗
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2024/3/25 16:03:23
STM32F103RET6E性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器（闪存高达512 KB，SRAM高达64 KB），以及连接到两条APB总线的广泛增强型I/O和外围设备。所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。STM32F103RET6高密度性能线系列在–40至+105°C的温度范围内运行，电源电压为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用程序。这些功能使STM32F103RET6高密度性能线微控制器系列适用于广泛的应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统视频对讲和暖通空调。特性•256至512 KB的闪存•高达64 KB的SRAM•具有4芯片选择功能的灵活静态存储器控制器。支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器•LCD并行接口，8080/6800模式•时钟、重置和供应管理•2.0至3.6 V应用电源和I/O•POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）•4至16 MHz晶体振荡器•内部8 MHz工厂微调RC•带校准的内部40 kHz RC•32 kHz振荡器，用于带校准的RTC•低功率•睡眠、停止和待机模式•用于RTC和备份寄存器的VBAT电源•3×12位，1μs A/D转换器（最多21个通道）•转换范围：0至3.6 V•三重采样和保持能力•温度传感器•2×12位D/A转换器•DMA：12通道DMA控制器
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2024/3/25 15:54:13
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。与上一代OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ 6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS™ 6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。OptiMOS™ 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 11:03:50
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。Mehrotra并且提到，美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:58:45
3月20日，安徽省统计局、国家统计局安徽调查总队发布了2023年安徽省国民经济和社会发展统计公报。初步核算，全年全省生产总值（GDP）47050.6亿元，比上年增长5.8%。新兴动能不断增强。规模以上工业中，高新技术产业增加值比上年增长11.2%，占规模以上工业增加值比重为49.1%；装备制造业增加值增长13.3%，占规模以上工业增加值比重为38.7%；战略性新兴产业产值增长12.2%，占规模以上工业总产值比重为42.9%。全年汽车全产业链营业收入突破万亿元，达1.16万亿元，比上年增长28.5%。全年规模以上工业增加值比上年增长7.5%。分行业看，41个工业大类行业中有28个行业增加值保持增长。其中，化学原料和化学制品制造业增长4.2%，非金属矿物制品业增长5.6%，汽车制造业增长33.9%，电气机械和器材制造业增长20.0%，计算机、通信和其他电子设备制造业增长4.2%。工业产品中，集成电路和液晶显示屏产量分别增长116.3%和21.3%，汽车产量249.1万辆，增长48.1%，其中新能源汽车产量86.8万辆，增长60.5%。集成电路产量60.4亿块，液晶显示屏产量7.5亿片。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:56:45
近日，意法半导体宣布推出基于18nm全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术和嵌入式相变存储器 (ePCM) 的工艺，以支持下一代嵌入式处理设备。意法半导体表示，这项和三星代工厂共同开发的新工艺技术，为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃，同时允许更大的内存容量和更高水平的模拟和数字外设集成。对于业界最关心的新款STM32产品，意法半导体表示，首款基于新技术的下一代STM32 MCU将于2024年下半年开始向特定客户提供样品，计划于2025年下半年投入生产。与目前使用的ST 40nm eNVM技术相比，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺制造的产品取得了巨大的飞跃：能耗比提高50%以上；非易失性存储器 (NVM) 密度提高2.5倍，可实现更大的片上存储；数字密度提高3倍，可集成AI和图形加速器等数字外设以及安全功能；噪声系数改善3dB，增强无线MCU的射频性能。此外，ST的PCM+FD-SOI技术能够在低至18 nm的3V电压下运行，以提供电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能，目前它是唯一支持此功能的20nm节点以下技术。同时，该技术还凭借在汽车应用中已得到验证的强大高温操作、辐射硬化和数据保留功能，提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性。此前，通用MCU制程卡在40nm多年，主要受限于内部Flash存储工艺，这套量产工艺掌握在台积电等少数代工厂手上，2020年开始的28/40nm制程严重短缺也挤占了大量eFlash工艺产能。意法半导体基于自家28nm FD-SOI推出了Stellar G和P系列，分别用于网关、控制等，和三星（主攻MRAM存储技术）合作多年同时又对自有PCM存储技术有充分自信。未来几年，下一代“超强”通用STM32的到来也许将重新点燃通用MCU领域的工艺争夺战。早在2018年，汽车MCU大佬瑞萨就推出了基于28nm eFlash技术的M...
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2024/3/25 10:53:23
美商存储大厂美光近日公布2024财年第二季财报，因受惠AI硬件需求强烈带动，使得整体营收成绩比市场预期强劲，整体营运也意外转亏为盈，连五季亏损的阴霾至此结束，加上预期接下来第三季营收更加强劲，美光在美股盘后股价大涨18%，带动今日台系存储类股走势。美光第二季受惠DRAM和NAND Flash价格同步走扬，单季营收金额来到58亿美元，较第一季增加23%，优于预期的51亿至55亿美元。毛利率20%，也优于预期11.5%~14.5%，营运由亏转盈，税后净利4.76亿美元，EPS到0.42美元。第三季营收可望进一步达64亿至68亿美元，毛利率也攀升到25%~28%，EPS 0.38~0.52美元。整体2024会计年度DRAM和NAND Flash市场都供不应求，2025会计年度可望创新高，获利也将大幅改善。因美光第二季业绩亮眼，带动台系存储类股走势。南亚科在接近尾盘时攻上涨停价位，每股新台币67.6元，华邦电与旺宏分别超过6%及3%涨幅。模组厂威刚攻上超过半根停板，十铨更涨近8%。存储市场数据中心部分，DRAM受惠需求成长，尤其HBM、DDR5人工智能与高效能运算都开始获利。跌幅较深NAND Flash也因2023下半年价格陆续回温，2024年第一季使部分供应商赚钱，第二季后多数供应商都有获利。增产时间点最快下半年后，2025上半年维持这波涨价行情，持续向上可维持约两年。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:51:45
LM319是一款双高速电压比较器，设计用于从单个+5V电源到±15V双电源运行。输出级的集电极开路使LM319与RTL、DTL和TTL兼容，并能够在高达25mA的电流下驱动灯和继电器。在±15V电源的情况下，典型的80ns响应时间使LM319非常适合应用于快速A/D转换器、电平移位器、振荡器和多谐振荡器。特点•通过单一5V电源工作•±15V时的响应时间通常为80ns•开路集电极输出：高达+35V•高输出驱动电流：25mA•输入和输出可以与系统接地隔离•最少2个风扇（每侧）•两个独立的比较器引脚图
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2024/3/22 17:02:14
LM324系列是具有真正差分输入的低成本四运算放大器。在单电源应用中，与标准运算放大器类型相比，它们具有几个明显的优势。四元放大器可以在低至3.0V或高至32V的电源电压下工作，静态电流约为与MC1741相关的静态电流的五分之一（基于每个放大器）。共模输入范围包括负电源，从而在许多应用中消除了外部偏置部件的必要性。输出电压范围还包括负电源电压。特点•短路保护输出•真差分输入级•单电源操作：3.0 V至32 V（LM224、LM324、LM324A）•低输入偏置电流：最大100 nA（LM324A）•每个封装四个放大器•内部补偿•共模范围扩展到负电源•行业标准引脚•输入上的ESD夹可在不影响设备操作的情况下提高耐用性引脚图
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2024/3/22 16:58:44
LM70是一款温度传感器、 Delta-Sigma模数转换器，具有WSON和VSSOP 8引脚封装的SPI和MICROWIRE兼容接口。主机可以随时查询LM70来读取温度。关闭模式可将功耗降至10µA以下。这种模式在低平均功耗至关重要的系统中很有用。在−55°C至+150°C的温度范围内，LM70工作时具有10位加号温度分辨率（每个LSB 0.25°C）。LM70的2.65V至5.5V电源电压范围、低电源电流和简单的SPI接口使其成为广泛应用的理想选择。其中包括硬盘驱动器、打印机、电子测试设备和办公电子设备中的热管理和保护应用。特点•0.25°C温度分辨率。•关闭模式可在温度读数之间节省电源•SPI和MICROWIRE总线接口•VSSOP-8和WSON-8软件包可节省空间•UL认可的组件关键规范-电源电压2.65V至5.5V•供电电流-工作260μA（典型值）490μA（最大值）•停机12μA（典型值）引脚图
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2024/3/22 16:45:51
LM336-2.5集成电路是精密的2.5V并联稳压器。单片IC电压基准作为具有0.2W动态阻抗的低温系数2.5V齐纳工作。LM336-2.5上的第三个端子允许容易地调整参考电压和温度系数。LM336-2.5可用作数字电压表、电源或OP-AMP电路的精密2.5V低电压参考。2.5V便于从低压电源获得稳定的参考电压。此外，由于LM336-2.5用作并联调节器，因此它们可以用作正电压参考或负电压参考。特点•低温系数•保证温度稳定性4mV典型• 0.2Ω 动态阻抗•±1.0%的初始公差可用•易于微调以实现最低温度漂移内部框图
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2024/3/22 16:35:07
这些电路由四个独立的高增益运算放大器组成，内部实现频率补偿。它们通过单一电源在宽电压范围内工作。从分开的电源进行操作也是可能的，并且低功率电源电流消耗与电源电压的大小无关。特点•宽增益带宽：1.3 MHz•输入共模电压范围包括接地•大电压增益：100 dB•极低电源电流/放大器：375µA•低输入偏置电流：20 nA•低输入电压：最大3 mV•低输入偏移电流：2 nA•电源范围广：•单电源：3 V至30 V•双电源：±1.5 V至±15 V引脚图
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2024/3/22 16:32:10
LM2577是单片集成电路，提供升压（升压）、反激式和正向转换器开关调节器的所有功率和控制功能。该设备有三种不同的输出电压版本：12V、15V和可调。这些调节器需要最少数量的外部组件，具有成本效益，使用简单。本数据表中列出了一系列标准电感器和反激式变压器，旨在与这些开关稳压器配合使用。芯片上包括一个3.0A NPN开关及其相关保护电路，包括电流和热限制以及欠压锁定。其他特征包括不需要外部组件的52 kHz固定频率振荡器、用于在启动期间减少冲击电流的软启动模式以及用于改善对输入电压和输出负载瞬变的抑制的电流模式控制。特点•几乎不需要外部组件•NPN输出开关3.0A，可耐受65V•宽输入电压范围：3.5V至40V•改善瞬态响应、线路调节和电流限制的电流模式操作•52 kHz内部振荡器•软启动功能可减少启动过程中的冲击电流•输出开关受电流限制、欠压锁定和热关闭保护引脚图
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2024/3/22 16:25:30
STM32F103C8T6中密度性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器（闪存高达128 KB，SRAM高达20 KB），以及连接到两条APB总线的广泛增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。这些设备的工作电压为2.0至3.6伏。它们在-40至+85°C温度范围和-40至+105°C扩展温度范围内都可用。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用程序。STM32F103C8T6中密度性能线系列包括六种不同封装类型的器件：从36引脚到100引脚。根据所选设备的不同，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了该系列中提出的完整外围设备范围。这些功能使STM32F103C8T6中密度高性能线微控制器系列适用于广泛的应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC。特点•最大频率为72 MHz，0等待状态内存访问时的1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性能•单循环乘法和硬件除法•64或128 KB的闪存•20 KB的SRAM•时钟、重置和供应管理•2.0至3.6 V应用电源和I/O•POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）•4至16 MHz晶体振荡器•内部8 MHz工厂微调RC•内部40 kHz RC•用于CPU时钟的PLL•32 kHz振荡器，用于带校准的RTC•睡眠、停止和待机模式•用于RTC和备份寄存器的VBAT电源•2 x 12位，1μs A/D转换器（最多16个通道）引脚图
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2024/3/22 16:15:26
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。Mehrotra并且提到，美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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