日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉...
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2024/3/18 14:49:59
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列适用于最高1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。除了2000 V CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
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2024/3/18 14:36:07
华邦电敲定DDR3二季度合约价：涨价10%，急单及加单另计。中国台湾工商时报3月15日报道，存储芯片厂商华邦电第二季DDR3新合约价格已最终敲定，据调查指出，华邦电成功涨价10%，急单及加单另计，整体平均涨幅不会到20%。主要调涨原因是AI、网通需求窜升，DDR3供给吃紧。据调查，华邦电在第一季实际上并未调涨DRAM或NOR报价，以换取出货量成长。不过，第二季主力DDR3产品，则已确定调涨至双位数以上涨幅。业内人士认为，华邦电喊涨成功后，客户会有涨价预期心理，愿意提早下单，或将带动此类产品短期需求上升。随着高阶DRAM库存调整完毕及控制产出，价格已出现反弹，利基型DRAM市场价格也逐步回升，市场调研机构多预期，存储器产业在2024年下半年将达到供需平衡。华邦电对此表示，不评论价格问题。（来源：今日芯闻整理）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/18 14:32:10
单片机是一种集成了微处理器、存储器和各种输入/输出设备的微型计算机系统。它通常被用于控制和执行特定的任务，如家用电器、汽车电子系统、医疗设备、工业自动化等。单片机的基本概念包括以下几个方面：单片机是一种封装在单个芯片上的微处理器。它通常包含中央处理器（CPU）、存储器（ROM、RAM）以及各种输入/输出设备（GPIO、串口、定时器等）。这种集成设计使得单片机在体积小、功耗低、成本低的同时，具有较高的性能和灵活性。单片机具有独立的工作能力。单片机可以独立运行，无需外部设备的支持。它可以通过编程实现各种功能，如数据处理、控制逻辑、通信等。这种独立性使得单片机在各种应用场景中得到广泛应用。单片机具有实时性和可编程性。单片机可以根据特定的需求进行编程，实现各种功能。而且，单片机可以实时响应外部事件，快速完成任务。这种实时性和可编程性使得单片机在控制系统中具有重要的作用。总的来说，单片机是一种集成了微处理器、存储器和各种输入/输出设备的微型计算机系统，具有独立的工作能力、实时性和可编程性。它在各种领域中得到广泛应用，是现代电子技术中不可或缺的一部分。
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2024/3/15 16:27:07
集成电路是一种将数百万个电子元件集成在同一块硅片上的微型电路。它是现代电子设备中最基本的组成部分之一，几乎所有的电子设备都离不开集成电路的应用。集成电路的发明是电子技术领域的一次革命性突破，它极大地提高了电子设备的性能、降低了成本，并减小了设备的体积。集成电路的核心是芯片，也就是将电子元件集成在硅片上的微型电路。通过在芯片上布置晶体管、电容器、电阻器等元件，并连接它们，就可以实现各种功能，如处理信号、存储数据等。集成电路按照功能和规模的不同可以分为不同类型，如模拟集成电路、数字集成电路、混合集成电路等。模拟集成电路主要用于处理连续信号，如声音、图像等；数字集成电路主要用于处理离散信号，如计算机中的逻辑运算；混合集成电路则结合了模拟和数字功能。随着技术的不断进步，集成电路的功能越来越强大，性能越来越稳定。它已经成为现代电子设备中不可或缺的一部分，推动了信息技术的快速发展。
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2024/3/15 16:19:47
PCB板是一种用于支持和连接电子元件的基板，它是电子产品中必不可少的组成部分。以下是关于PCB板的基础知识全面介绍：1. PCB板的结构和组成：PCB板通常由一层或多层的玻璃纤维材料（FR-4）、塑料材料或金属材料组成。这些材料都具有良好的绝缘性能和机械性能。PCB板的主要组成部分包括铜箔层（用于导电）、绝缘层和覆盖层（通常是防腐蚀的表面处理）。2. PCB板的主要作用：PCB板作为电子元器件的支撑和连接基座，通过导线路将各个元件连接在一起，形成完整的电路。PCB板可以提供电路的稳定性、可靠性和重复性，并减少零部件间的连接错误和交叉干扰。3. PCB板的种类：单层PCB板：只有一层导线电路，通常用于简单的电子产品。双层PCB板：具有两层导线电路，用于中等复杂度的电子产品。多层PCB板：具有三层或更多层导线电路，可以实现更复杂的功能和连接方式。4. PCB板的设计流程：PCB板设计通常包括原理图设计、布局设计、连线设计、层叠设计、最终检查等步骤。常用的设计软件包括Altium Designer、EAGLE、KiCad等，设计人员需要具备一定的电路设计和PCB设计经验。5. PCB板的制造工艺：PCB板的制造包括原材料准备、光绘、腐蚀、镀铜、掩膜、焊接、检查等多个环节。PCB板制造厂家通常会根据客户的设计要求和规格要求来制作定制的PCB板。总的来说，PCB板在电子产品中扮演着至关重要的作用，它的设计和制造质量直接影响到整个电子产品的稳定性和性能。深入了解PCB板的基础知识有助于更好地理解电子产品的工作原理和制造过程。
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2024/3/15 16:14:09
什么是衰减器？衰减器一般是把大电压信号衰减到一定的比例倍数（一般指功率衰减），达到安全或理想的电平值，方便测试工作，尤其在射频和微波中运用广泛。衰减器原理衰减器的工作原理是通过插入适当的电阻来减小信号的幅度或功率。以下是几种常见的衰减器工作原理：固定衰减器固定衰减器是最基本的衰减器类型之一。它由一个或多个固定值的电阻组成，在信号传输线路上起到衰减作用。固定衰减器的衰减值是事先确定的，并且无法进行调节。可变衰减器可变衰减器允许用户根据需要来调节衰减值。它通常由一个或多个可变电阻组成，通过调节电阻值的大小来控制信号的衰减程度。可变衰减器提供了更大的灵活性和可调性，适用于需要动态调整信号强度的应用。反射式衰减器反射式衰减器利用信号的部分反射来实现衰减。它包含一个固定值的衰减电阻和一个可调的反射电阻。通过调节反射电阻的大小，一部分信号会被反射回源端，从而实现不同的衰减程度。衰减器的作用它的主要作用是：（1）调整电路中信号的大小；（2）在比较法测量电路中，可用来直读被测网络的衰减值；（3）改善阻抗匹配，若某些电路要求有一个比较稳定的负载阻抗时，则可在此电路与实际负载阻抗之间插入一个衰减器，能够缓冲阻抗的变化。衰减器常见参数1.哀减量:这是描述传输过程中信号减少的量值，通常用分贝(dB）表示。⒉.通频带:这是衰减器能够正常工作的频率范围。3.输入输出阻抗:衰减器的输入输出阻抗应该与信号源和负载的阻抗匹配，以确保最小的信号反射。4.温度系数:对于高精度应用来说，这是一个非常重要的参数，它表示在不同温度下衰减量的变化情况。5.功率承受能力:最大输入功率和最大输出功率。6.平均衰减量:在通频带内的平均衰减量。7.相对于中心频率的衰减量变化:衰减器的频率响应曲线可以确定它是否适合特定的应用场景。8.插入损耗:这是衰减器引入信号的额外损耗，一般用分贝表示。9.VSWR (比驻波比)︰这是衰减器的...
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2024/3/15 16:06:52
AD9235属于单芯片、12位、20/40/65 MSPS模数转换器（ADC）系列，采用3 V单电源供电，该系列均内置一个高性能采样保持放大器（SHA）和基准电压源。AD9235采用多级差分流水线架构，内置输出纠错逻辑，在20/40/65 MSPS数据速率时可提供12位精度，并保证在整个工作温度范围内无失码。利用宽带宽、真差分采样保持放大器（SHA），用户可以选择包括单端应用在内的各种输入范围和偏移。该器件适用于在连续通道中切换满量程电平的多路复用系统，以及采用远超过Nyquist速率的频率对单通道输入进行采样。与以前的模数转换器相比，AD9235的功耗与成本均有所降低，适用于通信、成像和医疗超声等应用。采用一个单端时钟输入来控制内部转换周期。一个占空比稳定器（DCS）用来补偿较大的时钟占空比波动，同时保持出色的ADC总体性能。数字输出数据格式为标准二进制或二进制补码。超量程（OTR）信号表示溢出状况，可由最高有效位来确定是下溢还是上溢。AD9235采用CMOS工艺制造，提供28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP）和32引脚芯片级封装（LFCSP），额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。特点• +3 V单电源供电（2.7 V至3.6 V）• 信噪比（SNR）：70 dBc（至Nyquist频率、65 MSPS）• 无杂散动态范围（SFDR）：85 dBc（至Nyquist频率、65 MSPS）• 低功耗：300 mW （65 MSPS）• 片内基准电压源和SHA• 差分输入、500 MHz带宽• 微分非线性（DNL）：±0.4 LSB• 灵活的模拟输入范围：1 V p-p至2 V p-p• 数据格式：偏移二进制或二进制补码• 时钟占空比稳定器• 引脚排列可升级至AD9215、AD9236、AD9245引脚图
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2024/3/15 11:49:10
AD9235属于单芯片、12位、20/40/65 MSPS模数转换器（ADC）系列，采用3 V单电源供电，该系列均内置一个高性能采样保持放大器（SHA）和基准电压源。AD9235采用多级差分流水线架构，内置输出纠错逻辑，在20/40/65 MSPS数据速率时可提供12位精度，并保证在整个工作温度范围内无失码。利用宽带宽、真差分采样保持放大器（SHA），用户可以选择包括单端应用在内的各种输入范围和偏移。该器件适用于在连续通道中切换满量程电平的多路复用系统，以及采用远超过Nyquist速率的频率对单通道输入进行采样。与以前的模数转换器相比，AD9235的功耗与成本均有所降低，适用于通信、成像和医疗超声等应用。采用一个单端时钟输入来控制内部转换周期。一个占空比稳定器（DCS）用来补偿较大的时钟占空比波动，同时保持出色的ADC总体性能。数字输出数据格式为标准二进制或二进制补码。超量程（OTR）信号表示溢出状况，可由最高有效位来确定是下溢还是上溢。AD9235采用CMOS工艺制造，提供28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP）和32引脚芯片级封装（LFCSP），额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。特点• +3 V单电源供电（2.7 V至3.6 V）• 信噪比（SNR）：70 dBc（至Nyquist频率、65 MSPS）• 无杂散动态范围（SFDR）：85 dBc（至Nyquist频率、65 MSPS）• 低功耗：300 mW （65 MSPS）• 片内基准电压源和SHA• 差分输入、500 MHz带宽• 微分非线性（DNL）：±0.4 LSB• 灵活的模拟输入范围：1 V p-p至2 V p-p• 数据格式：偏移二进制或二进制补码引脚图
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2024/3/15 11:45:08
AD8130设计用作接收器，可通过双绞线传输高速信号，并与AD8131或AD8132驱动器配合工作。两款器件均可用于模拟或数字视频信号及高速数据传输。AD8130均为差分至单端放大器，在高频时具有极高的共模抑制比(CMRR)。因此，这些器件也可以有效地用作高速仪表放大器，或用于将差分信号转换为单端信号。AD8130在增益为1时保持稳定且可用于需要较低增益的应用。两款器件均具有用户可调增益以便补偿传输线路中的损耗。增益由两个电阻值的比值设置。AD8130的两个输入端均具有极高的输入阻抗，不受增益设置的影响。AD8130具有出色的共模抑制（70 dB (10 MHz)）性能，允许使用低成本、非屏蔽双绞线，而无需担心由外部噪声源或串扰造成的损坏。AD8130采用单电源供电，具有+5 V至±12 V的宽电压范围，支持宽共模和差模电压范围，同时保持信号完整性。在许多系统中，驱动和接收位置之间的地电位差为多个伏特，对于这些系统，宽共模电压范围能够使驱动器-接收器无需隔离变压器即可工作。与运算放大器和其他多放大器接收解决方案相比，AD8130的成本和性能有明显改善。特点• 高速AD8130：270 MHz，1090 V/µs (G = +1)• 高共模抑制比(CMRR)94 dB(最小值，DC至100 kHz)80 dB(最小值，2 MHz)70 dB (10 MHz)• 低噪声AD8130：12.5 nV/√Hz• 高输入阻抗：1 MΩ差分• 输入共模范围：±10.5 V• 低失真，1 V峰峰值 (5 MHz)：AD8130，-79 dBc(最差谐波，5 MHz)• 用户可调增益G = +1无需外部元件• 电源电压范围：+4.5 V至±12.6 V• 省电模式引脚图
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2024/3/15 11:36:32
AD8421是一款低成本、低功耗、极低噪声、超低偏置电流、高速仪表放大器，特别适合各种信号调理和数据采集应用。这款突破性产品具有目前较高的共模抑制比(CMRR)，可以在宽温度范围内有高频共模噪声的情况下提取低电平信号。AD8421的带宽为10 MHz，压摆率为35 V/µs，0.01% (G = 1)建立时间为0.7 µs，能够放大高速信号且在需要高通道数多路复用系统的应用中表现出众。即便在高增益的情况下，电流反馈架构也能保证此性能。例如，当G = 100时，带宽为2 MHz，建立时间为0.6 µs。AD8421有出色的失真性能，能够用在振动分析等要求苛刻的应用中。AD8421常适合用于测量低电平信号。针对具有较大源阻抗的应用，AD8421采用新颖工艺技术和创新设计技术，提供罕有的噪声性能（仅受传感器限制）。并且采用独特的输入保护方法，能在保持极低噪声的情况下保证鲁棒的输入。借助这种输入保护功能，即使电压与相反供电轨的差值达到40 V，也不会造成损坏。通过一个电阻可将增益设置为1至10,000。基准引脚可用来向输出电压施加精确失调。AD8421的额定工作温度范围为−40°C至+85°C，可在高达125°C时保证典型性能曲线，提供MSOP和SOIC两种封装。特点• 高精度直流性能(AD8421BRZ)• CMRR：94 dB（最小值，G = 1）• 输入失调电压漂移：0.2 μV/°C（最大值）• 最大增益漂移：1 ppm/°C (G = 1)• 输入偏置电流：500 pA（最大值）• 高达40V的电源反向保护• ±2.5 V至±18 V双电源供电（5 V至36 V单电源供电）• 增益通过单个电阻设置（G = 1至10,000）• 提供8引脚LFCSP、8引脚MSOP和8引脚S...
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2024/3/15 11:33:52
AD831是一款低失真、宽动态范围、单芯片混频器，适合诸如HF和VHF接收机中的RF-IF下变频、DMR基站中的第二混频器、直流-基带变频、正交调制和解调以及超声成像中的多普勒频移检测等应用。该混频器内置一个LO驱动器和一个低噪声输出放大器，同时提供用户可编程功耗和三阶交调截点。AD831提供+24 dBm三阶交调截点，可实现-10 dBm LO功耗，无需高功耗LO驱动器，也不存在相应的屏蔽和隔离问题，因而与无源混频器相比，能够改善系统性能，降低系统成本。该混频器采用±5 V电源供电时，RF、IF和LO端口可以为直流或交流耦合；采用9 V最小单电源供电时，这些端口可以为交流耦合。混频器采用RF和LO输入的工作频率可高达500 MHz。该混频器的IF输出可作为差分电流输出或单端电压输出。差分输出来自一对开集，并可通过一个变压器或电容进行交流耦合，以提供250 MHz输出带宽。特点• 双重平衡混频器• 低失真：+24 dBm三阶交调截点(IP3)+10 dBm 1 dB压缩点• 带宽：500 MHz RF和LO输入带宽250 MHz差分电流IF输出直流到200 MHz以上单端电压IF输出• 低LO驱动要求：–10 dBm• 单电源或双电源供电• 使用双电源时为直流耦合所有端口都可直流耦合无低频下限—工作频率低至DC• 用户可编程功耗引脚图
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2024/3/15 11:24:40
AD9363是一款高性能、高度集成的RF捷变收发器，设计用于3G和4G毫微微蜂窝应用。该器件的可编程性和宽带能力使其成为多种收发器应用的理想选择。该器件集RF前端与灵活的混合信号基带部分为一体，集成频率合成器，为处理器提供可配置数字接口，从而简化设计导入。AD9363工作频率范围为325 MHz至3.8 GHz，涵盖大部分特许执照和免执照频段。支持的通道带宽范围为200 kHz以下至20 MHz。两个独立的直接变频接收器拥有优良的噪声系数和线性度。每个Rx子系统都拥有独立的自动增益控制(AGC)、直流失调校正、正交校正和数字滤波功能，从而消除了在数字基带中提供这些功能的必要性。AD9363还拥有灵活的手动增益模式，支持外部控制。每个通道搭载两个高动态范围ADC，先将收到的I信号和Q信号进行数字化处理，然后将其传过可配置抽取滤波器和128抽头有限脉冲响应(FIR)滤波器，结果以相应的采样率生成12位输出信号。发射器采用直接变频架构，可实现较高的调制精度和超低的噪声。这种发射器设计带来了行业较领先的34 dB Tx EVM，可为外部功率放大器(PA)的选择留出可观的系统裕量。板载Tx功率监控器可以用作功率检测器，从而实现高度精确的Tx功率测量。完全集成的锁相环(PLL)可针对接收和发射通道提供低功耗的小数N分频频率合成。设计中集成了FDD系统需要的通道隔离。还集成了所有压控振荡器(VCO)和环路滤波器元件。AD9363的内核可以直接用1.3 V稳压器供电。IC通过一个标准四线式串行端口和四个实时I/O控制引脚进行控制。全面的省电模式可将正常使用情况下的功耗降至低点。AD9363采用10 mm × 10 mm、144引脚芯片级球栅阵列封装(CSP_BGA)。特点• 集成12位DAC和ADC的射频(RF) 2 × 2收发器• 宽带宽：325 MHz至3.8 GH...
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2024/3/15 11:16:19
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了新一代的STM32MP2系列工业级微处理器 (MPUs)，以推动智能工厂、智能医疗、智能楼宇和智能基础设施等领域未来的发展。● 新STM32MP2 MPUs搭载64位处理器和边缘 AI加速器 ● 与生俱来的速度、安全性和可靠性● 依托STM32生态系统，加快应用开发，安全配置网络2024年3月12日，中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了新一代的STM32MP2系列工业级微处理器 (MPUs)，以推动智能工厂、智能医疗、智能楼宇和智能基础设施等领域未来的发展。数字化转型席卷全球，它推动企业提高生产效率、改善医疗服务质量，加强楼宇、公用设施和交通网络的安全和能源管理。数字化的核心赋能技术包括云计算、数据分析、人工智能 (AI)和物联网 (IoT)。意法半导体的新一代STM32MP2微处理器（MPUs）将为构建这个不断发展的数字世界的新一代设备提供动力。这些设备包括工业控制器和机器视觉系统、扫描仪、医疗可穿戴设备、数据聚合器、网关、智能家电以及工业和家庭机器人等。新的STM32MP2微处理器采用意法半导体专有的安全硬件、防篡改控制、安全固件和安全网络配置技术，并结合Arm®的TrustZone®架构，以确保敏感数据和密钥的机密性，使其具备了先进的安全性。STM32MP2 MPUs 正在进行SESIP Level 3认证，这是物联网设备安全和合规性的领先安全测试方法，旨在满足全球主要地区即将到来的更严格的网络安全保护要求, 其中包括将于 2025 年生效的美国 CyberTrust 标志认证和欧盟无线...
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2024/3/15 11:11:29
随着国内机器人以及电池充电行业的发展，市场对非隔离大电流产品需求愈发旺盛。为满足客户多样化的需求，金升阳在升降压10A的基础上，推出了40A电流的KUB48xxHB-40A系列。有效解决市场上客户选择性少，交期长，成本太高的痛点问题。性价比高，售后服务优。二．产品优势• 物料100%国产化，产品交期有保障• 高功率，高效率，宽输入输出电压范围输出功率最高可达1920W，效率高达96%。该产品具有14.5-60V宽电压输入范围，15-55V的可调输出电压范围，输出电流0-40A可调。可兼容多种输入电压，满足不同应用的多样化需求，降低客户管理成本，提高效率。• 多模块并联升功率最高可四模块并联至160A。• 恒流模式满足充电应用。• 极低空载功耗空载输入电流低至10mA。• 引脚功能全面Ishare引脚可实时监控输出电流，保障产品在监控下正常运行。±sense引脚可补偿输出线损，适用于长线缆设备，例如管道机器人。Trim引脚调节输出电压。Ctrl引脚进行远程控制。• 保护功能全面，可靠性高。输入欠压保护，输入过压保护，输出过压、过流、短路、过温保护。允许工作温度范围：-40℃ to +100℃（壳温）。三．产品特性• 输入电压范围：14.5-60V• 输出电压范围：15 - 55V• 支持宽范围的可调稳压输出• 效率高达96%• 并联均流功能• 恒流功能• 输入欠压保护，输入过压保护，输出过压、过流、短路、过温保护• 工作温度范围:-40℃ to +100℃（壳温）• 国产化率：100%• 体积：1/2砖四．产品应用广泛应用于机器人，电池管理，通信，DC-DC分布式供电场合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/15 11:08:13
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了巨大优势。与前几代产品相比，采用CoolSiC™ G2 的电动汽车直流快速充电站最高可减少10%的功率损耗，并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦成本。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示：“目前的大趋势是采用高效的新方式来产生、传输和消耗能量。英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。这充分体现了英飞凌坚持不懈持续推动工业、消费、汽车领域的低碳化和数字化的创新。”英飞凌开创性的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术推动了高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展，实现了更加优化的设计选择，与目前的SiC MOSFET技术相比，具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌以更高的导热性、更优的...
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2024/3/15 11:04:54
2024年3月14日，中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 发布了一款新的集MPU和MCU两者之长的高性能产品。微处理器(MPU)系统通常更加复杂，处理性能、系统扩展性和数据安全性更高，而微控制器(MCU)系统的优势是简单和集成度高。取两者之长，意法半导体新产品越级进化。在采用这些新的STM32H7 MCU后，设备厂商可以更快、更经济地开发智能家电、智能楼宇控制器、工业自动化和个人医疗设备，满足终端市场用户日益增长的需求。具体用例包括增加更丰富多彩的图形用户界面，同时执行多个不同的功能。这些设计往往需要用微处理器(MPU)才能实现。意法半导体通用MCU部门总经理Patrick Aidoune表示：“很荣幸我们的STM32是世界上很受欢迎的Arm Cortex-M微控制器，而最新的STM32H7系列能够让设计师依托这个强大的生态系统处理更多的用例，它的MPU级特性具有卓越的核心性能，兼备MCU的外设集成度和便利性，而且价格实惠。”STM32H7R/S MCU的潜在客户Riverdi公司的首席执行官Kamil Kozlowski表示： “这两款MCU集成专用图形处理器和快速存储接口，与我们突破嵌入式显示器极限的使命完美契合。Riverdi选用这款芯片设计下一代显示模组。新MCU有望提高未来屏显的视觉性能和响应速度，为用户带来更具吸引力的用户体验，这代表我们在向客户提供尖端屏显解决方案的研发过程中迈出重要一步。”STM32H7R和STM32H7S两款新微控制器具有强大的安全功能，能够满足物联网(IoT)应用对网络安全的要求。两款产品的共同安全功能包括防止物理攻击、存储器保护、在运行时保护应用程序的代码隔离保护功能，以及平台验证。此外，STM32H7S产品还增加了更多的强化的...
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2024/3/15 10:58:32
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出适于IrDA®应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为1米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。为提高便携式设备电池使用寿命，模块降低了功耗，闲置供电电流 器件符合IrDA®标准，采用内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，可以即插即用的方式替换现有解决方案Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。作为现有器件即插即用的替代品，这些模块不需要重新设计PCB，有助于节省成本。符合最新IrDA物理层标准的TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件向后兼容，具有顶视和侧视表面贴装封装。增强型解决方案可以即插即用的方式替换现有系列器件。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，具有多种封装尺寸，工作电压2.4 V至5.5 V，工作温度-25 °C至+85 °C。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/14 17:09:37