ADC-6-13+是一款定向耦合器，工作频率最小200MHz，最大1300MHz，最大2.5dB插入损耗，符合ROHS标准，CD542外壳，6针。除此之外，最大输入功率(连续波)为26.99 dBm，温度要求在-40摄氏度到85摄氏度之间进行工作。特性宽带，200-1300 MHz出色的VSWR。典型值为1:3:1。出色的联轴器平面度，±0.5标准。可水洗
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2023/9/28 15:37:18
LT®3094 是一款高性能、低压差、负线性稳压器，其采用 ADI 的超低噪声和超高 PSRR架构，可为对噪声敏感的应用供电。可容易地并联以进一步降低噪声、增加输出电流，以及在 PCB 上散播热量。并且可以在235mV 的典型压差电压下提供 500mA 电流。工作静态电流的标称值为2.35mA，在停机模式中则降至 3μA。该器件的宽输出电压范围 (0V 至 −19.5V) 误差放大器以单位增益运作，并提供几乎恒定的输出噪声、PSRR、带宽和负载调整率，这与编程输出电压无关。除此之外，该器件的其他特点包括一个双极性使能引脚、可编程电流限值、快速启动功能和用于指示输出电压稳定的可编程电源良好。该稳压器具有跟踪功能，可控制上游电源以在 LT3094 的两端保持一个恒定电压，从而较大限度降低功耗并优化 PSRR。还采用耐热性能增强型 12 引脚 MSOP封装和 3mm x 3mm DFN 封装。特性超低 RMS 噪声：0.8μVRMS (10Hz 至 100kHz)超低点噪声：在10kHz时，为2.2nV/√Hz超高 PSRR:74dB (在 1MHz)输出电流：500mA宽输入电压范围：−1.8V 至 −20V单电容器改善了噪声和 PSRR 指标
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2023/9/28 15:32:10
RECOM 额定功率30 W 的RACM30-K/277 系列板载AC/DC转换器，性价比高，深受客户欢迎，现已扩展产品范围，可提供开放框架式（OF 版本），其重量仅为现有灌胶封装版本的一半。RACM30-K/277/OF 系列凭借仅为 76.2 x 38.1 x 23 mm 的微型封装尺寸便可提供 30 W 连续功率（最高可达 36 W 峰值）。自然通风时模块的工作温度范围为 -40°C 至 +55°C（具体取决于型号），降额情况下最高可达 +90°C。输入电压范围为 85 VAC 至 305 VAC（120 V 至 430 VDC），涵盖高达 277 VAC 的所有标称电压，并提供 5 V、12 V、15 V、24 V、+/-12 V 和 +/-15 V的稳压输出。具有短路、过电压和过电流保护功能并归类为“受限电源”。这些产品的绝缘等级为 II 级，适用于过压类别 III (OVC III) 和污染等级 3 (PD3) 的工作环境，工作海拔高达 5000 米。获得了包括音频/视频和信息通信技术 (ICT)、测试设备、家用、工业和患者保护措施 (MOPP) 医疗在内的安全认证。额定隔离电压为 4 kVAC/1 分钟。满足空载/待机功耗的生态设计要求，且效率曲线在轻负载下近乎平坦。即使在输出接地的情况下，无需外部组件就能轻松满足 EMC Class B 标准。 Molex TM 电气连接器用于输入和输出，并为 PCB 支撑柱提供机械固定，便于在终端设备中进行安装。 该系列的典型应用包括电动汽车充电器内务管理电源、工业自动化、医疗、物联网、照明和智能能源系统。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/9/28 14:47:58
尽管当前半导体处于下行周期，产业整体资本支出持续下滑，但晶圆代工领域仍有扩产消息传来，大厂不惧逆风，坚定看好产业未来发展。近日，格芯宣布其在新加坡投资40亿美元扩建的制造厂正式启用，进一步扩展全球产能。根据报道，扩建后的晶圆厂每年将额外生产45万片300毫米晶圆，将格芯新加坡的总产能提高到每年约150万片300毫米晶圆，2.3万平方米的晶圆厂将在新加坡创造1000个高价值工作岗位。格芯新加坡总经理Tan Yew Kong表示，如果充分利用新加坡工厂的产能，这可能会占格芯收入的45%左右。公司预计到2024年下半年，全球对芯片的需求将会回升。格芯总裁兼CEO Tom Caulfield表示，车用芯片市场依旧强劲，AI云端看起来也相当旺盛，工业需求一直都在，反倒与消费者相关的市场则呈现疲弱。并称，在未来十年，这个产业将会再次倍增。除了格芯之外，近期供应链还有消息表示，台积电将提升先进制程产能。目前台积电3nm工艺产量预计约为6.5万片晶圆，随着iPhone 15系列发布，台积电将于2024年开始履行更多3nm订单承诺，届时3nm工艺系列的产量将大幅增加。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询9月最新调查显示，第二季全球前十大晶圆代工产值仍持续下滑，环比减少约1.1%，达262亿美元。展望未来，虽然今年下半年旺季需求较往年弱，但第三季如AP、modem等高价主芯片及周边IC订单有望支撑苹果供应链伙伴的产能利用率表现，加上少部分HPC AI芯片加单效应推动高价制程订单。因此，集邦咨询预期，第三季全球前十大晶圆代工产值将有望自谷底反弹，后续缓步成长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/9/28 14:42:18
芯片封装规则是指在进行芯片封装设计时，遵循的一些基本原则和规范。以下是一些常见的芯片封装规则：尺寸和引脚布局：封装的尺寸和引脚布局应符合芯片的尺寸和引脚要求，确保封装与芯片之间的匹配度和电气连接的正确性。散热设计：根据芯片的功耗和散热要求，设计合适的散热结构，如散热片、散热孔等，以保持芯片在正常工作温度范围内。引脚电性能：引脚的设计应考虑电性能，包括信号传输的速度、功耗、阻抗匹配等因素，以确保引脚在高频、高速等工作条件下的稳定性和可靠性。封装材料选择：根据芯片的特性和应用需求，选择合适的封装材料，如塑料、陶瓷、金属等，以满足封装的物理保护、电气连接和散热等功能。封装工艺：封装过程中的工艺参数和步骤应进行合理的控制，以确保封装质量和一致性。可靠性考虑：在封装设计中要考虑芯片的可靠性，包括温度循环、湿热循环、机械强度等因素，以保证封装后的芯片在各种环境条件下的可靠性和寿命。标准符合：封装设计应符合相关的标准和规范，如IPC标准、JEDEC标准等，以确保封装的质量和可靠性。总之，芯片封装规则是为了保证封装设计的质量、可靠性和一致性，以满足芯片的应用需求和市场要求。不同的芯片和应用场景可能会有不同的封装规则，需要根据具体情况进行设计和选择。
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2023/9/28 14:37:08
芯片封装是指将集成电路芯片（IC芯片）包装在特定的封装材料中，以保护芯片的物理结构、提供电气连接和散热等功能的过程。封装后的芯片可以方便地插入或焊接到电路板上，实现电路的功能。封装材料通常是一种具有良好电绝缘性能、热导性能和机械强度的材料，如塑料、陶瓷、金属等。封装材料可以根据芯片的特性和应用需求选择不同的封装形式，如双列直插封装（DIP）、表面贴装封装（SMD）、球栅阵列封装（BGA）等。芯片封装的主要功能包括：保护芯片：封装材料可以提供物理保护，防止芯片受到机械损伤、尘埃、湿气等外界环境的影响，提高芯片的可靠性和寿命。提供电气连接：封装材料中的引脚或焊盘与芯片内部的金属引线相连接，实现芯片与电路板之间的电气连接。散热：封装材料可以通过散热结构，如散热片、散热孔等，提高芯片的散热性能，保持芯片在正常工作温度范围内。尺寸适配：芯片封装可以根据芯片的尺寸和外部接口要求，设计成不同的封装形式和尺寸，以适应不同的应用场景。总之，芯片封装是将集成电路芯片包装起来，提供保护、电气连接和散热等功能，使芯片能够方便地应用于各种电子设备和系统中。
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2023/9/28 14:26:08
电压基准芯片和变压器是两种不同的电子器件，它们的原理和功能也不同。电压基准芯片（Voltage Reference Chip）是一种用于提供稳定、精确的电压参考的集成电路。它通常采用特定的电路设计和工艺，可以在一定的工作条件下提供稳定的输出电压，用于校准和参考其他电路的电压。变压器（Transformer）是一种电气设备，利用电磁感应的原理将交流电能从一个电路传输到另一个电路，通常用于调节电压、隔离电路、匹配阻抗等功能。变压器通过电磁感应的作用，在一组线圈中产生电磁感应电势，从而实现电能的传输和转换。因此，电压基准芯片和变压器在原理和功能上存在明显的差异，不属于同一种类型的电子器件。
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2023/9/28 14:19:38
微波放大器是一种用于放大微波信号的电子器件，其主要指标包括以下几个方面：增益（Gain）：微波放大器的增益是指输入信号经过放大器后的输出信号与输入信号之间的比值。增益通常以分贝（dB）为单位表示。增益越大，表示放大器能够更好地放大输入信号。带宽（Bandwidth）：微波放大器的带宽是指放大器能够放大信号的频率范围。带宽通常以赫兹（Hz）为单位表示。带宽越宽，表示放大器能够放大更广泛的频率范围的信号。噪声系数（Noise Figure）：微波放大器的噪声系数是指放大器将输入信号中的噪声引入到输出信号中的程度。噪声系数通常以分贝（dB）为单位表示。噪声系数越小，表示放大器在放大信号时引入的噪声越少。输入/输出阻抗（Input/Output Impedance）：微波放大器的输入/输出阻抗是指放大器在输入和输出端口上的阻抗特性。输入/输出阻抗通常以欧姆（Ω）为单位表示。输入/输出阻抗的匹配性能越好，表示放大器能够更有效地传输信号。
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2023/9/28 14:16:03
ADT1.5-1+是一款射频变压器，截止频率最小0.5MHz，最大650MHz，1:1.225，符合ROHS标准。其DC不平衡电流-最大值为30毫安，插入损耗为3分贝，最大工作频率为65万千赫，最小为500千赫，需要在-20摄氏度到80摄氏度之间进行工作，温度要求相对比较严格，因此需要注意工作环境的温度。特性出色的回波损耗，典型值为17 dB。在1 dB带宽内可水洗
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2023/9/27 15:48:05
JTX-2-10T+是一款RF变压器，截止频率最小50MHz，最大1000MHz，符合ROHS标准。DC不平衡电流-最大值为30毫安，插入损耗为1.65分贝，最大工作频率为100万千赫，最小为50000 kHz，需要在-40摄氏度到85摄氏度之间进行工作，采用表面黏着的安装方式。特性出色的回波损耗，典型值为26 dB。在1 dB带宽内极好的振幅不平衡，0.4 dB典型值和相位不平衡，3度典型值。在1 dB带宽内出色的插入损耗平坦度，±0.25 dB
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2023/9/27 15:43:03
RHP-260+是一款高通滤波器，中心或截止频率(fo/fc)为260MHz，符合ROHS标准，外壳GP731，8针，最大频率时的衰减为20分贝，平均输入功率为0.5瓦，插入损耗-最大为3分贝，需要在-40摄氏度到85摄氏度之间进行工作。除此之外，RHP-260+高通滤波器的尺寸为：高2.54毫米*长8.89毫米*宽8.89毫米。特点低插入损耗，0.5dB通带高排斥性屏蔽外壳
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2023/9/27 15:14:16
HMC1165是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)，具有半频输出。由于振荡器采用单芯片结构，因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。采用5 V电源电压时，输出功率为8 dBm（典型值）。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装，无需外部匹配元件。特性双输出频率范围fOUT = 11.07 GHz 至 11.62 GHz fOUT/2 = 5.535 GHz 至 5.810 GHz 输出功率(POUT)： 8 dBm单边带(SSB)相位噪声： -113 dBc/Hz (100 kHz)无需外部谐振器
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2023/9/27 15:02:41
LT8640/LT8640-1 降压型稳压器采用 Silent Switcher 架构，旨在较大限度地减少EMI辐射，同时在高达 3MHz 的频率下提供高效率。该器件具有超低 2.5µA 静态电流，其输出完全处于调节状态，在极小负载电流下支持要求高效率的应用。LT8640/LT8640-1 允许在高频率下进行高 VIN 到低 VOUT 的转换。最短开关导通时间为30ns。SYNC/MODE 引脚在突发工作模式、展频模式、同步至外部时钟和脉冲跳跃 (LT8640) 或强制连续模式 (LT8640-1) 之间进行选择。特性最短快速导通时间：30ns所有条件下均具有低压差：100mV（1A）强制连续模式（仅 LT8640-1）过载时安全地承受电感饱和可调及可同步频率范围：200kHz 至 3MHz峰值电流工作模式输出软启动和追踪小型 18 引脚 3mm × 4mm QFN 和侧可湿 QFN 封装
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2023/9/27 14:56:55
PE44820是HaRP™ 设计用于相控阵和有源天线应用的技术增强型8位数字移相器（DPS）。该DPS以1.4°的步长覆盖358.6°的相位范围，在1.7–2.2 GHz的标称频带内保持出色的相位和振幅精度。PE44820还能够为窄带应用扩展1.1–3.0 GHz的频率操作。集成数字控制接口支持相位设置的串行和并行编程。PE44820还具有一个外部负电源选项，可用于更快的开关频率，并采用32引脚5×5×0.85 mm QFN封装。此外，如果RF端口上存在0 VDC，则不需要外部阻塞电容器。特性低RMS相位和振幅误差+60 dBm IIP3的高线性度1.1–3.0 GHz的扩展窄带频率操作+105°C工作温度封装：32引线5×5×0.85 mm QFN
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2023/9/27 14:46:59
高通滤波器系数是指用于实现高通滤波器的数字滤波器中的参数。数字滤波器通过对输入信号进行加权和求和的方式来实现信号的滤波功能。高通滤波器用于滤除低频成分，只保留高频成分。高通滤波器系数可以通过不同的设计方法获得，常见的设计方法包括有限脉冲响应（FIR）滤波器和无限脉冲响应（IIR）滤波器。对于FIR滤波器，高通滤波器系数是滤波器的冲激响应中的系数。冲激响应是指当输入信号为单位冲激函数时，滤波器的输出响应。FIR滤波器的系数可以通过窗函数法、频率采样法等方法进行设计和计算。对于IIR滤波器，高通滤波器系数是滤波器传递函数中的系数。传递函数是指滤波器输入和输出之间的关系。IIR滤波器的系数可以通过脉冲响应不变法、双线性变换法等方法进行设计和计算。高通滤波器系数的选择和设计对滤波器的性能和特性有重要影响，如截止频率、滤波器响应等。根据具体的应用需求和设计要求，可以选择合适的高通滤波器系数来实现所需的滤波功能。
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2023/9/27 14:31:48
集成芯片的识别方法可以根据芯片上的标识、外观特征和电气特性等进行分类。以下是一些常见的集成芯片识别方法：标识识别：集成芯片通常在芯片上印有一些标识信息，如芯片型号、制造商标志、批次号等。通过查阅相关资料或使用专门的芯片识别工具，可以根据这些标识信息来识别芯片。外观特征识别：集成芯片的外观特征，如封装形式、引脚布局、尺寸等，也可以用于识别芯片。不同类型的芯片通常具有不同的外观特征，通过对比芯片的外观特征和已知的芯片样品，可以进行初步的识别。电气特性识别：集成芯片的电气特性，如工作电压、工作频率、功耗等，也可以用于识别芯片。通过测量芯片的电气特性，并与已知的芯片样品进行对比，可以进行进一步的识别。软件识别：一些集成芯片具有独特的软件特性，如固件版本、功能支持等。通过读取芯片上的固件或与芯片进行交互，可以识别芯片的软件特性。需要注意的是，芯片的识别方法可能因芯片类型、制造商和应用领域等因素而有所不同。在进行芯片识别时，建议参考相关的技术资料和使用专门的识别工具，以确保准确性和可靠性。
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2023/9/27 14:30:32
测量IQ混频器的镜像抑制度通常需要使用专门的测试设备和方法。以下是一种常见的测量方法：设置测试信号源：将期望频率信号输入到IQ混频器的本振输入端，并将镜像频率信号输入到混频器的RF输入端。调整测试信号源的功率：根据需要，调整期望频率信号和镜像频率信号的功率级别。连接功率测量仪器：将功率测量仪器（如功率计）连接到IQ混频器的输出端，以测量输出信号的功率。测量期望频率信号功率：将功率测量仪器设置为测量期望频率信号的功率，并记录测量结果。测量镜像频率信号功率：将功率测量仪器设置为测量镜像频率信号的功率，并记录测量结果。计算镜像抑制度：使用上述测量结果，按照以下公式计算镜像抑制度（以分贝为单位）：镜像抑制度（dB）= 10 * log10(期望频率信号功率 / 镜像频率信号功率)通过以上步骤，可以测量IQ混频器的镜像抑制度。需要注意的是，在实际测试中，还应考虑其他因素，如测试信号源的频率稳定性、混频器的线性度等，以确保测量结果的准确性和可靠性。
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2023/9/27 14:18:53
IQ混频器的镜像抑制度是指在频率转换过程中，混频器能够抑制镜像频率的能力。镜像抑制度通常以分贝（dB）为单位进行衡量。镜像抑制度定义为混频器输出信号中镜像频率分量的功率与期望频率分量的功率之比，然后取对数并乘以10，即：镜像抑制度（dB）= 10 * log10(期望频率分量功率 / 镜像频率分量功率)镜像抑制度越高，表示混频器能够更好地抑制镜像频率，减少不必要的干扰。一般来说，较高的镜像抑制度是理想的，因为它能够提供更准确和可靠的频率转换。需要注意的是，镜像抑制度是在特定的工作条件下测量的，如特定的输入功率、频率和温度等。因此，在实际应用中，镜像抑制度可能会因工作条件的变化而有所不同。
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2023/9/27 13:52:38