DS18B20 可通过 VDD 引脚外接电源供电，也可工作于“寄生电源”模式——无需本地外部电源。寄生电源非常适合远程测温或空间极度受限的场合。上图给出了 DS18B20 的寄生电源控制电路：当总线为高电平时，芯片通过 DQ 引脚“窃取” 1-Wire 总线上的能量。窃得的电荷在总线高电平期间为芯片供电，同时部分电荷被储存在寄生电容 Cpp 中，以供总线低电平时使用。采用寄生电源时，VDD 引脚必须接地。在寄生电源模式下，只要满足规定的时序与电压要求，1-Wire 总线与 Cpp 可为 DS18B20 的大部分操作提供足够电流。然而，当芯片正在进行温度转换或将暂存器数据复制到 EEPROM 时，工作电流可达 1.5 mA。该电流会在弱上拉电阻上产生不可接受的压降，也超过 Cpp 的供电能力。为确保 DS18B20 获得足够电流，必须在温度转换或暂存器复制期间对 1-Wire 总线实施“强上拉”。典型做法是用 MOSFET 把总线直接拉到电源轨，如下图所示。必须在主机发出 Convert T [44h] 或 Copy Scratchpad [48h] 命令后 10 µs（最大）内切换到强上拉；强上拉必须持续整个转换时间 tconv 或数据拷贝时间 tWR（10 ms）；强上拉期间，1-Wire 总线上不得进行任何其他操作。DS18B20 也可采用传统方式供电：把外部电源接到 VDD 引脚。如下图所示。优点：无需 MOSFET 强上拉，温度转换期间 1-Wire 总线可自由传输其他数据。高温注意事项当环境温度高于 +100 °C 时，不推荐采用寄生电源，因为高温漏电流增大，可能导致通信失败。若应用可能超过该温度，强烈建议改用外部电源供电。电源类型检测某些情况下，主机不知道总线上的 DS18B20 是寄生供电还是外部供电，而这决定是否需要强上拉。主机可发送：S...
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2026/1/12 10:39:42
DS18B20数字温度计提供9位至12位摄氏温度测量，并具有非易失性用户可编程上下触发点的报警功能。温度测量操作DS18B20 的核心功能是直接输出数字温度的温度传感器。其分辨率可由用户配置为 9、10、11 或 12 位，分别对应 0.5 °C、0.25 °C、0.125 °C 和 0.0625 °C 的温度步进。上电默认分辨率为 12 位。芯片上电后处于低功耗空闲状态。主器件必须发出“转换温度”命令 Convert T [44h] 才能启动温度测量与模数转换。转换结束后，温度数据被存入暂存器中的 2 字节温度寄存器，DS18B20 随即返回空闲状态。若 DS18B20 由外部电源供电，主器件可在 Convert T 命令后发出“读时隙”，芯片会在转换期间回传 0，转换完成后回传 1。若采用寄生电源供电，则无法使用这种通知方式，因为整个转换期间总线必须被强上拉拉高。温度数据格式DS18B20 输出的温度数据以摄氏度为单位已做校准；若需华氏度，必须另行查表或运行转换程序。温度寄存器中的数据为 16 位符号扩展二进制补码（见图）。符号位 S 表示温度正负：S = 0 为正，S = 1 为负。12 位分辨率时，温度寄存器所有位均有效；11 位分辨率时，bit 0 未定义；10 位分辨率时，bit 1 和 bit 0 未定义；9 位分辨率时，bit 2、1、0 未定义。表 1 给出了 12 位分辨率下若干数字输出与对应温度值的示例。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:33:49
MX25L12833F 是一款 128 Mb（16,777,216 × 8）串行 NOR Flash 存储器。当处于双线或四线 I/O 模式时，内部结构分别变为 67,108,864 位 × 2 或 33,554,432 位 × 4。该芯片采用串行外设接口（SPI）及软件协议，在单线 I/O 模式下仅需 3 根信号线即可操作：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。片选信号 CS# 为低时启用对器件的串行访问。双线读模式时，SI、SO 引脚变为 SIO0、SIO1，用于地址/哑元位输入与数据输出。四线读模式时，SI、SO、WP#、RESET#（8 引脚封装）分别变为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3，同样负责地址/哑元位输入与数据输出。MX25L12833F 的 MXSMIO（Serial Multi I/O）接口支持整芯片的连续读取操作。发出编程/擦除命令后，内部自动执行编程/擦除及校验算法，可针对指定页、扇区或块进行操作。编程可按字节、页（256 字节）或字单位执行。擦除可按 4 KB 扇区、32 KB 块、64 KB 块或整片执行。为便于用户使用，芯片内含状态寄存器，可通过读取 WIP（Write-In-Progress）位来查询编程或擦除是否完成。此外，还提供高级安全功能以增强保护与保密性。当 CS# 为高且器件空闲时，自动进入待机模式。MX25L12833F 采用旺宏专有存储单元，可承受 100,000 次编程/擦除循环，仍能可靠保存数据。不同封装下的引脚配置图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:25:07
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。 回拷（Copy Back）操作回拷操作需要两组命令：先下发“回拷读”命令序列（00h-35h），再下发“回拷编程”命令序列（85h-10h）。回拷读（00h-35h）该命令与“回拷编程”配合使用。操作流程：向命令寄存器写入 00h；输入 4 个周期的源页地址；再写入 35h，启动把选中页的数据从存储阵列搬入数据寄存器。命令序列执行完毕且 RY/#BY 返回高电平后，可通过反复拉低 #RE 把数据读出；数据从当初“回拷读”命令指定的列地址开始顺序输出。此时可不限次数地使用“随机数据输出”命令（05h-E0h）调整输出列地址。至此，芯片处于就绪状态，等待接收“回拷编程”命令。回拷编程（85h-10h）“回拷读”完成且 RY/#BY 变高后，即可写入“回拷编程”命令。操作流程：向命令寄存器写入 85h；输入 4 个周期的目标页地址；再写入 10h，内部控制器自动开始把数据编程到新的目标页。编程期间 RY/#BY 保持低电平；也可用“读状态”命令（70h）代替 RY/#BY 检测完成时间。状态寄存器 Bit6=1 时表示就绪，此时 Bit0 指示操作结果：0=成功，1=失败。在“回拷编程”序列中，可插入“随机数据输入”命令（85h）来修改原始数据：先用“回拷读”把源页搬入数据寄存器；再写 85h 并给出需修改的列地址，同时在外部数据线上放置新数据；可多次使用 85h 任意修改；最后写 10h，原始数据与修改后的数据一起被写入目标页。由于回拷过程不经过外部存储器，且源页数据可能已存在位错误，建议在编程前先用可靠的 ECC 算法校验/修正数据。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:18:08
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。编程操作页编程（80h-10h）W29N01HV 的页编程命令必须按块内地址从低页到高页的顺序依次编程，禁止跳序编程。若将一页分区使用，本器件最多允许对同一页进行 4 次部分页编程；之后必须先擦除才能再次编程。注意：不支持在未擦除的情况下对同一位进行多次编程。串行数据输入（80h）页编程操作以向命令寄存器写入“串行数据输入”命令（80h）开始；随后输入 4 个地址周期，再连续写入数据。每个 #WE 周期把串行数据装入数据寄存器。数据输入完成后，向命令寄存器写入“编程”命令（10h）。此时内部写状态控制器自动执行编程与校验算法。编程开始后，可通过监测 RY/#BY 引脚或状态寄存器第 6 位（与 RY/#BY 同步）来判断是否完成。内部阵列编程期间（tPROG 时段）RY/#BY 保持低电平。在页编程过程中，芯片仅响应两条命令：读状态（70h）和复位（FFh）。当器件进入就绪状态后，状态寄存器第 0 位（I/O0）指示编程结果：Bit0 = 0 表示编程成功；Bit0 = 1 表示编程失败。命令寄存器将保持“读状态”模式，直到下发新的命令。随机数据输入（85h）在执行页编程（80h）并已将初始数据装入数据寄存器后，若还需在同一页内补充写入数据，可在下发“编程”命令（10h）之前，使用“随机数据输入”命令（85h）指定新的列地址进行写入。该命令可在同一页内多次使用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:08:44
什么是W29N01HV单层式 (SLC) NAND 型闪存？W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。它特别适用于代码到 RAM 的映射、固态应用，以及语音、视频、文本和照片等媒体数据的存储。该器件在单 2.7 V–3.6 V 电源下工作，活动时电流低至 25 mA，CMOS 待机电流仅 10 µA。整个存储阵列共 138,412,032 字节，划分为 1,024 个可擦除块，每块 135,168 字节。每个块由 64 个可编程页组成，每页 2,112 字节。其中 2,048 字节用于主数据区，另外 64 字节为备用区（通常用于差错管理功能）。W29N01HV 采用标准 NAND Flash 接口，通过复用的 8 位总线传输数据、地址和命令。五条控制信号线——CLE、ALE、#CE、#RE 和 #WE——完成总线协议控制。此外，器件还提供 #WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙）两个信号引脚，用于监测芯片状态。2.具备哪些功能？基本特性–密度：1Gbit（单芯片解决方案）–Vcc：2.7V至3.6V–总线宽度：x8–工作温度工业：-40°C至85°C单层电池（SLC）技术。组织–密度：1G位/128M字节–页面大小2,112字节（2048+64字节）–块大小64 页面（128K+4K字节）最高性能–读取性能（最大值）随机阅读：25us顺序读取周期：25ns–写入擦除性能页面编程时间：250us（典型值）块擦除时间：2ms（典型值）–耐久性100000擦除/程序循环（1）–10年数据保留期指令集–标准NAND命令集–额外的指挥支持复制回最低功耗–读数：25mA（典型值3V），–编程/擦除：25mA（典型3V），–CMOS待机：10uA（典型值）空间高效包装–48针标准T...
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2026/1/12 9:45:20
2026年1月9日，意法半导体（ST）推出的TSZ901运算放大器，突破性地实现了高精度、零漂移与10MHz增益带宽积的完美融合，为高速高精度应用场景带来了稳定性革新。搭载了罕见斩波稳定技术的运放，在宽温范围内展现出卓越的性能稳定性，以低噪声、低功耗的优势打破了行业常规，有望重塑精密模拟电路的设计范式。型号描述TSZ901是一款单运算放大器，具有非常低的偏移电压，在温度变化时偏移几乎为零。TSZ901提供轨到轨输入和输出，具有出色的速度/功耗比和10 MHz增益带宽积，在5 V下仅消耗1.5 mA电流。该器件还具有超低的输入偏置电流。由于具有这些特性，TSZ901堪称高精度传感器接口的理想选择。所有功能•非常高的精度和稳定性：偏移电压•25°C时最大5μV•在整个温度范围内（-40°C至125°C）为8μV•轨对轨输入和输出•低电源电压：2.5-5.5 V•低功耗：5V时为1.5mA•增益带宽乘积：10 MHz•AEC-Q100汽车认证•扩展温度范围：-40°C至125°C•好处：•无需校准，精度更高•精度几乎不受温度变化的影响免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/12 9:35:39
美国去年12月批准英伟达H200芯片对华出口，引发业界对其在华交付时序与销售前景的广泛关注。据路透社报道，英伟达（NVIDIA）为应对中美市场的不确定性，开始要求中国客户在购买 H200 人工智能芯片时预付全部订单款，且不得取消或更改。英伟达希望通过这种方式“对冲”业务风险，因为近期监管政策的反复让其在中国的订单和供应面临挑战。彭博社报道称，中国是全球最大的半导体市场，英伟达芯片若能进入，无疑将是一次“重大胜利”。英伟达首席执行官黄仁勋曾表示，光是人工智能（AI）芯片领域，在中国未来几年就可能产生500亿美元的营收。报道还提到，在英伟达芯片遭美国限制出口、美国芯片缺席中国市场期间，中国本土竞争对手蓬勃发展，并计划在2026年大幅增产。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/12 9:25:53
上图是AD9979的典型应用。CCD输出由AD9979的模拟前端（AFE）电路处理，该电路包括相关双采样（CDS）、可变增益放大器（VGA）、黑电平钳位和ADC。数字化后的像素数据被送至数字图像处理器芯片，进行后期处理与压缩。为使CCD正常工作，系统ASIC通过3线串行接口将所有CCD时序参数写入AD9979。AD9979以图像处理器或外部晶振提供的系统主时钟CLI为基准，产生CCD所需的水平时钟以及内部AFE的所有时钟。AD9979的所有时钟均与VD和HD输入同步。其所有水平脉冲（CLPOB、PBLK和HBLK）均由内部编程并生成。AD9979内部集成了H1～H4及RG的H驱动器，因此这些时钟可直接连接至CCD。AD9979支持3 V的H驱动电压。下图给出了AD9979的最大水平与垂直计数器尺寸。这些计数器控制所有内部水平与垂直时钟，用于指定行与像素位置。最大HD长度为每行8191像素，最大VD长度为每帧8192行。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 11:00:55
1.概述AD9979 是一款专为高速数字摄像机应用而设计的高度集成 CCD 信号处理器。其像素速率最高达 65 MHz，内部集成完整的模拟前端（含模数转换）和可编程时序驱动器。Precision Timing™ 内核可在 65 MHz 工作时，以约 240 ps 的分辨率精细调整高速时钟。模拟前端包含黑电平钳位、相关双采样（CDS）、可变增益放大器（VGA）以及一片 65 MSPS、14 位模数转换器（ADC）。时序驱动器提供 CCD 所需的高速时钟驱动信号（RG、HL 及 H1～H4）。全部功能通过 3 线串行接口进行配置。AD9979 采用节省空间的 7 mm × 7 mm、48 引脚 LFCSP 封装，工作温度范围为 −25°C 至 +85°C。2.具备的特征1.8V模拟和数字核心电源电压具有-3 dB、0 dB、+3 dB和+6 dB增益的相关双采样器（CDS）6 dB至42 dB 10位可变增益放大器（VGA）14位65 MHz模数转换器带可变液位控制的黑色液位夹完整的片上定时发生器Precision Timing™内核，分辨率为240 ps，工作频率为65 MHz片上3V水平和RG驱动器用于快门和系统支持的通用输出（GPO）7毫米×7毫米，48导联LFCSP内部LDO稳压器电路3.常见应用专业高清摄像机专业/高端数码相机广播摄像机工业高速摄像机4.引脚配置信息如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:53:02
应用信息 - 评估板HMC470A 采用 4 层评估板设计。每层铜箔厚度为 0.5 oz（0.7 mil）。顶层介质材料为 10 mil 厚的 Rogers RO4350，以实现最佳高频性能；中间层和底层介质材料为 FR-4 类型，使整块板总厚度达到 62 mil。射频（RF）与直流（DC）走线布置在顶层铜箔上。底层和中间层为完整地平面，为射频传输线提供稳固的接地参考。射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，线宽 16 mil，地间距 13 mil，特性阻抗为 50 Ω。为加强射频与热接地，在传输线周围及封装裸露焊盘下方尽可能多地布置了金属化过孔。上图展示了已装配的 HMC470A 评估板顶视图。评估板通过 2×6 针排针 J3 接地。电源与数字控制引脚也连接至 J3。电源走线上放置了 1 nF 去耦电容，用于滤除高频噪声。RF1 与 RF2 端口通过 50 Ω 传输线分别连接至 SMA 连接器 J1 和 J2。RF1 与 RF2 端口通过外部 330 pF 电容实现交流耦合。一条直通（thru）校准线连接 J9 与 J10，该传输线用于在不同环境条件下测量 PCB 的损耗。ACG 引脚通过 330 pF 电容接地。下图与表分别给出了评估板的电路原理图与材料清单（BOM）。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:51:04
AD688 专为对温度性能要求极高的精密基准应用而设计。通过全面的温度测试，确保器件在整个工作温度范围内保持其高性能水平。下图展示了典型的输出电压漂移情况，并说明了测试方法。图中的矩形框左右边界为工作温度极限，上下边界为在整个工作温度范围内测得的 +10 V 输出误差电压的最大值与最小值。针对 +10 V 和 -10 V 输出所绘制的对角线斜率，决定了器件的性能等级。每一颗 AD688A 和 B 级器件均在 -40°C、-25°C、0°C、+25°C、+50°C、+70°C 和 +85°C 下进行测试。该方法确保在指定温度范围内，输出电压随温度变化而产生的波动被限制在一个矩形框内，其对角线斜率等于最大指定漂移值。该框在纵轴上的位置会因器件的初始误差及曲线形状不同而有所变化。下图中给出了对应温度范围内该框的最大高度。要复现这些测试结果，测试系统必须具备高精度与稳定的温控能力。对 AD688 的评估将产生与上图类似的曲线，但具体输出读数可能会因测试方法和所用设备的不同而有所差异。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:43:18
AD688是一款高精度±10V跟踪基准。低跟踪误差、低初始误差和低温度漂移使AD688具有以前单片形式无法获得的参考绝对±10 V精度性能。AD688使用专有的离子注入埋入式齐纳二极管，并对高稳定性薄膜电阻器进行激光晶片漂移微调，以提供出色的性能。其工作原理如下所示：工作原理AD688 由一个埋入式齐纳二极管基准源、放大器及相关薄膜电阻组成，如图所示。温度补偿电路使器件的温度系数达到 1.5 ppm/°C 或更低。放大器 A1 具有多种功能。其主要作用是将齐纳电压放大至所需的 20 V。此外，A1 还通过引脚5（GAIN ADJ）支持对 20 V 输出的外部调节。利用齐纳输出与 A1 同相输入之间的偏置补偿电阻，可在降噪引脚（引脚7）处接入一个电容，构成低通滤波器，从而降低齐纳噪声对电路的影响。两个匹配的 12 kΩ 标称薄膜电阻（R4 和 R5）将 20 V 输出分压为一半。放大器 A2 提供电路的接地检测功能。其同相输入端（引脚9）检测系统接地，并强制使 R4 与 R5 的中点成为虚拟地。引脚12（BAL ADJ）可用于对该中点进行精细调节。放大器 A3 和 A4 为内部补偿型，用于缓冲引脚6和引脚8上的电压，并提供完整的开尔文输出。因此，AD688 具备完整的开尔文能力，能够检测系统接地，并提供以该地为参考的强制与检测输出。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:39:03
STM32MP21微处理器（MPU）已为智能工厂、智能家居和智慧城市中的成本感知型边缘应用引入，结合了先进的核心和外设，并以SESIP三级和PCI预认证为目标，具备强大的安全防护。扩展ST的STM32MP2系列，新MPU配备了1.5GHz 64位Arm® Cortex-A35®核心和300MHz的高级32位Cortex-M33®，确保了快速且灵活的执行速度。这两个核心处理复杂任务和实时控制，增加了启动处理在Cortex-M33®上快速启动服务和加速系统从省电模式唤醒的机会。STM32MP21功能与性能STM32MP21 MPU集成了MIPI CSI-2和图像信号处理（ISP）流水线，用于工业检测和条码或二维码阅读器等机器视觉应用。此外，两个带有时敏网络（TSN）的千兆以太网端口支持需要确定性、低延迟、无抖动通信、同步和调度的应用，包括工业自动化、机器人技术、功能安全和传感器数据采集。除了支持DDR4/LPDDR4 DRAM外，该系列还支持DDR3L内存，使设计者能够优化系统性能、占用和BoM，同时在持续的DDR4/LPDDR4短缺和价格上涨中保持竞争力的价格和稳定供应。整个STM32MP2系列共享的安全架构旨在符合全球日益加强的法规，包括即将出台的欧盟网络韧性法案（CRA）。MPUs的SESIP三级安全保障目标符合CRA实施指南，该指南规定重要（二类）产品应达到AVA_VAN.2或AVA_VAN.3的抗性，关键产品至少为AVA_VAN.4。客户的应用程序在交付前就已通过ST工厂内的安全秘密配置（SSP）保护，以加载唯一身份和不可更改密码进行认证和认证。安全的硬件加密加速器可防止物理攻击，同时支持安全启动和应用需求。Arm TrustZone™ 的代码隔离保护启动和敏感进程，并通过利用 ST 专有资源隔离框架（RIF）对内存和外设的硬件...
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2026/1/9 10:28:04
在2026年国际消费电子展（CES 2026）上，高通技术公司正式推出了骁龙X系列的新成员——骁龙X2 Plus平台。这不仅是一次产品迭代，更是对下一代Windows 11 AI+ PC体验的全面革新。骁龙X2 Plus利用了第三代高通Oryon的强大性能™CPU 和 80 TOPS 的 NPU。作为骁龙X系列平台最新成员的一次大胆飞跃，它扩大了消费者和企业对先进性能和高端体验的覆盖，扩大了不断壮大的Windows 11 Copilot+ PC社区。Snapdragon X2 Plus为现代专业人士、有志创作者和日常用户带来了每一次点击和每一刻的体验，带来速度、多天续航和内置AI功能。特色第三代高通 Oryon CPU 支持最大 10 核基于切片的GPU架构，实现逼真的图形笔记本中最快的NPU，最高达80极其节能，电池续航多天真正的移动PC，电池使用时性能没有下降80 TOPS NPU 为下一代代理人工智能和无缝多任务处理设计50+ 的 AI 体验在设备上运行自动在线检测与生物识别认证由高通SPU搭载Microsoft Pluton，实现从芯片到云端的先进安全带外（OOB）远程管理闪电般的5G，带来极速Wi-Fi 7 并行高频段，峰值速度可达 X.X Gbps双蓝牙支持Snapdragon Sound高通技术公司高级副总裁兼计算与游戏业务总经理Kedar Kondap称，现代专业人士和创作者渴望成就更多、创作更多，并不断突破生成式AI和全天候性能的边界。骁龙X2 Plus平台凭借卓越的性能、能效和智能体验，将助力他们超越追求的目标，让每次体验更快响应、更个性化。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 10:24:16
纽约州锡拉库塞，2026年1月7日（环球新闻）——美光科技股份有限公司今天宣布，将于2026年2月16日在纽约州奥农达加县的大型晶圆厂正式破土动工。经过严格的环境审查和必要的许可批准，美光现在可以开始现场的地面准备和施工。该项目标志着纽约州历史上最大的私人投资，将成为世界上内存制造业的所在地，并将有助于满足对现代经济至关重要的人工智能系统日益增长的需求。这将是美国最大的半导体工厂，拥有多达四个晶圆厂。关于美光科技股份有限公司。美光科技股份有限公司是创新存储器和存储解决方案的行业领导者，该解决方案改变了世界如何利用信息丰富所有人的生活。凭借对客户、技术地位以及卓越的制造和运营的不懈关注，美光提供了丰富的高性能DRAM、NAND和NOR存储器和存储产品组合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 10:14:57
2026年1月7日，美光科技正式推出业界首款面向客户端计算的PCIe® 5.0 QLC SSD（美光3610 NVMe™ SSD）。美光3610 SSD基于美光成熟的G9 NAND技术，实现了高达11000MB/s的顺序读取速度和9300MB/s的顺序写入速度。将PCIe 5.0的速度与QLC经济性相结合，提供卓越的响应速度同时，不牺牲电池续航。采用G9 QLC NAND技术和单面M.2 2230外形规格，提供1TB至4TB容量选项，最高顺序读取速度达11000 MB/s，顺序写入速度达9300 MB/s，随机读取IOPS为1.5M，随机写入IOPS为1.6M。美光3610 SSD针对超薄设备和AI边缘场景优化，通过主机端散热管理技术确保无风扇设计下的稳定性能，并集成数据对象交换（DOE）和设备标识符组合引擎（DICE）等安全特性。目前产品已向OEM合作伙伴送样，提供M.2 2230、2242和2280等多种外形规格，定位介于高端PCIe 5.0 4600系列与主流PCIe 4.0产品之间，兼顾性能、容量和成本效益。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 10:09:26
摘要：2026年1月7日，全球最大专业技术组织IEEE宣布，NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋斩获年度最高荣誉——IEEE荣誉奖章。IEEE荣誉奖章（IEEE Medal of Honor）是电气电子工程师学会（IEEE）颁发的最高奖项，也是全球电子电气工程与信息技术领域公认的最高个人荣誉，常被称为该领域的“诺贝尔奖”。其设立于1917年，旨在表彰其贡献对技术及工程界产生深远影响的杰出人士。而历届获奖者包括互联网架构奠基人文顿·G·瑟夫和罗伯特·卡恩、GPS系统主要开发者布拉德福德·W·帕金森，以及台积电创始人张忠谋等。2026年1月7日，全球最大专业技术组织IEEE宣布，NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋斩获年度最高荣誉——IEEE荣誉奖章。作为工程技术领域的巅峰殊荣，该奖项不仅伴随200万美元奖金，更标志着业界对黄仁勋引领加速计算革命、构建AI核心基础设施的高度认可。在获得奖章后，黄仁勋则表示“获得IEEE荣誉奖章让我深感荣幸，也深受感动。这一认可是对NVIDIA成千上万工程师及研究人员的毕生努力和贡献的肯定。从GPU面世到成为现代AI工厂的核心引擎，我们已助力引领了一场崭新的工业革命。这一奖项属于建立了CUDA生态系统、推动计算超越摩尔定律，并持续推动人工智能前沿发展的整个社群。我们携手并进，为地球打造一个更美好的未来。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/9 9:38:43