MAX15162/MAX15162A器件是双通道断路器集成电路。该器件将双通道控制器与双140mΩ（在WLP中，在TQFN中为180mΩ）功率MOSFET和电子断路器保护集成在单个封装中。这些器件在启动期间具有恒定功率控制功能，以保持MOSFET在安全操作区（SOA）下运行。这些设备提供了强大的过电流保护，具有可编程的电流限制水平和可调节的过电流关闭延迟，以更好地抵御系统噪声和负载瞬态。电流监测引脚为每个通道提供±3%的电流检测精度。当输出端短路时，快速限流比较器在200ns内关闭MOSFET，以将负载与输入端隔离。在故障状态期间，MAX15162A进入自动重试模式，MAX15162进入锁存关闭模式。对于这两个设备，ALRT引脚断言一个故障指示。MAX15162/MAX15162A可以配置为两个独立通道或用于一个公共输出的两个并行通道。这些设备具有许多保护功能，包括：；IN to OUT短路保护、输出短路保护、启动看门狗定时器、输入欠压锁定和内部超温保护。MAX15162/MAX15162A有24引脚、4mm x 4mm TQFN封装和16凸块、2mm x 2mm WLP封装，额定工作温度在-40°C至+105°C之间。
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2023/7/12 15:00:25
HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。该开关采用minus;5 V至minus;3 V负电源电压工作，需要两个负逻辑控制电压。HMC641ALP4E内置片内二进制2:4线路解码器，通过两条逻辑输入线路提供逻辑控制。HMC641ALP4E采用4 mm times; 4 mm、24引脚LFCSP封装，工作频率范围为0.1 GHz至20 GHz。 特性 宽带频率范围：0.1 GHz至20 GHz 非反射式50 Omega;设计 低插入损耗：3.0 dB（20 GHz时） 高隔离度：40 dB（20 GHz时） 高输入线性度：250 MHz至20 GHz P1dB：24 dBm（典型值） IP3：41 dBm（典型值） 高功率处理 26.5 dBm（通过路径） 23 dBm（端接路径） 集成式2:4线路解码器 24引脚、4 mm times; 4 mm LFCSP封装 ESD额定值：250 V（1A级）
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2023/7/12 14:58:46
MA4AGSW2是一种铝砷化镓，单刀双掷（SPDT），PIN二极管开关。该开关具有使用MACOM的异质结技术形成的增强型AlGaAs阳极。AlGaAs技术产生的开关比使用传统GaAs工艺制造的器件具有更小的损耗。在50GHz下可以实现多达0.3dB的插入损耗降低。该器件是在OMCVD外延晶片上使用设计用于高器件均匀性和极低寄生效应的工艺制造的。芯片内的二极管表现出低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并有一个额外的聚合物层用于防刮。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏二极管结和芯片阳极空气桥。需要片外偏置电路。AlGaAs的高电子迁移率和所用PIN二极管的低电容使该开关成为快速响应、高频、多掷开关设计的不错选择。AlGaAs PIN二极管开关是雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件组件中开关阵列的理想选择。
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2023/7/12 14:28:54
T2-1-X65+是一种射频变压器，截止频率最小0.05MHz，最大600MHz，符合ROHS标准，最高工作温度85摄氏度，最低工作温度-20摄氏度，结构尺寸L7.62XB6.86XH5.84(毫米)，零件生命周期代码为活跃。除此之外，T2-1-X65+射频变压器还具备以下特点：•宽带，0.05至600 MHz•出色的回波损耗•还可提供扁平封装（W38）和表面安装鸥翼（KK81）引线因此常常被用于阻抗匹配和VHF/UHF中。
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2023/7/11 11:56:05
T9-1-X65+是mini系类的一种射频变压器型号，其截止频率最小0.15MHz，最大200MHz，符合ROHS标准，并且其插入损耗在3分贝，需要在-20摄氏度至85摄氏度下进行工作，其结构尺寸为L7.62XB6.86XH5.84(毫米)，因此在安装使用时需要提前计算安装位置。特点•宽带，0.15至200 MHz•良好的回波损耗•还可提供扁平封装（W38）和表面安装鸥翼（KK81）引线应用程序•阻抗匹配•VHF•接收器/发射器
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2023/7/11 11:42:10
T13-1T-X65+是一款射频变压器，截止频率最小0.3MHz，最大120MHz，符合ROHS标准，其DC不平衡电流-最大值为30毫安。T13-1T-X65+射频变压器高5.84毫米，长度7.62毫米。工作温度需要在--20摄氏度至85摄氏度之间使用，额定功率为0.25瓦。除此之外，T13-1T-X65+射频变压器还具备以下特点。特点•良好的回波损耗•还可提供扁平封装（W38）和表面安装鸥翼（KK81）引线因此常被应用于VHF接收机/发射机和阻抗匹配中。
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2023/7/11 11:37:09
THMC732LC4B是一款宽带GaAs InGaP HBT MMIC压控振荡器，集成谐振器、负电阻器件和变容二极管。 由于该振荡器采用单芯片结构，因此在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 Vtune端口支持0至+23V的模拟调谐电压。 HMC732LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅为57 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO独一无二地集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性于一体。 特性： 1.宽调谐带宽 2.Pout： +1 dBm 3.低SSB相位噪声： -95 dBc/Hz（100 kHz） 4.无需外部谐振器 5.单正电源： +5V (57 mA) 6.24引脚4x4mm SMT封装： 16mmm²应用 因此，常常被应用于工业/医疗设备 测试和测量设备 军用雷达、EW和ECM等程序应用中。
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2023/7/11 10:59:12
AD5684R nanoDAC+™是一种四通道、12位、轨到轨、电压输出DAC。其内置2.5 V、2 ppm/˚C内部基准电压源（默认使能）和增益选择引脚，满量程输出为2.5 V（增益=1）或5 V（增益=2）。它采用2.7 V至5.5 V单电源供电，通过设计保证单调性，并具有小于0.1% FSR的增益误差和1.5 mV的失调误差性能。提供3mm X 3mm LFCSP和TSSOP封装。并且AD5684R还内置一个上电复位电路和一个RSTSEL引脚，确保DAC输出上电至零电平或中间电平，直到执行一次有效的写操作为止。此外所有器件具有各通道独立省电特性，在省电模式下，器件在3 V时的功耗降至4 uA。除此之外，AD5684R采用多功能SPI接口，时钟速率高达50 MHz，包含一个为1.8V/3V/5V逻辑电平准备的VLOGIC引脚。 产品特色 高相对精度：AD5684R（12位）：±1LSB INL（最大值） 低漂移片内基准电压源：温度漂移：2.5V时2ppm/°C 两种封装选择：3mm × 3mm、16引脚LFCSP或16引脚TSSOP因此，常被应用于光收发器、基站功率放大器、过程控制（PLC I/O卡）、工业自动化、数据采集系统等应用中。
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2023/7/11 10:52:58
川土微电子CA-IF1028-Q1集成电压调整器（LDO）的LIN收发器新品发布！该产品集成LDO具有100mA/125mA供电能力。01产品概述CA-IF1028-Q1是一款集成电压调整器的本地互联网络（LIN） 收发器，LIN是支持汽车车载网络的低速通用异步收发器（UART）通信协议。CA-IF1028-Q1通过TXD引脚控制LIN总线的状态，使其具备较好的压摆率和波形整形，以减少电磁辐射（EME），并通过RXD输出引脚报告总线的状态。CA-IF1028-Q1通过宽输入电压范围来支持12V应用，此外还支持低功耗睡眠模式。该器件支持通过从LIN和EN引脚唤醒的功能。CA-IF1028-Q1集成了低压稳压器（LDO），提供5V或3.3V电压输出，供电电流高达100mA（SOIC8）和125 mA（DFN8），以给其他器件供电。02产品特性• 符合面向汽车应用的AEC-Q100标准（认证中）• 符合 LIN2.0、LIN2.1、LIN2.2、LIN2.2A 和 ISO 17987-4:2016(12V) 电气物理层（EPL）标准• 符合面向车辆应用的SAE J2602-1 LIN 网络标准和面向车辆应用的SAE J2602-2 LIN 网络标准符合性测试• 支持12V应用• 宽工作输入电压范围：- VBAT范围为5.5V至28V• LIN传输数据速率高达20kbps• 工作模式：- 正常模式- 低功耗待机模式（典型值：25μA）- 低功耗睡眠模式（典型值：16μA）• 支持低功耗模式唤醒：- 通过LIN总线实现远程唤醒- 通过EN引脚实现直接唤醒• 集成30kΩ LIN上拉电阻• 在LIN总线和RXD输出实现上电/断电无干扰运行• 保护功能：±42V LIN总线容错、42V负载突降支持、IEC ...
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2023/7/11 10:22:56
美国半导体产业协会（SIA）6日表示，全球5月芯片销售比去年同期下滑21.1%，降至407亿美元，但月成长1.7%，为连续第三个月月成长，成为芯片业景气触底的最新迹象。SIA执行长纽佛表示，尽管半导体市场相较于2022年仍显疲软，但全球半导体销售在5月连续三个月月比上扬，引发景气有望在下半年回升的乐观期望。这项数据由世界半导体贸易统计协会（WSTS）汇编，为三个月移动均值。而且5月所有地区的半导体销售月比都成长，中国大陆增加3.9%，欧洲攀升2%，亚太／其他地区增长1.3%，日本攀增0.4%，美洲也微增0.1%。以年比来看，欧洲上扬5.9%，日本下滑5.5%，美洲减少22.6%，亚太／其他地区减退23%，大陆锐减29.5%。SIA运用WSTS的预测数据预估，今年全球芯片销售将下滑10.3%，但明年将成长11.9%。摩根士丹利证券发布大中华半导体报告指出，目前产业已在U型复甦的底部，今年第4季可望开启下一个上升循环，主要是受惠于两大长期驱动力，一是科技通货紧缩，一是人工智慧（AI）带动半导体需求。报告指出，虽然下半年复甦疲弱已是市场共识，但晶圆代工厂产能利用率（供应）削减，下半年将很快耗尽库存。依历史经验，半导体库存天数减少，是股价上扬的强烈讯号。报告指出，推动半导体需求有两大驱动力，一是科技通缩，即价格弹性，电视及智慧手机降价将刺激需求；一是科技扩散，例如AI。未来需求比供应更难以预测，形成投资阻力，但大摩对于AI带动的长期半导体成长很有信心。目前已可见到长期周期复甦，大摩将大中华半导体的整体产业评等提升到“有吸引力”，建议投资人不要只注意2023年的下滑趋势，而要放眼于2024年的上升周期。除了少数受结构性问题干扰的公司以外，大多数亚太半导体公司明年的营收可望年成长10%或以上，营业利益率同步改善。大摩以明年预估获利来估算，晶圆代工业可望享有2.2倍的股价净值比、14%的...
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2023/7/11 10:14:13
ADRF5021是一种使用硅工艺制造的通用单刀双掷（SPDT）开关。它采用3毫米×3毫米、20端子陆栅阵列（LGA）封装，在9 kHz至30 GHz范围内提供高隔离和低插入损耗。他的宽带开关需要+3.3V和-2.5V的双电源电压，并提供CMOS/LVTTL逻辑兼容控制。使用靠近RF引脚的接地、信号、接地（GSG）探针在探针矩阵板上测量的插入损耗和回波损耗；在评估板上测量的隔离，因为探针之间的信号耦合限制了ADRF5021在探针矩阵板上的隔离性能测试仪器微波无线电和甚小孔径终端（VSAT）军用无线电、雷达、电子对抗（ECM）宽带电信系统。
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2023/7/10 14:02:57
TOAT-51020+是一款mini系列的射频衰减器，其最小工作频率10MHz，最大1000MHz，符合ROHS标准，密封，金属，TO-8，外壳QQ96，12针，衰减标称值为35分贝，特性阻抗为50 Ω。电源电流-最大值为12毫安。除此之外，这种型号的衰减器还具备以下特性：宽带，10至1000 MHz出色的步进精度，典型值为0.2 dB。卓越的VSWR 1.3标准。低直流电流，典型值为6 mA。密封，金属，TO-8外壳
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2023/7/10 13:50:18
TOAT-4816+是一款可变衰减器，最小10MHz，最大1000MHz，符合ROHS标准，密封，金属，TO-8，外壳QQ96，12针，TOAT-4816+的衰减标称值为28分贝，适合在-55摄氏度至100摄氏度间进行工作，除此之外，TOAT-4816+可变衰减器常被应用在以下几种场合中。应用：1.基站2.手机3.测试装置4.军事、高可靠性应用
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2023/7/10 11:57:13
TOAT-3610+是一款可变衰减器，最小10MHz，最大1000MHz，TO-8，12引脚，其终端数量为12，最大输入功率(连续波)为15.05 dBm，衰减标称值为19分贝，射频/微波设备类型为可编程控衰减器，除此之外，还具备以下特性：1.宽带，10至1000 MHz2.步进精度，典型值为0.2 dB。3.卓越的VSWR 1.3标准。4.低直流电流，典型值为6 mA。5.密封，金属，TO-8外壳
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2023/7/10 11:54:39
TOAT-124+是一款可变衰减器，最小10MHz，最大1000MHz，TO-8，12引脚，最高工作温度100摄氏度，最低工作温度为-55摄氏度，射频/微波设备类型为可变衰减器，产品特性如下：宽带，10至1000 MHz步进精度，典型值为0.2 dB优秀VSWR 1.3标准低直流电流，6 mA典型值密封，金属，TO-8外壳因此常被应用于基站、蜂窝、测试集、军事，高可靠性应用中。
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2023/7/10 11:40:06
HMC629LP4（E）是一款低成本无引线SMT封装的宽带4位GaAs IC数字衰减器。这种多功能数字衰减器包含用于近直流操作的片外交流接地电容器，适用于各种射频和中频应用。双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线串行输入或4位并行字。对于只需要33dB衰减范围的应用，HMC629LP4（E）提供了高达10GHz的卓越衰减精度。HMC629LP4（E）封装在符合RoHS标准的4x4毫米QFN无引线封装中，不需要外部匹配组件。HMC629LP4（E）特性：3 dB LSB阶跃至45 dB通电状态选择低插入损耗：2.5 dBTTL/CMOS兼容，串行，并行或锁存并行控制±0.25 dB典型阶跃误差单个+3V或+5V电源24引线4x4mm SMT封装：16mm2
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2023/7/10 11:26:39
宽带放大器是一种电路设计，用于放大宽频带信号，如射频（RF）信号或宽带数据信号。下面是一般的宽带放大器电路设计要点： 1.选择合适的放大器类型：常见的宽带放大器类型包括BJT（双极性晶体管）、FET（场效应晶体管）和操作放大器（Op-Amp）等。根据应用需求和性能要求选择适当的放大器类型。 2.确定增益和带宽要求：根据应用需求确定所需的增益和带宽。宽带放大器应能够放大所需频率范围内的信号，并保持相对较平坦的增益响应。 3.选择合适的元件：根据设计需求选择合适的放大器元件，如晶体管、电容器和电感器等。这些元件的选择应考虑到它们的频率响应、能耗和线性度等特性。 4.稳定性和匹配：宽带放大器设计需要考虑电路的稳定性和信号匹配。稳定性分析确保在各种工作条件下，放大器的输出不会产生自激振荡。信号匹配可以通过使用合适的传输线、匹配电路和调谐元件来实现。 5.噪声和抗干扰性能：宽带放大器应具有良好的噪声和抗干扰性能，以确保信号质量和数据完整性。这可以通过降低噪声系数、增加信号与干扰的动态范围以及采取屏蔽和滤波措施来实现。 6.反馈和稳定化：对于一些放大器设计，引入适当的反馈电路可以提高放大器的稳定性和线性度。这包括使用反馈电阻、电容器和电感器等元件来控制放大器的频率响应和增益。 7.电源和热管理：宽带放大器设计还需要考虑电源和热管理。合理选择电源电压和电流，以满足电路的工作要求。同时，需要采取散热措施，以确保放大器在高功率操作时能够有效地散热。 这些是宽带放大器电路设计的一般要点。具体的设计过程和方法会根据应用需求、技术要求和所选元件的特性而有所不同。设计过程中还需要进行仿真和实验验证，以确保电路性能符合设计预期。
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2023/7/7 14:02:37
光后置放大器（OpticalBoosterAmplifier，OBA）是一种用于光纤通信系统的光学放大器，用于增强光信号的功率。它通常用于光纤传输链路的末端，以弥补光信号在传输中的损耗。 光后置放大器的工作原理如下： 1.输入光信号：光信号通过光纤传输到光后置放大器的输入端。这个输入信号可能是来自光纤传输链路中的光源或者之前的光放大器输出。 2.光探测器：在光后置放大器的输入端，通常有一个光探测器用于监测输入光信号的功率水平。光探测器可以反馈给放大器控制电路，以调整放大器的增益和偏置。 3.光放大器：输入光信号进入光放大器单元，通常采用掺铒（Erbium）或其他稀土元素的光纤。这些掺杂物可以在受激辐射的作用下将输入光信号放大。 4.激光器激发：在光放大器中，通过使用激光器或其他光源激发掺杂物，使其达到激发态。掺杂物的激发态能级被激发到较高的能量水平，准备好与输入光信号相互作用。 5.光信号放大：输入光信号与激发态的掺杂物相互作用，产生受激辐射放大效应。这种作用导致输入光信号的能量被传递到激发态的掺杂物上，从而放大输入光信号的功率。 6.输出光信号：放大后的光信号通过光后置放大器的输出端输出。输出光信号的功率通常较输入信号大，以弥补传输过程中的光损耗。 需要注意的是，光后置放大器通常需要与其他光学器件（如光分波器、光偏振控制器等）和光纤连接，以构建完整的光纤通信系统。此外，放大器的性能参数（如增益、噪声系数等）和工作特性可以通过设计和优化掺杂物浓度、激光器功率和其他参数来调节。 光后置放大器的工作原理使其成为光纤通信系统中重要的组成部分，可有效增强信号的功率，并延长传输距离。
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2023/7/7 14:01:43