HMC1131是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)驱动放大器，工作频率范围为24 GHz至35 GHz。 HMC1131在24 GHz至27 GHz范围下提供22 dB增益、35 dBm输出IP3和24 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为225 mA（采用5 V电源）。 HMC1131可提供25 dBm的饱和输出功率，采用紧凑型4 mm × 4 mm无引脚陶瓷芯片载体封装（24-引脚LCC）。 HMC1131是一款适合各种应用（范围为24 GHz至35 GHz）的驱动放大器，包括点到点无线电。应用点对点无线电点对多点无线电VSAT和SATCOM
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2023/1/9 15:21:03
HMC987LP5E 1:9扇出缓冲器设计用于低噪声时钟分配。 该器件旨在生成上升/下降时间小于100 ps的相对方波输出。 HMC987LP5E具有低偏斜和抖动输出以及快速上升/下降时间，从而可以控制混频器、ADC/DAC或SERDES器件等下游电路的低噪声开关功能。 这些应用中，当时钟网络带宽足够宽并允许方波切换时，噪底尤为重要。 HMC987LP5E的输出以2 GHz驱动，其噪底为-166 dBc/Hz，相当于0.6 asec/rtHz抖动密度，或8 GHz带宽内的50 fs。输入级可单端或差分驱动，可采用多种信号格式（CML、LVDS、LVPECL或CMOS），以及交流或直流耦合。 输入级同样具有可调输入阻抗。 该器件集成带有可调摆幅/功率电平的8路LVPECL输出和1路CML输出，步进为3 dB。各输出级可以通过硬件控制引脚或串行端口接口的控制使能或禁用，以便在不需要时节省电能。应用SONET、光纤通道、GigE时钟分配ADC/DAC时钟分配低偏斜和抖动时钟或数据扇出无线/有线通信电平转换高性能仪器仪表医疗成像单端至差分转换
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2023/1/9 15:19:36
HMC424ALP3E是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器，采用低成本、无引脚表贴封装，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定频率范围内具有出色的衰减精度（±0.2 dB + 4%的衰减状态）和高输入线性度，典型插入损耗小于4 dB。衰减器位值为0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，总衰减为31.5 dB，典型步长误差为±0.5 dB。该器件允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定。HMC424ALP3E采用−3 V至−5 V单个负电源供电，需要外部电平转换器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑(TTL)接口。HMC424ALP3E采用符合RoHS标准的紧凑型、3 mm × 3 mm、16引脚引脚架构芯片级封装(LFCSP)。应用蜂窝基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器中频(IF)和RF设计军事与太空
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2023/1/9 15:17:30
HMC988LP3E是一款超低噪声时钟分频器，可进行1/2/4/8/16/32分频。该器件是一款多功能器件，额外功能有：可调输出相位、可调延迟（60个步进，步长约20 ps）、时钟同步功能和时钟反转选项。 时钟分频器采用紧凑型3x3 mm SMT QFN封装，具有高级功能。 该器件采用3.3V电源供电，可连接5V电源并利用可选片内稳压器。 可以旁路片内稳压器。 SPI总线上最多可以同时使用8个可寻址HMC988LP3E器件。HMC988LP3E适合数据转换器应用，相位噪声要求极低。应用基站数字预失真路径(DPD)高性能自动测试设备(ATE)背板时钟偏斜管理多个时钟路径的相位相干时钟延迟管理可改善建立和保持时间裕量PCB信号传播时间失调电路ADC/DAC采样保持电路
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2023/1/9 15:15:06
HMC341LC3B是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器的工作频率范围为21至29 GHz，采用+3V单电源时提供13 dB增益和2.5 dB噪声系数。 隔直RF I/O匹配至50 Ω，无需外部元件。 HMC341LC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。Applications点对点无线电点对多点无线电和VSAT测试设备和传感器军用最终用途
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2023/1/9 15:09:52
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。HMC578LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-129 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC578LC3B采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
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2023/1/9 15:06:33
HMC586LC4B是一款宽带GaAs InGaP电压控制振荡器，集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管。 由于振荡器的单芯片结构，其输出功率和相位噪声性能在不同的温度下始终非常出色。 Vtune端口接受0至+18V的模拟调谐电压。 HMC586LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅55 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性于一体，构成独特的特性组合。应用工业/医疗设备测试和测量设备军用雷达、电子战和电子对抗
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2023/1/9 15:05:42
HMC1122是一款6位数字衰减器，工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC1122采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。HMC1122采用3.3 V至5 V单电源供电，由于集成了片内稳压器，性能不会发生变化。该器件集成一个驱动器，支持对衰减器进行串行和并行控制。该器件还提供用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他串行控制元件。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装，与HMC624A引脚兼容。同时提供完全填充的评估板。应用蜂窝通信基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器IF和RF设计
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2023/1/9 15:04:03
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。应用蜂窝/4G基础设施无线基础设施移动无线电测试设备
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2023/1/9 15:02:05
HMC985ALP4KE是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作范围为10 - 40 GHz，非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过40 dB动态范围的RF信号电平。它集成了由两个模拟电压Vctl1和Vctl2控制的分流型衰减器。该衰减器通过第一衰减级Vctl1在-5V至0 V电压范围内的变化实现优质线性度性能，Vctl2固定在-5V。第二衰减级的控制电压Vctl2应在-5V至0V电压范围内变化，Vctl1固定在0V。如果Vctl1和Vctl2引脚连接在一起，仅需稍微降低输入IP3性能便可实现全模拟衰减范围。具体应用包括微波点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电测试仪器仪表微波传感器军事、ECM和雷达
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2023/1/9 15:01:00
HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-148 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。应用UNII、点对点和VSAT无线电802.11a和HiperLAN WLAN光纤产品蜂窝/3G基础设施
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2023/1/9 14:59:54
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC903LP3E还具有隔直输入和输出，内部匹配至50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)应用。应用点对点无线电点对多点无线电军事与太空测试仪器仪表
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2023/1/9 14:59:02
HMC713LP3E对数检波器/控制器非常适合将RF信号（50 MHz至8000 MHz频率范围内）的功率在输出端转换为与输入功率成正比的直流电压。 HMC713LP3E采用连续压缩技术，可在宽输入频率范围内提供具有高测量精度的54 dB动态范围。 随着输入信号增加，连续放大器逐渐进入饱和，从而生成精确的对数函数近似值。 一系列检波器输出求和、转换成电压域并缓冲驱动OUTP输出。在检测模式下，OUTP引脚连接到VSET输入，提供17 mV/dB标称对数斜率和-68 dBm截距。 HMC713LP3E也可以在控制器模式下使用，在该模式下向VSET引脚施加外部电压以实现AGC或APC反馈环路。应用蜂窝基础设施WiMAX, WiBro和amp; LTE/4G电源监控和控制电路接收机信号强度指示(RSSI)蜂窝基础设施自动增益和功率控制军事、ECM和雷达
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2023/1/9 14:58:03
HMC346AMS8GE是一款吸收式电压可变衰减器（VVA），采用8引脚表面安装封装，工作频率为DC-8 GHz。它具有片上参考衰减器，可与外部运算放大器一起使用，以提供简单的单电压衰减控制，0至-5V。在模拟DC控制信号必须控制30dB幅度范围内的RF信号电平的设计中，该设备是理想的。应用包括微波点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级的温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电
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2023/1/9 14:52:30
HMC536MS8G & HMC536MS8GE 是 DC - 6 GHz、GaAs、MMIC、T/R 交换芯片，采用 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装，带有裸露的接地焊盘。该交换芯片非常适合蜂窝 PCS/3G 基站应用，具有 0.5 dB 的低插入损耗和 +55 dBm 的输入IP3 。该交换芯片在 6 GHz 的频率下具有出色的功率处理能力，具体为开关在 +3 V 控制下提供 +29 dBm 的 P0.1dB 压缩点。片内电路允许在极低的直流电流下将正电压控制在 0/+ 3 V 或 0/+ 5V。应用蜂窝/3G 基础设施 ISM/MMDS/WiMAX CATV/CMTS 测试仪器仪表
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2023/1/9 14:51:28
HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为5至7 GHz。 该放大器无需外部匹配亦可工作，从而在输入和输出端实现真正的50 Ohm匹配性能。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 该放大器提供15 dB增益，饱和功率为+29 dBm（28% PAE时），电源电压为+5V。 当放大器不用时，可使用省电功能以节省功耗。应用UNIIHiperLAN
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2023/1/9 14:50:10
HMC311SC70(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至8 GHz。 此款放大器采用业界标准SC70封装，可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+15 dBm的HMC混频器LO端口。 HMC311SC70(E)提供15 dB的增益，+30 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供54 mA电流。 达林顿拓扑结构可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。应用蜂窝/PCS/3GWiBro / WiMAX / 4G固定无线和WLAN有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星微波无线电和测试设备
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2023/1/9 14:46:37
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。应用点对点无线电点对多点无线电军事和太空测试仪器仪表
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2023/1/9 14:40:42