LMH6523包含四个高性能数字控制可变增益放大器（DVGA）。它被设计用于窄带和宽带IF采样应用。通常，LMH6523在广泛的混合信号和数字通信应用中驱动高性能ADC，例如移动无线电和蜂窝基站，其中需要自动增益控制（AGC）来增加系统动态范围。 LMH6523的每个通道都有一个独立的数字控制衰减器和一个高线性差分输出放大器。所有电路都经过优化，以实现低失真和最大系统设计灵活性。功耗由三态启用引脚管理。单个通道可以被禁用或置于低功率模式或更高性能的高功率模式。对于需要高速功率控制的系统，启用引脚在串行和并行模式下都处于激活状态。 LMH6523数字控制衰减器在31dB范围内提供精确的1dB增益步长。数字衰减器可以由SPI串行总线或高速并行总线控制。 输出放大器具有差分输出，允许单个5V电源上的大信号摆动。低阻抗输出在驱动宽范围滤波器设计或模数转换器时提供了最大的灵活性。对于信号电平变化非常大的应用，LMH6523可以通过级联信道支持高达62dB的增益范围。 LMH6523在?40°C至85°C的工业温度范围内工作。LMH6523采用54针热增强LLP封装。
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2022/12/29 16:10:39
LMH6401 是一款面向直流到射频 (RF)、中频 (IF) 和高速时域应用的宽带、数控可变增益放大器 (DVGA)。 对于需要自动增益控制 (AGC) 的直流或交流耦合应用而言，该器件是一款理想的 ADC 驱动器。该器件对噪声和失真性能进行了优化，以便驱动超宽带 ADC。 放大器在最大增益条件下的噪声系数为 8dB，在 1GHz 满量程信号电平条件下的谐波失真为 -63dBc。 该器件支持单电源和分离电源供电，以驱动 ADC。 该器件提供了共模参考输入引脚，以便使放大器输出共模符合 ADC 输入要求。该器件通过 SPI 接口执行增益控制，并且支持 32dB 的增益范围（–6dB 至 26dB，步长为 1dB）。 此外，还可以通过外部 PD 引脚或串行外设接口 (SPI) 控制提供掉电功能。这一性能水平在 345mW 的低功耗下才能实现。 器件工作的环境温度范围为 –40°C 至 85°C。
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2022/12/29 16:09:32
TPS51020是用于笔记本电脑系统电源的多功能双同步降压控制器。该部件专门设计用于高性能、高效率的应用，其中与电流感测电阻器相关的损耗是不可接受的。TPS51020利用前馈电压模式控制来实现高效率而不牺牲线路响应。通过结合自动跳跃操作，轻负载条件下的效率也可以保持较高。一个可选的、支持挂起到RAM（STR）的DDR选项为所有开关应用提供了一个单芯片解决方案，从5-V/3.3V电源到完整的DDR终端解决方案。
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2022/12/29 16:07:37
作为SWIFT成员™ TPS54672有源总线终端同步PWM转换器集成了所有所需的有源组件。具有所列特征的基板上包括一个真正的高性能电压误差放大器，它在选择输出滤波器L和C组件时具有最大的性能和灵活性；欠压锁定电路，用于防止启动直到输入电压达到3V；用于限制浪涌电流的缓慢启动控制；以及指示有效操作条件的状态输出。TPS54672可用于热增强型28引脚TSSOP（PWP）PowerPAD™ 它消除了笨重的散热片。TI提供评估模块和SWIFT™ 设计师软件工具，帮助快速实现高性能电源设计，以满足苛刻的设备开发周期。
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2022/12/29 16:05:48
ISO7240x、ISO7241x和ISO7242x设备是具有多通道配置和输出启用功能的四通道数字隔离器。这些器件具有由Texas Instrument的二氧化硅（SiO2）隔离屏障分隔的逻辑输入和逻辑输出缓冲器。这些设备与隔离电源一起使用，有助于阻断高压，隔离接地，防止噪声电流进入本地接地，干扰或损坏敏感电路。 ISO7240x系列设备具有相同方向的所有四个通道。ISO7241x系列设备具有三个相同方向的通道和一个相反方向的通道。ISO7242x系列设备在每个方向上有两个通道。 带有C后缀（C选项）的设备具有TTL输入阈值和输入处的噪声滤波器，以防止瞬态脉冲传递到设备的输出。带有M后缀（M选项）的器件具有CMOS VCC/2输入阈值，并且不具有输入噪声滤波器或附加传播延迟。 ISO7240CF设备在引脚7上具有输入禁用功能，并通过CTRL引脚（引脚10）具有可选择的高或低故障保护输出功能。当逻辑高置于CTRL引脚上或未连接时，故障保护输出为逻辑高。如果向CTRL引脚施加逻辑低信号，则故障保护输出变为逻辑低输出状态。ISO7240CF设备的输入禁用功能可防止数据通过隔离屏障传递到输出。当输入被禁用或VCC1断电时，输出由CTRL引脚设置。 这些设备可以任意组合从两侧的3.3V或5V电源供电。无论所使用的电压供应水平如何，信号输入引脚都能耐受5V。 这些设备的特点是在-40°C至+125°C的环境温度范围内运行。
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2022/12/29 15:53:15
LP2998线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSL-18的DDR-SDRAM和DDR2内存终端规范。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35V。输出级防止击穿，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。 LP2998上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 15:23:48
TPS51916设备以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压调节器控制器（VDDQ）和一个2-a宿和2-a源跟踪LDO（VTT）以及缓冲低噪声参考（VTTREF）。 该设备采用D-CAP? 模式与300kHz或400kHz频率耦合，便于使用和快速瞬态响应或D-CAP2? 该模式与更高的500kHz或670kHz频率耦合，以支持陶瓷输出电容器而无需外部补偿电路。VTTREF跟踪VDDQ/2的准确率为0.8%。VTT提供2-A宿和2-A源峰值电流能力，只需要10?F的陶瓷电容。专用LDO电源输入可用。 该设备还提供了优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VTT置于高Z，在S4或S5状态下将VDDQ、VTT和VTTREF（软关闭）放电。可编程OCL具有低侧MOSFET RDS（开启）传感、OVP、UVP、UVLO和热关机保护。
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2022/12/29 15:20:09
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 15:18:33
TPS65296器件以最低的总成本和最小的空间为LPDDR4/LPDDR4X存储器系统提供了完整的电源解决方案。它符合JEDEC标准的LPDDR4/LPDDR4X加电和断电顺序要求。TPS65296集成了两个同步降压转换器（VDD1和VDD2）和1.5 a LDO（VDDQ）。TPS65296采用D-CAP3™ 该模式具有600 kHz开关频率，可实现快速瞬变、良好的负载/线路调节，并支持无外部补偿电路的陶瓷输出电容器。TPS65296提供了丰富的功能以及内部低Rdson功率MOSFET的良好效率。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VDDQ置于高Z，在S4/S5状态下将VDD1、VDD2和VDDQ放电。完整的保护功能包括OVP、UVP、OCP、UVLO和热关机保护。该部件采用热增强型18针HotRod™ VQFN封装，设计在-40°C至125°C结温范围内工作。
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2022/12/29 15:07:08
TPS53830为D-CAP+™ 用于DIMM电源上DDR5的模式集成降压转换器。它为DIMM模块上的DRAM芯片提供VDD、VDDQ和VPP电压，具有可配置的电流能力。高电流轨可配置为2相或2个输出，通过D-CAP提供高达12 A（或6 A+6 A）的电流+™ 模式控制。转换器还采用内部补偿，以便于使用并减少外部组件。转换器提供全套遥测，包括输入电压、输出电压和输出电流。还提供过电压、欠电压、过电流限制和过热保护。TPS53830封装在热增强型35针QFN中，工作温度范围为-40°C至+125°C。
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2022/12/29 15:05:42
作为SWIFT成员™ TPS54872低输入电压高输出电流同步降压PWM转换器集成了所有所需的有源元件。具有所列特征的基板上包括一个真正的高性能电压误差放大器，它能够在瞬态条件下实现最大性能，并在选择输出滤波器L和C组件时具有灵活性；欠压锁定电路，用于防止启动直到输入电压达到3.8V；内部设置的慢启动电路，用于限制浪涌电流；以及指示有效操作条件的状态输出。TPS54872可用于热增强型28引脚TSSOP（PWP）PowerPAD™ 它消除了笨重的散热片。TI提供评估模块和SWIFT设计器软件工具，帮助快速实现高性能电源设计，以满足苛刻的设备开发周期。
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2022/12/29 14:58:32
LP2997线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-18 DDR-II内存终端规范。该设备包含一个高速运算放大器，以提供对负载瞬变的出色响应。输出级防止击穿，同时根据DDR-II SDRAM终端的要求，在应用中提供500mA的连续电流和高达900mA的瞬态峰值。LP2997还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2997上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:57:45
LP2998线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSL-18的DDR-SDRAM和DDR2内存终端规范。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35V。输出级防止击穿，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2998上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:56:36
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 14:53:42
TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
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2022/12/29 14:52:05
TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
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2022/12/29 14:51:15
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 14:49:30
TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200 可保持快速的瞬态响应，仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持遥感功能，并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装，具有绿色环保和无铅的特性。其额定温度范围为 -40°C 至 +85°C。
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2022/12/29 14:47:25