9月27日消息，据外资机构对于ABF载板市场的预测显示，由于PC 需求低迷和英特尔新服务器处理器延迟到明年发布，使得今年的ABF载板供需状况面临巨大压力，但在2023年，受益于英特尔新PC和服务器芯片的贡献上升，ABF载板市场的供需缺口将会再次扩大，而BT、PCB需求则受消费电子市场需求疲软影响表现不佳。 外资机构还指出，未来几年非英特尔阵营的ABF载板需求会持续扩大，ABF载板供需缺口至少保持在15% 左右，主要是因为AMD、赛灵思、NVIDIA 和Marvell的结构性HPC、云端、网路推动，以及汽车电子需求的加速，还有中国半导体本地化的趋势上升。 外资分析，由于英特尔享有所有ABF载板供应商的独家或优先产能支持，考虑到交货时间和专用设备，难以切换到其他芯片设计商，因此仍然紧张的非英特尔阵营ABF 供应情况，应该为欣兴、南电、景硕的非英特尔ABF载板业务，带来有利的定价和利润。 尽管因为通货膨胀拖累消费电子需求放缓，未来几个月市场情绪可能保持低迷，但非PC 需求的网络、汽车、AI/HPC、AR/VR 强劲，以及来自与中国相关的GPU/CPU 紧急订单，还有明年上半年的美国顶级IDM/fabless 供应商逐渐恢复成长，可望成为台湾ABF载板产能的催化剂。 外资强调，整体来说，因为消费电子需求疲弱影响，BT、PCB 的前景黯淡，因此维持对欣兴、南电、景硕「买入」的评级，但是却下调了目标股价，并建议投资人在2023 年起ABF载板供需缺口扩大的情况时买入。
浏览次数：
5
2022/9/28 14:26:05
BQ40Z50-R2 器件采用已获专利的 Impedance Track™ 技术，是一个全集成、单芯片、基于电池组的解决方案，可为 1 节、2 节、3 节和 4 节串联锂离子和锂聚合物电池组提供电量监测、保护和认证等各种特性。BQ40Z50-R2 器件利用其集成的高性能模拟外设，测量锂离子或锂聚合物电池的可用容量、电压、电流、温度和其他关键参数，保留准确的数据记录，并通过 SMBus v1.1 兼容接口将这些信息报告给系统主机控制器。
浏览次数：
7
2022/9/28 13:39:47
TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
浏览次数：
10
2022/9/28 13:35:54
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
浏览次数：
8
2022/9/28 13:34:22
LP2996-N和LP2996A线性稳压器的设计符合DDR-SDRAM终端的JEDEC SSTL-2规范。该设备还支持DDR2，而LP2996A支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小为1.35 V。该设备包含一个高速运算放大器，可对负载瞬态提供出色的响应。输出级可防止贯通，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5安的连续电流和高达3安的瞬态峰值。LP2996-N和LP2996A还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。 LP2996-N和LP2996A上的另一个功能是一个主动低关机（SD）引脚，它提供了暂挂到RAM（STR）功能。当SD被拉低时，VTT输出将处于三态，提供高阻抗输出，但VREF保持激活状态。在这种模式下，通过较低的静态电流可以实现节能优势。 TI建议将LP2998和LP2998-Q1设备用于要求在零度以下工作的汽车应用和DDR应用。
浏览次数：
8
2022/9/28 13:32:45
TPS51100是一个3-a的接收器/源跟踪终端调节器。该设备专为低成本和低外部组件计数系统而设计，其中空间是一个溢价。TPS51100保持快速瞬态响应，只需要20µF（2×10µF）的陶瓷输出电容。TPS51100支持根据JEDEC规范为DDR和DDR2 VTT总线终端供电所需的遥感功能和所有功能。该部件还支持DDR3 VTT终端，VDDQ为1.5 V（典型值）。此外，TPS51100还包括集成睡眠状态控制，将VTT置于S3中的Hi-Z（暂停至RAM），并将VTT和VTTREF置于S5中的软关闭（暂停至磁盘）。TPS51100可用于热效率高的10针MSOP PowerPAD™ 包装，规定为-40°C至85°C。
浏览次数：
12
2022/9/28 13:31:02
LP2998线性调节器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSTL-18规格，用于DDR-SDRAM和DDR2内存的端接。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35 V。该设备包含一个高速运算放大器，可对负载瞬变提供出色的响应。输出级可防止贯通，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还集成了一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2998上的另一个特性是一个主动低关机（SD）引脚，它提供了暂挂到RAM（STR）功能。当SD被拉低时，VTT输出将处于三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活状态。在这种模式下，通过较低的静态电流可以实现节能优势。
浏览次数：
12
2022/9/28 13:29:07
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
浏览次数：
14
2022/9/28 13:27:06
TPS51216以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压调节器控制器（VDDQ）、2-a接收器/源跟踪LDO（VTT）和缓冲低噪声基准（VTTREF）。TPS51216采用D-CAP™ 模式与300kHz/400kHz频率耦合，便于使用和快速瞬态响应。VTTREF跟踪VDDQ/2的精度达到0.8%。VTT提供2-A的漏极/源极峰值电流能力，只需要10-μF的陶瓷电容。此外，还提供了专用LDO电源输入。TPS51216提供了丰富的实用功能以及优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，将VTT置于S3的高Z，并在S4/S5状态下放电VDDQ、VTT和VTTREF（软关闭）。还提供可编程OCL，带有低侧MOSFET RDS（打开）感测、OVP/UVP/UVLO和热关机保护。TPS51216采用20针、3 mm×3 mm QFN封装，适用于-40°C至85°C的环境温度。
浏览次数：
21
2022/9/28 13:25:48
TPS51116 为 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 内存系统提供一个完整的电源。 它集成了一个具有 1A 灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和经缓冲低噪声基准的同步降压控制器。 TPS51116 在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本。 TPS51116 同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz，伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器。 1A 灌电流/拉电流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。 此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。 TPS51116 支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。 TPS51116 具有所有保护特性，其中包括热关断并采用 20 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封装。
浏览次数：
8
2022/9/28 13:23:37
LP2996A 线性稳压器的设计符合 DDR-SDRAM 端接的 JEDEC SSTL-2 规范。 此器件还支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接，VDDQ 最小值为 1.35V。 此器件包含高速运算放大器，可提供出色的负载瞬变响应。 输出级可防止在 DDR-SDRAM 端接所需的应用中提供 1.5A 连续电流和最大 3A 的瞬态峰值电流时发生直通。 LP2996A 还包含一个 VSENSE 引脚（用于提供出色的负载调节），以及一个 VREF 输出（作为芯片组和 DIMM 的参考）。 LP2996A 的一个附加特性是具有一个低电平有效关断 (SD) 引脚，该引脚提供“挂起到 RAM”(STR) 功能。 当 SD 下拉时，VTT 输出将变为三态，并提供高阻抗输出，但 VREF 将保持有效。 在此模式下，可通过较低的静态电流获得节能优势。
浏览次数：
7
2022/9/28 13:21:55
TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
浏览次数：
6
2022/9/28 13:19:40
TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP? 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10?F 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。 TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。
浏览次数：
4
2022/9/28 13:18:08
TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专用于空间问题是重要考量因素的低输入电压、低成本、低噪声系统。TPS51200-EP 能够保持快速瞬态响应，最低仅需 20μF 输出电容。TPS51200-EP 支持远程感测功能并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。此外，TPS51200-EP 还提供一个开漏 PGOOD 信号监测输出稳压，提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RA4M）期间针对 DDR 进行 VTT 放电。TPS51200-EP 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装，无铅且绿色环保。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +125°C。
浏览次数：
8
2022/9/28 13:13:31
采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器，其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求，而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件，并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整，从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应，从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测，从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式，从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性，并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装，最大限度地减小了 IC 尺寸。
浏览次数：
6
2022/9/28 13:11:48
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
浏览次数：
6
2022/9/28 13:09:38
今天小编就来介绍一下STM32F407ZGT6芯片开发学习板这一长串名字所代表的含义。明白了这一长串名字所代表的含义，以后就会根据自己的学习或者工作需要来选择对应的芯片了。 1、首先看下图中名字的[STM]，其中ST表示的是一个公司的名字，没有什么特别的含义，M表示的是微控制器 2、[32]表示的32位的意思，表示的是这个微控制器是32位的 3、[F407]中的[F4]表示的是STM32使用的M4内核（所谓的M4内核指的是Cortex-M4，这对应的内核其实是表示的是采用了对应的一种架构），[407]这个表示的是高性能 4、[Z]表示的是引脚数，Z对应的引脚为144脚，(I表示引脚个数为176，V表示引脚个数为100，R表示引脚个数为64脚，C表示引脚个数为48脚，T表示引脚个数为36) 5、[G]表示的是内嵌Flash容量，G对应的是1M字节Flash（E表示Flash容量为512K，D表示Flash容量为384K，C表示Flash容量为256K，B表示Flash容量为128K，8表示Flash容量为64K，6表示Flash容量为32K） 6、[T]表示的是封装形式，T对应的封装是LQFP封装，（H表示封装形式为BGA封装，U表示封装形式为VFQFPN封装） 7、[6]表示的是这个芯片工作温度范围，而6表示的温度范围为-40-85℃，这样整个名字的含义是不是已经特别清晰了呢
浏览次数：
54
2022/9/28 9:37:28
ADM2483差分总线收发器是一款集成式电气隔离器件，设计用于平衡、多点总线传输线路的双向数据通信。它符合ANSI EIA/TIA-485-A和ISO 8482:1987(E)标准。该器件采用ADI公司的iCoupler技术，将3通道隔离器、三态差分线路驱动器和差分输入接收器集成于单封装中。器件逻辑端采用5 V或3 V电源供电，总线端则采用5 V电源供电。ADM2483压摆率受限以减小端接不当传输线路的反射。受控的压摆率将数据速率限制在500 kbps。该器件的输入阻抗为96 kΩ，允许总线上最多连接256个收发器。其驱动器具有高电平有效使能特性。驱动器差分输出与接收器差分输入内部相连，形成差分输入/输出端口。当驱动器禁用时，或者当VDD1或VDD2 = 0 V时，该端口向总线提供的负载极小。该器件还具有高电平有效接收器禁用特性，可使接收器输出进入高阻抗状态。接收器输入具有真故障安全特性，当输入开路或短路时，可确保接收器输出保持逻辑高电平。这样，通信开始之前以及结束时，可保证接收器输出处于已知状态。限流和热关断特性可防止发生输出短路以及总线竞争导致功耗过大的情况。额定温度范围为工业温度范围，提供16引脚、宽体SOIC封装。应用低功耗RS-485/RS-422网络隔离接口楼宇控制网络多点数据传输系统
浏览次数：
11
2022/9/27 10:20:35