为克服这些挑战，Microchip 宣布推出业界最紧凑的1.6T（太比特每秒）低功耗PHY（物理层）解决方案PM6200 META-DX2L。与其前身，业界首个太比特级PHY解决方案56G PAM4 META-DX1相比，新解决方案每个端口的功耗降低了35%。 通过转换到112G PAM4接口速率，META-DX2L使路由器、交换机和线卡的带宽翻倍 路由器、交换机和线卡需要更高的带宽、端口密度和高达800千兆位以太网（GbE）的连接，用来处理5G、云服务和人工智能（AI）及机器学习（ML）应用带来的不断增加的数据中心流量。为提供更高的带宽，这些设计需要克服行业过渡到112G（千兆位每秒）PAM4串行器/解串器（SerDes）连接所带来的信号完整性挑战，以支持最新的可插拔光学器件、系统背板和包处理器。为克服这些挑战，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出业界最紧凑的1.6T（太比特每秒）低功耗PHY（物理层）解决方案PM6200 META-DX2L。与其前身，业界首个太比特级PHY解决方案56G PAM4 META-DX1相比，新解决方案每个端口的功耗降低了35%。 The Linley Group网络业务首席分析师Bob Wheeler表示：“业界正在向112G PAM4生态系统过渡，以适应高密度交换、包处理和光学需要。Microchip的META-DX2L经过优化，通过将线卡与交换结构和多速率光学器件进行桥接，实现100 GbE、400 GbE和800 GbE连接，从而满足业界最新需求。” Microchip的META-DX2L以太网PHY是一款工业温度级器件，不仅具有高密度1.6T带宽以及节省空间的尺寸，还采用112G PAM4...
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2021/9/9 11:35:12
兆亿微波科技，北京（2021年9月8日）- 德州仪器 (TI)（NASDAQ代码：TXN）今日推出业内先进的70W无刷直流 (BLDC) 电机驱动器，用于提供无需编程无传感器的梯形和磁场定向控制 (FOC)。新发布的器件使工程师能够在10分钟内启动BLDC电机，为工程师设计各种工业系统（如大型和小型家用电器）和医疗应用（如呼吸机和持续气道正压通气机器）减少了数周的设计时间。通过集成实时控制功能和包括MOSFET在内的多达18个分立式元件，新驱动器加快了系统响应，并缩小高达70%的布板空间，同时提供出色的声学性能。如需更多信息，请参阅MCF8316A和MCT8316A。 Omdia高级研究分析师Noman Akhtar表示：“由于电源效率提高和自动化等各种趋势以及设计更低噪声电机的需求，人们对实时电机控制的需求比以往任何时候都更为迫切。越来越多的工业系统正在从交流感应电机过渡到更节能的BLDC电机，但需要复杂的硬件和优化的软件设计才能提供高性能。满足设计人员对加快电机响应需求的同时缩短整体设计周期，将是下一代工业系统向前发展的重要一步。” 使用无需编程无传感器电机控制来缩短设计时间 MCF8316A和MCT8316A无刷直流电机驱动器包括一系列独特的换向控制算法，无需开发、维护和验证电机控制软件，从而减少数周的设计时间。这些算法和高度的集成特性可以使电机驱动器更好地管理电机故障检测等关键功能，同时实施保护机制，从而提高系统可靠性。这些电机驱动器集成了无传感器技术来确定转子位置，因此无需外部霍尔传感器，从而降低了系统成本并提高了可靠性。 此外，MCF8316A无传感器磁场定向控制电机驱动器可智能地提取电机参数，使设计人员能够快速调优电机，同时提供一致的系统性能，而不受电机制造差异的影响。通过M...
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2021/9/9 10:04:51
某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下： 一、问题描述： 某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下： 二、辐射源头分析： 该产品只有一块PCB，其上有一个12MHZ的晶体。其中超标频点恰好都是12MHZ的倍频，而分析该机器容易EMI辐射超标的屏和摄像头，发现LCD-CLK是33MHZ，而摄像头MCLK是24MHZ；通过排除发现去掉摄像头后，超标点依然存在，而通过屏蔽12MZH晶体，超标点有降低，由此判断144MHZ超标点与晶体有关，PCB布局如下： 三、辐射产生的原理： 从PCB布局可以看出，12MHZ的晶体正好布置在了PCB边缘，当产品放置与辐射发射的测试环境中时，被测产品的高速器件与实验室中参考接地会形成一定的容性耦合，产生寄生电容，导致出现共模辐射，寄生电容越大，共模辐射越强；而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布，当两者之间电压恒定时，两者之间电场分布越多，两者之间电场强度就越大，寄生电容也会越大，晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下： PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 从图中可以看出，当晶振布置在PCB中间，或离PUB边缘较远时...
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2021/9/9 9:53:49
日前，Vishay 推出通过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---RCV-AT e3，工作电压达3 kV，外形尺寸为2010和2512。 器件通过AEC-Q200认证，工作电压达3 kV，采用2010和2512外形尺寸，可替代标准电阻串 2021年9月8日—日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---RCV-AT e3，工作电压达3 kV，外形尺寸为2010和2512。 Vishay Draloric RCV-AT e3系列器件工作电压高，可用来替代多颗标准电阻串联。因此，设计师可节省电动（EV）和混合动力（HEV）汽车逆变器、车载充电器和DC/DC转换器电路板空间，同时减少元件数量，降低加工成本。 RCV-AT e3系列器件阻值范围从100 kW到100 MW，公差分别为± 1 %和± 5 %，温度系数为± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。电阻额定功率为1.0 W，电阻电压系数低至25 ppm/V，工作温度为-55 °C至+155 °C。 器件符合 RoHS标准，无卤素，适合在自动贴片机上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或气相焊工艺加工。 RCV-AT e3电阻现可提供样品并已实现量产，供货周期10周。
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2021/9/9 9:49:05
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。3.4 载流子存储效应和开关特性 当功率半导体的工作状态变化时，由于载流子存储效应，电流和电压的稳态值不会立即改变。 此外，晶闸管触发时只有门极结构附近的小块区域导通。由此产生的开关损耗必须以热的形式从半导体中散发出去。 3.4.1 开通 3.4.1.1 二极管 从非导通或阻断状态转入导通状态时，由于载流子存储效应，二极管处产生电压峰值（见图20）。 图20.二极管开通过程示意图 ■ 3.4.1.1.1 正向恢复电压峰值VFRM VFRM是正向回复期间产生的最高电压值。该值随着结温和电流变化率的升高而增大。 电网 (50/60Hz)的电流变化率适中，VFRM可以忽略不计。但是在 di/dt1000A/μs的快速开关（IGBT、GTO和IGCT）自动换向变流器中，该值可能达到几百伏。虽然正向恢复电压仅存在几微秒，且不会显著增大二极管的总损耗，设计变流器时仍需考虑该值对开关半导体的影响。 针对这些应用优化的二极管图表包含了正向恢复电压和电流变化率之间的函数关系。 ■ 3.4.1.1.2 通态恢复时间tfr 根据DIN IEC 60747-2，tfr是指突然从关断状态切换为规定的通态时，二极管完全导通且出现静态通态电压vF所需的时间（见图20）。 3.4.1.2 晶闸管 在正向断态电压VD下通过变化率为...
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2021/9/8 15:29:36
华硕推出了PCE-AX58BT，这是一款面向台式机的PCI-Express网络适配器，可提供Wi-Fi 6E和蓝牙5.2连接。该适配器提供2402 Mbps的Wi-Fi 6E（6 GHz）和Wi-Fi 6（5 GHz）的理论最大带宽，在Wi-Fi 6（2.4 GHz）下带宽最高可达574 Mbps。PCE-AXE58BT支持较早的802.11ac规范下速度1733 Mbps，支持802.11n下最高300 Mbps，该网络控制器还支持最新的WPA3安全标准。 PCE-AX58BT通过一个PCI-Express x1插槽和一个附带的USB 2.0接头电缆（蓝牙组件需要）连接到台式电脑。一对外部天线被固定在一个带磁性的底座上，可以放在桌子上，也可以放在PC机箱上。 虽然华硕没有提到控制器的型号，但从参数看，它很可能是英特尔AX210 Gig+。它位于附加卡主PCB上的M.2-2230卡的铝制散热片下面。 话说没有透露产品价格或发布时间信息。但我们知道华硕正在准备一个Wi-Fi 6E消费网络硬件的组合，包括即将推出的ZenWiFi PRO路由器。 来源：cnBeta.COM
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2021/9/8 15:24:40
英飞凌科技股份公司近日为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。借助从300A到900A的广泛电流等级，该产品组合为逆变器设计者提供了高度的灵活性，同时也提供了更高的功率密度和性能。除了太阳能和驱动应用外，该产品组合还为商用、建筑和农用车辆（CAV）以及不间断电源（UPS）逆变器量身定制。 基于新的微沟槽技术，与采用IGBT4芯片组的模块相比，采用TRENCHSTOP IGBT7芯片的EconoDUAL 3的静态损耗低得多。另外，在相同的芯片面积下，其通态电压降低了30%。这在应用中带来了显著的损耗降低，特别是对于通常在中等开关频率下运行的工业驱动。IGBT的振荡行为和可控性都得到了改善。此外，新的功率模块的最大过载结温为175℃。 新的芯片尺寸使模块的布局得到优化，以减少开关损耗。因此，与前一代产品相比，600A模块的开关损耗减少了24%。这为更高开关频率应用带来简化的设计。此外，所有的功能都可以在相同的封装基板尺寸上实现，有利于现有逆变器系统设计的升级。随着750A和900A版本的扩展，EconoDUAL 3封装解决了一个拓展的逆变器功率范围。此外，PressFIT封装实现了快速和低成本的装配方法。 供货情况 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 EconoDUAL™ 3组合现在可以订购。带有预装TIM的版本也将很快上市。如果你对该产品感兴趣可以联系在线客服！
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2021/9/8 15:20:26
2021年9月8日，兆亿微波了解，专注为800G/400G/200G/100G/50G端口网络提供高性能、低功耗先进连接解决方案的全球创新领导者 Credo今日宣布：推出公司第二代HiWire低功耗SPAN有源电缆（HiWire LP SPAN AEC）系列产品。创新的LP SPAN系列在线缆功耗和长度上都明显优化。Credo的HiWire有源电缆连接解决方案已在数据中心中得到广泛应用，提供了即插即用、稳定可靠及性能一致等特性，可在机架内和机架间以更低的成本和更低的功耗方案替代有源光缆（AOC）。此外，AEC系列还具有更多的功能，如提供系统级的线缆内速度转换方案。实现单通道50G PAM4 （200G/400G端口）的交换机和单通道25G NRZ (50G/100G端口的服务器) 无缝连接。作为第二代HiWire产品，支持热插拔的LP SPAN AEC是一种可靠的即插即用式的AOC替代产品，可应用于高达400Gbps的高速互连场景中，但功耗仅为AOC的一半，且拥有更低的成本。同时，相较于DAC，LP SPAN AEC更易于部署，因为AEC更长，重量更轻，且拥有更小的弯曲半径。LP SPAN AEC专为机架与机架间的连接而设计，尤其是在分布式机架（DDC）的部署应用中，LP SPAN AEC是不可或缺的一部分。 AEC 产品名称Performance性能LP SPAN (Gen 2)SPAN (第二代)SPAN (Gen 1)SPAN (第一代)400G PAM4到400G PAM4Power (W per end)功耗（瓦/端）4.5W8.5WReach (m)长度（米）3 / 5 / 7m3 / 5m200G PAM4到200G PAM4Power (W per end)功耗（瓦/端）2.5W4.5WReach (m)长度（米）3 / 5 / 7m3 / 5m4...
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2021/9/8 15:13:27
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始量产M4G组中用于高速数据处理的20种新器件。M4G组是TXZ+TM 族高级系列的新成员，采用40nm工艺制造。这些产品采用带FPU的Arm Cortex-M4内核，运行频率高达200MHz，内部集成2MB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期耐久性，此外还提供了丰富的接口和通信选项。因此，M4G组器件非常适用于办公设备、楼宇和工厂自动化应用。 M4G组中的微控制器配置增强型的通信功能，除UART、FUART、TSPI和I2C外，还支持Quad／Octal SPI、音频接口（I2S）以及外部总线接口。此外，这些器件内置3单元DMAC和总线矩阵结构，与传统产品相比，大幅提升了通信吞吐量。 微控制器配置高速、高精度12位模拟／数字转换器，最高支持24个模数转换输入通道，它们可以单独设置采样保持时间，便于器件支持多种多样的传感器。 这些器件能够为ROM、RAM、ADC和时钟提供自诊断功能，有助于客户通过IEC60730 B类功能安全认证。这些新器件不但实现了低电流消耗和高功能，同时也与现有的TXZTM系列M4G（1）组的器件保持了良好的兼容性。 您可以访问东芝网站并下载文档、示例软件及其实际使用示例，以及控制每种外围设备的接口的驱动程序软件。评估板和开发环境是与Arm全球生态系统合作伙伴合作提供的。 新产品的主要特性 ●带FPU的高性能Arm Cortex-M4内核，最高频率为200MHz ●电机控制功能和通信接口 ●满足IEC60730 B类功能安全要求的自诊断功能 应用...
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2021/9/8 15:07:33
随着人们对数字化转型DX（Digital Transformation）的兴趣日益浓厚，物联网在消费电子和工业设备中的使用也在增加。这些物联网端点不仅限于将收集到的数据发送到云端，而且许多还需要执行基于人工智能的程序，从 HMI 的语音识别、触摸键到故障预测。 自从10年前推出高速大容量闪存的RX630，我们在RX600系列中陆续推出了采用RXv2内核的RX651和采用RXv3内核的RX66N，在同类微控制器中性能一直处于行业前列。RX671 是 RX600 系列的新成员。 RX671在保持与RX651 MCU的物联网应用高度兼容性的同时，提升了处理能力、实时性和功能性，可以满足更广泛的用户需求。在这篇博客中，我们想介绍RX671的高性能、多功能和小型化。 更高的性能 RX 系列配备了瑞萨电子专有的 RX CPU 内核。RX-core逐年不断进化，如今已经开发出业界领先的5.9 CoreMark/MHz性能的RXv3内核。 由于RX671搭载RXv3内核，性能比现有RX631产品提升约2.1倍。即使与其他公司的产品相比，RX671 也可以在 120MHz 时钟下实现相当于 200MHz 的性能。此外，瑞萨电子的 40 纳米制造工艺使其能够实现 48.8CoreMark/mA的高功率效率。 高功能性和小型化的结合 RX671 提供一系列 4.5x4.5mm 方形 64 引脚 BGA 封装。尽管它是一个非常小的封装，但它提供了 2MB 闪存和 384KB SRAM 闪存。这允许在没有外部存储器的情况下实现物联网设备所需的固件更新。此外，RX671 还配备了电容式触摸传感器 (CTSU)，该传感器因其...
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2021/9/8 15:01:25
2021 年 9 月 8 日，兆亿微波了解， 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，推出32位微控制器（MCU）RX671，为广受欢迎的RX产品家族增添一款全新高性能、多功能，且具备触摸感应和语音识别等非接触式操作方式的单芯片解决方案。作为瑞萨广受欢迎的主流RX600系列的一部分，RX671 MCU基于RXv3 CPU核构建，运行速度为120MHz，集成闪存支持60MHz的快速读取访问，实现卓越实时性能，CoreMark评分达707；电源效率为48.8 CoreMark/mA，在同类产品中名列前茅。 RX671 MCU提供多种封装形式，引脚数从48至145不等，拥有高达2MB闪存和384KB SRAM，非常适合需要先进功能、高能效和紧凑尺寸的各类应用，如暖通空调（HVAC）、智能仪表和智能家电等。对于尺寸受限且需要先进功能的设备，RX671可提供2MB闪存、4.5mm × 4.5mm超小尺寸的64引脚TFBGA封装。 新冠疫情催生了对健康与安全的新要求，也改变了人们同设备和环境的互动方式，尤其对较为卫生的非接触式用户界面提出了更高需求。全新RX671 MCU面向非接触式应用进行优化，集成具有高灵敏度和出色噪声容限的电容式触摸传感单元，可实现非接触式接近开关。此外，串行音频接口可用以连接支持远距离语音识别的数字麦克风。这些功能与瑞萨RX生态系统合作伙伴的语音识别中间件结合使用，使开发者能够在短时间内利用语音识别创建卓越的非接触式应用。 瑞萨电子物联网平台事业部副总裁伊藤荣表示：“我很高兴地宣布推出RX671，这款采用RXv3 CPU核的产品既带来全新功能，又可与目前RX产品家族中备受欢迎的RX651兼容。该新产结合了实时性能、电源效率、HMI功能、安...
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2021/9/8 14:54:58
电容式传感器是以各种类型的电容器作为传感元件，将被测转物理量或机械量换成为电容量变化的一种转换装置，实际上就是一个具有可变参数的电容器。电容式传感器广泛用于位移、角度、振动、速度、压力、成分分析、介质特性等方面的测量。最常用的是平行板型电容器或圆筒型电容器。下面小编给大家介绍一下“电容式传感器的工作原理与分类“ 一、电容式传感器的工作原理与分类 原理 电容式传感器也常常被人们称为电容式物位计，电容式物位计的电容检测元件是根据圆筒形电容器原理进行工作的，电容器由两个绝缘的同轴圆柱极板内电极和外电极组成，在两筒之间充以介电常数为ε的电解质时，两圆筒间的电容量为 式中L为两筒相互重合部分的长度；D为外筒电极的直径；d为内筒电极的直径；e为中间介质的电介常数。在实际测量中D、d、e是基本不变的，故测得C即可知道液位的高低，这也是电容式传感器具有使用方便，结构简单和灵敏度高，价格便宜等特点的原因之一。 电容式传感器是以各种类型的电容器作为传感元件，由于被测量变化将导致电容器电容量变化，通过测量电路，可把电容量的变化转换为电信号输出。测知电信号的大小，可判断被测量的大小。这就是电容式传感器的基本工作原理。 分类 根据传感器的工作原理可把电容式传感器分为变极距型、变面积型和变介质型三种类型。 根据传感器的结构可把电容式传感器分为三种类型的结构形式。它们又可按位移的形式分为线位移和角位移两种，每一种又依据传感器极板形状分成平（圆形）板形和圆柱（圆筒）形，虽然还有球面形和锯齿形等其他形状，但一般很少用。其中差动式一般优于单组（单边）式传感器，它具有灵敏度高、线性范围宽、稳定性高等特点。
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2021/9/7 15:15:41
MOS管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻.而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错;总体而言,我觉得MOS管的分析要比三极管简单一些. 三极管和MOS管的不同之处： 一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而MOS管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因. 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 三、MOS管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用. 四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势. 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此MOS管的非线性失真比三极管的非线性失真大....
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2021/9/7 15:13:29
索尼半导体今天宣布推出行业首创的直接飞行时间 (dToF) 堆叠式 SPAD（单光子雪崩二极管）深度传感器 IMX459，可用于汽车激光雷达，助力高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD) ，预计将于明年出货。 据介绍，该产品将尺寸仅为 10 平方微米的 SPAD (单光子雪崩二极管) 像素和测距处理电路封装在单个芯片上，形成了紧凑的 1/2.9 型外形尺寸，可进行高精度、高速度的距离测量。 科普：SPAD 是一种像素结构，可利用雪崩倍增技术，将单个入射光子的电子放大，从而形成雪崩式叠加。在用于激光雷达测距的诸多方法之中，SPAD 像素用作 dToF 传感器中的一种探测元素，它根据光源发射的光被物体反射后返回到传感器的飞行时间（时间差），来测量到物体的距离。 该传感器通过在 CMOS 图像传感器中创造的背照式像素结构、堆叠结构和 Cu-Cu 连接等技术，成功地构建了一种将 SPAD 像素和测距处理电路封装在单个芯片的独特元器件结构。 据悉，这种设计可令微小至 10 平方微米的像素尺寸得以实现，在小型化的同时在 1/2.9 型尺寸规格上达到约十万有效像素的高分辨率，还能增强光子探测效率和提升响应能力，从而进行高速度、高精度的距离测量。
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2021/9/7 15:11:14
MP86957 是一款集成内部功率 MOSFET 和栅极驱动的单片半桥芯片。它在宽输入范围内可实现 70A 的连续电流输出。MP86957 是一款单片 IC ，每相驱动电流可达 70A 。将驱动和 MOSFET 集成在一起，可以通过优化死区时间和减少寄生电感来实现高效率。这款小型 5mmx6mm LGA 芯片的工作频率为 100kHz - 3MHz。 MP86957 具有多种功能，可以简化系统设计。MP86957通过接收控制器的三态 PWM 信号来实现功率变换。它还提供 Accu-SenseTM电流采样和温度采样，分别用于监测电感电流和报告结温。 MP86957 是高效率小尺寸服务器应用的理想之选。 产品特性和优势 ● 宽工作输入电压范围：3V 至 16V ● 70A 输出电流 ● 电流采样功能：Accu-SenseTM ● 温度采样功能 ● 可接收三态 PWM 信号 ● 限流故障标记 ● 过温故障标记 ● 下管失效标记信号和保护 ● 采用 5mmx6mm LGA 封装 应用 ● 服务器核心电压 ● 显卡核心调...
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2021/9/7 8:52:39
LT1997-1 是一款差动放大器，可用于放大小的差分信号，同时抑制大的共模信号，从而使其成为电流检测应用的理想选择。该器件将精准运算放大器与高度匹配的电阻器结合在一起，构成一款无需使用外部组件即可对电压进行准确放大和电平移位的单芯片解决方案。它具有三个标准的引脚可选增益选项 (10、20 和 50），可以进一步结合这些选项，以在保持 0.012% (120ppm) 准确度的同时实现 0.141 至 80 的增益。另外，LT1997-1还可采用介于 V– 和 V– + 76V 之间的输入电压(与 V+ 无关) 工作，从而可在苛刻的工业环境中实现牢靠的操作。其出色的电阻匹配使得共模抑制比大于109dB (增益 = 10)。电阻器可在整个温度范围内保持其卓越的匹配特性；匹配温度系数保证小于 1ppm/°C。电阻器与电压之间具有极佳的线性关系，从而实现了小于 2ppm 的增益非线性度。LT1997-1全面规格在 5V 和 ±15V 电源以及 –40°C 至 125°C 的温度范围。该器件采用节省空间的 16 引脚 MSOP 和 4mm × 4mm DFN14 封装。应用高端或低端电流检测双向宽共模范围电流检测高压至低压电平转换器工业数据采集前端隔离电路的替代方案差分至单端转换优势和特点精密增益：高达 80V/V输入共模电压范围：V– 至 V– + 76V最小 CMRR 109dB（增益 = 10）0.012％（120ppm）最大增益误差（增益= 10）最大增益误差漂移 1ppm/°C最大增益非线性度 2ppm宽电源电压范围：3.3V 至 50V轨到轨输出电源电流 350µA运算放大器最大失调电压 65µV650MHz –3dB 带宽（增益 = 10）低功耗关断：20 µA紧凑型 MSOP 和...
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2021/9/6 16:23:33
TPS43060 和 TPS43061 是低 IQ 电流模式同步升压控制器，支持 4.5V 至 38V（绝对最大值为 40V）的宽输入电压范围和高达 58V 的升压输出范围。同步整流功能可为高电流 应用实现高效率，无损电感直流电阻 (DCR) 感测功能可进一步提升效率。该器件产生的功率损耗较低，并且采用带 PowerPAD的 3mm × 3mm WQFN-16 封装，可以在扩展级温度范围（-40°C 至 150°C）内支持高功率密度且高可靠性的升压转换器解决方案。TPS43060 含有一个 7.5V 栅极驱动电源，适合驱动各种 MOSFET。TPS43061 具有一个 5.5V 栅极驱动电源，驱动强度针对低 Qg NexFET 功率 MOSFET 进行了优化。另外，TPS43061 为高侧栅极驱动器提供了一个集成型自举二极管，从而减少了外部部件数量。特点58V 最大输出电压VIN 范围：4.5V 至 38V（绝对最大值为 40V）TPS43060：针对标准阈值 MOSFET 优化的 7.5V 栅极驱动器TPS43061：针对低 Qg 优化的 5.5V 栅极驱动器 NexFET功率 MOSFET支持内部斜率补偿的电流模式控制可调频率范围：50kHz 至 1MHz同步外部时钟功能可调软启动时间电感器直流电阻 (DCR) 或电阻器电流感测输出电压电源正常指示器±0.8% 反馈基准电压5µA 关断电源电流600µA 静态工作电流集成引导加载二极管 (TPS43061)逐周期电流限制和热关断可调节的欠压闭锁 (UVLO) 和输出过压保护小型 16 引脚 WQFN (3mm × 3mm) 封装，带有 PowerPAD运行 TJ范围：–40°C 至 150°C应用用于 PC 的 Thunderbol...
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2021/9/6 15:54:31
该TPS65218是一种单芯片电源管理IC，设计用于支持电池（锂离子电池）和非应用（5-V防护）。该装置的特点在于具有-40°C到+105°C的温度下范围，使其适用于广泛的工业应用。如果您对该产品感兴趣，可以在线咨询兆亿微波商城客服，将为您提供满意报价。特点三个具有集成开关 FET 的可调降压转换器（DCDC1、DCDC2 和 DCDC3）：DCDC1：1.1 -V 默认值，最高 1.8 ADCDC2：默认 1.1V，最高 1.8ADCDC3：1.2 -V 默认值，最高 1.8 AVIN 范围为2.7V至 5.5V可调输出电压范围 0.85V 至 1.675V（DCDC1 和 DCDC2）可调输出电压范围 0.9V 至 3.4V (DCDC3)轻负载电流下的省电模式100% 占空比最低的压差禁用时有源输出放电一个具有集成开关 FET (DCDC4) 的可调降压-升压转换器：DCDC4：3.3 -V 默认值，最高 1.6 AVIN 范围为2.7V至 5.5V1.175V 至 3.4V 的可调输出电压范围禁用时有源输出放电两个用于备用电池域的低静态电流、高效率降压转换器（DCDC5、DCDC6）DCDC5：1V 输出DCDC6：1.8V 输出VIN 范围为 2.2V 至 5.5V由系统电源或纽扣电池备用电池供电可调通用 LDO (LDO1)LDO1：1.8V 默认高达 400mAVIN 范围为 1.8V 至 5.5V0.9V 至 3.4V 的可调输出电压范围禁用时有源输出放电具有 350mA 电流限制的低压负载开关 (LS1)VIN 范围为 1.2V 至 3.6V110mΩ（最大值）开关阻抗在 1.35V具有 100mA 或 500mA 可选电流限制的 5V 负载开关 (LS2)VIN 范围为4V至 5.5V5V 时 500mΩ（最大）开关阻抗具有 100-...
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2021/9/6 15:45:20