EQY-0-24+是使用高重复性GaAs IPD MMIC工艺制造的2 dB衰减器。EQY-0-24+具有标称衰减斜率为0 dB，封装在2 x 2 mm的8引线MCLPTM封装中。如果不再需要增益均衡，EQY-0-24+可以在不改变PCB布局的情况下用作短路。
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2022/11/29 13:17:36
据报道，关于突破芯片 “卡脖子”问题，全国政协委员、中国科学院微电子研究所研究员周玉梅表示，目前，我国的集成电路领域在基础研究、应用技术、产品研发等都得到了快速推进，产业也得到了全面部署，我们的自主芯片已经在北斗卫星、超级计算机等领域得到了广泛应用。周玉梅表示，在科技创新驱动下，“十三五”期间，我国集成电路设计产业年平均复合增长率达到 23.4%。集成电路是一个人才、技术、资金高度密集的产业，是一个高速迭代的产业，我们跟世界先进技术还有差距，需要加大投入力度。我们希望有更多目光关注集成电路产业，希望有更多优秀学子报考集成电路专业，相信在新型举国体制的优势下，我们在 “卡脖子”问题上下大力气一定会有更大突破。去年 8 月初，北斗三号全球卫星导航系统宣布正式商用后，中国卫星导航系统管理办公室主任、北斗卫星导航系统新闻发言人冉承其在国新办发布会上表示，北斗系统 28nm 工艺芯片已经量产，22nm 工艺芯片即将量产。相比于目前主要采用集成方式 GPS 商用芯片，北斗芯片更倾向于依靠一颗 SoC 芯片来实现所有功能。而对于单颗芯片而言，产业化早期降低成本最有效的方式就是提高制程精度。
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2021/3/12 16:04:14
半导体行业从诞生至今，先后经历了三代材料的变更历程。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度 Eg2.3eV）的半导体材料。据了解，我国把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。 与我们熟悉的传统第一代、第二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体的代表材料受到市场的关注。全球第三代半导体产业赛道已经开启，其制成芯片可被广泛用于新一代通信、电动车等热门新兴产业。第三代半导体迎风口半导体材料其实已经历经了三代的发展，第一代是四五十年代开始以锗、硅为代表的IV族半导体材料，把人类带进电子晶体管收音机的时代，而第二代是从上世纪六七十年代开始，以III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用。第三代半导体材料的出现最早是从八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表，主导资源和能源节约，催生了新型照明、显示等新应用需求和产业。实际第三代半导体材料已经出现了很长时间，一般情况下这些材料的真正应用都需要至少十年以上的培育期。举一个例子，一个电子产品的核心部分有计算逻辑类器件（如CPU、GPU），也会有存储部分（RAM、硬盘），此外还会有提供电力和控制的模块。电子产品里面的各类器件，它的基础材料基本都是以硅Si为主，而第三代半导体就是要为未来提供能够比硅Si材料更加优良的器件核心材料。以第三代半导体的典型代表碳化硅（SiC）为例...
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2021/3/4 10:33:50
Mini-circuits LFCN-120+滤波器功能特点： ·出色的功率处理能力，8.5W。 ·体积小。 ·7个部分。 ·温度稳定。 ·LTCC建设。 ·受美国专利6943，646保护 Mini-circuits LFCN-120+滤波器应用典型： ·谐波抑制。 ·甚高频/特高频发射机/接收机 Mini-circuits LFCN-120+滤波器最大额定值： 工作温度-55°C至100°C。 储存温度-55°C至100°C。 射频功率输入*最大8.5W。 在25°C时
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2021/1/22 16:12:01