CMD244是宽带GaAs MMIC分布式放大器芯片，工作频率从DC到24GHz。放大器提供18dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+25dBm，10GHz时的噪声系数为2.5dB。CMD244采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD244提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。这种放大器是高成本混合放大器的完美替代品。具备特点•超宽带性能•正增益斜率•高输出功率•低噪音系数•封装尺寸小CMD244的背面是RF接地。芯片连接应使用导电和导热环氧树脂或共晶连接完成。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
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2026/5/28 16:34:25
CMD249是宽带GaAs MMIC分布式功率放大器芯片，工作频率从DC到20 GHz。放大器在10 GHz下提供大于12 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+30 dBm，输出IP3为38 dBm。CMD249采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD249提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。主要特点•超宽带性能•高线性•高输出功率•出色的回波损耗•封装尺寸小装配指南：CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100um，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 16:06:55
CMD304是一款超宽带砷化镓（GaAs）微波集成电路（MMIC）分布式驱动放大器芯片，工作频率范围为直流至67吉赫兹（GHz）。该放大器在30吉赫兹时提供9.5分贝（dB）的增益，相应的噪声系数为3分贝，输出1分贝压缩点为+11分贝毫瓦（dBm）。CMD304采用50欧姆匹配设计，无需射频（RF）端口匹配。主要特点超宽带性能平坦增益响应低噪声系数低功耗封装尺寸：1350um x1150um 装配指南CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 15:58:58
Qorvo的QPA1027是一款封装的高功率s波段放大器，采用Qorvo生产的0.25 um GaN-on-SiC高压工艺（QGaN25HV）制造。QPA1027覆盖2.8-3.5 GHz，提供60 W的饱和输出功率和22 dB的大信号增益，同时实现55%的功率附加效率。QPA1027封装在带有铜桨的塑料包覆成型QFN中，易于操作，具有良好的热性能。因此，QPA1027具有偏置灵活性，允许用户改变电压以实现最佳系统性能，同时保持高可靠性。QPA1027与50欧姆相匹配，两个I/O端口上都有集成的直流阻断帽。QPA1027具有高性能、良好的热特性以及易于处理和系统集成的特点，是雷达和卫星通信系统的理想选择。无铅，符合RoHS标准。主要特点频率范围：2.8-3.5 GHzPSAT（PIN=26 dBm）：48 dBmPAE（PIN=26 dBm）：55%小信号增益：31dB偏置：脉冲VD=50 V，IDQ=300 mA，VG=-2.7 V典型值。封装尺寸：6.0 x 6.0 x 0.85毫米主要应用S波段雷达卫星通信可焊性符合最新版J-STD-020标准，无铅焊料，260°C。请勿将封装盖暴露在 280°C的温度下
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2026/5/28 15:53:37
Qorvo的QPA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。QPA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50Ω，包括集成隔直电容器和RF扼流圈。QPA2962采用5 x 5 mm气腔层压封装，为设计人员提供了一种方便的SMT兼容器件，在减小尺寸和成本的同时，提供了宽带功率、增益和效率的宝贵组合。QPA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。QPA2962无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2-20GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dBm•小信号增益：19 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：5.0 x 5.0 x 1.455毫米应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备
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2026/5/28 15:47:39
Qorvo的QPA1011D是一款X波段高功率MMIC放大器，采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。QPA1011D的工作频率为7.9-11 GHz，通常提供25 W的饱和输出功率，功率附加效率为37%，大信号增益为20 dB。宽带性能的这种组合提供了设计者所寻求的灵活性，以提高系统性能，同时减小尺寸和成本。QPA1011D还可以支持各种操作条件，以最好地支持系统要求。凭借良好的热性能，它可以支持一系列偏置电压，并且在CW和脉冲操作下都表现良好。QPA1011D与50Ω匹配，两个RF I/O端口上都集成了隔直电容器，简化了系统集成。宽带性能和操作灵活性使其能够支持卫星通信和数据链路，以及军事和商业雷达系统。QPA1011D在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。特征频率范围：7.9-11 GHz输出：PIN=25 dBm时为45 dBmPAE:25 dBm时为37%大信号增益：PIN=25 dBm时为20 dB小信号增益：26 dB集成功率检测器偏压：VD=24 V，IDQ=1200 mA，VG=−2.0 V典型值脉冲VD：脉宽=100µS，直流=10%芯片尺寸：2.75 x 3.12 x 0.10毫米应用卫星通信数据链接军用和商用雷达脉冲操作评估板（EVB）布局组件注：PCB是多层的1.所有4种金属厚度均为0.5盎司2.上芯1为罗杰斯4003C，厚度为8密耳3.下芯2为370HR，6密耳厚4.Pre-Preg是一种环氧涂层玻璃纤维布5.成品PCB总厚度为25±3密耳6.该EVB使用铜制PCB，在高功耗长脉冲和/或CW条件下实现最佳热管理
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2026/5/28 15:33:24
Qorvo的QPA2211是在Qorvo 0.15um GaN-on-SiC工艺（QGaN15）上制造的Ka波段功率放大器。其工作频率为27.5至31 GHz，实现了5 W的线性功率，互调失真产物低于-25 dBc，小信号增益为24 dB。饱和输出功率大于10W，相关功率附加效率为25%。QPA2211采用10引脚15 x 15 mm螺栓固定封装，带铜底座，可实现卓越的热管理。为了简化系统集成，QPA2211与50欧姆完全匹配，两个I/O端口上都集成了直流阻断帽。QPA2211非常适合支持卫星通信和5G基础设施。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：27.5–31 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：41 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：25%•功率增益（PIN=24 dBm）：17 dB•小信号增益：24 dB•IMD3（POUT=34 dBm/音）：-25 dBc•偏压：VD=22 V，IDQ=280 mA•封装尺寸：15.2 x 15.2 x 3.5毫米•封装底座为纯铜，提供卓越的热管理应用•5G基础设施•卫星通信可焊性元件引线应手动焊接，且封装不能采用传统的回流焊工艺。建议使用免清洗焊料，以避免焊接后进行清洗。
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2026/5/28 15:25:26
Qorvo的TGA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。TGA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50个Ω,包括集成的隔直电容器和RF扼流圈。宽带功率、增益和效率的这种组合为系统设计者提供了提高系统性能的灵活性，同时减小了尺寸和成本。TGA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2 – 20 GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dB•小信号增益：20 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：3.24 x 3.24 x 0.10毫米主要应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备可焊性仅使用AuSn（80/20）焊料，且暴露于300°C以上温度的时间最长不得超过3至4分钟。
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2026/5/28 15:18:04
Qorvo的TGA2222是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖32 – 38 在GHz频段，TGA2222提供了40 dBm（10 W）的饱和输出功率和16 dB的大信号增益，同时实现了22%的功率附加效率。TGA2222采用平衡架构，以最大限度地降低对负载变化的性能敏感性。其RF端口直流耦合到地，以获得最佳的ESD性能。TGA2222在两个RF端口上都有隔直电容器，与50欧姆相匹配。TGA2222可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：32–38 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：22%•功率增益（PIN=24 dBm）：16 dB•小信号增益：25 dB•偏压（脉冲）：VD=26 V，IDQ=640 mA•偏压（CW）：VD=24 V，IDQ=640 mA•封装尺寸：3.43 x 2.65 x 0.05毫米应用•通讯•雷达•卫星通信•EW•空间通信•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：•真空铅笔和/或真空夹头是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 15:08:05
Qorvo的TGA2622-SM是一款封装的高功率X波段放大器，采用Qorvo生产的0.25um GaN on SiC工艺制造。工作频率为9-10GHz，TGA2622-SM通常产生35W的饱和输出功率，功率附加效率大于42%，大信号增益为27.5dB。TGA2622-SM封装在一个7x7mm的气腔、基于层压板的QFN中。两个射频端口都是内部直流阻断的，并匹配到50欧姆，实现了简单的系统集成。TGA2622-SM非常适合脉冲应用，它提供了卓越的功率、PAE和增益性能，可以节省现有平台的成本，同时支持未来系统的开发。主要特点•频率范围：9-10 GHz•PSAT：45.5 dBm@PIN=18 dBm•PAE:42%@PIN=18 dBm•功率增益：27.5 dB@PIN=18 dBm•偏压：VD=28 V，IDQ=290 mA（脉冲VD：PW=100 us，DC=10%）•封装尺寸：7 x 7 x 1.64毫米应用•气象和海洋雷达
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2026/5/28 15:02:15
Qorvo的QPA1006D是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖10.7-12.7 GHzQPA1006D提供35瓦的饱和输出功率和17 dB的大信号增益，同时实现39%的功率附加效率。QPA1006D射频输入端口直流接地，可实现最佳ESD性能。QPA1006D射频端口具有隔直电容器，匹配50欧姆。QPA1006D可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：10.7-12.7 GHz•PSAT（PIN=29 dBm）：46 dBm•PAE（PIN=29 dBm）：39%•功率增益（PIN=29 dBm）：17 dB•小信号增益：21.5 dB•偏压：VD=20 V，IDQ=1200 mA•封装尺寸：6.09 x 4.24 x 0.10毫米应用•卫星通信•雷达•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：• 真空吸笔和/或真空吸盘是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 14:56:48
CMD184是一个4.5 W宽带GaN MMIC功率放大器芯片，工作频率为0.5至20 GHz。放大器提供大于13 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+34.5 dBm，饱和输出功率为+36.5 dBm。CMD184采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD184提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。具备的特征•超宽带性能•高输出功率•高增益•高线性装配指南CMD184的背面是RF接地。建议使用共晶芯片连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。偏置和操作CMD184由正漏极电源、正栅极电源和负栅极电源偏置。 开启程序：1.施加栅极电压Vgg1，并将其设置为足以夹断漏极电流的电压（-8V）2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V3.施加栅极电压Vgg2并设置为+10V4.增加Vgg1（负向减小）以实现700mA的漏极电流关闭程序：1.关断栅极电压Vgg22.关闭漏极电压Vdd3.关断栅极电压Vgg1RF功率可以在任何时候施加。
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2026/5/28 14:50:33
Vishay 扩展其IHXL径向孔式电感系列，新增四款新器件，旨在以更低成本实现性能提升。采用新型铁合金芯材，较前一代器件降低芯损20%，同时降低温度上升，汽车级IHXL1500VZ-3A和IHXL-2000VZ-3A以及商用IHXL1500VZ-31和IHXL-2000VZ-31，具备+155°C的高温运行，并具备优异的电磁兼容性（EMC），适用于高达209安培的滤波应用。Vishay Dale设备将作为高电流输入滤波器、直流/直流转换器和电池充电系统中的直流链路滤波器，汽车、工业和太阳能和风能应用中的无刷直流电机（BLDC）以及差动模和升压功率因数校正（PFC）扼流器。这些电感的价格低于上一代IHXL系列器件，将改进的铁芯损耗与最高达10 μH的高电感相结合，从而实现更高的阻抗，从而实现更好的滤波和更强的开关变换器中的纹波电流控制。IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A 和 IHXL-2000VZ-31 采用磁屏蔽结构，采用压制粉末机身，能容纳杂散磁通，减少与周围元件的耦合，并最大化电磁作用，相较于传统带线器件内部线圈暴露。这种压制粉末铁结构还具有低内部热阻——减少热点并提升主动冷却性能——而平坦的表面便于外部散热片的安装。电感器内部粗铜导体支持1500（38.1毫米×38.1毫米×21.89毫米）和2000（50.8毫米×50.8毫米×21.7毫米）机壳尺寸中55安培至209安培的广泛负载。其软饱和芯材通过避免硬饱和，确保在多种负载条件下——包括高瞬态电流尖峰时——的电感稳定。符合RoHS标准、无卤素及Vishay Green、IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A和IHXL-2000VZ-31，具有高抗热冲击、防潮和机械冲击能...
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2026/5/28 11:38:27
CMD262是一款5 W的GaN MMIC功率放大器芯片，非常适合需要高功率和高线性度的Ka波段通信系统。该器件的增益超过24 dB，相应的输出1 dB压缩点为+37 dBm，饱和输出功率为+38 dBm，功率附加效率为29%。CMD262采用50欧姆匹配设计，无需外部直流隔直电容和射频端口匹配。CMD262具有完全钝化功能，可提高可靠性和防潮性能。特征•高功率•高线性•卓越的效率•尺寸：2720 um x 1520 um偏置和操作CMD262由正漏极电源和负栅极电源偏置。当漏极电压设置为+28 V时，性能得到优化。标称栅极电压为-4 V。开启程序：1.施加栅极电压Vgg并设置为-6V2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V3.增加Vgg（负向减小）以实现350mA的漏极电流关闭程序：1.关闭漏极电压Vdd2.关断栅极电压VggRF功率可以在任何时候施加。CMD262其功能框图如下：
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2026/5/27 16:03:42
Qorvo的QPA3069是一款封装式高功率S波段放大器，采用Qorvo的0.25微米硅碳氮化镓（SiC）上氮化镓（GaN）工艺（QGaN25）制造。QPA3069覆盖2.7至3.5吉赫兹（GHz）频段，可提供50分贝毫瓦（dBm）的饱和输出功率和25分贝的大信号增益，同时实现53%的功率附加效率。QPA3069采用7毫米x7毫米的48针塑料包覆成型封装。它能够支持多种工作条件，以最大限度地满足系统需求。凭借良好的热性能，它能够支持一定范围的偏置电压。QPA3069 MMIC在两个射频端口上均配备了隔直电容，且这些电容与50欧姆相匹配。QPA3069非常适用于军用雷达系统。无铅且符合RoHS标准。特征•频率范围：2.7-3.5 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：50 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：53%•功率增益（PIN=25 dBm）：25 dB•偏置：VD=30V，IDQ=300mA，PIN=25dBm•封装尺寸：7.00 x 7.00 x 0.85毫米应用•雷达QPA3069其功能框图如下：
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2026/5/27 15:59:08
Qorvo的QPA0708T是一款功率放大器，采用Qorvo的0.15微米硅碳氮化镓（QGaN15）工艺制造，并安装在高导热性标签上。该放大器工作频率在7.9至8.4吉赫兹之间，可实现36分贝的小信号增益、32瓦的线性功率和-25分贝的互调失真产物，饱和输出功率为72瓦，功率附加效率为49.3%。QPA0708T非常适合支持卫星通信。为了简化系统集成，QPA0708T与50欧姆完全匹配，射频输入端口直流短路，射频输出端口集成有直流阻断电容。QPA0708T芯片在晶圆上进行100%直流和射频测试，以确保符合电气规格。无铅且符合RoHS标准。特征•频率范围：7.9-8.4 GHz•PSAT（PIN=18 dBm）：48.6 dBm•PAE（PIN=18 dBm）：49.3%•功率增益（PIN=18 dBm）：30.6 dB•IMD3（42 dBm/音）：-25 dBc•小信号增益：36 dB•偏压：VD=26 V，IDQ=904 mA•封装尺寸：5.817毫米x 6.172毫米x 0.254毫米应用•卫星通信QPA0708T其功能框图如下：
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2026/5/27 15:54:58
Qorvo的QPA2212D是一款Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15微米硅碳氮化镓（QGaN15）工艺制造。该设备工作频率在27.5至31吉赫兹之间，可实现10瓦的线性功率，互调失真产物为-25分贝，小信号增益为22分贝。饱和输出功率为25瓦，功率附加效率为25%。QPA2212D非常适合支持卫星通信和5G基础设施。为了简化系统集成，QPA2212D在两个输入/输出端口上均集成了隔直电容，从而与50欧姆完全匹配。QPA2212D在晶圆上经过100%的直流和射频测试，以确保符合电气规格。无铅且符合RoHS标准。特征•频率范围：27.5–31 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：43.4 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：25%•功率增益（PIN=25 dBm）：18.4 dB•IMD3（37 dBm/音）：-25 dBc•小信号增益：22 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=460 mA•封装尺寸：3.630 x 4.792 x 0.050毫米应用•5G基础设施•卫星通信QPA2212D其功能框图如下：
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2026/5/27 15:52:27
Qorvo的QPA3055P是一款封装式高功率S波段放大器，采用Qorvo的0.25微米硅碳氮化镓（SiC）上氮化镓（GaN）生产工艺（QGaN25）制造。QPA3055P的工作频率范围为2.9至3.5吉赫兹，可提供100瓦的饱和输出功率和25分贝的大信号增益，同时实现53%的功率附加效率。QPA3055P采用10引脚、15.2 x 15.2毫米的螺栓固定封装，并采用铜基板以实现卓越的热管理。它能够支持多种工作条件，以最大限度地满足系统需求。凭借良好的热性能，它能够支持各种偏置电压，并在短脉冲和长脉冲操作下均表现良好。QPA3055P MMIC的两个射频端口上均装有隔直电容，且与50欧姆阻抗匹配。QPA3055P非常适用于商用和军用雷达系统。符合RoHS标准。特征•频率范围：2.9-3.5 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：50 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：53%•功率增益（PIN=25 dBm）：25 dB•偏置：VD=30V，IDQ=300mA，PIN=25dBm•备用偏置：VD=30 V，IDQ=1500 mA，PIN=22 dBm•脉宽=15ms，直流=30%，脉宽=100us，直流=10%•包装尺寸：15.2 x 15.2 x 3.5毫米应用•雷达QPA3055P其功能框图如下：
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2026/5/27 15:30:18