ADG4612和ADG4613内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG4612开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑1。ADG4613有两个开关的数字控制逻辑与ADG4612相似，但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG4613为先开后合式开关，适合多路复用器应用。没有电源时，开关保持关断状态，开关输入处于高阻态。这可确保没有电流流动，保护开关不受损害。对于电源接通之前开关输入端可能存在模拟信号的应用，或者对于用户无法控制电源时序的应用，该特性非常有用。在关断状态下，可以阻止最高16V的信号电平。此外，如果模拟输入信号电平比VDD 高出 VT，则开关也会断开。这些开关具有超低导通电阻特性，对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。特征断电保护在没有电源的情况下保证关闭输入是高阻抗的，没有电源当输入VDD+VT时，开关关闭高达16V的过电压保护PSS稳健负信号能力将信号传递至-5.5 V最大导通电阻6.1Ω电阻平坦度为1.4Ω±3 V至±5.5 V双电源3 V至12 V单电源3 V逻辑兼容输入铁路到铁路运营16导联TSSOP和16导联3mm×3mm LFCSP应用热插拔应用程序数据采集系统电池供电系统自动测试设备通信系统继电器更换兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业供应射频和微波器件的供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波产品。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，兆亿微波提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。我们与多家射频和微波器件制造商合作，确保我们的产品具有优异的性能和可...
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2025/9/17 14:13:15
金升阳（MORNSUN）推出LD20-26BxxR2系列AC/DC模块电源，这款20W功率的创新产品采用超紧凑设计（62.0×45.0×30.0mm），实现了90-600VAC/100-850VDC的超宽输入电压范围。产品在-40℃至+85℃的宽温度范围内稳定工作，提供高达4000VAC隔离耐压和一、技术难点与应对方案高压输入与小型化矛盾：传统AC/DC电源在高输入电压设计中需要更大的爬电距离和器件体积。LD20-26BxxR2通过创新的电路拓扑结构和元器件布局优化，在保持62.0×45.0×30.0mm超小体积的同时，支持高达600VAC的输入电压，体积较一代产品减小17%，解决了高耐压与小型化难以兼顾的行业难题。热管理挑战：紧凑空间内的高效率散热是保证电源可靠性的关键。该产品采用高效的热设计和优化的功率器件布局，实现了-40℃至+55℃范围内无降额工作，即使在85℃高温环境下仍能保持35%的带载能力，确保在恶劣温度条件下的稳定运行。EMC兼容性难题：工业环境中的电磁干扰严重影响电源性能。通过内部电路优化和屏蔽技术增强，产品抗扰判定标准过A，EMI性能满足CISPR32/EN55032CLASSB要求，在复杂的电磁环境中保持稳定工作。二、核心作用LD20-26BxxR2作为工业设备的"动力心脏"，主要为控制系统、测量仪器和通信设备提供稳定、洁净的电源供应。其核心价值在于将不稳定的交流电网电压转换为精确稳定的直流电压，为各种工业电子设备提供安全可靠的电力保障，确保系统在恶劣电网环境和温度条件下的连续稳定运行。三、产品关键竞争力●超宽输入电压范围：90-600VAC/100-850VDC，适应全球各种电网环境●高功率密度：62.0×45.0×30.0mm紧凑尺寸，功率密度较一代提升17%●卓越可靠...
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2025/9/17 14:07:40
电子组件制造商Bourns（柏恩）近日推出SRP4020T系列屏蔽式功率电感器，采用羰基粉末磁芯技术和紧凑型封装设计（4.45×4.0×1.8mm），在极小的体积内实现了卓越的电气性能。该系列电感器支持最高+150°C的工作温度和0.47至10μH的感值范围，具有较同类产品更低的直流电阻（DCR）和优异的抗电磁干扰能力，为消费电子、工业设备和汽车电子等领域的电源管理系统提供了高性能、高可靠性的解决方案。一、技术难点与应对方案空间约束与热管理挑战：现代电子设备日益小型化，对功率元件的空间占用和热性能提出严苛要求。SRP4020T系列通过紧凑型封装设计（4.45×4.0×1.8mm）和羰基粉末磁芯材料，实现了在极小空间内的高效率功率转换，同时支持高达+150°C的工作温度，解决了高功率密度应用中的散热难题。EMI抑制难题：高频开关电源产生的电磁干扰影响系统稳定性。该产品采用全屏蔽结构设计，能有效抑制电磁干扰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现，降低对周围敏感元件的干扰。效率与性能平衡：传统电感在小型化同时往往牺牲电气性能。SRP4020T系列通过优化设计和材料选择，实现了较低的直流电阻（DCR），有助于降低功耗并提升系统整体效率，相比同类尺寸产品具有明显优势。二、核心作用SRP4020T系列作为电源管理系统的关键能量存储和滤波元件，主要在DC-DC转换器中承担能量存储、电流滤波和稳压功能。其核心价值在于为空间受限的应用提供高效率、低辐射的功率转换解决方案，确保各种电子设备获得稳定、洁净的电源供应，同时减少电磁干扰对系统性能的影响。三、产品关键竞争力●紧凑型设计：4.45×4.0×1.8mm超小封装，适合高密度PCB布局●高温性能：支持最高+150°C工作温度，适应严苛环境●优异EMC表现：...
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2025/9/17 14:05:39
全球存储市场正在经历一场供需风暴。2025年9月，美光科技向渠道商发出通知，宣布暂停所有存储产品报价一周，包括DDR4、DDR5、LPDDR4和LPDDR5等产品线。这一决定源于美光高层在审查客户需求预测后，发现将面临严重的供应短缺。继闪迪宣布全线产品涨价10%之后，美光的这一举措进一步加剧了存储市场的紧张态势，预计后续价格将上调20%-30%，部分车用电子产品涨幅可能高达70%。01 市场动态：美光暂停报价，闪迪率先涨价存储市场正在掀起一轮涨价潮。闪迪（Sandisk）率先行动，于9月初宣布对所有渠道和消费者客户的闪存产品价格上调10% 以上。这标志着存储芯片行业开启了新一轮涨价序幕。紧随其后，美光科技采取了更为激进的措施。公司不仅宣布存储产品价格将上涨20%-30%，还从9月14日起暂停所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品的报价，协议客户价格全部取消，暂停报价一周。供应链消息人士透露，美光此举是对供需失衡的急迫反应。在审查客户FCST（需求预测）后，美光发现将面临严重的供应短缺，促使公司紧急暂停所有产品价格，同时重新调整其定价策略。02 涨价幅度：车用芯片涨幅高达70%美光此轮价格调整涉及范围广泛。根据业界传闻，美光已通知渠道合作伙伴，DRAM产品价格可能上涨20%至30%。涨幅范围不仅涵盖消费级和工业级存储，甚至延伸到汽车电子产品领域，涨幅可能达到70%。这一差异化的涨价策略反映了不同应用领域对存储产品的需求强度和价格承受能力。集邦咨询数据印证了市场紧俏状况，8Gb DDR4合约价已从7月的3.9美元大涨至8月的5.7美元，单月涨幅高达46%，成为近期涨势最猛的产品。03 驱动因素：AI推理需求引发存储转型此轮存储市场变局的根本驱动力量是人工智能应用的深入发展。随着全球数据中心部署的加速，云巨头正将其需求从训练AI转向推理AI，推动了对大容量内...
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2025/9/17 14:00:36
LMX2491 器件是一款具有斜坡/线性调频生成功能的低噪声 6.4GHz 宽带 Δ-Σ 分数 N PLL。它由一个相位频率检测器、可编程电荷泵以及适用于外部 VCO 的高频输入组成。LMX2491 广泛支持各类灵活的斜坡功能，包括 FSK、PSK 和多达 8 段的可配置分段线性 FM 调制配置文件。该器件具有精密 PLL 分辨率和快速斜升功能，相位检测器速率高达 200MHz。LMX2491 允许读回其任一寄存器。LMX2491 可由 3.3V 单电源供电运行。此外，该器件支持电压高达 5.25V 的电荷泵，无需使用外部放大器即可提供相位噪声性能得到改善的简易解决方案。特性• -227dBc/Hz 标准化锁相环 (PLL) 噪声• 500MHz 至 6.4GHz 宽带 PLL• 3.15V 至 5.25V 电荷泵 PLL 电源• 多用途斜坡/超宽带信号源生成功能• 200MHz 最大相位检测器频率• 频移键控/相移键控 (FSK/PSK) 调制引脚• 数字锁检测• 3.3V 单电源供电
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2025/9/16 15:08:02
Qorvo公司简介Qorvo是全球连接与电源解决方案供应商，由射频领域巨头RFMD与TriQuint于2015年1月合并成立，整合了双方在功率放大器、滤波器及开关技术的优势。公司名称中“Qor”寓意核心技术（Core），“vo”象征行业远航（Voyage），现为标普500强企业，总市值近70亿美元，员工超8500人。2024财年营收达37.7亿美元，2025年Q2单季营收突破10.47亿美元，业务覆盖射频、Wi-Fi/UWB、电源管理及传感器等多元领域。核心产品与技术射频前端模块（RFFE）集成PA（功率放大器）、BAW/SAW滤波器及开关，支持5G多频段通信，如L-PAMiD模组QM77178。氮化镓（GaN）技术突破，击穿电场达3MV/cm，适用于高功率场景。无线连接技术Wi-Fi 7/8射频前端模组及UWB SoC芯片（如QM35825），支持精准定位与低功耗通信。电源管理高效PMIC转换效率超95%，企业级PLP芯片保障设备断电安全。主要应用领域移动通信为智能手机提供5G射频前端，支持毫米波与Sub-6GHz频段。汽车电子车规级UWB芯片（QPF5100Q）用于自动驾驶定位，GaN技术提升电动汽车能效。物联网与智能家居多协议SoC（如QPG6200）实现Matter/Thread/Zigbee设备互联。工业与国防5G小基站射频组件（QPQ3550 BAW滤波器）及军用抗干扰方案。消费电子Wi-Fi 8模组与高保真音频芯片，优化无线传输稳定性。Qorvo通过技术融合持续推动5G、AIoT及绿色能源发展，其产品已渗透至80亿台设备，成为数字化时代的关键赋能者。
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2025/9/16 15:04:17
米乐为（南京米乐为微电子科技股份有限公司）主要专注于射频/微波集成电路芯片的设计与开发，其产品覆盖全频段（DC-110GHz）及全品类，具体包括以下核心产品线：1. 射频芯片低噪声放大器（LNA）：用于提升微弱信号接收能力，适用于5G基站和卫星通信。功率放大器（PA）：包括Doherty放大器，专为5G高功率场景设计。混频器与倍频器：支持高频信号转换，应用于毫米波通信和雷达系统。2. 集成多功能芯片模拟移相器：用于相控阵雷达的波束控制。数控衰减器：可编程调节信号强度，适配工业物联网设备。开关芯片：支持多通道信号切换，如基站天线阵列。3. 封装解决方案射频芯片塑封封装流水线：自主研发的封装技术，成本仅为传统快封的1/10，适用于研发阶段快速验证。4. 应用领域5G通信：提供基站射频前端组件（如Xinger系列耦合器）。国防电子：为雷达、干扰机等提供抗干扰射频方案。工业物联网：高稳定性射频模块支持传感器网络数据传输。
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2025/9/16 15:01:16
ANAREN（安伦）是TTM集团旗下的射频技术品牌，专注于无线通信、航天及国防电子领域的高性能射频组件研发与制造。其核心产品包括5G射频滤波器、高功率放大器、耦合器等，广泛应用于以下场景：主要应用领域5G通信提供覆盖1.7GHz至6.3GHz频段的射频前端组件，如Xinger系列表面贴装耦合器，用于基站信号处理。2025年国内代理商汇晟电子推动其5G射频方案在通信设备商中的落地。卫星通信与航天产品用于卫星信号传输系统，如通信卫星的射频链路设计。工业物联网高稳定性射频组件支持工业环境下的无线数据传输，如传感器网络。国防电子为战斗机干扰机、雷达系统等提供抗干扰射频解决方案。技术特点高频性能：Xinger系列组件在5G高频段（如毫米波）保持低损耗。小型化设计：表面贴装技术满足紧凑型设备需求。
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2025/9/16 14:59:45
TPS51367是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的FET，它基于DCAP-2控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持POSCAP和所有MLCC输出电容器。与TI领先的封装技术组合在一起，TI专有的FET技术为诸如VCCIO和VDDQ等用于DDR笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点(POL)提供最高密度的解决方案。TPS51367的主要特性是其ULQ™-100模式以实现低偏置电流（低功率模式下为100µA，由LP#启用）。这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。此特性集包括800kHz的开关频率。可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括OCL，UVP，OVP5VUVLO和热关断。它采用3.5mmx4.5mm，焊球间距0.4mm，28引脚QFN(RVE)封装，额定运行温度范围为-10°C至85°C。特性•输入电压范围：3V至22V•输出电压范围：0.6V至2V•12A集成FET转换器•最少的外部组件数量•ULQ™-100模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命•软启动时间可由外部电容器设定•开关频率：400kHz和800kHz•D-CAP2™架构以实现高分子有机半导体固体电容器(POSCAP)和所有多层陶瓷电容(MLCC)输出电容器的使用•用于精确过流限制(OCL)保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测•电源良好输出OCL，过压保护(OVP)，欠压保护(UVP)和欠压闭锁(UVLO)保护•热关断（非锁存）•输出放电功能•集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关•焊球间距0.4mm，高度1mm的28引脚，3.5mmx4.5mm，RVE，四方扁平无引线(QFN)封装
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2025/9/16 14:54:42
Qorvo的RFSW1012是一种单极双通（SPDT）开关，专为需要极低插入损耗和高功率处理能力的应用而设计。RFSW1012出色的线性性能使其成为LTE、WCDMA和CDMA应用的理想选择。这种交换机非常适合用于有线电视和卫星电视应用。RFSW1012采用紧凑的2mm x 2mm x 0.55mm 12引脚QFN封装。特征•5MHz至6000MHz运行•50欧姆或75欧姆应用•低插入损耗：1980MHz时为0.30dB•高隔离度：2GHz时为37dB•高IP3:2GHz时为75dBm•兼容低压逻辑（VHIGH最小值=1.3V）•除非外部施加直流电，否则射频路径上不需要外部直流阻断电容器•所有端口的2000V HBM ESD额定值•CTB/CSO:100dBc（41dBmV/ch，137个信道）
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2025/9/16 14:52:24
XCVU13P是AMD/Xilinx公司Virtex UltraScale+系列FPGA的核心型号，采用16nm FinFET+工艺，主要面向高性能计算、数据中心加速、网络通信及国防等高端应用领域。以下是其关键特性与应用场景的详细分析：一、核心规格逻辑资源逻辑单元数量：3780K Logic Cells（部分资料标注为1,278,000逻辑单元）DSP切片：12,288个，支持高达38.3 TOPS的峰值INT8计算性能存储资源：94.5Mb Block RAM + 360Mb UltraRAM高速接口76个GTY收发器，单通道速率28.21Gbps，支持PCIe Gen3/4、100G以太网及JESD204C协议提供4路FMC+扩展接口，每路支持28.21Gbps GTY高速串行总线封装与功耗采用2104球FCBGA封装（HGB2104I），工业级温度范围（-40°C至100°C）典型功耗优化设计，推荐工作电压VCCINT≈0.85V二、典型应用场景高性能计算加速通过PCIe Gen3 x16接口与主机互联，带宽达10GB/s，适用于AI推理、实时信号处理支持4路100G QSFP28光纤接口，实现低延时网络功能卸载ASIC原型验证开发板（如FACE-VUP-13B）提供DDR4、PCIe Gen3x8及FMC-HPC接口，便于算法验证国防与通信用于雷达信号处理、软件无线电及高速数据采集，支持JESD204C协议三、开发平台与生态技术支持：Xilinx提供Vivado开发工具链，部分厂商（如阿吉毕科技）配套参考设计（如IBERT、DDR4测试工程）该器件凭借高集成度与灵活性，已成为高端FPGA市场的标杆产品。
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2025/9/16 14:44:20
Broadcom®AFBR-24x8xZ接收器旨在为信息系统和工业应用提供经济高效、高性能的光纤通信链路，链路距离可达2公里。接收器与流行的“行业标准”连接器ST和SMA直接兼容。它们设计用于50/125-μm、62.5/125-μm和200-μm多模光纤。特征·符合 RoHS 标准要求·与 Broadcom 的 HFBR-14xxZ (820nm LED) 发射器配套工作·数据传输信号率由直流 DC 到 50MBd·接收器集成 PIN 二极管和 CMOS/TTL 逻辑输出数字化芯片·使用多模玻璃光缆时可达到 2 公里的连接距离·工作温度范围：-40°C 到 +85°C·3.3V/5V 电源运作·提供 RSSI 输出应用变电站自动化直流光传输高达50 MBd工业控制和工厂自动化高压隔离消除接地回路降低电压瞬态敏感性
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2025/9/16 14:42:30
全球服务器CPU市场格局正在经历结构性转变。根据市场研究机构Dell'Oro Group最新报告，2025年第二季度，ARM架构处理器在服务器CPU市场份额已达到25%，相比去年同期的15% 大幅提升了10个百分点。这一显著增长主要得益于英伟达基于ARM架构的Grace平台的大规模交付，以及大型科技企业定制芯片的加速部署。01 增长动力：英伟达Grace平台成关键推手英伟达的Grace平台成为ARM服务器市场份额增长的核心驱动力。该公司推出的Grace-Blackwell机架级计算平台（包括GB200和GB300 NVL72等型号）出货量显著增长。GB300 NVL72系统尤其引人注目，每台系统不仅搭载NVIDIA Blackwell GPU，还集成了36颗自研的Grace CPU。这款基于ARM架构的超级处理器拥有72个核心，专为AI和高性能计算优化。Dell'Oro Group指出，一年前ARM方案主要由AWS Graviton等云服务商的自研处理器推动，而现在英伟达Grace CPU的营收规模已经能与这些厂商的出货量相媲美。02 市场背景：AI需求推动服务器市场增长AI需求的爆发是推动服务器市场增长的重要背景。Dell'Oro报告显示，2025年第二季度服务器和存储组件市场同比增长44%，全年同比增幅有望达到46%。SmartNIC和DPU（数据处理器）当季收入因AI集群部署需求同比翻倍。定制化AI ASIC出货量已达到与GPU相当规模，但GPU仍占据AI加速器营收最大市场。这些数据表明，AI扩张周期正在持续推升服务器与内存零组件市场需求，为ARM架构的普及创造了有利环境。03 竞争格局：x86与ARM的博弈面对ARM架构的迅猛攻势，传统x86阵营的AMD与Intel展现出团结姿态。两家公司此前曾高调宣称x86平台的能效已反超ARM，试图稳住市...
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2025/9/16 13:57:34
全球半导体行业迎来重大技术突破。2025年9月12日，SK海力士正式宣布已成功完成面向人工智能的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。这一里程碑式成就不仅巩固了SK海力士在AI存储器技术领域的领导地位，更将为下一代人工智能基础设施提供核心动力支撑。HBM4采用2048位接口设计，数据传输速度高达10 GT/s，超出JEDEC标准25%，实现了带宽翻倍和能效提升40%以上的显著突破。01 技术突破：性能与能效的双重飞跃SK海力士HBM4实现了令人瞩目的技术跨越。新一代内存采用了2048位接口，相比前代HBM3E的1024位接口翻倍，单颗内存带宽达到惊人的2.5TB/s。在速度方面，HBM4运行速率达到10 GT/s（每秒10千兆比特），大幅超越JEDEC标准规定的8GT/s，超出标准要求25%。能效提升同样显著。通过架构优化和工艺，HBM4能效比前代产品提升40% 以上，这将显著降低数据中心的电力消耗和运营成本。02 量产准备：工艺确保稳定生产SK海力士已经为HBM4的大规模生产做好充分准备。公司采用了自主研发的MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术，这一技术在产品稳定性方面已获得市场认可。在制造工艺上，HBM4采用了第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，确保了量产过程的高可靠性和低风险。MR-MUF技术通过在堆叠半导体芯片后填充液体保护材料并固化，有效保护芯片间电路。与传统薄膜型材料相比，该技术提高了效率和散热效果，特别是减少了芯片堆叠时所施加的压力，提高了芯片的翘曲控制力(Warpage Control)，这是确保HBM稳定量产的关键。03 应用前景：AI性能提升高达69%HBM4的应用将彻底改变AI计算格局。SK海力士预测，将HBM4引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%，这将从根本上解决数据瓶颈问题。新一代AI加速器将极大受益于HBM...
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2025/9/16 13:46:48
MCA-35H+是Mini-Circuits的一款三重平衡混频器，其工作频率最小500MHz，最大3500MHz，最大8.9dB转换损耗，0.300 X 0.250英寸，0.200英寸高，符合ROHS标准，外壳DZ883，10针。特征•宽带，500至3500 MHz•出色的隔离性能，典型值为30dB。（1800-2500兆赫）•匹配良好，电压驻波比为2:1。（超过1800-2800 MHz）•小尺寸0.25英寸x0.3英寸x0.2英寸•可水洗•三重平衡混合器应用•蜂窝•PHS•PCN•WiMAX•PDC•DECT兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业供应射频和微波器件的供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波产品。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，兆亿微波提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。我们与多家射频和微波器件制造商合作，确保我们的产品具有优异的性能和可靠性。如有产品需求，可直接联系客服咨询。
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2025/9/15 15:23:40
LMX2594 是一款高性能宽带合成器，可在不使用内部加倍器的情况下生成 10MHz 至 15GHz 范围内的任何频率，因而无需使用分谐波滤波器。LMX2594 允许用户同步多个器件的输出，并可在 输入和输出之间确定需要延迟的情况下 应用。频率斜升发生器可在自动斜坡生成选项或手动选项中最多合成 2 段斜坡，以实现最大的灵活性。通过快速校准算法可将频率加快至 20µs 以上。引脚配置| 编号 | 引脚名称 | 输入/输出 | 描述 || 1 | CE | 输入 | 芯片使能输入。高电平有效以启动设备。 || 2, 4, 25, 31, 34, 39, 40 | GND | 接地 | VCO 接地。 || 3 | VbiasVCO | 旁路 | VCO 偏置。需要一个 10-μF 电容连接到 VCO 接地。靠近引脚放置。 || 5 | SYNC | 输入 | 相位同步引脚。具有可编程阈值。 || 6, 14 | GND | 接地 | 数字地。 || 7 | VccDIG | 电源 | 数字电源。建议旁路一个去耦电容到数字地。 || 8 | OSCinP | 输入 | 参考输入时钟（+）。高阻抗自偏置引脚。需要交流耦合电容。（推荐 0.1 μF） || 9 | OSCinM | 输入 | 参考输入时钟（-）。高阻抗自偏置引脚。需要交流耦合电容。（推荐 0.1 μF） || 10 | VregIN | 旁路 | 输入参考路径调节器输出。需要一个 1-μF 电容连接到地。靠近引脚放置。 || 11 | VccCP | 电源 | 充电泵电源。建议旁路一个去耦电容以充电泵地。 || 12 | CPout | 输出 | 充电泵输出。建议将 C1 连接到引脚附近的环路滤波器。 || 13 | GND | 接地 | 充电泵接地。 || 15 | VccMASH | 电源 | 数字电源...
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2025/9/15 15:14:29
TM®4643 是一款每路输出可提供 3A 电流的四通道 DC/DC 降压型 μModule (电源模块) 稳压器。输出可通过并联形成一个阵列以提供高达 12A 的电流能力。封装中内置了开关控制器、功率 FET、电感器和支持组件。LTM4643 可在一个 4V 至 20V 或 2.375V 至 20V (采用一个外部偏置电源) 的输入电压范围内运作，支持一个 0.6V 至 3.3V (各由单个外部电阻器来设定) 的输出电压范围。该器件的高效率设计使每个通道能够提供 3A 的连续输出电流。仅需大容量的输入和输出电容器。安全注意事项LTM4643模块不提供从输入电压（VIN）到输出电压（VOUT）的 galvanic isolation。其内部有一个慢速熔断的保险丝。如果需要，必须提供额定电流以保护每个单元免受灾难性故障。该器件支持热关断和过流保护。布局清单/示例LTM4643的高集成度使得PCB板布局非常简单容易。然而，为了优化其电气和热性能，一些布局注意事项仍然是必要的：为大电流路径（包括VIN至VINA、GND、VOUT1至VOUT4）使用大面积PCB铜箔。这有助于最小化PCB传导损耗和热应力。将高频陶瓷输入和输出电容器放置在VIN和VOUT引脚附近，以最小化高频噪声。在单元下方放置专用电源接地层。为了最小化过孔传导损耗并降低模块热应力，使用多个过孔进行顶层与其他电源层之间的互连。不要将过孔直接放在焊盘上，除非它们是带帽或镀覆的。为连接到信号引脚的组件使用独立的信号地（SGND）铜箔区域。将信号地引脚连接到单元下方的地（GND）。对于并行模块，将VOUT、VFB和COMP引脚连接在一起。可以将TRACK/SS引脚连接到一个公共电容器，用于调节器软启动。引出信号引脚上的测试点以便监测。图28给出了推荐布局的良好示例。兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业供应射频和...
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2025/9/15 15:10:20
ADRF6780是一款采用硅锗(SiGe)设计的宽带、微波上变频器，针对点到点微波无线电设计进行优化，工作频率范围为5.9 GHz至23.6 GHz。该上变频器提供两种频率转换模式。下面就一块了解以下其引脚配置吧！ADRF6780微波变频器引脚配置引脚编号缩写说明1VDETRF检测器输出。电压输出与分贝RF输出功率成正比。检测器斜率标称值为50mV/dB。2VPDTRF检测器的电源连接。在VPDT引脚处并联100pF和0.1μF电容，尽量靠近该引脚。注意，此引脚必须始终提供5V电压。3, 9VPRFRF路径的电源连接。在VPRF引脚处并联100pF和0.1μF电容，尽量靠近这些引脚。4, 6, 8, 19, 29AGND模拟地。将这些引脚连接到低阻抗接地平面。5, 7, 10RFOP, RFON, VATTRF输出。这些输出是RF路径的100Ω差分输出。频率范围是5.9GHz至23.6GHz。调制器输出衰减器控制输入。RF电压可变衰减器通过向VATT引脚施加0V至2.6V的控制电压来控制。VATT电压增加时增益增加。此引脚在中心增益范围内以分贝为单位呈线性。11 to 14BBQN, BBQP, BBIP, BBINI通道和Q通道基带输入。这些输入是高输入阻抗的，通常使用片外终端连接到100Ω电阻。这些引脚上的标称共模偏置电平必须为0.5V。15VPBB基带路径的电源连接。在VPBB引脚处并联100pF和0.1μF电容，尽量靠近该引脚。16PWDN掉电。当PWDN引脚处于低逻辑电平（1.2V）。当ADRF6780上电时，SPI也可用作掉电功能。PWDN引脚有一个内部18kΩ下拉电阻。17\\overline{RST}overlineRST复位。此引脚提供将SPI重置为默认寄存器设置的能力。在正常操作中，将\\overline{RST}overlineRST引脚拉至高逻辑电平...
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2025/9/15 15:04:47