意法半导体最新推出的微型运动传感器具备更高精度，可实现准确的事件重建，同时满足最严格的可持续材料标准。新款六轴传感器，即惯性测量单元（IMU），将应用于健身追踪器、智能标签等消费电子设备，以及工业资产监测、机器人等专业领域，还可用于摄影和农业测绘等无人机应用。同时，它们也属于 ST 可持续技术计划的一部分。在传感器具备事件还原能力后，智能设备就有能力区分不同类型事件，强化事故告警、工具使用监测、机器人示教、运动成效分析、脑震荡检测等功能。意法半导体新推出两款惯性测量单元就具备这种事件还原能力，消费级惯性测量单元 LSM6DSK320X和工业级惯性测量单元ISM6HGK256X都采用超对称陀螺仪架构，以提升传感器的测量精度，搭配宽动态范围的高精度加速度计。此外，这些功能还能提升无人机飞行稳控、结构状态监测、游戏手柄控制等应用性能。该超对称架构包含两组反相工作的镜像机电结构，可以抵消外界振动和撞击噪声干扰。这种结构搭配全差分信号链路，进一步大幅提高了检测信号的强度和抗干扰能力。紧凑的内部结构让每颗惯性测量单元IMU都可在一个封装内集成 一个陀螺仪和两个独立的加速度计。双加速度计设计让IMU能够同时测量 ±16g 的小量程扰动和±320g的高g撞击事件，宽动态范围确保IMU不会漏测任何事件，而单加速度计 IMU 在小量程和大量程模式切换期间无法执行测量任务。LSM6DSK320X消费级IMU和ISM6HGK256X工业级IMU均搭载意法半导体的机器学习内核 (MLC)，将 AI 算力直接嵌入传感器内部，以降低应用功耗，节省系统资源。除底层基础库外，开发者还可利用意法半导体的扩展库，包括 Motion XLF、传感器融合和环境感知软件，进一步优化功耗性能，提高设计灵活性，适配各类应用场景。新款IMU支持ST MEMS Studio 开发环境。LSM6DSK320...
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2026/10/8 10:32:55
随着人工智能数据中心规模扩大以支持高功率GPU集群，行业正向800伏直流机架电源架构转变，以提升分配效率、提升功率密度并支持下一代服务器设计。为加速这一转型，Microchip和Navitas合作开发了适用于AI数据中心机架电源应用的800V直流转6伏直流参考设计。该平台将Microchip的数字电源控制和安全技术与Navitas的氮™化镓（GaN）电源设备结合起来，为开发者提供了实现与开放计算项目（OCP）800V直流标准一致高效电力转换的实用路径。该解决方案配备了参考硬件、软件和设计文档，有助于降低设计风险，缩短开发周期，加速下一代AI基础设施的部署。参考平台的核心是Microchip的dsPIC33AK数字信号控制器（DSC）和TA100加密认证™安全集成电路，配合Navitas的GaNFast FIELD。dsPIC33AK为高频、高效直流/直流转换提供确定性数字功率控制，而TA100则帮助建立硬件信任根，用于认证、安全启动和受保护的固件更新。这些技术共同构成了连接OCP电源设计所需的精密控制和安全基础。dsPIC33AK256MPS306系列由一个200 MHz的32位核心驱动，配备双精度浮点单元（FPU）、78 ps高分辨率脉宽调制器（PWM）以及多个12位模拟转数字转换器（ADC），最高可达40 MSPS。这些设备包含对商业国家安全算法（CNSA）Suite 2.0推荐的后量子密码算法的库支持，以及用于连接实时控制设计的硬件加速加密函数。该PDB由16×NV6034、650 V、17 mΩ GaNFast FET在主侧以叠加半桥拓扑供电。DFN8×8双侧冷却封装通过降低热阻，进一步提升氮化镓的性能优势，实现更高的连续功率运行同时保持效率。PDB目标是在1 MHz切换频率下，满载时实现高达96%的峰值效率，实现2100 W/in³的...
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2026/10/8 10:28:45
瑞萨电子宣布将其GaN产品组合扩展至低压应用领域，率先在业界推出100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低压GaN FET可在AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动、电动工具以及太阳能微型逆变器等对效率要求极高的高功率密度应用中，实现超高速开关速度和增强的热性能。新款GaN FET实现业界卓越的硬开关和软开关优值（FOM）性能，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。低压GaN器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。当前数据中心的电源转换器通常以数百千赫兹的开关频率运行。随着AI服务器和工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡，许多转换级正迈向兆赫级开关频率，以缩小磁性元件尺寸、提升功率密度并提高整体效率。在800V高压直流（HVDC）电源架构中采用低压GaN，可简化电源转换设计，显著减小无源元件尺寸，降低开关损耗和散热需求。在系统层面，这意味着更高效率、更少的热管理要求，以及更低的能源和BOM成本。基于瑞萨近期扩展的低压增强型GaN技术平台，全新晶体管产品组合具备超高速GaN开关能力，并通过低总栅极电荷（Qg）和低输出电荷（Qoss）最大限度减少电压与电流重叠，从而降低AI电源单元、电机驱动和DC-DC电源级在每个转换周期中的能量损耗。该器件还具备零反向恢复（Qrr=0）特性，可消除相关能量损耗，立即提升开关效率。快速开关可通过缩小PCB占板面积、减小磁性元件和无源元件尺寸来提升功率密度，并实现更高频率运行；低导通电阻RDS（on）则可降低导通损耗，提高运行效率。底部散热和双面散热配置为散热和设计灵活性提供更多选择。根据具体应用要求和电源转换架构，低压Ga...
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2026/10/8 10:21:45
瑞萨电子宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650V GaN器件，面向800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。全新D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD采用超紧凑型双面散热（DSC）PQFN封装，导通电阻低至20mΩ，处于650V同类产品超低导通电阻之列，可在更小空间内实现更高的功率处理能力。目前，瑞萨已向主要AI数据中心OEM和ODM客户提供该器件样品。该器件基于瑞萨第四代升级版GaN架构打造，专为下一代AI数据中心的兆瓦级功率需求而设计，支持最高700V工作电压。其目标应用包括将800V电压降至48V、12V或6V的DC/DC中间总线转换器（IBC）级，以及侧挂式电源机架中的电池备份单元（BBU）和电容器组单元（CBU）级。随着机架功率从约120kW迈向兆瓦级，空间与散热能力已成为进一步提升系统功率的关键制约因素。不同于传统的顶部散热封装，新器件可同时通过顶部和底部散热，使顶部热阻降低10%。此外，其8mm ×8mm PQFN封装的占板面积较现有10mm ×15mm TOLT封装缩小57%。该器件充分发挥瑞萨第四代升级版650V GaN技术的优势，包括低栅极电荷、低输出电容、内置具有极低反向恢复特性的续流二极管，以及无需负栅极偏置即可工作的高阈值电压。该器件可搭配标准硅栅极驱动器使用，并支持MHz级开关频率，从而减小无源元件并降低整体BOM成本，无需专用增强型GaN驱动器。全新双面散热（DSC）PQFN封装由瑞萨与主要AI基础设施客户共同定义，采用业界标准封装尺寸，为客户提供灵活的供应选择。该GaN器件与瑞萨辅助电源控制器、栅极驱动器及MCU搭配使用，可为向800V架构转型的OEM、ODM和超大规模数据中心运营商提供一站式电源解决方案。瑞萨已完成该方案的芯片级验证。基于该新器件打造并由瑞萨RA6T3 MCU...
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2026/10/8 10:18:10
PMEG6030EP是nxp的一款平面肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在SOD128小型扁平引线表面安装器件（SMD）塑料封装中。特性和优势平均正向电流：I_F（AV）≤3A反向电压：V_R≤60V低正向电压夹焊技术带来的高功率性能小型扁平引线SMD塑料封装适用于回流焊和波峰焊AEC-Q101合格应用程序低压整流高效DC-DC转换开关电源（SMPS）反极性保护低功耗应用
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2026/9/30 11:11:41
LTM4650A是一款双输出独立非隔离开关模式DC/DC电源，在线路、负载和温度变化下具有±1%的总DC输出误差。它可以提供两个25A输出或单个50A输出，只需要很少的外部输入和输出电容器和设置组件。该模块提供精确调节的输出电压，可通过外部电阻器在4.5V至16V的输入电压下从0.6V_DC到5.5V_DC进行编程。LTM4650A具有双集成恒频电流模式稳压器和内置功率MOSFET器件，开关速度快。典型的开关频率为300kHz至750kHz，具体取决于不同的输入和输出条件。对于开关噪声敏感应用，它可以从250kHz到780kHz进行外部同步。电阻器可用于在f_SET引脚上编程自由运行频率。通过电流模式控制，多个LTM4650A可以很容易地并联，以提供高达300A的电流，并保证完美的均流。此外，通过电流模式的控制，即使使用全陶瓷输出电容器，LTM4650B模块也能够以最少的输出电容器数量实现足够的稳定裕度和快速的瞬态响应。电流模式控制在过电流条件下提供逐周期快速电流限制和折返电流限制。如果输出反馈电压在调节点周围超出±10%的窗口，内部过压和欠压比较器会将开漏极PGOOD输出拉低。当输出电压超过规定值的10%时，底部MOSFET将导通以箝位输出电压。顶部MOSFET将被关断。这种过电压保护是指反馈电压。将RUN引脚拉到1.1V以下，通过关闭两个MOSFET，迫使稳压器进入关闭状态。TRACK引脚用于在启动期间对输出电压斜坡和电压跟踪进行编程，或用于软启动调节器。LTM4650A经过内部补偿，在所有操作条件下都保持稳定。LTpowerCAD®将用于瞬态和稳定性分析。V_FB引脚用于通过单个外部电阻器对地编程输出电压。差分远程感测放大器可用于在负载点的一个输出上精确感测输出电压，或在并联操作中感测负载点的输出电压。使用Mode_PLIN引脚，通过可选...
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2026/9/30 11:04:33
ADIN1300是一款低功耗、单端口、千兆以太网收发器，具有低延迟和低功耗规格，主要设计用于工业以太网应用。该设计将节能以太网（EEE）物理层设备（PHY）核心与所有相关的通用模拟电路、输入和输出时钟缓冲、管理接口和子系统寄存器以及MAC接口和控制逻辑集成在一起，以管理重置和时钟控制以及引脚配置。ADIN1300采用6 mm×6 mm、40引脚引线框架芯片级封装（LFCSP）。假设使用3.3V MAC接口电源，该设备至少使用2个电源（0.9V和3.3V）运行。为了在系统级设计中获得最大的灵活性，单独的VDDIO电源使管理数据输入/输出（MDIO）接口和MAC接口电源电压能够独立于ADIN1300上的其他电路进行配置，允许在1.8 V、2.5 V或3.3 V下运行。通电时，ADIN1300保持硬件复位，直到每个电源都超过其最小上升阈值。通过监测电源来检测一个或多个电源是否降至最低下降阈值以下，并将设备保持在硬件复位状态，直到电源恢复并满足上电复位（POR）电路，从而提供断电保护。MII管理接口（也称为MDIO接口）在主处理器或MAC（也称为管理站（STA））和ADIN1300之间提供2线串行接口，允许访问PHY核心管理寄存器中的控制和状态信息。该接口与IEEE 802.3标准第22条和第45条管理帧结构兼容。ADIN1300在千兆速度下可支持长达150米的电缆长度，在100 Mbps或10 Mbps下可支持180米的电缆。
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2026/9/30 10:49:01
Bourns宣布发布为意法半导体STM32G4微控制器开发的五种定制磁性组件。这些组件针对高频、单级功率转换进行了优化，支持高效、紧凑的系统设计。这些模型在意法半导体STM32G4参考设计平台上在30 kHz至300 kHz的开关频率下进行了验证。它们支持高功率密度和高效的能量转换。目标应用包括工业电源系统、AI服务器电源模块以及电机驱动和逆变器电路。MAG-3002008栅极驱动变压器MAG-3002008型是作为意法半导体STM32G4参考设计平台的一部分开发的低剖面表面贴装（SMT）栅极驱动器变压器。变压器采用紧凑的12.7 x 11 x 6.5 mm尺寸封装，支持30 kHz至300 kHz的工作频率，并为可靠的晶体管栅极驱动应用提供基本绝缘。这种变压器非常适合工业设备、晶体管栅极驱动电源和逆变器电路。功能专为STM32G4微控制器设计基本绝缘紧凑、薄型表面贴装（SMT）设计工作频率范围：30 kHz至300 kHz工作温度：-40°C至+125°C符合RoHS标准*应用程序工业设备晶体管栅极驱动电源逆变器电路电机驱动电路MAG-3002009共模扼流圈MAG-3002009型是一种大电流通孔（THT）共模扼流圈，最初设计用于意法半导体STM32G4应用。共模扼流圈采用紧凑的37 x 32 x 22 mm封装，为工业设备、AI服务器电源系统和EMI滤波电路提供有效的EMI抑制。功能专为STM32G4微控制器设计有效的EMI抑制和噪声滤波电流范围：高达33 A DC开关频率：150 kHz紧凑型通孔（THT）设计符合RoHS标准*应用程序工业设备AI服务器电源EMI电路MAG-3002010 PFC电感器MAG-3002010型是作为意法半导体STM32G4参考设计平台的一部分开发的大电流PFC升压电感器。该电感器具有紧凑的96×45&#...
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2026/9/30 10:31:21
Bourns®CRT-TN系列TaN系列薄膜精密片式电阻器使用氮化钽（TaN）薄膜技术，在要求苛刻的环境中实现精度和长期稳定性。 CRT-TN系列的公差高达±0.05%，温度系数低至±10ppm/°C，对硫污染和湿度具有强大的抵抗力。该系列有0402、0603、0805和1206包装尺寸可供选择。功能氮化钽薄膜在潮湿环境中具有高稳定性TCR低至±10 ppm/°C公差高达±0.05%符合RoHS标准*抗硫设计（ASTM-B-809-95）应用程序工业设备精密电路导航设备电信精密测试设备免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/9/30 10:21:43
该QPX0252是Qorvo最新的CMOS X波段波束成形集成电路，专为7.9至12 GHz频段的相控阵雷达系统优化。集成电路支持4个天线元件，支持双波束接收，并通过SPI选择多种发射/接收模式。该设备与Qorvo FEM和偏置控制集成电路集成，提供完整的偏置控制、测序和遥测，采用紧凑的FC-CSP封装。该QPX0252在板级不需外部驱动即可提供高输出功率，并通过Qorvo专利的Zero-Cal®系统缩短阵列校准时间。它支持静音模式、快速波束转向和强大的健康监测，为雷达设计师提供了紧凑高性能的集成电路，简化集成并提升系统能力。主要特性7.9至12 GHz的运行支持四个辐射元件双束接收单束发射6位相位与增益控制多种操作模式快速光束转向典型应用商业与国防雷达国防通信气象雷达免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/9/30 10:17:20
Vishay推出了一款全新的Automotive Grade顶部冷却安装座厚膜电源电阻。Vishay Sfernice D2TO35S 专为汽车应用设计，提升了热性能并减少了板块空间需求，同时在表面贴装 TO-263（D2PAK）封装下实现了 35 W 的高功耗，温度为 25°C。随着热限制日益成为系统设计的主要限制，许多电源组件正在从基于PCB的冷却转向顶部冷却架构。通过直接将热量传递到散热器，现今发布的D2TO35S在配合合适的散热器时，使功率耗散比标准PCB安装器件高达九倍。其紧凑的表面贴装设计使设计者能够在同一占地内提高功耗，或在更小的占地内实现相同功能，同时降低印刷电路板温度，减少邻近元件的热应力，并提升整体系统可靠性。该D2TO35S采用非感性设计，提升信号完整性和在快速瞬态条件下的功耗处理能力，电阻范围从4.7瓦至550千瓦——公差可达±%1%——热阻为4.28°C/W，TCR降至±150 ppm/°C，工作温度范围广泛，范围从-55°C到+175°C。 该设备符合RoHS标准，焊接回流安全，温度为270°C/10秒。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/9/30 10:14:13
Microchip宣布扩展其10BASE-T1S产品线，推出LAN8679和LAN8680 10BASE-T1S PMD收发器，同时推出集成收发器的LAN8660X/1X/2X系列终端。这些解决方案旨在支持下一代分区架构，提供灵活、空间高效的连接，将以太网延伸至网络边缘。随着汽车、工业和机器人系统向完全以太网网络发展，设计者面临着对简化架构、降低布线复杂度和高效边缘节点集成的需求。Microchip最新的10BASE-T1S设备应对了这些挑战，旨在满足AEC-Q100和ISO 26262功能安全标准，基于Microchip的VelocityDRIVE™产品线，提供额外的多点连接解决方案，具备标准化、简化的界面。LAN8679收发器在紧凑的8针VDFN封装中提供标准化的开放联盟3针（OA3P）接口，支持空间受限的边缘节点，同时减少针脚数量和设计复杂度。LAN8680通过集成系统基底芯片（SBC）功能，包括电源管理、系统唤醒/睡眠控制和看门狗监控，进一步增强了这些能力。这两款设备均设计以提升汽车和工业等严苛环境的可靠性和安全。“Microchip最新的10BASE-T1S产品组合进一步推动了我们实现可扩展、全以太网网络架构的承诺，”Microchip网络与连接业务单元企业副总裁Charlie Forni表示。“通过将OA3P界面的简洁性与集成端点功能相结合，这些设备为设计师提供了构建高效、可靠系统的灵活性，同时显著降低了边缘的复杂性。”作为这些设备的补充，LAN8660X/1X/2X终端系列将PMD收发器集成到单芯片远程控制协议（RCP）解决方案中。这种方法使设计师能够部署紧凑、全集成的边缘节点，应用于控制系统、照明和音频等应用，无需外部PHY组件。通过利用10BASE-T1S多点拓扑，Microchip的解决方案允许多个节点——通常为八个或更多——共享一条总线。这减轻了布线重...
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2026/9/30 9:51:43
英飞凌宣布，将为智能动力管理公司伊顿（Eaton）提供碳化硅（SiC）功率器件，用于支持其中压固态变压器（MVSST）2.0 平台，该平台主要面向亚太（APAC）以及欧洲、中东和非洲（EMEA）市场。双方携手合作，旨在提升AI数据中心与电网连接过程中电能转换的效率和可靠性，加速800VDC数据中心配电架构的落地应用。随着AI 数据中心快速扩张以及电力需求持续攀升，业界对于高效连接高密度算力基础设施与电网的需求日益迫切。与此同时，中压直流输配电技术的不断进步，正在推动下一代电能转换解决方案的创新，以实现更高能效、更高功率密度、更强扩展能力以及更优系统可靠性。伊顿 MVSST 2.0 平台面向高密度算力基础设施及新兴的 800 VDC AI 数据中心配电架构设计。与传统架构相比，该平台减少了电能转换环节，提升效率、功率密度和部署灵活性。作为业内首批获得 IEC 认证的中压固态变压器平台之一，MVSST 2.0将先进的碳化硅技术与伊顿在输配电及电能转换领域的深厚积淀相结合，为下一代能源基础设施建设提供有力支撑。面向未来，伊顿与英飞凌正探索基于 2.3 kV 和 3.3 kV 碳化硅功率模块的新一代固态变压器（SST）平台，以满足更高系统电压、更高能效和更高可靠性的应用需求，助力未来 AI 数据中心、新型电网以及新能源等应用领域的发展。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/9/30 9:48:47
LTC3026是一个VLDO（非常低的压降）线性稳压器，其工作电压低至1.14V。LDO在源极跟随器配置中使用内部NMOS晶体管作为传输器件。BST引脚为LDO电路提供所需的更高电源，而输出电流直接来自IN输入，用于高效调节。BST引脚可以由外部5V电源在片外供电，也可以通过LTC3026的内部升压转换器产生。升压转换器操作对于外部5V电源不可用的应用，LTC3026包含一个内部升压转换器，为LDO提供必要的5V电源。升压转换器利用Burst Mode®操作，在LDO电路所需的相对较低的电流水平下实现高效率。升压转换器在IN和SW引脚之间只需要一个小芯片电感器，在BST处需要一个4.7µF的小电容器。升压转换器的操作描述如下。在开关周期的前半段，SW和GND之间的内部NMOS开关导通，使电感器电流斜坡化。峰值比较器感测电感器电流何时达到100mA，此时NMOS关断，SW和BST之间的内部PMOS导通，将电感器电流传输到BST引脚。PMOS开关继续向BST供电，直到电感器电流接近零，此时PMOS关断，NMOS重新导通，重复开关循环。具有滞后的突发比较器监测BST引脚上的电压。当BST高于比较器的上限阈值时，不会发生切换。当BST降至比较器的下限阈值以下时，开关开始，BST引脚被充电。脉冲串比较器的上阈值和下阈值被设置为在BST下保持5V电源，纹波约为40mV至50mV。必须注意不要将BST引脚短接至GND，因为内部PMOS晶体管的体二极管连接BST和SW引脚。用连接在IN和SW之间的电感器将BST短路到GND可能会将电感器电流斜坡到破坏性水平，从而可能损坏电感器和/或零件。在升压转换器禁用的情况下运行LTC3026具有禁用内部升压转换器的选项。在升压转换器禁用的情况下，LTC3026成为自举器件，BST引脚必须由外部5V电源驱动，或者在升压转换器启用的情况...
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2026/9/29 11:56:36
ADXL326是一个完整的三轴加速度测量系统。ADXL326的测量范围最小为±16 g。它包含一个多晶硅表面微机械传感器和信号调理电路，以实现开环加速度测量架构。输出信号是与加速度成比例的模拟电压。加速度计可以测量倾斜传感应用中的静态重力加速度，以及由运动、冲击或振动引起的动态加速度。该传感器是在硅片上构建的多晶硅表面微机械结构。多晶硅弹簧将结构悬挂在晶片表面，并提供抵抗加速力的阻力。使用由独立固定板和附着在运动质量上的板组成的差分电容器测量结构的挠度。固定板由180°异相方波驱动。加速度使运动质量偏转，使差分电容器不平衡，从而产生振幅与加速度成比例的传感器输出。然后使用相敏解调技术来确定加速度的大小和方向。解调器输出被放大，并通过32kΩ电阻器带出芯片。然后，用户通过添加电容器来设置设备的信号带宽。这种滤波提高了测量分辨率，有助于防止混叠。机械传感器ADXL326使用单一结构来感测X、Y和Z轴。结果，三个轴感测方向高度正交，交叉轴灵敏度很小。传感器芯片与封装的机械错位是横轴灵敏度的主要来源。当然，机械错位可以在系统级别进行校准。性能创新的设计技术确保ADXL326内置高性能，而不是使用额外的温度补偿电路。因此，既没有量化误差，也没有非单调行为，温度滞后非常低（在-25°C至+70°C的温度范围内通常<3 mg）。
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2026/9/29 11:25:31
ADXL326是一款小型、低功耗、完整的3轴加速度计，具有信号调节电压输出。该产品测量的加速度最小满量程为±16g。它可以测量倾斜传感应用中的静态重力加速度，以及由运动、冲击或振动引起的动态加速度。用户使用XOUT、YOUT和ZOUT引脚上的CX、CY和CZ电容器选择加速计的带宽。可以选择带宽以适应应用，X和Y轴的范围为0.5Hz至1600Hz，Z轴的范围是0.5Hz至550Hz。ADXL326采用小型、薄型、4 mm×4 mm×1.45 mm、16引线、塑料引线框架芯片级封装（LFCSP_IQ）。特性三轴传感小巧、低调的包装4毫米×4毫米×1.45毫米LFCSP低功耗：典型值为350µA单电源操作：1.8V至3.6V10000克休克存活率出色的温度稳定性每个轴使用单个电容器进行带宽调整符合RoHS/WEEE无铅标准应用成本敏感、低功耗、运动和倾斜传感应用移动设备游戏系统磁盘驱动器保护图像稳定运动和健康设备
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2026/9/29 11:16:26
一些电力系统必须应对短时间的高压浪涌，如汽车中的浪涌。必须保护负载电路免受这些瞬态的影响，但高可用性系统必须在这些事件期间继续运行。ADI(亚德诺)的LT4356-3是一个过压保护调节器，它驱动外部N沟道MOSFET作为传输晶体管。它在4V至80V的宽电源电压范围内工作。它也可以被拉到地电位以下高达60V而不会损坏。4V的低电源要求使其即使在汽车应用中的冷起动条件下也能运行。内部电荷泵接通N沟道MOSFET，以极低的功耗向负载提供电流。两个MOSFET可以背靠背连接，以取代用于反向输入保护的串联肖特基二极管。这提高了效率，并在冷启动期间增加了负载电路的可用电源电压水平。通常，传输晶体管完全导通，以很小的电压降为负载供电。当电源电压浪涌过高时，电压放大器（VA）控制MOSFET的栅极，并将源极引脚处的电压调节到由外部电阻分压器从OUT引脚到地和内部1.25V参考设置的水平。电流源开始对TMR引脚接地的电容器充电。如果TMR引脚VTMR的电压达到1.25V，FLT引脚会拉低，表示由于过电压情况即将关闭。传输晶体管保持导通状态，直到TMR引脚达到1.35V，此时GATE引脚拉低关断MOSFET。GATE销保持锁定状态，直到通过两种方式之一清除为止。首先，在重新通电之前，将零件断电100µs以上，或者第二，将SHDN拉到0.4V以下100µs以下，然后以高于10V/ms的转换速率拉高SHDN。一旦输出电压未被维修，TMR引脚处的电势就开始下降，表明过电压情况已经消失，但即使TMR引脚的电压达到0.5V，GATE引脚也保持较低水平。故障定时器允许负载在短瞬态事件期间继续运行，同时保护MOSFET免受长时间电源过电压的损坏，例如汽车中的负载倾倒。定时器周期随MOSFET两端的电压而变化。较高的电压对应于较短的故障定时器周期，确保MOSFET在其安全工作区域（SOA）...
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2026/9/29 11:05:39
LT4356-3浪涌限制器可保护负载免受高压瞬变的影响。它通过控制外部N沟道MOSFET的栅极来调节过电压事件（如汽车负载卸载）期间的输出。输出被限制在安全值，从而允许负载继续运行。LT4356-3还监测VCC和SNS引脚之间的电压降，以防止过电流故障。内部放大器将电流感测电压限制为50mV。在任何一种故障情况下，定时器的启动与MOSFET应力成反比。如果定时器到期，FLT引脚会拉低以警告即将断电。如果这种情况持续存在，MOSFET将关闭，直到SHDN引脚暂时拉低。辅助放大器可以用作电压检测比较器或用作驱动外部PNP传输晶体管的线性调节器控制器。背对背FET可以代替肖特基二极管用于反向输入保护，减少电压降和功耗。SHDN输入关闭了包括辅助放大器在内的部件，并将静态电流降低到小于7µA。特性阻止高压浪涌可调输出钳位电压过流保护宽工作范围：4V至80V反向输入保护至-60V低7µA关断电流可调闩锁故障定时器控制N沟道MOSFET停机引脚耐受-60V至100V故障输出指示用于电平检测比较器或线性调节器控制器的辅助放大器提供12针4mm×3mm DFN、10针MSOP和16针SO封装应用汽车/航空电子浪涌保护热插拔/实时插入电池供电系统的高压侧开关
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2026/9/29 11:00:17