当240W快充成为高端笔记本新标配，传统两电平降压拓扑遭遇散热与体积瓶颈。2025年瑞萨电子推出的RAA489300/RAA489301三电平降压控制器，通过独创的飞跨电容架构将开关损耗降低40%，在24mm²封装内实现98.2%峰值效率，重新定义USB-C电源管理系统集成度。技术难点及应对方案高压大电流应用存在三大挑战：MOSFET开关损耗导致温升、电感体积制约紧凑设计、电压应力限制元件选型。该方案创新性引入：双开关+飞跨电容架构：将120V输入电压均分处理，使MOSFET电压应力降至60V交错式控制算法：抵消电感电流纹波，允许选用60%体积更小的电感器自适应死区补偿：消除传统三电平电路的直通电流风险核心作用在USB-PD 3.1生态中担任能量调度中枢：动态支持5-48V宽输出电压范围实现240W持续输出时的通过I²C接口实时调整充电策略产品关键竞争力功率密度突破：在240W双端口子卡方案中达到45W/in³，较传统方案提升3倍安全双保险：集成OVP/OCP/OTP三重保护，符合UL 62368-1认证开发敏捷性：兼容RTK-251评估板，硬件设计周期缩短60%实际应用场景超极本工作站：在MacBook Pro 16寸等设备实现140W+65W双口并发供电4K便携显示器：通过单USB-C线缆同时传输视频与100W反向供电工业级移动终端：-40℃环境稳定运行装甲车辆充电系统RAA489300系列不仅解决了高功率USB-C的物理瓶颈，其拓扑创新更将推动XR头显、超快充机器人等新形态设备诞生。随着半导体工艺演进，这款控制器或将成为百瓦级供电的新基础设施。
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2025/8/21 14:28:24
2025年8月，全球AI芯片龙头英伟达宣布一项关键战略举措：将于2027年下半年小规模试产自研HBM（高带宽内存）Base Die，采用台积电3nm工艺制造。这一动作直指其长期以来的“短板”——HBM依赖症。作为AI芯片的“数据管道”，HBM的性能与能效已成为制约英伟达GPU/CPU发挥极限算力的核心瓶颈，而此次自研Base Die，不仅是为了降低对SK海力士、三星等存储巨头的依赖，更旨在通过垂直整合存储架构，优化HBM与算力核心的匹配度，巩固其在高性能计算领域的地位。一、痛点倒逼：HBM成AI芯片“成本与性能双瓶颈”在英伟达从A100到Blackwell Ultra的AI芯片迭代中，HBM的角色愈发关键：其成本占比已从2020年的30%飙升至2024年的50%以上，成为芯片BOM（物料清单）中最贵的组件；而在性能层面，HBM的带宽直接决定了AI模型（如GPT-4、Gemini Ultra）的推理速度——当模型参数从万亿级跃升至十万亿级，HBM的传输速率需同步提升至10Gbps以上（HBM4标准要求），否则会出现“算力过剩、内存 bottleneck”的尴尬。当前，HBM市场由SK海力士（占比约45%）、三星（30%）、美光（20%）主导，英伟达作为最大采购商，虽能通过规模效应议价，但始终无法突破“存储厂商定义Base Die功能”的限制。例如，SK海力士的HBM3e Base Die采用5nm工艺，虽能满足当前需求，但无法适配英伟达下一代GPU的“能效优化”设计——这也是其决定自研的核心动因。二、自研路径：3nm工艺+功能定制，强化垂直整合英伟达此次自研的HBM Base Die，并非简单复制现有产品，而是围绕“适配自身算力架构”做了两大升级：工艺迭代：采用台积电3nm逻辑制程（当前HBM Base Die多为5-7nm），更适合HBM4时代的高传输速率要求（10Gbps...
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2025/8/21 14:24:14
2025年，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陆书龙团队在氮化镓（GaN）基单片集成器件领域取得两项关键进展，突破了传统光电子器件的功能限制。团队通过创新结构设计，解决了双向光响应集成与探测-突触协同工作的难题，为高速、低功耗智能光电子系统的构建提供了核心技术支撑，相关成果发表于顶级期刊并被选为封面，有望推动仿生视觉、光神经形态计算等下一代智能感知技术的发展。一、双向光电流机制：打破p-n结单向限制，实现多波段精准响应传统p-n结的“单向导通”特性，如同一道“天然壁垒”，让器件无法同时对不同方向、不同波段的光产生响应，限制了复杂场景下的一体化应用。陆书龙团队另辟蹊径，在p-GaN/(In,Ga)N异质结中引入水凝胶/p-GaN局部接触界面，构建出“双异质结”结构——这一设计像给器件装了“双感知通道”，当365nm（紫外）光照时，水凝胶与p-GaN的界面产生负光电流；而520nm（绿光）光照时，(In,Ga)N与p-GaN的体相结产生正光电流。这种“双向光电流”机制，实现了对不同波段光的“精准识别”，就像给光电子芯片配备了“双色眼镜”，能在复杂环境（如白天紫外光与夜间绿光混合场景）中同时处理多源光信号。相关成果发表在《Advanced Functional Materials》（功能材料），并被选为期刊封面文章，成为该领域的标志性进展。二、探测/突触双功能集成：从“分立”到“协同”，赋能人形机器人智能感知光电探测器（负责“快速感知”）与人工突触（负责“慢速记忆”）是智能传感的“两大核心”，但传统方案中，二者要么响应速度差异大（探测器毫秒级，突触秒级），要么因硅衬底不透明无法集成，像“两条平行线”难以协同。陆书龙团队通过电化学剥离技术，去除了GaN纳米线的硅外延衬底，在透明基底上构建起“界面-体相分离”结构——这一结构让探测器的“快速响应”（360°全向感知，响应...
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2025/8/21 14:00:50
2025年8月21日，高通技术公司正式推出第二代骁龙W5+与W5可穿戴平台，成为全球首个支持NB-NTN（窄带非地面网络）卫星通信的可穿戴设备解决方案。该平台基于4纳米制程打造，核心亮点在于解决了无蜂窝网络环境下的应急通信问题——用户在偏远地区、灾害现场等无基站覆盖场景，可通过卫星实现双向应急消息传输，为可穿戴设备注入“生命安全守护”核心功能。一、技术突破：4纳米架构下的“卫星+低功耗”平衡第二代骁龙W5+与W5平台的核心技术升级围绕“卫星通信集成”与“低功耗优化”展开：卫星通信能力：首次在可穿戴设备中植入L波段（1.6GHz）NB-NTN卫星模块，支持无基站环境下30秒内建立通信链路，实现双向应急消息传输（如求救信息、位置数据）；低功耗设计：W5+平台搭载专用QCC7320协处理器，将卫星通信待机功耗控制在38μW（较传统方案降低60%），而W5平台则通过简化协处理器设计，满足基础卫星通信需求；定位精度提升：融合机器学习3.0算法与伽利略、北斗卫星信号，GPS定位精度较前代提升50%，达±3米，为应急救援提供更精准的位置信息；射频优化：优化后的RFFE（射频前端）模块面积缩小20%至4.2mm²，降低了设备内部空间占用，为OEM厂商设计更轻薄的设备奠定基础。二、体验升级：更轻薄、长续航的可穿戴设备新标杆基于新平台的技术特性，OEM厂商可开发更符合用户需求的可穿戴设备：轻薄化设计：射频模块的缩小使设备厚度可突破9mm瓶颈（如Google Pixel Watch 4的表体厚度仅10.8mm，较上代薄1.8mm）；续航提升：低功耗协处理器与卫星通信优化，使设备在开启卫星待机模式下，典型使用场景续航达96小时（较传统可穿戴设备提升30%）；定制化支持：针对矿工、护林员等特殊岗位，平台支持企业定制版功能（如北斗RDSS短报文、定时位置回报），满足专业场景的安全需...
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2025/8/21 13:57:39
Qorvo的CMD263P3是一款宽带MMIC低噪声放大器，采用无引线3x3mm塑料表面贴装封装。CMD263P3非常适合需要小尺寸和低功耗的微波无线电以及C和X波段应用。宽带设备提供大于22dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+11dBm，噪声系数为1.4dB。CMD263P3采用50欧姆匹配设计，无需外部直流块和射频端口匹配。特征•超低噪声系数•低电流消耗•高增益宽带性能•单电源电压：+3.6 V@32 mA•无铅RoHs兼容3x3 QFN封装引脚配置图
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2025/8/20 14:47:38
CMD309P4是一款宽带MMIC低噪声放大器，采用无引线4x4mm塑料表面贴装封装。CMD309P4非常适合需要高增益、低噪声系数和低功耗的微波无线电以及C和X波段应用。宽带设备提供27dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+13dBm，噪声系数为1.5dB。CMD309P4采用50欧姆匹配设计，无需外部直流块和射频端口匹配。特征•低噪音系数•高增益宽带性能•低电流消耗•单一正偏差•无铅RoHs兼容4x4 QFN封装引脚配置图
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2025/8/20 14:43:46
CMD203C4是一款宽带MMIC SP4T交换机，采用无引线4x4 mm表面安装封装。CMD203C4覆盖DC至20 GHz，在10 GHz时提供2.4 dB的低插入损耗和39 dB的高隔离。该开关还包括一个板载二进制解码器电路，将所需的逻辑控制线数量从四条减少到两条。CMD203C4使用0/-5V的互补控制电压逻辑线工作，消耗很少的直流电流。特征•低损耗宽带性能•高隔离度•非反光设计•集成2:4 TTL解码器•无铅RoHs兼容4x4 SMT封装引脚配置图
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2025/8/20 14:39:13
Qorvo的QPA2628是一款封装、高性能、低噪声放大器，采用Qorvo生产的90nm pHEMT（QPHT09）工艺制造。QPA2628覆盖22-31.5 GHz，提供23 dB的小信号增益和19 dBm的P1dB，同时支持1.6 dB的噪声系数和-54 dBc的IM3电平（Pout=0 dBm/音调）。QPA2628封装在一个4 mm x 4 mm的小型塑料包覆成型QFN中，与50欧姆相匹配，两个I/O端口上都集成了直流阻断帽，便于操作和简单的系统集成。QPA2628的高性能和易操作性使其成为卫星和军事或商业雷达应用的理想选择。特征•频率范围：22–31.5 GHz•噪声系数：1.6 dB•小信号增益：23 dB•P1dB:19 dBm•IM3:-54 dBc（@Pout=0 dBm/音调）•偏压：VD=3.5 V，IDQ=90 mA，VG=-0.46 V•塑料包覆包装•包装尺寸：4.0 x 4.0 x 0.85毫米应用•卫星通信•军用和商用雷达应用
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2025/8/20 14:35:54
Qorvo®QM14068是一款专为超宽带系统设计的低噪声放大器（LNA）。集成的输入和输出50欧姆匹配最大限度地减少了客户应用中的布局面积，降低了物料清单和可制造性成本。性能侧重于低噪声和增益的平衡，这增加了接收灵敏度，从而增加了RTLS环境中锚点和标签之间的相对距离。QM14068集成了低损耗的旁路功能。通过Qorvo UWB收发器的简单软件控制，使用单个引脚进行控制。该设备采用1毫米x 1.2毫米x 0.52毫米的包装。特性•方便的LNA可用于DW3110、DW3120、DW3210、DW3220、QM33110W和QM33120W的UWB应用•噪声系数=1.8dB•LNA增益=15dB•旁路损耗=0.9 dB•LNA模式下的Rx增益平坦度在最大带宽（500MHz）上为-1.0至+1.0dB•输入和输出引脚上的内部直流阻断•旁路高增益开关速度400nS应用•高精度实时定位系统•位置感知无线传感器网络•资产跟踪•工厂/仓库自动化和安全•医护人员和患者位置•零售安全、导航和客户分析•互联家居
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2025/8/20 14:33:19
QPF5005是Qorvo一款专为8-12GHz X波段应用设计的多芯片前端模块（FEM）。FEM集成了T/R开关、限幅器、低噪声放大器和功率放大器。发射功率为5 W饱和，接收器噪声系数为2.2 dB。无铅，符合RoHS标准。特性•频率范围：8-12GHz•发射功率：37 dBm•接收噪声系数：2.2 dB应用•通讯•商用和军用雷达
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2025/8/20 14:31:03
QPF0219是Qorvo一款多芯片前端模块（FEM），专为2-18GHz宽带雷达应用而设计。FEM集成了T/R开关、限幅器、低噪声放大器和功率放大器。发射功率为10W，PAE为20%，大信号增益为13dB，小信号增益为19dB。接收机噪声系数为4dB，小信号增益为14dB，P1dB为21dBm。多芯片FEM为每个功能块提供了最佳的半导体技术，以最大限度地提高具有挑战性的雷达应用的性能。功率放大器和T/R开关是SiC上的GaN，而限幅器和LNA是GaAs。封装是一个8 x 8毫米的气腔QFN。QPF0219以紧凑的占地面积提供卓越的性能。特性•频率范围：2-18GHz•TX PSAT：40 dBm•交易价格20%•TX增益19dB•RX增益14 dB•接收噪声系数：4dB•RX P1dB:21 dBm应用•通讯•商用和军用雷达
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2025/8/20 14:28:46
Qorvo®QM45508是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成移动Wi-Fi前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。特性•POUT=+14.5 dBm MCS13 HE320-44 dB动态EVM（TXH）•POUT=+17 dBm MCS11 HE160-43 dB动态EVM（TXH）•POUT=+17.5 dBm MCS9 VHT160-43 dB动态EVM（TXH）•POUT=+19.0 dBm MCS7 HT20-42 dB动态EVM（TXH）•针对移动应用的各种工作电压进行了优化•29 dB发射增益（TXH）•1.9 dB噪声系数•14.5 dB Rx增益（高增益）、12.5 dB Rx增益（低电流）和2.0 dB旁路损耗•多种Wi-Fi TX状态，实现最高效的运行•集成电源耦合器
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2025/8/20 14:26:07
在新能源汽车800V高压架构与碳化硅器件普及浪潮中，传统栅极驱动变压器面临绝缘失效风险。TDK全新推出的InsuGate系列B78541A25型号，通过三重绝缘绕组技术突破DC 1000V工作电压极限，体积较前代缩减30%，为车规级功率模块筑起纳米级绝缘屏障，已通过AEC-Q200 Rev.E可靠性认证。一、技术难点及应对方案高压隔离与微型化矛盾：介质击穿风险 → 采用三重独立绝缘绕组，局部放电熄灭电压≥1.2kV高频开关损耗 → MnZn铁氧体磁芯优化，工作频率覆盖100kHz~1MHz空间制约瓶颈 → 13.85×10.5×9.2mm超薄封装减少30%占板面积二、核心作用电气安全守卫：满足IEC 61558-1/2-16加强绝缘标准，3kV(AC)/60s耐压信号传输枢纽：4pF超低耦合电容保障IGBT/SiC开关时序精准性热稳定性中枢：-40℃~150℃全温域电感波动率＜±5%三、产品关键竞争力对比传统方案实现三大跃升：绝缘强度：DC 1000V工作电压为竞品2倍空间效率突破极限：功率密度达3.5W/mm³（行业均值1.8W/mm³）车规可靠性保障：通过AQG 324机械振动加速测试四、实际应用场景电动汽车电驱：800V SiC逆变器栅极驱动隔离电路工业电源模块：3kW LLC谐振转换器原边驱动再生能源系统：光伏逆变器IGBT驱动保护链路TDK InsuGate B78541A25通过材料革新与结构创新，将功率模块的安全边界推至千伏新高度。其纳米级绝缘保障与毫米级空间控制的融合，正在加速800V高压平台在新能源领域的普及进程。
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2025/8/20 13:53:39
2025年8月20日，小米集团总裁卢伟冰在最新财报电话会议上确认，小米汽车将于2027年前正式进军欧洲市场，直面特斯拉、比亚迪等全球新能源巨头的竞争。这一战略决策的背后，是小米第二款车型YU7 SUV的市场爆火——上市首月订单突破12万辆，推动小米汽车单季营收同比飙涨31%，为其全球化扩张注入了强劲动力。作为中国新能源车企中“生态链模式”的代表，小米此次挥师欧洲，不仅是销量的扩张，更是其“手机+汽车+IoT”生态体系的全球化复制。一、欧洲市场的三重壁垒与破局机遇欧洲是中国新能源车企出海的“关键战场”，但也面临着高关税、严认证、渠道空白的三重壁垒。关税压力：欧盟对中国电动汽车征收10%的基础进口税，加上35%-38%的反补贴税，总税率高达48%，远超美国市场的100%关税（但美国市场几乎封闭），这意味着小米汽车进入欧洲的成本将大幅上升。认证门槛：欧洲市场要求车辆同时满足ECE R100电池安全标准（针对高压电池系统的碰撞、火烧等极端场景）和Euro NCAP五星碰撞标准（行人保护、自动刹车等主动安全要求），小米需投入大量资源进行本土化适配。渠道空白：比亚迪、蔚来等中国车企已提前3-5年布局欧洲渠道，小米作为后来者，需快速构建本土化服务网络——计划3年内建成300家服务中心，覆盖欧盟主要国家。二、双车型驱动：SU7+YU7的增长飞轮小米汽车的全球化底气，来自SU7（轿车）+YU7（SUV） 的双车型战略，二者共同构建了“从高端到主流”的产品矩阵。SU7的市场验证：作为小米首款车型，SU7上市10个月销量突破20万辆，其中欧洲用户预订量占比达15%（主要来自英国、德国），证明小米的“智能座舱+成本控制”模式在海外市场的吸引力。YU7的爆火：6月底发布的YU7 SUV，搭载小米自研的9100T压铸机（将车身部件从172个减至2个），BOM成本较竞品低18%，上市当日官网访问量达60...
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2025/8/20 13:49:43
LT1947 是一款高度集成的多输出 DC/DC 转换器，专为用于 TFT-LCD 屏而设计。该器件包含两个独立的开关稳压器。主稳压器具有一个可调的输出电压和一个内部 1.1A 开关，能产生一个高达 30V 的升压电压。第二个稳压器的输出也是可调的 (高至 30V)，并能够输送用于正偏置的 10mA 电流。一个从主开关节点引出的简单电平移位充电泵负责产生负偏置电压。一个外部电容器用于设定从 AVDD 的终值至 VON 引脚上的脉冲上升沿的延迟时间。3MHz 开关频率允许全部使用外形扁平的纤巧型片式电感器和电容器，从而提供一款所有组件的高度均低于 1.2mm 的低噪声、低成本整体解决方案。该器件在 2.7V 至 8V 的输入范围内工作，并可提供 10 引脚 MSOP 封装和耐热性能增强型 10 引脚 MSOP 封装。特征• 高度 • 可从一个 3.3V 或 5V 电源产生三个输出• 可在外部设置的 VON 延迟• 固定频率低噪声输出• 全陶瓷电容器• 3MHz 开关频率• 快速瞬态响应• 所需的外部组件极少• 2.7V 至 8V 输入范围• 可调的 AVDD 和 VON 电压• 纤巧型 10 引脚 MSOP 封装和耐热性能增强型 10 引脚 MSOP 封装
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2025/8/19 14:43:30
DS1307串行实时时钟(RTC)是一款低功耗、二-十进制编码(BCD)的时钟/日历，外加56字节NV RAM。地址与数据通过I²C接口串行传输。时钟/日历提供秒、分、时、星期、日、月和年信息。对于少于31天的月份，将自动调整月末日期，包括闰年修正。时钟格式可以是24小时或带AM/PM指示的12小时格式。DS1307内置电源检测电路，检测主电源失效时自动切换到备用电源，以保持时间、日期信息和计时。特征• 56字节、电池备份、通用RAM，写次数不受限制• I²C串口• 可编程方波输出信号• 自动电源失效检测和切换电路• 电池备份模式下，振荡器运行功耗低于500nA• -40°C至+85°C工作温度范围• 可用于8引脚塑料DIP等
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2025/8/19 14:35:01
ADuM4160是一款基于ADI公司iCoupler®技术的USB端口隔离器。它将高速CMOS工艺与单片空芯变压器技术相结合，可提供优异的工作性能，并且很容易与低速和全速USB兼容外设集成。许多微控制器实施的USB只向外部引脚提供D+和D−线路。这在许多情况下都符合需求，因为它仅需极少的外部器件，并简化了设计；不过，当需要隔离时，这会带来难题。USB线路必须自动在主动驱动D+/D−、接收数据与允许外部电阻设置总线空闲状态之间切换。ADuM4160结构既可以检测数据流向，同时能够控制输出缓冲的状态。数据流向根据一个个分组确定。ADuM4160将基于边沿检测的iCoupler技术与内部逻辑结合使用，可实现透明、易于配置、面对上游的端口隔离器。隔离上游端口具有电路简单、电源管理和操作稳健等多种优势。这款隔离器的传播延迟与标准集线器和电缆的传播延迟相当。它可以采用任一侧的3.1 V至5.5 V电源电压供电，并能在内部将该电压调节至信号电平，从而与VBUS直接相连。ADuM4160对上拉电阻进行隔离控制，以便外设能控制连接时序。该器件的空闲电流较低；需要挂起模式。特征USB 2.0兼容低速和全速数据速率：1.5 Mbps和12 Mbps双向通信4.5 V至5.5 V VBUS操作1.5 Mbps时最大上游电源电流为7 mA12 Mbps时最大上游电源电流为8 mA最大上游空载电流2.3mA上游短路保护符合ANSI/ESD STM5.1-2007的3A级触点ESD性能高温操作：105°C高共模瞬态抗扰度：25 kV/μs16导联SOIC宽体封装版本16导联SOIC宽体增强爬电版本符合RoHS标准应用USB外围设备隔离隔离USB集线器医疗应用
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2025/8/19 14:30:45
MAX44248为超高精度、低噪声、零漂移双通道运放，在较宽的供电范围内保持超低功耗特性。器件集成了专有的自动调零电路，通过连续测量、补偿输入失调消除随时间、温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。器件还集成了EMI滤波器，以减小输出信号上的高频解调。运放采用2.7V至36V单电源供电，或±1.35V至±18V双电源供电。器件为单位增益稳定，具有1MHz增益带宽积，每路运放仅消耗90µA电流。低失调电压、低噪声以及较宽的供电范围，使得这些器件可理想用于传感器接口和变送器。器件提供8引脚µMAX®封装和SO封装，工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。特征• 超低输入失调：7.5µV (最大值)• 低至30nV/°C的失调漂移(最大值)• 每路运放仅消耗90µA静态电流• 低输入噪声• 1kHz下，噪声密度为50nV/• 0.1Hz至10Hz，噪声密度为0.5µVP-P• 1MHz增益带宽积• EMI抑制• 满摆幅输出• 2.7V至36V供电范围• 8引脚µMAX封装和SO封装应用● 传感器接口● 4mA至20mA和0至10V变送器● PLC模拟输入/输出模块● 体重秤● 便携式医疗设备
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2025/8/19 14:25:19