LTC®6400-8 是一款用于处理 DC 至 300MHz 信号的高速差分放大器。该器件专为以低噪声和低失真的方式驱动 12 位、14 位和 16 位 ADC 而设计，但也可以用作一个通用型宽带增益部件。 输出共模电压调节LTC6400-8 的输出共模电压由 Vocm 引脚设定，该引脚为高阻抗输入。输出共模电压可在 1 V 至 1.6 V 范围内跟踪 Vocm。Vocm 控制的带宽典型值为 14 MHz，主要由连接在 Vocm 引脚上的低通滤波器决定，用于抑制输出端共模噪声。内部共模反馈环路的 −3 dB 带宽约为 400 MHz，可快速抑制任何输出共模电压扰动。Vocm 引脚应通过 0.1 µF 旁路电容连接至直流偏置电压；当与 3 V ADC（如 LT22xx 系列）接口时，可将 Vocm 引脚直接连至 ADC 的 Vcm 引脚。驱动模数转换器LTC6400-8 专为直接驱动高速 ADC 而设计。图展示了 LTC6400-8 以单端输入方式驱动 16 位、130 Msps 的 LTC2208 ADC。两只 52 Ω 外部电阻可消除 ADC 输入或驱动器输出键合线引起的潜在谐振。LTC6400-8 的 Vocm 引脚与 LTC2208 的 Vcm 引脚相连，设定在 1.25 V。 alternatively，单端输入信号也可通过巴伦转换为差分信号后送入 LTC6400-8 的输入端。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
浏览次数：
15
2025/11/24 11:33:02
LTC®6400-8是一款用于处理DC至300MHz信号的高速差分放大器。该器件专为以低噪声和低失真的方式驱动12位、14位和16位ADC而设计，但也可以用作一个通用型宽带增益部件。LTC6400-8有上佳的易用性，且所需的支持电路极少。输出共模电压采用一个与输入无关的外部引脚来设定，从而免除了在许多应用中增设变压器或AC耦合电容器的需要。增益在内部固定于8dB(2.5V/V)。与采用IF增益部件和变压器的替代解决方案相比，LTC6400-8节省了空间和功率。LTC6400-8采用紧凑型16引脚3mmx3mmQFN封装，工作温度范围为-40℃至85℃。特征•2.2GHz–3dB带宽•2.5V/V的固定增益(8dB)•在70MHz时的-99dBcIMD3(等效OIP3=53.4dBm)•在300MHz时的-61dBcIMD3(等效OIP3=34.8dBm)•1nV/√Hz内部运算放大器噪声•7.6dB噪声系数•差分输入和输出•400Ω输入阻抗•2.85V至3.5V电源电压•85mA电源电流(255mW)•可调输出共模电压：1V至1.6V•DC或AC耦合操作•最大差分输出摆幅为4.8VP-P•小外形16引脚3mmx3mmx0.75mmQFN封装应用•差分ADC驱动器•差分驱动器/接收器•单端到差分转换•中频采样接收机•SAW滤波器接口如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
浏览次数：
8
2025/11/24 11:24:37
Vishay新推出了一种新型AEC-Q200合格、30W厚膜功率电阻器，采用紧凑的TO-220封装，可直接安装在散热器上。Vishay Sfernice LTA 30经过精心设计，即使在最极端的汽车环境中也能确保卓越的可靠性和耐用性，能够承受高达+125°C的高湿度条件和温度，同时对振动和电应力具有很高的耐受性。此外，该电阻器将500V的高工作电压与强大的过载能力（1.5xPr持续5秒）相结合，以确保在瞬态和高压条件下的稳定性。这些特性共同保证了安全关键应用中的一致性能。设备提供从0.010 W到450 kW的广泛电阻值，公差低至±1%，可作为车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）的电机控制的预充电或放电电阻器。符合RoHS标准的器件采用无电感设计，介电强度高达1500 Vrms。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
14
2025/11/24 11:11:17
TDK株式会社宣布推出全新的G系列浪涌保护元件。新系列元件有G14和G20两种型号可供选择，通过串联金属氧化物压敏电阻 (MOV) 与气体放电管 (GDT) 实现了一体化的混合设计，兼具这两种元件的优势。相比于单独并联使用MOV或GDT的传统解决方案，其创新配置可将漏电流降至接近零，不仅延长了整个元件的使用寿命，还提高了浪涌防护性能。新系列元件广泛适合电源、充电器、家电、浪涌保护装置及通信系统等需要高效率与高可靠性的应用。创新的串联混合设计的优势：零待机漏电流：在正常工作状态下，GDT会隔离MOV，几乎消除了漏电流，从而最大限度提高能效。延长MOV的使用寿命：MOV仅在GDT动作时启用，显著降低电气应力与老化速率。可靠的浪涌响应：发生浪涌时，GDT会迅速成为低电阻，形成第一道防线；随后MOV会钳住残余电压，吸收剩余能量，消除续流并防止GDT重新触发。紧凑的一体式设计：相比于分散式解决方案，单一的混合装置可简化电路设计，节省板载空间。G系列有两种型号可供选择：其一为G14，MOV直径为14 mm，适用工作电压范围为50 VAC至 680 VAC；其二为G20，MOV直径为20 mm，工作电压范围扩展至750 VAC。两种型号的工作温度范围均为–40 °C至 +105 °C，单脉冲 (8/20 µs) 最大浪涌电流能力分别为6,000 A (G14) 和10,000 A (G20)，可吸收能量分别高达200 J (G14) 和490 J (G20)。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
14
2025/11/24 11:03:30
STM32V8 是首款采用新一代 18nm FD-SOI 工艺设计的微控制器，集成嵌入式相变存储器 (PCM)被SpaceX星链卫星网络高速连接系统采用适合工厂自动化、电机控制和机器人等要求严苛的工业应用为要求严苛的工业应用专门设计，STM32V8在意法半导体位于法国克罗勒300毫米晶圆厂生产，采用意法半导体18纳米先进工艺制造，并集成优异的嵌入式相变存储器 (PCM)，同时该系列产品还在三星晶圆代工厂生产。STM32产品家族应用广泛，被全球数十亿台产品设备采用，涵盖消费电子产品、家用电器、工业应用、医疗设备、通信节点等领域。STM32V8 采用Arm® Cortex®-M系列中最新的性能最高的 Arm® Cortex®-M85 内核，能够处理复杂的应用，同时保持极高的能效。意法半导体的绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术具有卓越的能效和稳健性，支持最高 140°C 的结温。STM32V8 的相变非易失性存储器 (PCM) 拥有目前市场上最小的单元尺寸，可实现 4MB 的嵌入式非易失性存储器 (NVM)，并在保持出色成本效益的同时提供高集成度。新产品通过利用STM32 Trust框架以及最新的加密算法和生命周期管理标准集成了安全功能。STM32V8的目标是获得PSA 3级认证和SESIP认证，加快即将发布的《网络弹性法案》(CRA)的认证过程。STM32V8支持 3.3V电平为工业应用带来了很多好处，包括更低的功耗、更好的信号完整性，以及集成现代工业通信标准。新微控制器集成了专用加速器，包括图形加速器、加密/哈希加密加速器，并集成了大量的IP模块，包括 1Gb 以太网、丰富的数字接口(FD-CAN、8/6通道xSPI、I2C、UART/USART、USB)、模拟外设和定时器。作为 MCU级的STM32V8可以提供 MPU 级的...
浏览次数：
14
2025/11/24 10:53:24
金升阳新推出的FC-LxxM系列宽压金属滤波器，具有宽电压输入、高插入损耗、安全耐用的产品特点，能够有效解决电磁干扰问题，同时支持与我司AC/DC机壳开关电源电源产品配套设计，配套产品性能可满足CISPR32/IEC62368ClassB要求，为用户提供一站式电源解决方案。产品优势1.宽电压范围高兼容性FC-LxxM系列宽压金属滤波器支持85–305VAC/120–430VDC的超宽输入电压范围，并且有工作电流为3A或6A的产品可供选型。其宽压设计能兼容该电压和电流范围内的所有电源产品，有效提升系统构建的灵活性，适应更广泛的应用场景。2.宽温域满载超强电磁屏蔽FC-LxxM系列宽压金属滤波器采用优质金属外壳设计，能显著增强产品的机械防护性，有助于提升内部结构的散热效果，支持在-40℃至+85℃的宽温域范围内满载运行，确保本产品在恶劣的温度环境下高效运行。此外，金属外壳通电并接地后可形成法拉第笼，使其具备卓越的电磁屏蔽效果，能够有效隔绝电磁干扰，保障设备正常运行，避免硬件受损。3.高插入损耗性能可靠为应对电源电路带来的共模与差模干扰，FC-LxxM系列宽压金属滤波器采用一阶滤波架构，可实现高达40dB的共模干扰抑制&70dB的差模干扰抑制，能够显著衰减噪声，提升系统抗干扰性，保障设备在复杂电磁环境中可靠运行。4.品质认证安全耐用为增强系统在复杂环境中的稳定性，FC-LxxM系列宽压金属滤波器在开发中严格遵循IEC62368标准。其设计充分考虑了与金升阳LM系列等主流AC/DC机壳开关电源的兼容性，可作为滤波或辅助电路使用，显著抑制电磁干扰，使整机系统符合CISPR32/EN55032ClassB标准，尤其适用于需要通过严苛EMC测试的工业、电力及消费类电子设备。产品特点•超宽输入电压范围：85-305VAC/120-430VDC•工作温度范围：-40℃to85℃•插入...
浏览次数：
9
2025/11/24 10:48:56
金升阳重磅推出超低纹波1mV系列开关电源LRN65-20Bxx。此产品采用金升阳自主技术研发，具备超低纹波&噪声、小体积、高可靠等优异特性，可广泛应用于半导体、医疗等行业。产品优势• 极低纹波（有效值200μV（Typ）、峰-峰值1mV（Typ）），给精密设备 “纯净能量源”；纹波噪声是精密设备的“隐形干扰源”，此产品实现全输入电压范围、全输出负载区间满足极低纹波：有效值200μV（.Typ）、峰-峰值1mV（.Typ），确保设备始终处于“极低干扰”供电环境，数据精度与信号稳定性大幅提升。 • 具备超强EMI兼容性：EMI满足CLASS B，传导余量15dB + ，辐射余量10dB + ；有效避免设备“电磁冲突”；• 出色环境适应力：宽输入电压85 - 264VAC/100 - 370VDC，同时可承受305Vac/5s电压冲击、宽工作温度范围-30℃ to +70℃；确保持续稳定供电，保障系统运行连续性；• 4000VAC 高隔离电压设计、效率高达85%，安全节能双重保障；• 输出电压±10%可调、具备Sense远端补偿功能、远程遥控开关功能；灵活可调，适配多样化设备需求；• 小巧轻便，体积仅140*70*42mm、较行业水平体积缩小30%，产品重量仅410g（.Typ）；• 无风扇设计，无噪音，减少故障率；金属机身 + 半胶封 优化被动散热，提升整体可靠性；• 长期高可靠——满足“双85试验”1000小时、满足温度冲击试验 1000小时；• 设计满足EN62368、 医疗ES/EN60601、EN61558、EN60335、GB4943、半导体F47(220-240VAC)认证标准，产品应用合规性 “一步到位”。行业应用金升阳超低纹波AC/DC开关电源 LRN65-20Bxx系列产品，满足对纹波噪声敏感的行业客户各种...
浏览次数：
12
2025/11/24 10:45:35
中微半导体高性能CMS32C030系列，基于ARM Cortex®-M0+内核，主频高达48MHz，是一款满足消费类产品对小尺寸、高可靠性、高性价比需求的32位MCU。该芯片以高集成度和高可靠性，在电子雾化器续航、雾化量及安全等关键痛点提供硬件级支持，助力方案商简化设计流程、降低综合成本，打造更稳定、更安全的电子雾化器产品。方案功能亮点- 支持多任务处理与TFT高清屏菜单显示- 内置高精度ADC，实现功率精准控制- 集成ACMP，具备输出短路快速保护能力- 支持显示驱动，高速SPI确保动画播放流畅开发便捷灵活配备64KB Flash与8KB RAM，适用于带屏雾化器及复杂控制场景系列化开发平台，加快研发进程，便于产品快速迭代提供QFN24、QFN32、LQFP32等小尺寸封装，适应紧凑型PCBA布局，满足小型化设计需求中微半导CMS32C030系列以极具竞争力的成本，集成了电子雾化器方案所必需的精准模拟控制、硬件安全保护和低功耗管理三大核心要素，是实现高性能、高安全性、低成本电子雾化器产品的完美芯片选择。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
13
2025/11/24 10:40:11
纳芯微电子正式推出了新一代线性位置传感器MT911x与MT912x系列。新品瞄准无人机、3D打印机、手持稳定器、工业自动化等对位置检测精度与响应速度要求严苛的应用场景，通过集成高精度、高带宽、低功耗与小封装等核心优势，为市场提供了更可靠、更灵活的位移感知解决方案。纳芯微新一代MT911x与MT912x系列其性能参数精准契合了市场升级需求：高精度测量：具备±1.5% 的高线性度，确保了位置测量的精准性，无论是细微的位移变化还是复杂的角度转动，都能被准确捕捉。卓越能效表现：静态电流被严格控制在2mA以内，显著降低了系统的整体功耗，为电池供电设备延长续航时间提供了有力支持。迅捷动态响应：高达30kHz的带宽确保了传感器在高速运动场景下也能实现实时、无延迟、无失真的信号输出，带来了更顺滑的控制体验。灵活配置选择：该系列提供了灵活的选项，MT911x支持双极型选择，而MT912x支持单极型选择，使工程师能够根据不同位移结构的特性灵活适配，满足更广泛的设计需求。纳芯微为MT911x和MT912x系列提供了DFN1616、SOT23、TO-92S等多种小尺寸封装选项。这使得传感器能够轻松嵌入高度集成或空间受限的设计中，无论是紧凑型消费电子产品还是结构复杂的工业设备，都能找到理想的布局方案。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
18
2025/11/24 10:34:10
Bourns电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，近日推出SRF1709共模扼流圈。这款全新的高电感扼流圈采用铁氧体磁环核心，可降低辐射，是有效的电源线噪声抑制方案。此全新扼流圈具备3.5mH的高感值、2.5A的额定电流，并拥有–40°C至+85°C的工作温度范围。其先进设计能有效抑制系统中进入与输出路径的电磁骚扰(EMI)，因此非常适合应用于消费性、工业及其他电子产品设计中。产品核心：以高电感为核心优势Bourns此次推出的SRF1709并非普通的扼流圈。它的最大亮点在于其高达3.5mH的共模电感值。这种高电感特性意味着它对共模噪声呈现出极高的阻抗，能够像一道坚固的“滤波器大坝”，极为有效地阻挡高频噪声沿电源线进出设备。强大性能参数：高电感值：3.5mH额定电流：2.5A工作温度范围：–40°C至+85°C这些扎实的参数确保了SRF1709在宽温度范围和相当高的电流负载下，依然能保持稳定优异的滤波性能，满足各种严苛应用环境的需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
8
2025/11/24 10:30:57
EDA企业Synopsys（新思科技）近日提交的监管文件显示，该公司将裁员约10%，约涉及2000名员工，原因是公司希望将投资重新分配到增长机会上。该公司表示，预计在 2026 财年（IT之家注：2025 年 11 月~2026 年 10 月）完成大部分裁员工作，并计划在 2027 财年结束时基本完成重组计划。新思科技今年 9 月公布的第三季度财报显示，其营收为 17.4 亿美元（现汇率约合 123.55 亿元人民币），同比增长 14%，但低于市场预期。GAAP 净利润同比大幅下降 43.06%，非 GAAP 每股收益为 3.39 美元，同样未达分析师预期。新思科技的裁员计划并非孤例。根据就业顾问公司Challenger，Gray & Christmas的最新报告，今年10月美国企业裁员人数超过15万人，创下近20年来同月最高纪录。报告指出，科技公司的裁员力度最大，其次是零售业和服务业。这一数据反映出全球科技行业正经历一轮调整期。对于新思科技而言，这次重组虽然短期内会带来一定的财务压力和人员变动，但长远来看，可能有助于公司更加专注于高增长领域，提高运营效率。随着人工智能、机器学习等技术的快速发展，芯片设计行业正面临新的机遇与挑战。通过整合Ansys的技术和能力，新思科技有望在未来的竞争中占据更有利位置。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
13
2025/11/24 10:03:15
近日，苹果公司在其官网发布了一则针对DRAM封装工程师的招聘信息，引发行业广泛关注。该职位不仅要求候选人具备超过10年的行业经验，更明确指出需精通HBM（高带宽存储器）及高性能存储技术，涵盖TSV设计、裸片堆叠、热管理等关键技术细节。这一动作被市场解读为苹果加速布局AI领域、尤其是数据中心与AI服务器芯片自研化的重要信号。据苹果官方描述，该岗位将负责“下一代存储封装”的开发与验证，并指导存储半导体供应商的技术路线图。值得注意的是，这是苹果首次专门招聘DRAM封装工程师，而非此前常见的智能手机DRAM工程师。韩国媒体《每日经济》分析指出，这一职位极可能服务于苹果的AI服务器与数据中心业务，其职责包括管理与三星电子、SK海力士、美光科技等存储巨头的技术合作。这意味着苹果正从过去依赖外部存储方案的阶段，转向对关键技术节点的直接掌控。截至目前，苹果的AI训练仍依赖谷歌云TPU。然而，随着苹果加速推进私有云计算与“Apple Intelligence”项目，其对算力自主权的需求日益迫切。今年10月，苹果已在美国启动服务器的自研生产，而此次招聘进一步揭示了其底层技术方向：HBM成为必选项：苹果现有M系列芯片在内存带宽上难以支撑数据中心级别的大模型高并发需求，而HBM通过3D堆叠与硅通孔（TSV）技术，可提供远超传统DRAM的带宽，正是英伟达H100/B200等AI芯片的核心优势。封装技术多元化：职位描述中特别提及CoWoS、EMIB、SoIC、PoP等封装技术。其中，英特尔独有的EMIB技术出现在苹果的清单中，引发业内猜测——苹果可能将部分高端AI芯片封装订单交由英特尔，以规避台积电CoWoS产能紧张的瓶颈。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
14
2025/11/24 9:58:35
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其压控振荡器（VCO）芯片的型号及产品介绍主要如下：MWV2004、MWV2005、MWV2003Q、MWV2008、MWV2003MWV2004MWV2004 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO）单片，支持 7 GHz 至 12.5 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用+5 V单电源供电，电流为 49 mA。MWV2005MWV2005 是一款集成输出2分频和4分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 10.6GHz 至 13.6GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调谐电压，电流为150mA。MWV2003QMWV2003Q 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO），支持 8.1 GHz 至 14.2 GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 46 mA。MWV2008MWV2008 是一款集成输出 2 分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 14 GHz 至 17 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10V 的调谐电压，电流为 105 mA。MWV2003MWV2003 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO）单片，支持 8GHz 至 14.3GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调 谐电压。本款芯片采用+5V单电源供电，电流仅 42mA。如有米乐为型号需求及其它品牌需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
浏览次数：
15
2025/11/20 14:45:19
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其压控振荡器（VCO）芯片的型号及产品介绍主要如下：MWV2000QMWV2000Q 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO），支持 4 GHz 至 7 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 44 mA。MWV2001MWV2001 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO）单片，支持 5 GHz 至 8.9 GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 45 mA。MWV2000MWV2000 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO）单片，支持 3.9 GHz 至 6.9 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 44 mA。MWV2011MWV2011 是一款集成输出缓冲Buffer和主副路输出的压控振荡器（VCO）单片，支持 6.1 GHz 至 8 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 3.3 V 的调谐电压，电流为 50 mA。MWV2009MWV2009 是一款集成输出 2 分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 7.9 GHz 至 8.9 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +3.3 V 的调谐电压，电流为 90 mA。MWV2001QMWV2001Q 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO），支持 5GHz 至 9GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调谐电压。本款芯片采用+5V单电源供电，电流...
浏览次数：
12
2025/11/20 14:44:24
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其混频器芯片的型号及产品介绍主要如下：MWM2042A&B、MWM2009A&B、MWM2037A&B、MWM2036A&B、MWM2039A&B、MWM2022A&B、MWM2032A&B、MWM2043A&B、MWM1018MWM2042A&BMWM2042A&B 是一款互为镜像的混频器，射频和本振频率范围覆盖 2-6 GHz，中频输出频率覆盖 DC-2 GHz，上变频损耗典型值 6 dB，LO-RF 隔离度 50 dB，LO-IF 隔离度 45 dB。具有低插损、高隔离、高杂散抑制。MWM2009A&BMWM2009A&B 是一款双平衡混频器，本款产品能够实现射频 3 GHz-10 GHz 的变频功能，中频频率覆盖 DC-3.5 GHz，带内变频损耗 8 dB。MWM2037A&BMWM2037A&B 是一款互为镜像、自带驱动的双平衡混频器芯片，能够实现信号链路中，信号上下变频功能，其射频和本振频率覆盖 4-14 GHz，中频频率覆盖 DC-5 GHz，具有低插损、高隔离、高输入 P-1、回波损耗优的特点，可满足X波段各种射频组件小型化的应用。MWM2036A&BMWM2036A&B 是一款互为镜像的宽带混频器芯片，射频和本振频率覆盖 2-26 GHz，中频频率覆盖 DC-8 GHz，典型插入损耗为 10 dB，本振/射频隔离为 55 dB，本振/中频隔离为 28 dB，射频/中频隔离为 35 dB， 本振端口含隔直电容（其他端口无），可满足各种宽带系统的应用。MWM2039A&BMWM2039A&B 是一款互为镜像并自带驱...
浏览次数：
24
2025/11/20 14:36:13
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其混频器芯片的型号及产品介绍主要如下：MWM2016Q、MWM2026Q、MWM2008Q、MWM2002Q、MWM2021Q、MWM2005、MWM2025、MWM2004MWM2016QMWM2016Q 是一款宽带高隔离度下变频混频器，由高线性度双平衡混频器、限幅 LO 缓冲放大器和偏置电路构成。高本振工作时，射频率范围为 0.7-1.1 GHz，中频频率范围为0.001–0.5 GHz，具有隔离度高、变频损耗低等优良特性。MWM2026QMWM2026Q 是一款低频宽带混频器，由高线性度双平衡混频器和巴伦电路构成。射频和本振频率范围均为 80 - 2500 MHz，中频输出频率在 DC – 1000 MHz 之间。MWM2008QMWM2008Q 是一款宽带高隔离度下变频混频器，由高线性度双平衡混频器、高速限幅 LO缓冲放大器、RF 线性放大器和偏置电路构成。射频和本振频率范围均为 400-2700 MHz，中频输出频率可在 0.1-1000 MHz 之间。MWM2002QMWM2002Q 是一款窄带高线性无源上变频混频器，采用 QFN4×4 封装，射频频率范围为 2.5-2.7 GHz，中频输出频率在 1.2 GHz±100 MHz 之间，具有高 RF-LO 隔离度、IF-LO 隔离度和高输入三阶交调抑制。MWM2021QMWM2021Q 是一款窄带高线性无源上变频混频器，采用 QFN4×4 封装，射频频率范围为 2.5-2.7 GHz，中频输出频率在 1.2 GHz±100 MHz 之间，具有高 LO-RF 隔离度、LO-IF 隔离度和高输入三阶交调抑制。MWM2005MWM2005 是一款有源混频器，能够实现上下变频功能...
浏览次数：
16
2025/11/20 14:30:47
ADRF5050是一款非反射式SP4T开关，采用绝缘硅(SOI)工艺制造。ADRF5050的工作频率范围为100MHz至20GHz，具有低于1.20dB的插入损耗以及高于47dB的隔离性能。对于直通路径，该器件具有33dBm的射频输入功率处理能力。ADRF5050采用+3.3V和−3.3V双电源供电。该器件还可以采用单正电源电压(VDD)供电，同时负电源引脚(VSS)接地。单电源工作条件需要较低的工作功率，同时保持出色的小信号性能（参见数据手册中的表2）。ADRF5050采用兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)的控件。该器件具有使能和逻辑选择控制特性，可分别提供全部关断状态和端口镜像功能。ADRF5050与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容。ADRF5050采用符合RoHS标准的24引脚、3mm×3mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。特征•超宽带频率范围：100MHz至20GHz•非反射式50Ω设计•低插入损耗•0.9dB（典型值）至6GHz•1.00dB（典型值）至12GHz•1.20dB（典型值）至20GHz•RFx和RFx之间高隔离度•54dB（典型值）至6GHz•50dB（典型值）至12GHz•47dB（典型值）至20GHz•高输入线性度•P0.1dB：34dBm（典型值）•IP3：55dBm（典型值）应用•测试仪器仪表•军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)•微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
浏览次数：
16
2025/11/20 14:05:09
Abracon推出的ABM14系列超微型石英晶体，以仅1.0×0.8毫米的行业封装，提供了兼具高稳定性与高精度的时钟解决方案，成为空间敏感型应用的理想心脏。产品特性•超微型AT切型石英晶体•高稳定性•低镀层负载值•低功耗•符合REACH法规应用场景•可穿戴设备•无线模块•蓝牙•助听器•低功耗MCU免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
14
2025/11/20 13:57:12