TS8223K 是一款特罗半导体第三代对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为中等功率切换应用设计。TS8223K 覆盖 300 MHz 至 8.5 GHz 的带宽，在小封装尺寸下提供低插入损耗、高隔离度和高线性度。该器件支持 10 W 连续波（CW）功率，峰值功率能力达 50 W，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。电子元器件封装类型TS8223K 封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 3.0 × 3.0 mm²，共 16 引脚塑料封装。特性频率范围：300 MHz 至 8.5 GHz低插入损耗：0.35 dB @ 2.0 GHz0.40 dB @ 4.0 GHz0.45 dB @ 6.0 GHz高隔离度 S₂₁：46 dB @ 2.0 GHz34 dB @ 4.0 GHz28 dB @ 6.0 GHz10 W 连续波功率，50 W 峰值功率快速开关时间：120 ns低功耗，小于 1 mWRF 线路无需外部直流隔直电容所有射频端口在关断状态下均处于开路状态兼容宽电压电源：2.6…5.25 V无需提供负电压常见应用•无人机数据链•私人移动和国防无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•数据链路
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2026/2/27 13:23:02
TSX221K 是一款基于 GaN 技术的 X 波段全集成单刀双掷（SPDT）开关，专为高功率切换应用设计。特罗半导体TSX221K 覆盖 500 MHz 至 12.0 GHz 的带宽，在小封装尺寸下提供低插入损耗、高隔离度和高线性度。该器件支持 10 W 连续波（CW）功率，峰值功率能力达 50 Wp，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。TSX221K 采用标准单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V，无需额外负电压或高压。TSX221K 电子元器件封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 3.0 × 3.0 mm²，共 16 引脚塑料封装。特性全集成解决方案，单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V频率范围：500 MHz 至 12.0 GHz10 W 连续波功率，50 Wp 峰值功率相比 SOI 技术，无突发电压击穿风险低插入损耗：0.3 dB @ 1.0 GHz0.5 dB @ 8.0 GHz0.8 dB @ 12.0 GHz高隔离度：20 dB @ 10.0 GHz开关时间 = 50 ns，无功率降额低功耗，小于 1 mW无需提供负电压常见应用•X波段雷达•C波段雷达•蜂窝基础设施•卫星终端•数据链路
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2026/2/27 13:16:18
下变频混频器上图展示了一个典型的下变频应用电路，其中 AD8343 被配置为接收机混频器电子元器件。输入端的单端到差分转换通过一个 1:1 传输线巴伦 实现。输入匹配网络位于巴伦与输入引脚之间，而输出则直接从一个 4:1 阻抗比（即 2:1 匝数比）变压器取出。本振振荡信号在 –12 dBm 至 –3 dBm 的电平范围内，通过第二个 1:1 巴伦 输入。R1A 和 R1B 设置核心偏置电流为每侧 18.5 mA。L1A 和 L1B 提供所需的射频扼流，以避免对信号形成旁路。Z1、Z2A 和 Z2B 构成一个典型的输入匹配网络，其设计目的是将 AD8343 的差分输入阻抗匹配至巴伦的差分输出阻抗。中频（IF）输出通过一个 4:1（阻抗比）变压器 取出，该变压器向集电极反射出 200 Ω 差分负载。这种输出耦合 arrangement 具有较宽的带宽特性，但在某些情况下，用户可能希望考虑在集电极之间增加一个谐振 tank 电路，以提供一定程度的中频选择性。铁氧体磁珠（FB）串联在输出变压器的中心抽头上，用于解决共模稳定性问题。在此电路中，PWDN 引脚显示接地（GND），使能混频器工作。若要进入关断模式并节省功耗，必须将 PWDN 引脚电压拉至距 VPOS 不超过 500 mV 的范围内。DCPL 引脚需通过约 0.1 μF 电容旁路到地；若未这样做，会导致器件输出端噪声电平升高。
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2026/2/26 15:17:19
AD8343 电子元器件要求使用差分负载，原因与输入端需要差分源以获得最佳器件性能相同。此外，差分负载可提供最佳的本振（LO）到输出隔离度，以及最佳的输入到输出隔离度。在低输出频率下，通常不建议在器件输出与负载之间安排共轭匹配，即使这样做可以最大化小信号变频增益。这是因为低频时输出阻抗非常高（高电阻与小电容并联）。可参考上图，其中绘制了在器件引脚处测得的差分输出阻抗随频率变化的曲线。若使用高阻抗负载，则即使在相对较低的输出电平下，也会因足够的输出电压摆幅而导致输出削波，从而造成动态范围损失。每个输出引脚的线性电压摆幅约为 ±1 V（相对于电源电压 VPOS）。一个良好的折衷方案是在所需输出频率下，在两个输出引脚之间提供约 200 Ω 至 500 Ω 的负载阻抗（基于每路 15 mA 至 20 mA 的偏置电流）。在低于 500 MHz 的输出频率下，通过采用较低的负载阻抗，可在出现严重削波前获得更高的输出功率；但此时增益和低端失真性能可能会有所下降。在镜像频率处，输出负载阻抗也必须保持合理偏低，以避免产生显著的额外电压摆幅，否则会降低动态范围。如果不需要维持良好的输出回波损耗，可使用 4:1 至 8:1（阻抗比） 的磁通耦合变压器，为器件呈现合适的负载，并通过中心抽头提供集电极偏置，如图上图所示。除最低输出频率外，通常建议在输出引脚间连接一个电感，以对 AD8343 的输出电容进行调谐。另一方面，若希望获得良好的输出回波损耗，则可通过在输出引脚间并联一个分流电阻来对输出进行阻性加载，从而设定输出阻抗的实部。通过适当选择变压器的阻抗比和所需的分流电阻值，可实现总负载阻抗约 –500 Ω，同时优化信号传输效率和输出回波损耗。在较高输出频率下，器件的输出电导会升高（参见第一张图片），因此在高于约 900 MHz 时，对负载与 AD8343 输出之间进行共轭匹配变得合适。...
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2026/2/26 15:12:47
单端到差分转换AD8343 电子元器件设计用于接收差分输入信号以获得最佳性能。虽然也可施加单端输入，但信号处理能力会降低 6 dB。此外，由于非线性输入阻抗引起的偶次阶失真无法被抵消，因此在失真敏感的应用场景中，有效信号处理能力会进一步下降——即互调截点（intermodulation intercepts）性能劣化。出于上述原因，强烈建议向 AD8343 的输入端提供差分信号。除了市售的巴伦（balun）外，还有多种分立元件或印刷电路网络可产生所需的平衡波形并实现阻抗匹配。这些替代电路可用于可能降低混频器组件成本和/或提升系统性能。采用传输线形式实现的巴伦（也称为共模扼流圈）适用于频率高达约 1 GHz 至 2 GHz 的应用，但在 AD8343 所能处理的更高频率下往往损耗过大。M/A-COM 公司制造此类巴伦，而 Murata 公司则生产真正的表面贴装型巴伦。Coilcraft® 和 Toko 也是射频巴伦的制造商。
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2026/2/26 15:09:46
RF 端口与巴伦当将 MAX2029 用作下变频器电子元件时，其 RF 输入在内部已匹配至 50Ω，无需外部匹配元件。由于输入通过片内巴伦在直流（DC）上短路到地，因此需要一个隔直电容。在整个 815MHz 至 1000MHz 的 RF 频率范围内，RF 回波损耗通常优于 15dB。当用作上变频器时，RF 端口为单端输出，同样匹配至 50Ω。LO 输入、缓冲器与巴伦MAX2029 针对低侧本振注入架构进行了优化，本振频率范围为 570MHz 至 900MHz。作为附加功能，MAX2029 内置一个 LO SPDT 开关，可用于跳频应用。该开关可选择两个单端 LO 端口中的一个，使外部振荡器能在切换前稳定于特定频率。LO 切换时间通常小于 50ns，足以满足几乎所有 GSM 应用需求。若不采用跳频功能，可将开关设置为任一 LO 输入。该开关由数字输入 LOSEL 控制：逻辑高电平选择 LO2，逻辑低电平选择 LO1。为避免损坏器件，在施加数字逻辑信号至 LOSEL 之前，必须先向 VCC 施加电压。LO1 和 LO2 输入均在内部匹配至 50Ω，每个输入端需外接一个 82pF 隔直电容。两级片内 LO 缓冲器允许较宽的 LO 驱动输入功率范围。所有保证规格均基于 -3dBm 至 +3dBm 的 LO 信号功率。片内低损耗巴伦配合 LO 缓冲器共同驱动双平衡混频器。从 LO 输入到 IF 输出的所有接口与匹配组件均已集成在芯片内部。高线性度混频器MAX2029 的核心是一个双平衡、高性能无源混频器。得益于片内 LO 缓冲器提供的大幅值 LO 摆幅，器件展现出卓越的线性度。差分中频（IF）MAX2029 混频器的中频频率范围为 直流至 250MHz。请注意，这些差分端口特别适合提升 IIP2 性能。对于单端 IF 应用，需使用一个 1:1 巴伦，将 50Ω 差分 IF 阻抗转换为...
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2026/2/26 14:59:42
MAX2029 是一款高线性度无源上变频或下变频混频器电子元器件，设计用于在 815MHz 至 1000MHz 射频（RF）频率范围内提供：+36.5dBm 输入三阶截点（IIP3）6.7dB 噪声系数（NF）6.5dB 变频损耗以支持 GSM/蜂窝基站发射机或接收机应用。凭借 570MHz 至 900MHz 的本振（LO）频率范围，该混频器特别适用于低侧本振注入架构。若需引脚兼容且专为高侧本振注入设计的混频器，请参考 MAX2031 数据手册。除了提供卓越的线性度和噪声性能外，MAX2029 还实现了高度集成。器件内部包含：一个双平衡无源混频核心一个双输入 LO 可选开关一个 LO 缓冲器片内集成的巴伦允许使用单端 RF 输入进行下变频（或单端 RF 输出进行上变频），以及单端 LO 输入。MAX2029 标称所需 LO 驱动功率为 0dBm，供电电流保证低于 100mA。引脚兼容性与系列扩展MAX2029 与以下系列器件引脚兼容：MAX2039、MAX2041、MAX2042、MAX2044（覆盖 1700MHz–2200MHz、2000MHz–3000MHz、3200MHz–3900MHz 的混频器）这使得整个无源上变频器/下变频器家族非常适合需要在同一印刷电路板（PCB）布局中支持多个频段的应用场景。封装与温度范围MAX2029 采用紧凑的 20 引脚薄型 QFN 封装（5mm × 5mm），带裸露焊盘（exposed paddle）。电气性能在扩展工作温度范围 –40°C 至 +85°C 内得到保证。因此常被适用于以下应用：蜂窝频带WCDMA和cdma2000®基站GSM 850/GSM 900 2G和2.5G EDGE基站TDMA和集成数字增强网络（iDEN®）基站PHS/PAS基站WiMAX基站和客户驻地设备预...
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2026/2/26 14:50:58
MAX2042A 是一款单通道、高线性度上变频/下变频混频器电子元器件，可提供高达 +33dBm 输入三阶截点（IIP3）、7.25dB 噪声系数 和 7.2dB 变频损耗，适用于 1600MHz 至 3900MHz 的 GSM/EDGE、CDMA、TD-SCDMA、WCDMA、LTE、TD-LTE、WiMAX™ 及 MMDS 无线基础设施应用。凭借超宽 1300MHz 至 4000MHz 的本振（LO）频率范围，该器件可用于几乎任何 1.7GHz 至 3.5GHz 的应用场景（采用低侧或高侧本振注入架构）除了提供卓越的线性度和噪声性能外，该 IC 还实现了高度集成。器件内部包含一个双平衡无源混频核心、一个 LO 缓冲器以及片内巴伦，支持单端 RF 和 LO 输入。该器件标称所需 LO 驱动功率为 0dBm，在 VCC = 5.0V 时典型供电电流为 140mA，在 VCC = 3.3V 时为 122mA。MAX2042A 引脚兼容 MAX2042（2000MHz 至 3000MHz 混频器），也与以下器件引脚相似：MAX2029 / MAX2031 / MAX2033（650MHz 至 1550MHz 混频器）MAX2039 / MAX2040 / MAX2041（1700MHz 至 3000MHz 混频器）MAX2044（2300MHz 至 4000MHz 混频器）这使得整个上变频器/下变频器系列非常适合需要在同一 PCB 布局中支持多个频段的应用。MAX2042A 采用紧凑的 20 引脚 TQFN 封装（5mm × 5mm），带裸露焊盘。电气性能在扩展温度范围 Tc = -40°C 至 +85°C 内得到保证。因此常被应用于：1.8GHz/1.9GHz GSM/EDGE/CDMA基站2.1GHz WCDMA/LTE基站2.3GHz TD-...
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2026/2/26 14:45:31
LTC5590 属于双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列电子元件，覆盖射频（RF）频率范围从 600 MHz 至 4.5 GHz。LTC5590 针对 600 MHz 至 1.7 GHz 的 RF 应用进行了优化。为获得最佳性能，本振（LO）频率必须落在 700 MHz 至 1.5 GHz 范围内。一个典型应用是 LTE 或 GSM 接收机，其 RF 输入频率为 700 MHz 至 915 MHz，并采用高侧本振（high-side LO）。LTC5590 的高变频增益和高动态范围特性，使其能够在高选择性接收机设计中使用损耗较大的中频（IF）滤波器，同时最大限度地降低整体解决方案成本、电路板占用面积以及系统级变异。该器件还提供低电流模式以实现额外节能，且每个混频器通道均具备独立的关断控制功能。那么LTC5590下混频器都具备哪些特征呢？转换增益：900MHz时为8.7dBIIP3:900MHz时为26dBm噪声系数：900MHz时为9.7dBn在5dBm阻塞下为15.6dB NF高输入P1dB900MHz时的53dB信道隔离3.3V时的功耗为1.3W低功耗模式，功耗0.8W为每个通道启用引脚50Ω单端射频和本振输入LO输入在所有模式下都匹配0dBm LO驱动电平小包装和解决方案尺寸–40°C至105°C操作
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2026/2/26 14:35:36
混频器输出至中频 DVGA 接口LTC5566混频器的 300Ω 差分输出阻抗与 IF DVGA 的 300Ω 差分输入阻抗相匹配，即使在单片实现导致的正常工艺变化范围内也是如此。这确保了在整个 IF 衰减范围内具有最小且可重复的微分非线性（DNL）和积分非线性（INL）。此外，混频器输出与 DVGA 输入均集成了匹配电容，从而简化了在混频器与 DVGA 之间实现低通滤波器的设计。该滤波器可在信号进入 DVGA 之前衰减不需要的高频混频产物和本振泄漏。上图显示了通道 1 的接口简化原理图（通道 2 结构相同，未示出）。L5 和 L7 将混频器输出连接至 DVGA 输入，同时构成一个 650MHz、三阶、0.2dB 纹波的切比雪夫低通滤波器。L1 和 L3 为混频器提供直流偏置电流，C5 和 C7 为直流隔直电容。上图展示了该低通滤波器的等效交流原理图，其中混频器输出与 DVGA 输入被建模为 300Ω 电阻并联 1pF 电容。在此 schematic 中，混频器供电扼流圈及串联直流隔直电容已被忽略。也可在混频器与 DVGA 之间实现带通滤波器。上图展示了一个示例：通过改变无源元件值并增加 C21、C23 和 L19，可实现一个三阶带通滤波器。最后这张图片则显示了使用该带通拓扑时测得的变频增益随中频输出频率的变化曲线。
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2026/2/26 14:30:52
LTC5566 双通道可编程增益下变频混频器电子元件，非常适合需要精确增益设置的分集接收机和 MIMO 接收机。每个通道包含一个有源混频器和一个数字中频可变增益放大器（IF VGA），其增益控制范围为 15.5 dB。每个通道的中频增益可通过 SPI 接口以 0.5 dB 为步长进行编程。通过 SPI 或并行控制线实现的可编程射频输入调谐功能，使该器件在宽带无线电应用中极具吸引力。此外，还提供一种低功耗模式，同样可通过 SPI 编程启用。集成的射频变压器提供单端 50 Ω 输入。差分本振（LO）输入支持单端或差分驱动。差分中频输出简化了与差分中频滤波器和放大器的接口。这些混频器针对最高 5 GHz 的应用进行了优化，但也可用于高达 6 GHz 的频率，性能会有所下降。关键特性：12dB功率转换增益35dBm输出IP315.5dB范围中频DVGA，步长为0.5dB可编程射频输入调谐降低功率模式3.3V单电源简单SPI，快速开发–40°C至105°C操作（TC）非常小的解决方案尺寸32引脚（5mm×5mm）QFN封装常见应用4G和5G MIMO接收器多样性接收器分布式天线系统（DAS）网络测试/监控设备软件定义的无线电
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2026/2/26 14:24:42
下图显示了 HMC8191 的典型应用电路。为选择合适的边带，需要一个外部的 90° 混合耦合器。对于不需要直流工作的应用，请使用一个片外的直流隔直电容。对于需要在输出端抑制本振信号的应用，请使用如图 149 所示的偏置三通或射频馈电结构。确保用于本振抑制的源电流或灌电流在每个 IF 端口小于 3 mA，以防止损坏器件。每个 IF 端口的共模电压为 0 V。当作为上变频器使用时，若要选择上边带，请将 IF1 引脚连接到混合耦合器的 90° 端口，并将 IF2 引脚连接到混合耦合器的 0° 端口。若要选择下边带，请将 IF1 连接到混合耦合器的 0° 端口，IF2 连接到混合耦合器的 90° 端口。输入来自混合耦合器的求和端口，差值端口接 50 Ω 终端。当作为下变频器使用时，若要选择上边带（低侧本振），请将 IF1 引脚连接到混合耦合器的 0° 端口，并将 IF2 引脚连接到混合耦合器的 90° 端口。若要选择下边带（高侧本振），请将 IF1 引脚连接到混合耦合器的 90° 端口，IF2 连接到混合耦合器的 0° 端口。输出来自混合耦合器的求和端口，差值端口接 50 Ω 终端。
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2026/2/26 14:21:12
HMC8191 是一款无源、宽带、I/Q 架构的 MMIC 混频器，既可作为接收机中的镜像抑制混频器使用，也可作为发射机中的单边带上变频器使用。其射频（RF）和本振（LO）工作频率范围为 6 GHz 至 26.5 GHz，中频（IF）带宽为 直流至 5 GHz，因此非常适合需要宽频段覆盖、优异射频性能、简化设计（元件少）、小 PCB 占位面积的应用场景。单个 HMC8191 可替代设计中多个窄带混频器。HMC8191 固有的 I/Q 架构提供了出色的镜像抑制能力，从而无需额外昂贵的滤波器来滤除不需要的边带。该混频器采用双平衡结构，还提供卓越的本振到射频（LO-to-RF）隔离度与本振到中频（LO-to-IF）隔离度，并有效降低本振泄漏的影响，确保信号完整性。由于 HMC8191 是无源混频器，它不需要任何直流电源。与有源混频器相比，它具有更低的噪声系数，从而在高精度、高性能应用中提供更优的动态范围。HMC8191 基于砷化镓（GaAs）MESFET 工艺制造，采用 Analog Devices 的混频单元和 90° 混合耦合器。该器件提供紧凑的 4 mm × 4 mm、24 引脚 LCC 封装，工作温度范围为 –40°C 至 +85°C。HMC8191混频器优势：宽频带（6–26.5 GHz RF/LO, DC–5 GHz IF）无源设计 → 零功耗、低噪声、高线性度I/Q 架构 → 天然镜像抑制，省去滤波器双平衡结构 → 高隔离度、低 LO 泄漏小封装 → 适合高密度集成系统
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2026/2/26 14:12:33
典型应用电路下图展示了 HMC521ALC4 的典型应用电路。HMC521ALC4 是一款无源器件，无需任何外部电子元件。其本振（LO）和射频（RF）引脚在内部已交流耦合；中频（IFx）引脚则在内部直流耦合。对于不需要直流工作的应用场景，可通过在外部的 IFx 端口串联一个电容来阻断直流，该电容值应根据所需通过的中频频段进行选择。若需支持中频直流工作（即 DC 耦合），则不得超过“绝对最大额定值”部分所规定的 IFx 端口的源电流与灌电流限值。当将 HMC521ALC4 用作上变频器时：若要选择上边带，请将 IF1 引脚连接至混合耦合器的 90° 端口，并将 IF2 引脚连接至 0° 端口。若要选择下边带，请将 IF1 引脚连接至 0° 端口，并将 IF2 引脚连接至 90° 端口。此时，信号从混合耦合器的求和端口输出，而差值端口需接 50 Ω 终端负载。当将 HMC521ALC4 用作下变频器时：若要选择上边带（低侧本振），请将 IF1 引脚连接至 0° 端口，并将 IF2 引脚连接至 90° 端口。若要选择下边带（高侧本振），请将 IF1 引脚连接至 90° 端口，并将 IF2 引脚连接至 0° 端口。此时，信号同样从混合耦合器的求和端口输出，而差值端口需接 50 Ω 终端负载。需要注意：“0° 端口”与“90° 端口”指内部 90° 混合耦合器的两个正交输入/输出端口。正确连接 IF1/IF2 可控制输出的是上边带或下边带，这对抑制镜像频率至关重要。所有未使用的端口（如差值端口）必须端接 50 Ω 以保证性能稳定。
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2026/2/26 13:54:54
HMC521ALC4 是一款紧凑型的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用正交（I/Q）混频架构，符合 RoHS 标准，采用 24 引脚无铅陶瓷芯片载体（LCC）封装。该电子元器件可作为镜像抑制混频器或单边带上变频器使用。其内部包含两个标准的双平衡混频单元和一个 90° 混合耦合器，均基于 GaAs 金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造。该图片为引脚配置图相比传统的混合式镜像抑制混频器和单边带上变频组件，HMC521ALC4 体积更小，并且无需引线键合，支持表面贴装制造技术，便于自动化生产与高密度集成。特性下变频器，工作频率范围：8.5 GHz 至 13.5 GHz变频损耗：典型值 9 dB镜像抑制比：典型值 27.5 dBc本振（LO）到射频（RF）隔离度：典型值 39 dB输入三阶截点（IIP3）：典型值 16 dBm中频（IF）带宽宽：直流至 3.5 GHz封装尺寸：3.9 mm × 3.9 mm，24 引脚无铅陶瓷芯片载体（LCC）封装，面积仅 16 mm²应用领域微波及甚小口径终端（VSAT）无线电系统测试测量设备军事电子战（EW）、电子对抗（ECM）以及指挥、控制、通信与情报（C3I）系统
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2026/2/26 13:52:17
HMC412BMS8GE 是一款无源双平衡混频器，工作频率范围为 8 GHz 至 16 GHz。该器件在本振（LO）驱动电平为 9 dBm 至 15 dBm 时正常工作，并在整个指定频段内提供 8 dB 的变频损耗。此混频器无需任何外部元件或偏置电路。具备的特征转换损耗：8 dB噪声系数：8 dBLO到RF隔离：44 dBLO到IF隔离：38射频到中频隔离：29 dB输入三阶截距：19 dB1 dB压缩的输入功率：10 dB无外部组件MSOP8GE SMT封装常见应用长途无线电平台微波收音机VSAT
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2026/2/26 13:46:50
毫米波砷化镓 MMIC 的安装与键合技术芯片应直接通过共晶焊或导电环氧树脂粘贴到接地平面上。推荐使用厚度为 0.127mm（5 mil）的氧化铝薄膜基板上的 50 欧姆微带传输线，用于将射频信号引入和引出芯片（见上图）。如果必须使用厚度为 0.254mm（10 mil）的氧化铝薄膜基板，则应将芯片抬高 0.150mm（6 mil），使芯片表面与基板表面齐平。实现此目的的一种方法是：先将厚度为 0.102mm（4 mil）的芯片粘贴到厚度为 0.150mm（6 mil）的钼散热片（moly-tab）上，再将该组合体粘贴到接地平面（见下图）。微带基板应尽可能靠近芯片放置，以最小化键合线长度。典型的芯片至基板间距为 0.076mm（3 mils）。应在 Vdd 输入端使用一个射频旁路电容。推荐使用一个 100 pF 的单层电容（通过共晶焊或导电环氧树脂安装），其位置距离芯片不超过 0.762mm（30 Mils）。下附的照片展示了 HMC264 MMIC 芯片的典型装配示例。
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2026/2/26 13:43:39
LTC5555射频放大器使用巴伦实现单端中频输出LTC5555 评估板默认提供差分中频（IF）输出，但可通过插入一个 4:1 巴伦（如图下图所示）修改为单端工作模式。在中频差分输出端串联的 10nH 电感可补偿中频放大器的输出电容，从而在高达约 500MHz 的频率下产生 200Ω 的差分输出阻抗。该 4:1 巴伦随后将 200Ω 差分输出转换为 50Ω 单端输出。对于中频频率低于 250MHz 的应用，无需使用串联的 10nH 电感。上图中显示了使用 Mini-Circuits TCM4-19+ 巴伦时测得的变频增益与中频输出频率的关系曲线。射频输入扫描范围为 3.35GHz 至 3.85GHz，固定本振频率为 3.33GHz，产生的中频输出范围为 20MHz 至 520MHz。图中还同时绘制了标准 100Ω 差分输出匹配下的实测变频增益作为对比，以突出巴伦引入的插入损耗。
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2026/2/26 13:39:19