AD9517-1提供多路输出时钟分配功能，具有亚皮秒级抖动性能，并且片内集成锁相环(PLL)和电压控制振荡器(VCO)。片内VCO的调谐频率范围为2.30 GHz至2.65 GHz。也可以使用高达2.4 GHz的外部VCO/VCXO。AD9517-1具有出色的低抖动和相位噪声特性，可极大地提升数据转换器的性能，并且也有利于其它相位噪声和抖动要求严苛的应用。AD9517-1具有四路LVPECL输出（分为两对）和四路LVDS输出（分为两对）。可以将每路LVDS输出重新配置为两路CMOS输出。LVPECL输出的工作频率达1.6 GHz，LVDS输出的工作频率达800 MHz，CMOS输出的工作频率达250 MHz。AD9517-1提供48引脚LFCSP封装，可以采用3.3 V单电源供电。将电荷泵电源(VCP)与5V电压相连时，可以使用外部VCO，它需要更宽的电压范围。独立的LVPECL电源可以为2.5 V至3.3 V（标称值）。AD9517-1的额定工作温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。规格参数输出端数量:12 Output最大输出频率:2650 MHz最大输入频率:2.4 GHz封装 / 箱体:LFCSP-48占空比 - 最大:50 %工作电源电流:20 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:3.3 V输出类型:LVPECL单位重量:260 mg点击购买：AD9517-1ABCPZ特性• 低相位噪声锁相环(PLL)片内VCO的调谐频率范围为2.30 GHz至2.65 GHz• 可选外部VCO/VCXO，最高达2.4 GHz• 1路差分或2路单端参考输入• 参考监控功能• 自动恢复和手动参考切换/保持模式• 支持最高250 MHz的LVPECL、LVDS或CMOS基准• 可编程PFD路径延迟• 可选数字或模拟锁定检测...
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21
2025/1/20 13:47:15
ADuC845为ADuC834和ADuC836的单周期、12.58 MIPs、8052内核升级版。内置额外的模拟输入，适合需要更多ADC通道的应用。ADuC845为完整的智能传感器前端。该系列产品在单芯片上集成内置灵活的多达10个通道、输入多路复用的高分辨率Σ-Δ型ADC、一个快速8位MCU和程序/数据Flash/EE存储器。ADuC845在主ADC上集成了两个（主和辅助）24位Σ-Δ型ADC，提供内部缓冲和PGA性能。ADC具有片内数字滤波和可编程输出数据速率性能，主要用于测量宽动态范围和低频信号，例如电子秤、应变计、压力传感器或温度测量应用中的信号。这些器件通过一个32 kHz晶振和片内PLL产生12.58 MHz的高频时钟信号。该时钟信号通过一个可编程时钟分频器进行中继，在其中产生MCU内核时钟工作频率。微控制器内核针对单周期8052进行优化，提供高达12.58 MIPs的性能，同时保持8051指令集兼容性。提供62 kB、32 kB和8 kB非易失性Flash/EE程序存储器选项。片内还集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器和2304字节数据RAM。程序存储器可配置为数据存储器，以便在数据记录应用中提供最高60 kB的非易失性数据存储器。片内出厂固件支持通过EA引脚进行在线串行下载和调试模式（通过UART）以及单引脚仿真模式。QuickStart™开发系统支持ADuC845，并提供低成本软件和硬件开发工具。规格参数核心:8052程序存储器大小:62 kB数据 RAM 大小:2.25 kB封装 / 箱体:MQFP-52最大时钟频率:12.58 MHzADC分辨率:24 bit输入/输出端数量:34 I/O电源电压-最小:2.7 V, 4.75 V电源电压-最大:3.6 V, 5.25 V安装风格:SMD/SMT数据总线宽度:8 bit最小工作温度:- 40 C...
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2025/1/20 13:39:39
AD8034 FastFET放大器是具有FET输入的电压反馈放大器，易于使用，性能优异。AD8033是单放大器。仅消耗3.3mA/放大器的静态电流，同时能够提供高达40mA的负载电流。AD8034放大器具有从5V到24V的宽电源电压范围，可在单个电源上完全运行，比价格相似的FET输入放大器适用于更多的应用。此外，AD8034具有轨对轨输出，增加了多功能性。AD8034还提供小封装8引脚SOIC和小封装8引线SOT-23。额定工作温度范围为-40℃至+85℃，不高于商业级产品。尽管成本低，但放大器提供了出色的整体性能。它们提供-100dB的高共模抑制、最大2mV的低输入偏移电压和11nV/VHz的低噪声。规格参数通道数量:2 ChannelGBP-增益带宽产品:45 MHzSR - 转换速率 :80 V/usVos - 输入偏置电压 :1 mVIb - 输入偏流:11 pA电源电压-最大:24 V, +/- 12 V电源电压-最小:5 V, +/- 2.5 V工作电源电流:7 mA每个通道的输出电流:5 mACMRR - 共模抑制比:100 dBen - 输入电压噪声密度:11 nV/sqrt Hz封装 / 箱体:SOIC-8最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V高度:1.5 mmIn—输入噪声电流密度:0.0007 pA/sqrt Hz长度:5 mm最大双重电源电压:+/- 12 V最小双重电源电压:+/- 2.5 V工作电源电压:5 V to 24 V点击购买：AD8034ARZ-REEL7特性• FET输入放大器输入偏置电流：1 pA(典型值)• 极低成本• 高速-3 dB带宽：80 MHz (G = +1)压摆率：80 V/µs (G = +2)• 低噪声11 nV/√ Hz (f...
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2025/1/20 13:29:52
AD9371是一款高度集成的宽带RF收发器，提供双通道发射器和接收器、集成式频率合成器和测试和数字信号处理功能。IC提供FDD和TDD应用中3G/4G微和宏基站设备所需的灵活高性能和低功耗组合。该器件的工作频率范围为300 MHz至6000 MHz，涵盖大部分特许执照和免执照蜂窝频段。此IC支持最高100 MHz接收器带宽。另外，它还支持带宽高达250 MHz的观测接收器和发送频率合成，能够适应数字校正算法。该收发器由宽带直接变频信号路径组成，拥有罕有的噪声系数和线性度。每个完整的接收器和发射器子系统都内置直流失调校正、正交误差校正功能和可编程数字滤波器，消除了在数字基带中提供这些功能的必要性。它集成了一些辅助功能，如辅助模数转换器(ADC)、辅助数模转换器(DAC)和通用输入/输出(GPIO)，可提供额外的监控和控制功能。内置具有两个输入的观测接收器通道，可监控每个发射器输出并实施干燥降低和校准应用。该通道还连接到三个嗅探器接收器输入，可监控不同频段内的无线电活动。高速JESD204B接口支持最高6144 Mbps的通道速率。四个通道专门用于这些发射器、此接收器以及观测接收器通道。完全集成的锁相环(PLL)可同时针对发射器、接收器、观测接收器和时钟部分提供高性能、低功耗的小数N分频频率合成。精心设计和布局技术提供高性能基站应用中所需的隔离性能。所有集成式压控振荡器(VCO)和环路滤波器元件可较大程度地减少外部元件数量。需要1.3 V电源向AD9371内核供电，并通过标准四线式串行端口进行控制。其它电压电源提供适当的数字接口电平，可优化发射器和辅助转换器性能。AD9371采用12 mm × 12 mm、196引脚芯片级球栅阵列封装(CSP_BGA)。规格参数频率范围:300 MHz to 6 GHz最大数据速率:6.144 Gbps电源电压-最小:1.267 V电...
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2025/1/20 13:25:03
PE426462是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它在-55°C至+125°C的工作温度范围内提供低插入损耗、快速RF TRISE/TFALL时间和高隔离度。它非常适合在这个温度范围内需要扩展支持的恶劣工业应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:10 MHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE426462A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•射频跳闸/全触发时间为100 ns•31 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•支持-55°C至+125°C的工作温度•封装：24引脚4×4mm QFN应用•高达8 GHz的恶劣工业应用•需要在-55°C至+125°C范围内扩展温度支持的应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 14:15:00
PE4250是一款HaRP™增强型反射SPDT射频开关，适用于一般交换应用和移动基础设施。该器件提供3.3/5V的灵活电源电压、单引脚或互补引脚控制输入和4000V ESD容差。它为pin二极管和机械继电器开关提供了一种简单的替代解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:40 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT点击购买：PE4250MLI-Z特性•增强了HaRP™技术•低插入损耗：1000 MHz时为0.65 dB•高隔离度：1000 MHz时为51 dB•P1dB典型值：+30.5 dBm•IIP3典型值：+59 dBm•快速切换时间：150 ns•灵活的电源电压：3.3V±10%或5.0V±10%电源•卓越的ESD保护：4000V HBM•不需要隔直电容器•单针或互补控制输入•包装：8导联MSOP引脚图
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2025/1/17 14:10:43
PE42440是基于UltraCMOS®工艺技术开发的HaRP™增强型SP4T射频开关。这种通用交换机包含四个相同的RF端口，可用于高达3000 MHz的多种应用。它将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要隔直电容器。此符合RoHS标准的零件采用标准的3 x 3 x 0.75 mm QFN封装。规格参数开关配置:SP4T最小频率:50 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:123.145 mg点击购买：PE42440MLBB-Z特性•HaRP™-增强技术，实现无与伦比的线性•插入损耗极低：1000 MHz时为0.45 dB，2000 MHz时为0.5 dB•极高隔离度：1000 MHz时为34 dB，2000 MHz时为28 dB•极高的ESD耐受性•用于2针控制的集成解码器•4.5Ω串联导通电阻低•不需要隔直电容器•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN引脚图
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2025/1/17 14:05:51
PE43712是一款50Ω、HaRP™技术增强型7位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至6 GHz的宽频范围。它具有无毛刺衰减状态转换的特点，支持1.8V控制电压，工作温度范围扩展到+105°C，使该设备成为许多宽带无线应用的理想选择。PE43712是PE43601和PE43701的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行可寻址和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE43712覆盖了0.25 dB、0.5 dB和1 dB步长的31.75 dB衰减范围。它能够在4 GHz内保持0.25 dB单调性，在5 GHz内保持0.5 dB单调性和在6 GHz内保持1 dB单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.75 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:2.45 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:5.5 V点击购买：PE43712B-Z特性•0.25 dB、0.5 dB和1 dB的灵活衰减步长，最高可达31.75 dB•无故障衰减状态转换•单调性：0.25 dB至4 GHz，0.5 dB至5 GHz，1 dB至6 GHz•工作温度延长至+105°C•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•封装——32引线5×5mm QFN应用3G/4G无线基础设施陆地移动无线电（LMR）系统点对点通信系统引脚图
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2025/1/17 13:56:21
PE4314是一款75ΩHaRP™技术增强型6位RF数字步进衰减器（DSA），支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺衰减状态转换的特点，支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围，使该设备成为多有线宽带应用的理想选择。PE4314是PE4304、PE4307、PE4308和PE43404的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE4314的衰减范围为31.5 dB，步长为0.5 dB。它能够在2.5 GHz内保持0.5 dB的单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:2.5 GHz阻抗:75 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:1.5 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:1 MHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V点击购买：PE4314B-Z特性•衰减步长为0.5 dB至31.5 dB•无故障衰减状态转换•有线电视和多载波应用的低失真•工作温度延长至+105°C•并行和串行编程接口•封装：20引脚4×4×0.85毫米QFN应用•DOCSIS 3.1/0客户驻地设备（CPE）和基础设施•卫星CPE和基础设施•光纤CPE和基础设施引脚图
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2025/1/17 13:51:05
PE42823是HaRP™技术增强型50ΩSPDT射频保护开关，专为高功率和高性能无线基础设施应用而设计，如支持高达6 GHz频率的宏蜂窝。该开关具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。PE42823还具有出色的隔离性能、快速的开关时间，并采用16导联3×3×0.75 mm。规格参数开关配置: SPDT 最小频率: 700 MHz 最大频率: 6 GHz 介入损耗: 1.28 dB 关闭隔离—典型值: 23 dB 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 105 C 安装风格: SMD/SMT点击购买：PE42823A-X特性•51 dBm LTE的出色单事件峰值功率处理•卓越的线性性能•延长工作温度+105°C•4.5 kV HBM在射频引脚对地上的高ESD性能•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN应用•4G/4.5G无线基础设施•5G/5G之前的大规模MIMO系统•基于TDD的射频收发器引脚图
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2025/1/17 13:42:45
PE42820是一款HaRP™技术增强型高功率反射SPDT射频开关，专为移动无线电、继电器更换和其他高性能无线应用而设计。该开关是PE42510A的引脚兼容升级版本，具有更宽的频率和电源范围，以及外部负极电源选项。它在30 MHz至2.7 GHz的范围内保持了出色的线性度和功率处理能力。PE42820还具有低插入损耗、高功率处理的特点，并采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:30 MHz最大频率:2.7 GHz介入损耗:0.7 dB关闭隔离—典型值:24 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT单位重量:3 g点击购买：PE42820B-X特性•高功率处理•出色的线性•插入损耗低•2.3–5.5V的宽电源范围•+1.8V控制逻辑兼容•ESD性能•外部负电源选项•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/17 13:31:54
PE42562是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42562提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.148 g点击购买：PE42562A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•210 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 13:27:10
PE42512是一款HaRP™技术增强型吸收SP12T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42512提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP12T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:2.4 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42512A-X特性•高隔离度：6 GHz时为39 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.3 dB•232 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：32引脚5×5mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/16 14:20:15
PE42424是一款HaRP™技术增强型反射式50ΩSPDT射频开关，专为高功率和高性能WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax和Wi-Fi 6E应用而设计，如运营商和企业Wi-Fi产品以及支持高达8.5 GHz带宽的超宽带应用。该交换机具有出色的端口到端口隔离、快速切换速度和高功率处理能力，所有这些都在一个紧凑的1.5×1.5 mm封装中。PE42424还具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。此外，该器件具有强大的ESD和温度性能，不需要隔直电容器或任何外部匹配组件。规格参数开关配置:SPDT最小频率:100 MHz最大频率:8.5 GHz介入损耗:1.08 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42420F-Z特性•802.11 a/b/g/n/ac/ax、Wi-Fi 6E和超宽带•（UWB）支持•卓越的隔离•快速切换•高功率处理•在整个供电范围内具有高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•高ESD耐受性•包装：6芯1.5×1.5毫米DFN引脚图
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2025/1/16 14:14:13
PE42420是一款HaRP™技术增强型吸收SPDT射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。它非常适合传输路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。这种通用交换机由两个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的出色端口间隔离。集成CMOS解码器有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:50 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买:PE42420F-Z特性•增强了HaRP™技术•高线性•高度隔离•支持+1.8V控制逻辑•+105°C工作温度•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/16 14:06:55
PE42359 UltraCMOS®RF开关设计用于覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用。这种反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，可以使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称3V电源电压，可以实现33.5 dBm的典型输入1 dB压缩点。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了AEC-Q100 2级认证。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:13 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42359SCAA-Z特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•单引脚或互补CMOS逻辑控制输入•插入损耗低•1000 MHz时隔离度为30 dB•2kV HBM的高ESD耐受性•典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm•最低电源电压1.8V•包装：6导联SC‐70引脚图
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2025/1/16 13:59:35
PE43650是一款高线性、5位RF数字步进衰减器（DSA）。这种高度通用的DSA以0.5 dB的步长覆盖15.5 dB的衰减范围。PE43650 50ΩRF DSA提供多个CMOS控制接口。它在频率和温度上保持高衰减精度，并表现出非常低的插入损耗和低功耗。由于板载稳压器，性能不会随VDD而变化。此pSemi DSA采用4×4 mm 24引脚QFN封装。规格参数衰减:15.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:5 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.4 dB最大工作温度:+ 85 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V, 5 V点击购买：PE43650A-Z特性•衰减：0.5 dB至15.5 dB•高线性度：典型+58 dBm IP3•出色的低频性能•编程模式：直接并行、锁存并行和串行•CMOS兼容•不需要隔直电容器•封装：24芯4×4×0.85毫米QFN应用•3G/4G无线基础设施▪ 射频/中频增益控制▪ 基站（BTS）和远程无线电头端（RRH）▪ 光学和射频中继器▪ 分布式天线系统（DAS）•陆地移动无线电系统•点对点通信系统引脚图
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2025/1/16 13:53:06
KAT-4+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数衰减:5 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:4 dB最大 VSWR:1.9商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C功率额定值:1.7 W单位重量:155.489 mg点击购买：KAT-4+产品特点•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的驻波比，典型值为1.2:1。•高功率处理，1.7W典型应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
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2025/1/16 13:44:58