Qorvo®QPF4557是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。 性能侧重于优化5V电源电压的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在从UNII1-3（5.125至5.925 GHz）的所有信道中实现宽带操作的。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。QPF4557将5 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）、耦合器结构和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•5170–5895兆赫•PSAT=+32 dBm•针对+5 V操作进行了优化•直流功率=24 dBm时为1.7 W•33 dB Tx增益•1.6 dB噪声系数•14.5 dB Rx增益和7 dB旁路损耗•Rx路径上的25 dB 2.4 GHz抑制•集成射频耦合器和直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 9:55:51
CGH40180PP是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40180PP从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40180PP成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管采用4引脚法兰封装。特征•工作频率高达2.5 GHz•1.0 GHz时20 dB小信号增益•2.0 GHz时15 dB小信号增益•220 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类放大器如有型号需求及选型，可最直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:53:14
CGH40120F是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40120F从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40120F成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管采用法兰封装。特征•工作频率高达2.5 GHz•1.0 GHz时20 dB小信号增益•2.0 GHz时15 dB小信号增益•120 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人收音机•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:46:29
CG2H40045是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CG2H40045从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CG2H40045成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有法兰和药丸包装。特征•工作频率高达4 GHz•2.0 GHz时18 dB小信号增益•4.0 GHz时14 dB小信号增益•55 W典型PSAT•PSAT的效率为60%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:40:25
CGH40025是MACOM一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40025从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40025成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有拧紧法兰封装和焊接药丸封装两种。特征•工作频率高达6 GHz•2.0 GHz时15 dB小信号增益•4.0 GHz时的13 dB小信号增益•30 W典型PSAT•PSAT的效率为62%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类放大器如有型号采购需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:35:40
CG2H40010是MACOM一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CG2H40010从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CG2H40010成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管有拧紧、法兰和焊接、药丸封装两种。特征•工作频率高达8 GHz•2.0 GHz时18 dB小信号增益•4.0 GHz时16 dB小信号增益•17 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有产品型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:27:59
CGH40010是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40010在28伏轨道上运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40010成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有压下式、法兰式和焊下式两种封装。特征•工作频率高达6 GHz•2.0 GHz时16 dB小信号增益•4.0 GHz时14 dB小信号增益•13W典型PSAT•PSAT的效率为65%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:21:24
ADI(亚德诺)MAX1763x 系列是集成 MOSFET 的高效、高压同步降压型 DC-DC 转换器，输入电压范围 3 V 至 36 V。MAX17636/MAX17638/MAX17639 分别可连续输出 6 A、8 A、10 A；MAX17639 峰值电流可达 12 A。输出电压可调范围 0.6 V 至 0.9 × Vin，全范围内置补偿，无需外部补偿网络。–40 °C 至 +150 °C 温度范围内，反馈电压调节精度 ±1.2 %。控制方式采用峰值电流模式控制：内部跨导误差放大器在内部节点产生积分误差电压，通过 PWM 比较器、高边电流检测放大器和斜坡补偿发生器共同设定占空比。每个时钟上升沿高边 MOSFET 导通，直至达到所需占空比、最大占空比或触发峰值电流限制。高边导通期间电感电流上升储能并向输出供电；剩余周期高边关断、低边导通，电感释放能量继续向输出供电。功能引脚MODE/SYNC：可设定强制 PWM 或频率调制 (SFM) 模式，也可同步外部时钟。EN/UVLO：可编程输入欠压锁定，控制转换器启停。SS：软启动，抑制启动浪涌电流。RESET/TJ：既可做电源好/复位指示，也可直接读取芯片结温，无需理论估算，提升电源可靠性。时序特性具有极低的最小导通时间与最小关断时间，在既定开关频率下仍能保持更宽的输入电压范围。模式选择与外部时钟同步（MODE/SYNC）MAX1763x 支持 PWM 与 SFM 两种工作模式，具体由 MODE/SYNC 引脚电平决定：引脚接地（）：强制恒定频率 PWM 模式，所有负载下频率不变。引脚浮空（ V）：轻载时自动进入 SFM（跳频）模式。芯片支持“在线”模式切换：MODE/SYNC 状态改变后，等待 40 µs（典型值），再根据 40 µs 结束时的引脚电平正式切换模式。...
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2025/11/17 10:45:38
保护功能ADPL40505A 线性稳压器通过限流与热关断电路，对过载状况实现全面保护。若输出短路到地，输出电容沿短路路径放电后，输出电流被限制在 700 mA（典型值）。此时芯片迅速升温，当结温达到 +165 °C 时，热保护电路关闭输出管；冷却至 +150 °C 后自动恢复稳压。若故障持续，输出将在 +150 °C～+165 °C 之间周期性开关。不建议在故障状态或结温高于 +125 °C 下长期工作，以免降低长期可靠性。在压差（dropout）模式下，电流限值触发点为 850 mA（典型值），一旦触发即降至 700 mA 并保持限流。反向电流/反向电压保护当输出电压高于输入电压时，ADPL40505A 提供反向电流保护。内部反向电压检测器一旦检测到 IN 低于 OUT，立即关闭稳压器并断开功率管的体二极管通路，防止任何反向电流。反向电流会流经体二极管，增加功耗并影响长期可靠性，尤其在大电流场合。若系统过热导致芯片温度异常升高，同样会触发热保护。主动放电当 EN 引脚拉低时，ADPL40505A 在 OUT 与 GND 之间接入 800 Ω 电阻，对输出电容进行快速放电，可显著缩短放电时间，简化系统电源时序管理。欠压锁定 (UVLO)ADPL40505A 的 UVLO 电路对输入电压跌落响应迅速；一旦母线电压低于 UVLO 下降阈值，输出立即关闭。本地输入电容可在大多数应用中防止瞬态掉电。上电时，当 VIN 超过 UVLO 上升阈值后，器件进入就绪状态并开始 VOUT 软启动，确保输出电压平稳上升并顺利进入稳压。为避免进入 dropout，VOUT 软启动斜率应不高于 VIN 上升斜率。某些 VIN 瞬变可能使稳压器跌入 dropout；当 VIN 重新上升、器件退出 dropout 时，输出可能出现过冲。通过使用 Ena...
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2025/11/17 10:41:14
ADPL40505A是一款5.5V PMOS线性稳压器，可提供高达500mA的负载电流。该调节器在线路、负载和温度变化时保持±2%的输出精度。该设备具有低功耗操作模式，消耗电源的静态电流非常低。在低功耗模式下，该设备可以提供高达20mA的负载电流，空载静态电流为20μa。稳压器支持1.7V至5.5V的宽输入电源范围。输出电压可以调节到0.8V至5.0V范围内的值。ADPL40505A上的输出电压可以使用两个外部反馈电阻器进行调节。调节器完全由内部电路保护，可提供可编程的涌入电流限制、输出过电流限制、反向电流限制和热过载保护，防止损坏。操作模式ADPL40505A具有低功率和高功率操作模式。根据MODE引脚的状态选择模式。无论mode引脚的状态如何，设备在启动过程中将始终处于高功率模式。软启动完成后，设备将读取MODE引脚的状态，并在需要时调整操作模式。低功耗操作模式如果mode引脚被拉低，ADPL40505A将进入低功率模式。在这种模式下，该设备消耗20uA的电流，可以提供高达20mA的电流。高功率操作模式如果mode引脚被拉高，ADPL40505A将进入高功率模式。在这种模式下，该设备消耗350uA的电流，可以提供高达500mA的电流。模式转换从低功率模式转换到高功率模式将调整内部调节点，从而导致输出端的瞬态偏移。偏移是负载电流和温度的函数，在低功率模式（20mA）和升高的管芯温度下，最大负载电流为最大。为了尽量减少MODE转换时的输出电压瞬态偏移，建议将负载电流保持在1mA或以下。主机需要50us的稳定时间才能施加高功率模式下支持的负载电流。当主机准备将设备重新置于低功耗模式时，主机必须在将mode引脚驱动为低之前，将低功耗模式下支持的负载电流耐受水平降低80us。同样，MODE引脚从高到低的转换会导致输出端的瞬态偏移。在稳定期间，负载电流必须保持恒定，之后可...
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2025/11/17 10:33:09
ADPL40505A是ADI(亚德诺)一款5.5V、P沟道金属氧化物半导体（PMOS）低压差（LDO）线性稳压器，可提供高达500mA的负载电流。ADPL40505A具有低功耗操作模式，消耗电源的静态电流非常低。调节器完全由内部电路保护，可提供可编程的涌入电流限制、输出过电流限制、反向电流限制和热过载保护，防止损坏。ADPL40505A具有800Ω主动放电功能，可快速对输出电容器放电。ADPL40505A通过使用两个外部反馈电阻器，提供了在0.8V至5.0V范围内可调输出电压的增强灵活性。ADPL40505A采用8针、2mm x 2mm薄双扁平无引线（TDFN）封装。特征•1.7V至5.5V输入电源范围•0.8V至5.0V输出电压范围•最大输出电流500mA•500mA负载时最大压降为120mV（3.6VIN）•低功耗模式下的20µA空载电源电流•正常模式下350µA电源电流••45µVRMS输出噪声，10Hz至100kHz•10kHz、250mA负载电流和300mV输入输出电压分离时的60dB电源抑制比•过载、线路和温度变化时直流精度为±2%•OUT处800Ω的主动放电•稳定，输出电容为2µF（最小有效）•可编程软启动率•过电流和过热保护•反向电流保护•电源正常输出•2mm x 2mm，8针TDFN封装•-40°C至+125°C工作温度应用•移动电话•数码相机和音频设备•便携式和电池供电设备如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/17 10:18:32
RHP50000-CSL是一款ADI(亚德诺)非常小、低噪声的单片降压DC/DC转换器，能够从2.25V到5.5V的输入电源提供高达12.5A的输出电流。该设备采用Silent Switcher 2架构，内置热环旁路电容器，在高达5MHz的开关频率下实现低EMI和高效率。对于具有更高功率要求的系统，多相并行转换器很容易实现。RHP50000-CSL采用恒定频率、峰值电流模式控制架构，实现快速瞬态响应。500mV参考允许低电压输出。100%占空比操作可实现低损耗。其他功能包括输出处于调节状态时的电源良好信号、精度启用阈值、输出过压保护、热关断、温度监测器、时钟同步、模式选择和输出短路保护。该器件采用紧凑的18引脚3mm×3mm LQFN封装。特征无单粒子闩锁（SEL）效应：在 Vin ≤ 3.6 V、重离子LET 高达 47 MeV·cm²/mg 条件下仍无闩锁总电离剂量（TID）耐受：≥ 30 krad(Si)Silent Switcher 2 架构：超低 EMI 辐射高效率：集成 4.5 mΩ NMOS 与 16 mΩ PMOS宽带宽、快速瞬态响应过载时允许电感饱和，器件安全无损输入电压范围：2.25 V – 5.5 V输出电压范围：0.5 V – Vin输出电压精度：±1%（远程取样）最短导通时间：35 ns可编程开关频率：最高 5 MHz关断电流：1 μA输出电压软启动，支持跟踪启动Power Good 指示输出芯片温度监测可配置多相并联（强制连续模式）3 mm × 3 mm LQFN 增强散热封装应用支持航空航天应用一个制造、组装和测试现场晶圆扩散批次可追溯性辐射监测器单事件锁定（SEL）总电离剂量（TID）金（Au）端子表面处理排气特性如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/17 10:10:34
ADPM12160是一款ADI(亚德诺)高功率四分之一砖DC-DC转换器，在半负载时可提供高达98%的效率。ADPM12160是一款非隔离式转换器，可提供完全稳压的12V输出，连续功率水平为1600W，峰值功率能力在有限时间内高达2400W。特征•电气•40V至60V输入电压范围•12V全稳压输出电压•热设计功率高达1600W•峰值功率高达2400W•半负载时峰值效率高达98%•完全保护：OTP、输入UVLO和OVLO、输入OCP、输出OVP、输出OCP和SCP•无最低负载要求•耦合电感器的快速负载瞬态响应•远程开/关（REM）的可选逻辑•PMBus™配置•事件数据记录器（黑匣子）•有源均流并联运行•非隔离•机械•行业标准四分之一砖占地面积：58.4mm×36.8mm×15.1mm（2.30英寸×1.45英寸×0.59英寸）•可选引脚长度：2.79mm、3.70mm或4.32mm•安全和认证•IEC/UL/EN/CSA 62368-1•符合RoHS欧盟指令2011/65/EU和（EU）2015/863•ISO 9001、TL 9000、ISO 14001、ISO 45001认证的制造工厂应用•分布式电源架构•无线网络•接入和光网络设备•企业网络•集成电路（DSP、FPGA和ASIC）和微处理器驱动的应用如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/17 10:09:02
ADM1273 是ADI(亚德诺)一款热插拔控制器，可在不断电的背板上实现线路板的带电插拔。芯片内部集成 12 位 ADC，通过 PMBus 接口即可回读电流、电压与功率信息。器件最高可承受 120 V 电压，配合 TVS 等保护器件，能够轻松应对高压系统中常见的 100 V 以上浪涌与瞬变。负载电流 ILOAD 通过内部电流检测放大器测量：放大器检测 SENSE+ 与 SENSE– 引脚之间采样电阻上的压降。芯片默认电流限制阈值为 30 mV，若需降低，可利用 VCAP 稳压输出到 ISET 引脚的分压电阻网络进行调整；还可在 ISET 与 Vin（或 Vout）之间再并一颗电阻，使电流限值随母线电压反向变化，从而实现近似恒功率限制。ADM1273 通过控制功率路径中外接 N 沟道 MOSFET 的栅极电压，将采样电阻上的压降（即负载电流）维持在预设最大值以下。芯片在限流的同时，监控并限制通过 MOSFET 的能量，以保护外置 FET。启动阶段与故障阶段可分别设置不同的能量阈值：启动时由 ESTART 引脚外接元件决定，故障时由 EFAULT 引脚外接元件决定。启动浪涌电流被压得很低，关注的是 SOA 曲线中低电流区；而故障电流可能大得多。控制器利用 MOSFET 的漏-源电压 VDS 来设定 EFAULT/ESTART 引脚的电流曲线，从而限定允许传输的能量，确保 MOSFET 始终工作在 SOA 安全区内。如需控制输出电压爬升速率，可在 DVDT 引脚外加电容。发生短路时，内置快速过流检测器在数百纳秒内响应，驱动栅极关断；1.5 A 下拉电流源保证关断迅速，随后 50 µs 内恢复栅极控制，最大限度减小线路阶跃或浪涌带来的扰动。过压 (OV) 与欠压 (UV) 保护通过 UVH、UVL 和 OV 引脚的外部分压电阻设定；UV 采用双引脚结构，可独立精确设定上...
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2025/11/17 9:56:25
MAX9295D在发送和接收控制信道数据时，将单端口或双端口MIPI CSI-2数据流转换为GMLL2™或GMLL1™，从而能够通过长度超过15米的电缆实现前向视频和双向控制数据的全双工单线传输。在GML2模式下，设备以3Gbps或6Gbps的固定速率正向运行，以187.5Mbps的固定速率反向运行。在GMSL1模式下，MAX9295D可以与第一代3.12Gbps或1.5Gbps的GMSL1解串器配对，或者与配置为GMSL1方式的GMSL2解串器一起工作高达4.5Gbps。规定在-40°C至+105°C的汽车温度范围内运行，该设备符合AEC-Q100 2级标准。电缆可以是同轴电缆或屏蔽双绞线（STP）。特征•双4通道MIPI CSI-2 v1.3端口•80Mbps的MIPI D-PHY v1.2•每条通道2.5Gbps•4信道CSI-2虚拟信道支持•支持RAW8/10/12/14/16/20、RGB565/666/888和YUV8-/10位数据类型•GMSL2模式下的CSI-2输入可接受具有不同视频定时和分辨率的摄像头•CSI-2 ECC和校验和错误检测和标记•CSI-2车道重新分配和极性翻转•可选择3/6Gbps或向后兼容的GMSL1模式的GMSL2•在GMSL1方式下使用GMSL2解串器可工作高达4.5Gbps•187.5Mbps反向链路，用于小型电缆供电（PoC）滤波器•用于串行链路BER测试的前向和反向信道PRBS•用于连续链路边缘诊断的反向信道睁眼监测器•反向信道自适应均衡允许使用长度超过15m的同轴电缆，带有多个内联连接器•交叉点开关将输入重新映射为任何所需的解串器输出顺序应用•共置传感器•立体相机•后视镜•Radar•激光雷达如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/14 10:54:57
ADXL380是一款低噪声密度、低功耗、三轴加速计，具有可选择的测量范围。ADXL380支持±4 g、±8 g和±16 g范围。ADXL380多功能引脚名称只能由串行外围接口（SPI）或IC间（I2C）接口的相关功能引用，或者这些引脚名称可以由其音频功能（脉冲密度调制（PDM）、IC间声音（I2S）或时分复用（TDM））引用。除了低功耗外，ADXL380还具有许多功能，可以实现真正的系统级性能。这些功能包括内置微功率温度传感器、单抽头、双抽头和三抽头检测，以及防止误触发的状态机。此外，ADXL380还提供采样时间和/或外部时钟的外部控制。ADXL380在2.25 V至3.6 V（或1.8 V）的宽电源范围内工作，必要时可以连接到在单独电源电压下工作的主机。ADXL380有14个端子，2.9毫米×2.8毫米×0.87毫米，LGA封装。特征超低噪声密度：20μg/√Hz（XY），27μg/√于Hz（Z）低功耗高性能：340μA超低功耗：33μA宽频带：4 kHz具有均衡的相对平整度：低延迟：组延迟16位ADC多协议串行接口：SPI或I2C多协议音频数据输出：I2S、TDM和PDM可编程LPF和HPF数据同步或异步采样输出FIFO：320字内置功能可实现系统级节能单抽头、双抽头和三抽头检测活动和不活动检测可配置的中断模式集成温度传感器电压范围选项带内部调节器的VS：2.25 V至3.6 V（或V1P8为1.8 V）VDDIO：1.14 V至3.6 V（全温度范围为1.62 V至3.6伏）机电自检10000克机械冲击存活率符合RoHS标准工作温度范围：-40°C至+85°C14端子，2.9毫米×2.8毫米×0.87毫米，LGA封装如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城业务人员...
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2025/11/14 10:47:16
TMC8100 是一款可编程串行总线协议转换芯片，面向多种绝对式编码器总线协议。它既可作为这些编码器的总线控制器，也可通过 SPI 或 UART 接口充当所连接微控制器或运动控制器的从设备，向其交付经过提取与调整后的编码器位置信息。应用信息电源时序ADuM1252 无需特别的电源上电时序。两侧的逻辑电平分别由 V 和 V 独立设定。任一电源可在整个规定范围内存在，与另一电源的电平或有无无关。电源去耦为降低纹波并防止引入数据错误（尤其在可能出现较大共模瞬变的场合），建议在 V 与 GND1、V 与 GND2 之间分别并联 100 nF 与 1 µF 的低 ESR 陶瓷电容。去耦电容应尽可能靠近芯片电源引脚放置。热设计考虑热性能与 PCB 设计及运行环境直接相关，须重点做好 PCB 的热设计。封装信息部分给出了热参数值。θ 和 θ 主要用于在测试条件相同的情况下，对比本器件封装与其他半导体封装的热性能。若能在系统中准确测得电路板温度，可用 Ψ 或 Ψ 估算结温。测温点应靠近被测器件 (DUT) 或直接位于封装顶部表面，且处于实际系统环境中。可用 θ 做一阶近似，计算系统环境下的结温 T：T = T + (P × θ)其中 P 为功耗，T 为环境温度。若需更精确估算，可用 Ψ：用红外热像仪或热电偶测得封装顶部中心表面温度 T，然后按下式计算：T = T + Ψ × P如有型号询价及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/14 10:44:01
TMC8100 是一款可编程串行总线协议转换芯片，面向多种绝对式编码器总线协议。它既可作为这些编码器的总线控制器，也可通过 SPI 或 UART 接口充当所连接微控制器或运动控制器的从设备，向其交付经过提取与调整后的编码器位置信息。TMC8100 同时支持带标准增量 A/B/Z 输出的编码器。其 32 位编码器位置计数器内置捕获/比较单元，可产生同步信号，并在外部锁存信号到来时捕捉编码器计数值。TMC8100 把编码器数据信号转换任务从通用微控制器或运动控制器中卸载出来。与纯硬件方案相比，它为现有协议实现、定制以及未来协议扩展提供了高度灵活性。上电初始化时，需通过 SPI 或 UART 借助片内 Bootloader 将支持特定总线协议的程序加载到 TMC8100；也可外接 I²C EEPROM，实现独立上电自举。系统架构TMC8100 内含可编程串行通信引擎，其架构与指令集专门针对“同步/异步串行数据⇄并行数据”转换而优化。所有指令 16 位宽，单时钟周期执行。通用寄存器组含 8 个 8 位寄存器。处理器核心直接提供 4 路数字输入（DIRECT_IN）和 4 路数字输出（DIRECT_OUT），用于串行数据收发；采用独立程序存储器与数据存储器总线接口（哈佛架构）。程序存储器总线连接片内静态 RAM（SRAM）及 Boot ROM；数据存储器接口则挂载多组串行通信外设（SPI、UART、I²C）、增量 A/B/Z 编码器接口，以及一块 64×8 位的数据 SRAM。如有型号询价及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/14 10:34:41