HMC412BMS8GE 是一款无源双平衡混频器，工作频率范围为 8 GHz 至 16 GHz。该器件在本振（LO）驱动电平为 9 dBm 至 15 dBm 时正常工作，并在整个指定频段内提供 8 dB 的变频损耗。此混频器无需任何外部元件或偏置电路。具备的特征转换损耗：8 dB噪声系数：8 dBLO到RF隔离：44 dBLO到IF隔离：38射频到中频隔离：29 dB输入三阶截距：19 dB1 dB压缩的输入功率：10 dB无外部组件MSOP8GE SMT封装常见应用长途无线电平台微波收音机VSAT
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2026/2/26 13:46:50
毫米波砷化镓 MMIC 的安装与键合技术芯片应直接通过共晶焊或导电环氧树脂粘贴到接地平面上。推荐使用厚度为 0.127mm（5 mil）的氧化铝薄膜基板上的 50 欧姆微带传输线，用于将射频信号引入和引出芯片（见上图）。如果必须使用厚度为 0.254mm（10 mil）的氧化铝薄膜基板，则应将芯片抬高 0.150mm（6 mil），使芯片表面与基板表面齐平。实现此目的的一种方法是：先将厚度为 0.102mm（4 mil）的芯片粘贴到厚度为 0.150mm（6 mil）的钼散热片（moly-tab）上，再将该组合体粘贴到接地平面（见下图）。微带基板应尽可能靠近芯片放置，以最小化键合线长度。典型的芯片至基板间距为 0.076mm（3 mils）。应在 Vdd 输入端使用一个射频旁路电容。推荐使用一个 100 pF 的单层电容（通过共晶焊或导电环氧树脂安装），其位置距离芯片不超过 0.762mm（30 Mils）。下附的照片展示了 HMC264 MMIC 芯片的典型装配示例。
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2026/2/26 13:43:39
LTC5555射频放大器使用巴伦实现单端中频输出LTC5555 评估板默认提供差分中频（IF）输出，但可通过插入一个 4:1 巴伦（如图下图所示）修改为单端工作模式。在中频差分输出端串联的 10nH 电感可补偿中频放大器的输出电容，从而在高达约 500MHz 的频率下产生 200Ω 的差分输出阻抗。该 4:1 巴伦随后将 200Ω 差分输出转换为 50Ω 单端输出。对于中频频率低于 250MHz 的应用，无需使用串联的 10nH 电感。上图中显示了使用 Mini-Circuits TCM4-19+ 巴伦时测得的变频增益与中频输出频率的关系曲线。射频输入扫描范围为 3.35GHz 至 3.85GHz，固定本振频率为 3.33GHz，产生的中频输出范围为 20MHz 至 520MHz。图中还同时绘制了标准 100Ω 差分输出匹配下的实测变频增益作为对比，以突出巴伦引入的插入损耗。
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2026/2/26 13:39:19
SPI 描述DVGA（可变增益放大器）的衰减控制和功率模式可通过由 CSB、CLK 和 SDI 组成的三线 SPI 接口进行编程。第四个引脚 SDO 是一个串行输出，可用于读取寄存器内容。SDO 引脚还可用于在单个总线上 Daisy-chain（菊花链式连接）多个 SPI 接口。例如，在一个四通道接收机应用中，所有四个 LTC5555 下变频器均可通过一次 32 位加载操作进行编程，同时共享一条公共的 CSB 线路。上图显示了 SPI 的框图。如图所示，它是一个 8 位双缓冲 FIFO 从架构。数字输入和 SDO 输出的逻辑电平为 1.8V 至 3.3V CMOS 兼容，具体取决于 VDD 引脚上的供电电压。内部 POR（上电复位）连接到 VDD 引脚，在上电时或当 VDD 降至低于 0.5V 并随后回升至高于 1.2V 时，将所有 8 个比特重置为逻辑 0。POR 需要约 100μs 来重置寄存器。SPI 编程向器件传输数据时，首先将 CSB 拉低以启用端口。然后，在 CLK 上升沿捕获 SDI 上的串行输入数据，并按 MSB（最高有效位）优先顺序移入一个 8 位移位寄存器。来自寄存器的串行数据在时钟下降沿驱动到 SDO。通信突发通过将 CSB 拉高终止。CSB 的上升沿会将移位寄存器的内容锁存到一个 8 位缓冲 D 锁存器中。该缓冲锁存器可防止在下变频器加载数据期间其增益和功率模式发生变化。时序细节请参阅下图。当 CSB 为高电平时，时钟和数据输入在内部被门控关闭，从而在未选中时最小化电流消耗，且 SDO 输出处于高阻态。然而，建议在数据传输之间保持串行接口信号空闲，以避免数字噪声耦合进 RF 信号路径。
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2026/2/26 13:34:56
LTC5555 可编程增益下变频混频器非常适合需要精确增益设置的接收机。该集成电路集成了一个有源混频器和一个数字中频可变增益放大器（VGA），其增益控制范围为 15.5 dB。中频增益可通过 SPI 或并行接口以 0.5 dB 为步长进行编程。使能引脚支持快速开启与关断，同时提供低功耗模式。内置射频变压器电子元件提供单端 50Ω 输入；差分本振输入设计用于单端或差分驱动；差分中频输出简化了与差分中频滤波器和放大器的接口。该混频器针对 3 GHz 至 7 GHz 的射频频段优化，但也可在性能略有下降的情况下低至 1.5 GHz 使用。特征从2.5GHz到7GHz的最佳增益平坦度31dBm输出IP39dB功率转换增益15.5dB可调增益范围SPI或并行增益控制，步长为0.5dB非常小的解决方案尺寸3.3V单电源低功耗和关机模式28芯（4mm×5mm）QFN封装应用3.6GHz、4.8GHz和5.8GHz频带无线基础设施接收器无线中继器军用雷达和通信接收机测试和测量设备软件定义的无线电
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2026/2/26 13:24:53
轻载电流操作在轻载时，LT8393 电子元器件通常仍以其全开关频率运行，处于连续导通模式或不连续导通模式，因为降压和升压反向电流检测阈值均设置为 -4mV。负反向电流检测阈值允许少量能量在每个周期从输出流向输入，从而防止脉冲跳过频率低于 100Hz，这会导致 LED 灯串闪烁。在降压区域，当降压反向电流阈值在 "B+D" 相位期间被触发时，开关 B 关断。在升压区域，当升压反向电流阈值在 "A+D" 相位期间被触发时，开关 D 关断。在降压-升压区域，当升压反向电流阈值在 "A+D" 相位期间被触发时，开关 D 关断；当降压反向电流阈值在 "B+D" 相位期间被触发时，开关 B 和 D 均关断。然而，当使用较小值的电感且电感电流纹波较大时，LT8393 可能以脉冲跳过模式运行，其中开关在多个周期内保持关断（即跳过脉冲）以维持稳压。
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2026/2/25 14:31:40
应用信息输出电容选择与任何微功耗器件一样，输出瞬态响应是输出电容的函数。ADP3335 电子元器件在广泛的电容值、类型和 ESR（anyCAP）范围内稳定工作。低至 1 μF 的电容是稳定性所需的；如果预期有高输出电流浪涌，可以使用更大的电容。ADP3335 在极低 ESR 电容（ESR ≈ 0）下稳定工作，如多层陶瓷电容（MLCC）或有机半导体电解电容（OSCON）。注意，某些电容类型的有效电容在极端温度下可能低于最小值。确保电容在整个温度范围内提供超过 1 μF 的有效电容。输入旁路电容输入旁路电容不是严格必需的，但在涉及长输入线或高源阻抗的任何应用中建议使用。将 1 μF 电容从 IN 连接到地可降低电路对 PCB 布局的敏感性。如果使用更大的输出电容，则也建议使用更大的输入电容。噪声降低可以使用噪声降低电容（CNR），如上图所示，以进一步将噪声降低 6 dB 至 10 dB（如下图）。100 pF 至 1 nF 范围内的低泄漏电容提供最佳性能。由于噪声降低引脚 NR 内部连接到高阻抗节点，因此应仔细进行与该节点的任何连接，以避免从外部源拾取噪声。连接到该引脚的焊盘应尽可能小，不建议使用长 PCB 走线。添加噪声降低电容时，在非关断状态下保持最小 1 mA 的负载电流。需要注意的是，随着 CNR 增加，导通时间将延迟。NR 值大于 1 nF 时，此延迟可能为几毫秒的量级。
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2026/2/25 14:27:27
LT8393是一款同步4开关降压-升压LED控制器电子元件，可根据高于、低于或等于输出电压的输入电压调节LED电流。专有的峰值降压/峰值升压电流模式控制方案支持可调节和可同步的350kHz至2MHz固定频率运行方式，或支持可降低EMI的内部25%三角扩频运行方式。LT8393具有4V至60V输入和0V至100V输出，并支持在操作区域之间的无缝低噪声转换，是汽车、工业和电池供电系统中LED驱动器和电池充电应用的理想选择。LT8393提供内部（高达128:1）和外部（高达2000:1）LED电流PWM调光，采用10V高端PMOS栅极驱动器。CTRL引脚提供灵活的20:1模拟调光，在100mV满量程下具有±3%的LED电流精度。提供的故障保护机制可以检测LED开路或短路情况，在此期间LT8393将处于重试、闩锁或保持运行状态。具备的特征• 4 交换芯片单电感器架构可使 VIN 大于、小于或等于 VOUT• 效率高达 95%• 专有的峰值降压/峰值升压电流模式• 宽 VIN 范围：4 V 至 60 V• 宽 VOUT• ±4% 的 LED 电流精度。• 2000:1 外部和 128:1 内部 PWM 调光常见应用汽车前照灯/行车灯高压LED照明
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2026/2/25 14:22:37
TLV767 是一种宽输入范围的线性稳压器，支持 2.5V 至 16V 的输入电压范围和高达 1A 的负载电流。输出范围为 0.8V 至 6.6V，在可调版本中输出最高可达 13.6V。此外，该电子元器件TLV767 的输出精度为 1%，可满足低压微控制器 (MCU) 和处理器的需求。根据设计，TLV767 的 IQ 比传统的宽输入电压稳压器低得多，因此该器件能够充分满足日益严格的待机功耗要求。禁用时，TLV767 仅消耗 1.5µA 的 IQ。内部软启动时间和折返电流限制可减小启动期间的浪涌电流，从而最大限度降低输入电容。高带宽 PSRR 性能在 1kHz 时大于 70dB，在 1MHz 时大于 46dB，因此有助于衰减上游直流/直流转换器的开关频率，并最大限度减少后置稳压器滤波。为了提供更高的灵活性，TLV767 有固定电压和可调电压两种版本可供选用。TLV767 采用 6 引脚 2mm × 2mm WSON (DRV) 封装。特征• VIN：2.5V 至 16V• VOUT：• 0.8V 至 13.6V（可调节）• 0.8V 至 6.6V（固定值，50mV 阶跃）• 在整个负载和温度范围内的输出精度为 1%• 低 IQ：50µA（典型值，在关断状态下大约为 1.5µA）• 内部软启动时间：500µs（典型值）• 折返电流限制和热保护• 使用 1µF 陶瓷电容器实现稳定工作• 高 PSRR：1kHz 频率下为 70dB，1MHz 频率下为 46dB• 温度范围：–40°C 至 +125°C• 封装：6 引脚 2mm × 2mm WSON应用• 电器• 电视、监控器和机顶盒• 运动检测器（PIR、uWave 等）• 电机驱动器和控制板• 打印机和 PC 外设• Wi-Fi 接入点设备...
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2026/2/25 14:10:34
压差操作：如果输入电压低于标称输出电压加上规定的压差电压，但满足正常工作的所有其他条件，则器件以压差模式工作。在此模式下，输出电压跟随输入电压。在此模式下，器件的瞬态性能显著降低，因为导通晶体管处于欧姆区或三极管区，并充当开关。压差中的电源或负载瞬态可能导致较大的输出电压偏差。当器件处于稳态压差状态（定义为器件处于压差中，VIN VOUT(NOM) + VDO，直接处于正常稳压状态之后，但不在启动期间）时，导通晶体管被驱动进入欧姆区或三极管区。当输入电压返回到大于或等于标称输出电压加上压差电压（VOUT(NOM) + VDO）的值时，输出电压可能在短时间内过冲，同时器件将导通晶体管拉回线性区。
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2026/2/25 14:07:32
LP2985通常是指TI（德州仪器）的一款低噪声低压降稳压器电子元器件的型号。是一款宽输入、固定输出、低噪声、低压降稳压器，支持 2.5V 至 16V 的输入电压范围和高达150mA 的负载电流。LP2985 支持 1.2V 至 5.0V 的输出范围（对于新芯片），并且采用 5 引脚 2.9mm × 1.6mm SOT-23 (DBV)封装。此外，LP2985（新芯片）在整个负载和温度范围内具有 1% 的输出精度，可满足低压微控制器 (MCU) 和处理器的需求。30µVRMS 的低输出噪声（带 10nF 旁路电容器）以及1kHz 时大于 70dB 和 1MHz 时大于 40dB 的宽带宽PSRR 性能有助于衰减上游直流/直流转换器的开关频率，并尽可能减少后置稳压器滤波。内部软启动时间和电流限制保护可减小启动期间的浪涌电流，从而尽可能降低输入电容。还包括标准保护特性，例如过流和过热保护。常见应用• 洗衣机和烘干机• 陆地移动无线电• 有源天线系统 mMIMO• 无线电动工具• 电机驱动器和控制板
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2026/2/25 14:02:35
LTC1647-1 / LTC1647-2 / LTC1647-3 是双通道热插拔 (Hot Swap™) 控制器电子元件，允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。 通过采用外部 N 沟道 MOSFET，能够以一种可编程速率使电路板电源电压斜坡上升。一个高端开关驱动器用于控制 MOSFET 栅极，以获得 2.7V 至 16.5V 的电压电源范围。一个可编程电子电路断路器负责提供针对过载和短路故障的保护功能。ON 引脚用于控制电路板电源或清除某种故障。 LTC1647-1 是一款双通道热插拔控制器，具有一个公用 VCC 引脚和单独的 ON 引脚，采用 SO-8 封装。LTC1647-2 与 LTC1647-1 相似，但整合了一个故障状态标记并在 ON 引脚上提供了自动重试功能，而且也采用 SO-8 封装。LTC1647-3 具有用于每个通道的专用 VCC 引脚、ON 引脚和 FAULT 状态引脚，并采用 16 引脚窄体 SSOP 封装。具备的特征允许在带电背板上插入和移除安全板可编程电子断路器故障输出指示可编程电源电压加电率外部MOSFET开关的高端驱动控制2.7V至16.5V的电源电压欠压锁定常见应用热板插入电子断路器便携式计算机设备机架热插拔磁盘驱动器
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2026/2/25 13:55:35
一、定义LT®6023 / LT6023-1 是一款低功率、增强摆率、精准运算放大器。该放大器的专有电路拓扑可在低静态功率耗散条件下提供出色的摆率，并且不会牺牲精度或稳定时间指标。此外，专有的输入级电路还允许在输入电压阶跃高达 5V 的情况下保持很高的输入阻抗。精度指标与快速稳定性能的组合使得这款器件成为多路复用应用的理想选择。由于 LT6023 电子元器件具有低静态电流，并且能够采用低至 3V 的电源运作，因而使其适用于便携式系统。LT6023-1 具有一种停机模式，该模式可将典型电源电流减小至 800nA。LT6023 采用小型 8 引脚 DFN 封装和 8 引脚 MSOP 封装。LT6023-1 则采用 10 引脚 DFN 封装。二、特征• 卓越的摆率与功率比• 摆率：1.4V/μs• 最大电源电流：每个放大器为 20μA• 最大失调电压：30μV• 最大失调电压漂移：2.9μV/°C• 高动态输入阻抗• 可从停机模式实现快速恢复• 最大输入偏置电流：3nA• 无输出反相• 增益带宽乘积：40kHz• 宽的规定电源范围：3V 至 30V• 工作温度范围：-40°C 至 125°C• 轨至轨输出• DFN 封装和 MS8 封装三、应用精密信号处理DAC放大器多路ADC应用低功耗便携式系统低功耗无线传感器网络
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2026/2/25 13:51:51
为确保可靠的熔丝编程，必须遵循编程程序要求，特别是编程期间适当的电源电压：编程 AD8557 电子元器件时，器件温度必须在 10°C 至 40°C 之间。将 VDD 和 VSS 设置为应用中的所需值。使用仿真模式测试并确定第二级增益、第一级增益和输出失调的所需代码。使用与这些值相对应的代码作为起点。然而，由于给定代码的实际参数值因器件而异，需要进行一些微调以获得最佳可能的精度。选择这些值的一种方法是将输出失调设置为近似值，例如中电源的代码 128，以确定所需的增益。然后，设置第二级增益，使最小第一级增益（代码 0）给出低于所需的增益，最大第一级增益（代码 127）给出高于所需的增益。选择第二级增益后，可以选择第一级增益来微调总增益。最后，可以调整输出失调以给出所需值。确定第二级增益、第一级增益和输出失调的所需代码后，器件即可进行永久编程。注意，一旦对任何熔丝进行了编程尝试，就不应再次尝试烧断该熔丝。如果熔丝未编程到预期状态，请丢弃该器件。当遵循正确的编程程序和条件时，尝试但未烧断的熔丝的预期发生率非常小。将 VSS 设置为 0 V，VDD 设置为 5.75 V（±0.25 V）。电源应能够在所需电压下提供 250 mA，并按照编程模式部分所述正确旁路。使用编程模式永久输入第一级增益、第二级增益和输出失调的所需代码。烧断主熔丝，使 AD8557 能够从熔丝读取数据并防止进一步编程。将 VDD 和 VSS 设置为应用中的所需值。使用低检测电流读取模式，然后使用高检测电流读取模式，以验证编程代码。测量增益和失调以验证正确功能。
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2026/2/25 13:42:47
AD8557 是一款零漂移传感器信号放大器，具有数字可编程增益和输出失调电压。AD8557 旨在轻松准确地将可变压力和应变桥输出转换为明确定义的输出电压范围，能够精确放大许多其他差分或单端传感器输出。AD8557 采用亚德诺半导体公司专有的低噪声自动归零和 DigiTrim® 技术，在紧凑的封装中创建精确灵活的信号处理解决方案。增益通过串行数据接口在 28 至 1300 的宽范围内进行数字编程。增益调整可以在电路中完全仿真，然后使用可靠的多晶硅熔丝技术永久编程。输出失调电压也是数字可编程的，并且与电源电压成比例。除了极低的输入失调电压和输入失调电压漂移以及非常高的直流和交流 CMRR 外，AD8557 还包括输入引脚上的上拉电流源和 VCLAMP 引脚上的下拉电流源。通过外部参考电压设置的输出钳位允许 AD8557 安全准确地驱动较低电压的模数转换器（ADC）。当与参考同一电源的 ADC 配合使用时，系统精度对正常电源电压变化免疫。输出失调电压可以以优于 0.4% 的分辨率进行调整，调整范围为 VDD 与 VSS 之间差值的 0.4%。增益和失调调整后的锁定微调进一步确保了现场可靠性。AD8557 的完全额定工作温度为 -40°C 至 +125°C。AD8557 采用单电源供电，电压范围为 2.7 V 至 5.5 V，提供 8 引脚 SOIC 和 4 mm × 4 mm 16 引脚 LFCSP 封装。
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2026/2/25 13:31:54
一、定义TPS7A39 器件是双路、单片、高 PSRR、正负极低压降 (LDO) 稳压器电子元件，支持高达 150mA 的拉电流（和灌电流）。该器件的稳压输出可在外部独立调节为对称或不对称电压，因此是进行信号调节的理想型双路双极性电源。TPS7A39 的正负两种输出在启动期间相互进行比例跟踪，从而缓解双轨系统中常见的浮动状况和其他电源定序问题。负输出可调节至最高 0V，从而扩大单电源放大器的共模范围。TPS7A39 还 具有 高 PSRR，因此消除了可能影响信号完整性的电源噪声，例如开关噪声。两个稳压器采用与标准数字逻辑对接的单个正逻辑使能引脚即可进行控制。可通过电容器编程的软启动功能将控制浪涌电流和启动时间。TPS7A39 的内部基准电压可用外部基准电压覆盖，从而实现精密输出、获得输出电压裕量或跟踪其他电源。此外，TPS7A39 具有缓冲基准输出，此输出可用作系统中其他组件的电压基准。这些 特性 使得 TPS7A39 成为一种为运算放大器、数模转换器 (DAC) 以及其他精密模拟电路供电的强大而简化的解决方案。二、特征• 正负 LDO 包含在一个封装中• 宽输入电压范围：±3.3V 至 ±33V• 宽输出电压范围：• 正压范围：1.2V 至 30V• 负压范围：–30V 至 0V• 输出电流：每通道 150mA• 单调启动跟踪• 高电源抑制比 (PSRR)：• 69dB (120Hz)• ≥ 50dB（10Hz 至 2MHz）• 输出电压噪声：21µVRMS (10Hz–100kHz)• 缓冲 1.2V 基准电压输出• 与 10µF 或更大的输出电容器一起工作时保持稳定• 单个正逻辑使能引脚• 可调软启动浪涌控制• 3mm × 3mm 10 引脚 WSON 封装• 低热阻：RθJA = 44.4°C/W• 工作温...
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2026/2/25 13:19:49
TPS709 是一系列消耗低静态电流并提供出色电源和负载瞬态性能的电子元器件。这种性能，结合低噪声和非常良好的 PSRR（具有较小的 (VIN - VOUT) 裕量），使该器件成为射频便携式应用、电流限制和热保护的理想选择。TPS709 的额定工作温度为 -40°C 至 +125°C。1.输入和输出电容对于输出电压低于 1.5 V 的情况，TPS709 器件在有效电容为 2.0 μF 或更大的输出电容下稳定工作。对于等于或大于 1.5 V 的输出电压，稳定工作的最小有效电容为 1.5 μF。稳定工作的最大电容为 47 μF。输出电容的等效串联电阻（ESR）必须在 0 Ω 至 0.2 Ω 之间以确保稳定性。有效电容是考虑容差、温度和直流偏置效应引起的变化后的电容最小值。推荐使用 X5R 和 X7R 型陶瓷电容，因为这些电容在温度变化时容值和 ESR 的变化最小。虽然输入电容对稳定性不是必需的，但良好的模拟设计实践是将 0.1 μF 至 2.2 μF 的电容从 IN 连接到 GND。该电容抵消了反应性输入源并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果预期电源瞬态大于 10 V，则需要输入电容。2.瞬态响应与任何稳压器一样，增加输出电容大小可减小过冲和下冲幅度，但会增加瞬态响应持续时间。
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2026/2/25 11:59:26
TPS7A20 是一款超小型低压降 (LDO) 线性稳压器电子元件，可提供 300mA 的输出电流。TPS7A20 旨在提供符合射频和其他敏感模拟电路要求的低噪声、高 PSRR 和出色的负载和线路瞬态性能。欠压锁定（UVLO）操作UVLO 电路确保器件在输入电源达到最小工作电压范围之前保持禁用状态，并确保当输入电源崩溃时器件关断。下图显示了 UVLO 电路对各种输入电压事件的响应。该图可分为以下几个部分：区域 A：器件在输入达到 UVLO 上升阈值之前不会启动。区域 B：正常工作，稳压器件。区域 C：高于 UVLO 下降阈值的电压跌落事件（UVLO 上升阈值 - UVLO 迟滞）。输出可能脱离稳压，但器件保持使能。区域 D：正常工作，稳压器件。区域 E：低于 UVLO 下降阈值的电压跌落事件。在大多数情况下器件被禁用，输出因负载和有源放电电路而下降。当输入电压达到 UVLO 上升阈值时，器件重新使能，随后正常启动。区域 F：正常工作，随后输入下降到 UVLO 下降阈值。区域 G：当输入电压下降到 UVLO 下降阈值至 0 V 时，器件被禁用。输出因负载和有源放电电路而下降。
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2026/2/25 11:46:42