德州仪器BQ76972设备是一款高度集成、高精度的电池监测器和保护器，适用于3系列至16系列锂离子、锂聚合物和LiFePO4电池组。该设备包括一个高精度监测系统、一个高度可配置的保护子系统，并支持自主或主机控制的电池单元平衡。集成包括高端电荷泵NFET驱动器、用于外部系统的双可编程LDO，以及支持400 kHz I 2C、SPI和HDQ单线标准的主机通信外围设备。BQ76972器件采用48针TQFP封装。特征：• 适用于 3 节至 16 节串联电池的电池监控功能• ±3.0mV 的高精度电芯电压测量• 用于高侧 NFET 保护的集成电荷泵，可选择自主恢复• 广泛的保护套件，包括电压、温度、电流和内部诊断• 两个独立的 ADC– 支持电流和电压同步采样– 高精度库伦计数器，输入偏移误差 1µV（典型值）• 宽量程的电流应用（检测电阻上的测量范围为±200mV）• 集成式化学保险丝驱动二级保护• 自主式或主机控制型电芯均衡• 多种功耗模式（电池包典型运行范围条件）– NORMAL 模式：286µA– 多个 SLEEP 模式选项：24µA 至 41µA– 多个 DEEPSLEEP 模式选项：9µA 至 10µA– SHUTDOWN 模式：1µA• 电池连接和部分其他引脚上的高电压容差为 85V• 在量产线支持随机的电芯连接序列• 支持使用内部传感器和多达九个外部热敏电阻进行温度检测• 集成的一次性可编程 (OTP) 存储器可由客户在生产线上进行编程• 通信选项包含 400kHz I2C、SPI 和 HDQ 单线接口• 供外部系统使用的双路可编程 LDO• 48 引脚 TQFP 封装 (PFB)
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2026/5/11 14:51:35
ADuC832上的Flash/EE程序和数据存储器阵列完全符合两个关键的Flash/EE存储器特性，即Flash/EE存储器循环耐久性和Flash/EE存储数据保留。耐久性量化了Flash/EE存储器在许多编程、读取和擦除周期中循环的能力。实际上，单个Flash/EE内存耐久周期由以下四个独立的连续事件组成：初始页面擦除顺序读取/验证序列字节程序序列第二次读取/验证序列在可靠性鉴定中，程序和数据Flash/EE存储器中的每个字节都从00H循环到FFH，直到记录到第一次故障，这表示片上Flash/EE内存的耐久极限。如规范部分所述，ADuC832闪存/EE存储器耐久性鉴定已根据JEDEC规范A117在-40°C至+25°C和+85°C至+125°C的工业温度范围内进行。结果允许规定100000次循环的供应和温度下的最小耐久值，其中700000次循环是25°C下运行的典型耐久值。保留量化了Flash/EE存储器随时间保留其编程数据的能力。同样，ADuC832已在特定结温（TJ=55°C）下根据正式的JEDEC保留寿命规范（A117）进行了鉴定。作为此鉴定程序的一部分，在对数据保留进行特征描述之前，将Flash/EE存储器循环到之前描述的指定耐久极限。这意味着，每次对Flash/EE存储器进行重新编程时，都可以保证其数据在指定的完整保留寿命内保留。还应注意的是，基于0.6 eV活化能的保留寿命随着TJ的降低而降低，如文末图片所示。
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2026/5/11 14:28:33
ADuC832的逐次逼近ADC由主时钟的分频版本驱动。为了确保足够的ADC操作，该ADC时钟必须在400 kHz和6 MHz之间，并且使用400 kHz和4.5 MHz之间的ADC时钟可以获得最佳性能。此范围内的频率可以很容易地实现，主时钟频率从400 kHz到远高于16 MHz，有四个ADC时钟分频比可供选择。例如，通过在ADCCON1中设置适当的位（ADCCON1[5:4]=00），将ADC时钟分频比设置为4（即ADCCLK=16.78 MHz/8=2 MHz）。总ADC转换时间为15个ADC时钟，加上1个用于同步的ADC时钟，再加上所选的采集时间（一个、两个、三个或四个ADC时钟）。对于前面的示例，对于三个时钟的采集时间，总转换时间为19个ADC时钟（或2 MHz ADC时钟为9.05秒）。在连续转换模式下，每次前一个转换完成时，都会开始一个新的转换。然后，采样率就是前面描述的总转换时间的倒数。在前面的例子中，连续转换模式采样率将是110.3kHz。如果使用温度传感器作为ADC输入，则ADC应配置为使用MCLK/32的ADCCLK和四个采集时钟。增加温度传感器通道上的转换时间可以提高读数的准确性。为了进一步提高精度，还应使用具有低温漂移的外部参考。
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2026/5/11 14:26:48
通用RAM分为两个单独的存储器，上部和下部128字节的RAM。下部128字节RAM可以通过直接或间接寻址进行访问。RAM的上128字节只能通过间接寻址访问，因为它与SFR空间共享相同的地址空间，而SFR空间只能通过直接寻址访问。内部数据存储器的低128字节映射如下图所示。最低的32个字节被分为四组，每组八个寄存器，地址为R0到R7。寄存器组上方的接下来的16个字节（128位）在地址20H到地址2FH处形成一个位可寻址存储空间块。堆栈可以位于内部存储器地址空间中的任何位置，堆栈深度可以扩展到2048字节。重置将堆栈指针初始化到位置07H，并在加载堆栈之前将其递增一次，从位置08H开始，位置08H也是寄存器组1的第一个寄存器（R0）。因此，如果使用多个寄存器组，堆栈指针应初始化为RAM中不用于数据存储的区域。ADuC832包含2048字节的内部XRAM，其中1792字节可以配置为用作扩展的11位堆栈指针。默认情况下，堆栈的操作与8052完全相同，因为它在通用RAM中从FFH翻转到00H。然而，在ADuC832上，可以（通过设置CFG832[7]）启用11位扩展堆栈指针。在这种情况下，堆栈从RAM中的00FFH滚动到XRAM中的0100H。SP和SPH SFR中可见11位堆栈指针。SP SFR与标准8052一样位于81H处。SPH SFR位于B7H。此SFR的三个LSB包含将8位堆栈指针扩展为11位堆栈指针所需的三个额外位。
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2026/5/11 14:22:50
ADuC832是一款完整的智能传感器前端，在单个芯片上集成了高性能自校准多通道12位ADC、双12位DAC和可编程8位MCU。该设备由一个带片上PLL的32 kHz晶体运行，产生16.78 MHz的高频时钟。该时钟依次通过可编程时钟分频器路由，MCU核心时钟工作频率由此产生。微控制器核心是8052，因此是8051指令集，与每个机器周期的12个核心时钟周期兼容。芯片上提供62kB的非易失性Flash/EE程序存储器。芯片上还集成了4 kB的非易失性Flash/EE数据存储器、256字节的RAM和2 kB的扩展RAM。ADuC832还集成了两个12位DAC、一个电源监视器和一个带隙基准的额外模拟功能。具备的特性如下：模拟I/O8通道，247 kSPS，12位ADC直流性能：±1 LSB INL交流性能：71 dB信噪比用于高速ADC到RAM捕获的DMA控制器2个12位（单调）电压输出DAC双输出PWM/∑-ΔDAC片上温度传感器功能：±3°C片上电压基准记忆62kB片上Flash/EE程序存储器4kB片上Flash/EE数据存储器闪光/EE，100年保持期，100000次耐久循环2304字节片上数据RAM基于8051的内核8051兼容指令集（最大16MHz）32 kHz外部晶体，片上可编程PLL12个中断源，2个优先级双数据指针扩展的11位堆栈指针片上外设时间间隔计数器（TIC）UART、I²C和SPI串行I/O看门狗定时器（WDT）、电源监控器（PSM）力量适用于3 V和5 V操作正常、空闲和断电模式断电：25µA@3 V，唤醒定时器正在运行应用光网络——激光功率控制基站系统精密仪器、智能传感器瞬态捕捉系统DAS和通信系统升级到ADuC812系统；从32 kHz外部晶体运行，带片上PLL。还提供：ADuC831引脚兼容升级到需...
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2026/5/11 14:17:12
TPD4E001 是一款基于静电放电 (ESD) 保护二极管阵列的四通道瞬态电压抑制器 (TVS)。TPD4E001 的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2（4 级）国际标准中规定的最高水平。该器件每通道具有 1.5pF IO 电容，因此非常适合用在高速数据 IO 接口中。具有超低泄漏电流（最大值 1nA），因此适合在血糖仪和心率监护仪等 应用 中进行精密模拟测量。TPD4E001 可提供 DRL(SOT)、DBV (SOT-23)、DCK (SC-70)、DRS (QFN) 和 DPK (PUSON) 封装并且其额定运行温度介于 –40°C 至 +85°C 之间。这些器件具有更高的 IEC 保护性能、更低的电容、更低的钳位电压，并且不再需要输入电容器。具备的特性：• IEC 61000-4-2 ESD 保护（4 级）• ±8kV 接触放电• ±15kV 气隙放电• 5.5A 峰值脉冲电流（8/20µs 脉冲）• IO 电容值：1.5pF（典型值）• 低泄漏电流：1nA（最大值）• 低电源电流：1nA• 0.9V 至 5.5V 电源电压范围• 高空间利用率 DRL、DBV、DCK、DPK 和 DRS 封装选项• 可提供供替换的 2 通道、3 通道、6 通道选项：TPD2E001、TPD3E001、TPD6E001应用• USB 2.0• 以太网• FireWire™串行总线• LVDS• SVGA 视频连接• 血糖仪
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2026/5/11 14:03:48
ESD204是一个双向TVS ESD保护二极管阵列，用于HDMI和USB浪涌保护，最高可达5.5 a（8/20µs）。ESD204的额定值是在IEC 61000-4-2国际标准（4级）中规定的最大水平上消散ESD冲击。ESD204提供的低箝位和高差分带宽使该设备能够干净地传递高速信号，同时为下游设备提供强大的保护。该设备每个通道的IO电容为0.55-F，适用于保护高达6Gbps的高速接口，如HDMI 2.0、HDMI 1.4、USB 3.0和以太网1G。低动态电阻和低箝位电压确保了系统级对瞬态事件的保护。ESD204采用行业标准USON-10（DQA）封装。该封装具有流通式布线和0.5mm的引脚间距，便于实施并缩短设计时间。特性IEC 61000-4-2 4级ESD保护±30 kV接触放电±30 kV气隙放电IEC 61000-4-4 EFT保护80安（5/50纳秒）IEC 61000-4-5电涌保护5.5 A（8/20µs）低浪涌钳位电压5.5 A IPP时为8.5 VIO电容：0.55 pF（典型值）符合HDMI 2.0标准直流击穿电压：5.5V（最小）超低漏电流：10nA（最大）支持高达6 Gbps的高速接口工业温度范围：-40°C至+125°C简易流程路由包
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2026/5/11 13:57:49
LM21701 SIMPLE SWITCHER®纳米模块是一种易于使用的降压DC-DC解决方案，能够在空间受限的应用中驱动高达1000mA的负载。基本操作只需要输入电容器、输出电容器、软启动电容器和两个电阻器。Nano模块采用8引脚DFN封装，带有集成电感器。LM21701架构基于DCS Control™（直接控制，无缝过渡到节能模式）。该架构结合了迟滞型转换器的快速瞬态响应和稳定性，以及电压模式和电流模式调节器的精确直流输出调节。LM21701架构使用脉宽调制（PWM）模式满足中重负载要求，在轻负载时使用节能模式（PSM）实现高效率。在PWM模式下，开关频率在输入电压范围内受到控制。该值取决于输出电压设置，通常在低输出电压下降低以实现更高的效率。在PSM中，开关频率随负载电流线性降低。由于该器件的架构在单个电路构建块中支持两种操作模式（PWM和PSM），因此操作模式之间的转换是无缝的，对输出电压的影响最小。具备的特性：集成电感微型3.5毫米x 3.5毫米x 1.75毫米包装35 mm²溶液尺寸（单面）-40°C至125°C结温范围可调输出电压综合补偿可调节软启动功能开始预偏置负载电源良好和启用引脚无缝过渡到省电模式高达1000mA的输出电流输入电压范围3 V至17 V输出电压范围0.9 V至6 V效率高达95%1.5µA关断电流17µA静态电流常见应用：3.3V、5V、或12V输入电压的负载点转换空间受限类应用低压降稳压器(LDO)替代产品
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2026/5/11 13:48:12
SKY16603-632LF是表面贴装封装中的完全集成的双PIN二极管高线性限制器模块。它被设计为在频率高达6 GHz的无线或其他射频系统中用作无源接收器保护器。它具有低限值阈值、低插入损耗、出色的IIP3和低IM失真，采用双扁平无引线（DFN）封装。SKY16603-632LF模块由双PIN限流二极管和两个位于2引线DFN射频端口的直流阻断帽组成。小封装设计减少了印刷电路板面积。该模块可在-40°C至+105°C的工作温度范围内运行。操作理论限制器通过允许低于特定阈值的RF信号通过来防止过载，但超过阈值的较大信号会逐渐衰减。SKY16603-632LF的阈值水平低于传统的自偏置限制器电路，该电路具有用于接地回路的电感器。该设备通过结合一对特别优化的PIN限流二极管来实现这一点。两个内部直流输入/输出电容器提供了大多数应用所需的直流阻断。特性针对0.6至6.0 GHz的操作进行了优化下限阈值（典型值+8 dBm）低插入损耗出色的IIP3和低IM失真集成双PIN限流二极管和直流块DFN（2针，2.3 x 2.3 mm）无铅封装，（MSL1，260°C，符合JEDEC J-STD-020）应用程序5G大规模MIMO基础设施接收机保护测试仪器
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2026/5/11 9:49:26
ST意法半导体L9369针对电动驻车制动的具体应用，适用于拉线器或电机齿轮装置（MGU）中的系统配置。核心是两个H桥驱动器级，用于驱动后轮制动执行器的8个外部FET。这些级通过SPI完全驱动和配置，也处于PWM控制模式，并具有过电流保护，具有漏极-源极和栅极-源极电压监测功能。同步电机电压和电流采集是通过全差分放大器进行的，该放大器具有可编程和精确的增益和低偏移以及10个ADC∑-Δ调制器。两个可配置的HS/LS级具有可编程的输出电压，用于驱动LED阵列，并具有前馈调节功能。2个电机速度传感器接口（MSS）可用于从制动执行器获取位置反馈（与灯驱动级和GPIO共享）。该组接口由4个GPIO（通用I/O）引脚完成，按钮接口允许在正常和睡眠模式下通过电子驻车制动（EPB）按钮控制台管理特定的客户要求。具备的特征：AEC-Q100合格符合ISO26262标准的功能安全概念4个高侧和低侧栅极预驱动器，用于8个外部功率NFET具有可编程阈值的过电流保护VDS监测的可编程和NFET独立阈值10个集成全差分放大器，具有低偏移、非常精确的增益和自检功能10个独立的ADC通道，用于电机电流和电压测量的数字处理32位-10 MHz SPI，带CRC，用于内部设置、自检和诊断将外部电源NFET完全驱动至5.5 V电池输入电压主电源监控和内部稳压器的连续BIST双带隙基准4个通用输入/输出级（GPIO）按钮接口（9个可配置的I/O引脚），用于在正常和睡眠模式下进行监测和诊断。2个电机速度传感器（MSS）接口，用于通过外部霍尔传感器获取速度信息反馈。睡眠模式下的系统唤醒看门狗（可通过SPI配置）
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2026/5/11 9:42:29
连接技术创新企业 Molex 已完成对 Teramount Ltd. 的收购。该公司总部位于以色列，专注于开发可拆卸光纤直连芯片互连解决方案，并针对大规模共封装光学 (CPO) 及其他硅光子学应用对该解决方案进行优化。“Teramount 的无源可拆卸耦合方法支持较大的装配公差和半导体级的晶片工艺，填补了光学堆栈中的关键空白。”Molex 数据通信解决方案事业部总裁 Aldo Lopez 表示，“通过将这一独特的技术整合到 Molex 的光学互连产品组合中，Molex 将能够提供一条更顺畅的路径，实现从早期原型到大规模 CPO 以及 AI 时代所需其他硅光子架构的无缝过渡。”Teramount 将继续作为位于耶路撒冷的设计与工程中心发挥作用，并得到 Molex 全球光学能力的支持。它将被纳入 Molex 光学解决方案业务部门中的光学互连分部。交易的财务条款未予披露。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/11 9:27:38
LTM8063是一款40VIN、2A连续、2.5A峰值、降压µModule®（电源模块）稳压器。封装中包括开关控制器、电源开关、电感器和所有支持组件。LTM8063在3.2V至40V的输入电压范围内工作，支持0.8V至15V的输出电压范围和200kHz至2.2MHz的开关频率范围，每个范围由一个电阻器设置。完成设计只需要输入和输出滤波电容器。低剖面封装能够利用PC板底部未使用的空间进行高密度负载点调节。LTM8063采用热增强、紧凑的球栅阵列（BGA）封装，适用于标准表面贴装设备的自动化组装。LTM8063符合RoHS标准。特性低噪音静音切换器®架构宽输入电压范围：3.2V至40V宽输出电压范围：0.8V至15V2A 12VIN、5VUT、TA=85°C时的连续输出电流2.5A峰值电流可选开关频率：200kHz至2.2MHz外部同步可配置为逆变器6.25mm×4mm×2.22mm BGA封装应用汽车电池法规便携式产品电源分布式供应监管工业用品壁式变压器调节
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2026/5/9 17:53:03
LTC3129 采用超低噪声、1.2MHz PWM 开关架构，通过使用小型、薄型电感和陶瓷电容较大程度地减小了解决方案的尺寸。内置环路补偿和软启动简化了设计。如需在轻负载下实现高效率工作，可以选择自动突发工作模式，将静态电流降至仅 1.3μA。其使用可编程RUN功能从极弱的输入源进行操作如下所示：可编程RUN引脚的另一个应用是，它可以用于在极低电流源的打嗝模式下操作转换器。这允许从只能产生微安输出电流的电源进行操作，即使使用MPPC引脚，这些电源也太弱，无法维持正常的稳态操作。由于LTC3129在启用之前从VIN仅消耗1.9µA的典型电流，因此可以对RUN引脚进行编程，使IC保持禁用状态，直到VIN达到编程电压电平。通过这种方式，输入源可以对输入存储电容器进行涓流充电，即使它只能提供微安的电流，直到VIN达到RUN引脚分压器设置的导通阈值。然后，将使用输入电容器中存储的电荷启用转换器，直到VIN降至关闭阈值以下，此时转换器将关闭，该过程将重复。这种方法允许转换器使用室内照明从薄膜太阳能电池等弱源运行。虽然转换器将以突发方式运行，但为输出电容器充电足以为低占空比负载供电，如无线传感器应用，或为电池涓流充电。此外，请注意，输入电压将围绕分压器确定的固定电压循环（具有由运行滞后设置的小纹波）。这允许高阻抗源在编程的最佳电压下运行，以实现最大的功率传输。当使用高值分压电阻器（在MΩ范围内）来最小化VIN上的电流消耗时，可能需要在较低的分压电阻器上安装一个小的噪声滤波电容器，以防止噪声错误地使RUN比较器跳闸。电容值应最小化，以免在转换器关闭之前引入足够长的时间延迟，使输入电压显著降至所需的VIN阈值以下。请注意，较大的VIN去耦电容器值将通过在VIN上提供更多的保持时间来最小化这种影响。附图：LTC3129的引脚配置信息
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2026/5/8 15:04:49
LTC3129 是一款高效率、200mA 降压-升压型 DC/DC 转换器，具有 VIN 和 VOUT 宽电压范围。它具有精确的 RUN 引脚阈值，支持可预测调节器开启，并提供最大功率点控制(MPPC)能力，以确保从光伏板等非理想电源中获取最大功率。其PWM模式操作如下所示：如果PWM引脚为高，或者如果转换器上的负载电流足够高，可以命令PWM模式以PWM低运行，LTC3129将使用内部补偿的平均电流模式控制回路在固定的1.2MHz PWM模式下运行。PWM模式最大限度地减少了输出电压纹波，并产生了低噪声的开关频谱。专有的开关算法提供了操作模式之间的无缝转换，并消除了所有操作模式中平均电感器电流、电感器纹波电流和回路传递函数的不连续性。与传统的降压-升压转换器相比，这些优点提高了效率，改善了回路稳定性，降低了输出电压纹波。下图显示了LTC3129功率级的拓扑结构，该功率级由四个N沟道DMOS开关及其相关栅极驱动器组成。在PWM模式操作中，两个开关引脚在每个周期都会独立于输入和输出电压进行转换。响应于内部控制回路命令，内部脉宽调制器产生适当的开关占空比，以保持输出电压的调节。当从高输入电压降压到较低输出电压时，转换器在降压模式下运行，开关D在整个开关周期内保持导通，除了最小开关低持续时间（通常为90ns）。在开关低持续时间期间，开关C接通，这迫使SW2变低并对快速电容器CBST2充电。这确保了BST2上的开关D栅极驱动器电源轨得以保持。调整开关A和B的占空比，以保持降压模式下的输出电压调节。如果输入电压低于输出电压，则转换器以升压模式运行。除最小开关低持续时间（通常为90ns）外，开关A在整个开关周期内保持开启状态。在开关低持续时间期间，开关B被接通，这迫使SW1变低并对快速电容器CBST1充电。这确保了BST1上的开关A栅极驱动器电源轨得以保持。调整开关C和D的占空比，以在升...
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2026/5/8 15:00:09
LTC3129是一款1.3µa静态电流、单片、电流模式、降压-升压DC/DC转换器，可在1.92V至15V的宽输入电压范围内运行，并为负载提供高达200mA的电流。内部低RDS（ON）N沟道电源开关降低了解决方案的复杂性，并最大限度地提高了效率。专有的开关控制算法允许降压-升压转换器在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下保持输出电压调节。升压或降压操作模式之间的转换是无缝的，没有瞬态和亚谐波开关，使该产品成为噪声敏感应用的理想选择。LTC3129在1.2MHz的固定标称开关频率下运行，在小解决方案尺寸和高效率之间实现了理想的权衡。电流模式控制提供了固有的输入线电压抑制、简化的补偿和对负载瞬态的快速响应。LTC3129中还包括突发模式功能，用户可以通过PWM输入引脚进行选择。在突发模式操作中，LTC3129仅在需要维持电压调节时才操作转换器，从而在轻输出负载条件下提供卓越的效率。突发模式静态电流仅为1.3µa。在较高负载下，当选择突发模式操作时，LTC3129会自动切换到固定频率PWM模式。（请参阅不同输入和输出电压下的模式转换点的典型性能特征曲线。）如果应用需要极低的噪声，也可以通过PWM引脚选择连续PWM操作。还提供了MPPC（最大功率点控制）功能，当从各种非理想电源（如光伏电池）运行时，该功能允许将转换器的输入电压伺服到可编程点，以获得最大功率。LTC3129还具有精确的带滞后的RUN比较器阈值，允许降压-升压DC/DC转换器在用户选择的VIN电压阈值下打开和关闭。并且LTC3129具有宽电压范围、1.3µa突发模式电流和可编程RUN和MPPC引脚，非常适合许多不同的应用。附图：不同封装引脚配置信息
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2026/5/8 14:53:24
为了确保正常运行和最小化电磁干扰，在印刷电路板布局过程中必须小心。文末图片则显示了推荐的组件放置，包括迹线、接地平面和过孔位置。请注意，LT8620的VIN引脚、GND引脚和输入电容器中流过大的开关电流。通过将电容器放置在VIN和GND引脚附近，输入电容器形成的回路应尽可能小。当使用物理上较大的输入电容器时，产生的回路可能会变得太大，在这种情况下，最好使用靠近VIN和GND引脚的小外壳/值电容器，再加上更远的较大电容器。这些组件以及电感器和输出电容器应放置在电路板的同一侧，并且它们的连接应在该层上进行。在最靠近表层的层中的应用电路下方放置一个局部的、完整的接地平面。SW和BOOST节点应尽可能小。最后，保持FB和RT节点较小，以便接地迹线将它们与SW和BOOST节点屏蔽。封装底部的暴露焊盘必须焊接到地上，以便焊盘与地电连接，并在热上充当散热器。为了保持较低的热阻，尽可能地延伸接地平面，并在LT8620下方和附近添加热通孔，以在电路板内和底侧添加额外的接地平面。高温注意事项对于较高的环境温度，应注意PCB的布局，以确保LT8620的良好散热。封装底部的暴露焊盘必须焊接到接地平面。该接地应通过热通孔连接到下面的大铜层；这些层将分散LT8620散发的热量。放置额外的通孔可以进一步降低热阻。当环境温度接近最大结额定值时，应降低最大负载电流。LT8620内的功耗可以通过计算效率测量的总功率损耗并减去电感器损耗来估算。管芯温度是通过将LT8620功耗乘以从结到环境的热阻来计算的。如果超过安全结温，LT8620将停止切换并指示故障状态。
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2026/5/8 14:46:19
LT8620将容忍短路输出。在输出短路和断电条件下，有几个功能用于保护。首先，当输出低于设定值时，开关频率将被折叠，以保持电感器电流控制。其次，监测底部开关电流，这样如果电感器电流超过安全水平，顶部开关的切换将被延迟，直到电感器电流降至安全水平。频率折返行为取决于SYNC引脚的状态：如果SYNC引脚较低，当输出电压低于编程电平时，开关频率将减慢。如果SYNC引脚连接到时钟源或连接到高电平，LT8620将保持在编程频率，不会折返，只有在电感器电流超过安全水平时才会缓慢切换。在系统中还有另一种情况需要考虑，当LT8620的输入不存在时，输出将保持在高水平。这可能发生在电池充电应用或电池备份系统中，在这些系统中，电池或其他电源与LT8620的输出二极管或电阻连接。如果允许VIN引脚浮动，EN引脚保持高电平（无论是通过逻辑信号还是因为它与VIN相连，那么LT8620的内部电路将通过其SW引脚拉动其静态电流。如果系统在这种状态下可以容忍几mA，这是可以接受的。如果EN引脚接地，SW引脚电流将降至接近1μa。但是，如果VIN引脚接地而输出保持高电平，无论EN如何，LT8620内的寄生体二极管都可以通过SW引脚和VIN引脚从输出拉动电流。文末图片显示了VIN和EN/UV引脚的连接，这将允许LT8620仅在存在输入电压时运行。并且防止短路或反向输入。
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2026/5/8 14:42:22
要选择低纹波突发模式操作，请将SYNC引脚连接到0.4V以下（这可以是接地或逻辑低输出）。要将LT8620振荡器与外部频率同步，请将方波（占空比为20%至80%）连接到SYNC引脚。方波振幅应具有低于0.4V的谷值和高于1.5V（高达6V）的峰值。LT8620在与外部时钟同步时，不会在低输出负载下进入突发模式操作，而是会跳脉冲以保持调节。LT8620可以在200kHz至2.2MHz范围内同步。应选择RT电阻器，将LT8620开关频率设置为等于或低于最低同步输入。例如，如果同步信号为500kHz或更高，则RT应选择500kHz。斜率补偿由RT值设置，而避免亚谐波振荡所需的最小斜率补偿由电感器尺寸、输入电压和输出电压确定。由于同步频率不会改变电感器电流波形的斜率，如果电感器足够大以避免在RT设置的频率下发生亚谐波振荡，那么斜率补偿将足以用于所有同步频率。对于某些应用，LT8620最好在脉冲跳过模式下运行，这与突发模式运行有两个主要区别。首先，时钟始终保持唤醒状态，所有开关周期都与时钟对齐。第二，与突发模式操作相比，在较低的输出负载下达到全开关频率。这两个差异是以增加静态电流为代价的。为了启用脉冲跳过模式，SYNC引脚被高电平连接到逻辑输出或INTVCC引脚。无论SYNC信号如何，LT8620都不会在强制连续模式下运行。切勿让SYNC引脚浮动。
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2026/5/8 14:34:41