LTC®2381-16是一款低噪声、低功率、高速16位逐次逼近型寄存器(SAR)模数转换器ADC。LTC2381-16采用单2.5V工作电源，具有一个±2.5V的全差分输入范围。LTC2381-16仅消耗3.25mW功率，并实现了±2LSBINL(最大值)、无漏失码(在16位)和92dBSNR。LTC2381-16具有一个支持1.8V、2.5V、3.3V和5V逻辑的高速SPI兼容型串行接口，同时还拥有一种菊链模式。250ksps的高吞吐速率和无周期延迟特性使LTC2381-16成为众多高速应用的理想选择。一个内部振荡器负责设定转换时间，从而缓解了外部定时方面的考虑。LTC2381-16在转换操作之间自动断电，从而减低了随采样速率而调节的功耗。LTC2381-16采用一种专有的采样架构，该架构使得ADC能够在电流转换期间开始采集下一个样本。所产生的3.25μs扩展采集时间允许使用极低功率的ADC驱动器。特征•250ksps吞吐速率•±2LSBINL(最大值)•保证16位无漏失码•低功率：3.25mW(在250ksps)、13μW(在1ksps)•在fIN=20kHz，SNR为92dB(典型值)•3.25μs的扩展采集时间允许使用较低功率的驱动器•保证至125ºC的温度条件下运作•2.5V电源•全差分输入范围：±2.5V•外部2.5V基准输入•无流水线延迟，无周期延迟•1.8V至5VI/O电压•具菊链模式的SPI兼容型串行I/O•内部转换时钟•16引脚MSOP封装和4mmx3mmDFN封装应用医学影像高速数据采集便携式或紧凑型仪器工业过程控制低功耗电池供电仪器自动测试设备
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2025/10/22 9:37:14
TLV743P 低压差线性稳压器 (LDO) 是一款超小型低静态电流 LDO，可提供 300mA 拉电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。此器件提供了 1% 的典型精度。旨在使用 1µF 的小型输出电容器实现稳定运行。TLV743P 器件可在器件加电和使能期间提供折返电流控制。该功能对于电池供电型器件尤为重要。TLV743P 提供了有源下拉电路，用于在器件处于禁用状态时对输出负载进行快速放电。采用标准 DBV (SOT-23) 和 DQN (X2SON) 封装。特征• 输入电压范围：1.4V 至 5.5V• 使用 1µF 陶瓷输出电容器实现稳定运行• 折返过流保护• 封装：• SOT-23 (5)• X2SON (4)• 极低压差：125mV/300mA (3.3VOUT)• 精度：1%（典型值）、1.4%（最大值）• 低 IQ：34µA• 可提供固定输出电压：1V 至 3.3V• 高电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率时为 50dB• 有源输出放电应用• 平板电脑• 智能手机• 笔记本和台式计算机• 便携式工业和消费类产品• 无线局域网 (WLAN) 和其他 PC 附加卡• 摄像机模块
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2025/10/22 9:27:01
M24C08是一个8Kbit I2C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织为1K×8位。M24C08-W可以在2.5V至5.5V的电源电压下访问，M24C08-R可以在1.8V至5.5v的电源电压上访问，而M24C08-F可以在1.7V至5.5伏的电源电压（在整个温度范围内）下访问，或者在某些限制条件下使用1.6V至5.5 V的扩展电源电压访问。特征•兼容以下I2C总线模式：–400 kHz–100 kHz•存储器阵列：–8Kbit（1K字节）EEPROM–页面大小：16字节•单电源电压：–M24C08-W：2.5伏至5.5伏–M24C08-R：1.8伏至5.5伏–M24C08-F：1.7伏至5.5伏1.6 V至5.5 V（在温度限制下）•写：–5毫秒内写入字节–在5毫秒内写入页面•工作温度范围：–从-40°C到+85°C•随机和顺序读取模式•整个内存阵列的写保护•增强的ESD/闭锁保护•超过400万个写入周期•200多年的数据保留
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2025/10/21 10:51:57
LT6557 是一款具一个数值为 2 的内部固定增益和一个可编程 DC 输入偏置电压的高速三路视频放大器。该放大器具有一个 400MHz 2VP-P 信号带宽、2200V/μs 转换速率和一种把重输出负载驱动至电源轨之 0.8V 的独特能力，从而使得 LT6557 非常适合单 5V 电源的宽带视频应用。仅利用一个电阻器便可把所有三个放大器的输入编程至一个公共电压电平，因而简化和降低了 AC 耦合应用中对于外部电路的需要。如果没有该可编程电阻器，则输入偏置电路变至闲置状态，允许使用一个外部箝位电路或直接耦合输入。LT6557 具有用于每个放大器的分离电源和接地引脚，以改善通道隔离及简化电源旁路。LT6557 在许多需要一个低电压、单电源的高速应用中提供了不打折扣的性能。LT6557 采用 16 引脚 SSOP 封装和 5mm x 3mm DFN 封装。具备的特征• –3dB 小信号带宽：500MHz• –3dB 2VP-P 大信号带宽：400MHz• 转换速率：2200V/μs• 数值为 2 的固定增益，无需外部电阻器• 具可编程 DC 输入偏置的 AC 耦合• 输出摆动至电源轨的 0.8V• 采用 5V 单电源的满视频摆幅• 差分增益：0.02%• 差分相位：0.05°• 使能 / 停机引脚• 高输出电流：±100mA• 电源范围：3V 至 7.5V• 工作温度范围：–40ºC 至 85ºC• 采用 16 引脚 SSOP 封装和 5mm x 3mm DFN 封装应用• 液晶视频投影仪• RGB高清视频放大器• 同轴电缆驱动器• 低电源ADC驱动器
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2025/10/21 10:45:44
AD8564是一款四路7ns比较器，具有独立的输入和输出电源。优化高速性能与任何高速比较器或放大器一样，应采用正确的设计与布局技巧，以确保从 AD8564 获得最佳性能。高速电路的性能限制往往来自杂散电容、不当的地阻抗或其他布局问题。为了最大化 AD8564 的高速性能，应尽量减少从信号源到输入端的电阻。源电阻与等效输入电容的组合可能会在输入端引入延迟响应，从而延迟输出。AD8564 的输入电容加上输入引脚对地的杂散电容，可能会形成几皮法的等效电容。例如，3kΩ 的源电阻与 5pF 的输入电容组合，会产生 15ns 的时间常数，这比 AD8564 的 5ns 响应能力要慢。为获得最佳性能，源阻抗应小于 1kΩ。在高速应用中，为电源提供旁路电容也非常重要。应在每个电源引脚与地之间、距离不超过 0.5 英寸的位置放置一个 1μF 的电解旁路电容。这些电容可减少来自电源的电压纹波。此外，还应尽可能靠近电源引脚放置一个 10nF 的陶瓷电容到地，这些电容在高频开关期间充当器件的电荷储备。建议使用接地平面以实现良好的高速性能。可以通过在电路板表面使用连续的导电平面来实现，仅在必要的电流路径处开口。接地平面提供低电感的地连接，消除由于地弹（ground bounce）引起的电路板不同地点之间的电位差。良好的接地平面还能最小化杂散电容对电路的影响。输出负载考虑AD8564 的输出可提供高达 40mA 的输出电流，而不会显著增加传播延迟。但器件的输出不应连接超过 20 个 TTL 输入逻辑门，或驱动小于 100Ω 的负载电阻。为确保 AD8564 的最佳性能，应尽量减少输出端的电容负载。大于 50pF 的电容负载会导致输出波形出现振铃，并降低比较器的工作带宽。超过 100pF 的电容负载还会增加传播延迟。输入级与偏置电流AD8564 使用 PNP 差分输入级，使输入共模范围可从负电源轨扩展...
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2025/10/21 10:43:25
AD8564是一款四路7ns比较器，具有独立的输入和输出电源，从而使输入级能够从#5双电源或5V单电源运行，同时保持CMOS-/TTL兼容的输出。快速的7ns传播延迟使AD8564成为定时电路和线路接收器的良好选择。独立的模拟和数字电源可提供出色的保护，防止电源引脚相互作用。AD8564与MAX901引脚兼容，电源电流更低。所有四个比较器都具有相似的传播延迟。上升和下降信号的传播延迟是相似的，并且随着温度和电压的变化而变化。这些特性使AD8564成为高速定时和数据通信电路的良好选择。AD8564适用于工业温度范围（-40°C至+125°C）。四联AD8564提供16引脚TSSOP、16引脚窄体SOIC和16引脚塑料DIP封装。特征5V单电源操作7ns传播延迟低功率独立的输入和输出部分TTL/CMOS逻辑兼容输出输出摆动幅度大TSSOP、SOIC和PDIP封装应用高速定时线路接收器数据通信高速V-to-F转换器电池供电仪器高速采样系统窗口比较器PCMCIA卡MAX901设计升级不同封装的芯片引脚图
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2025/10/21 10:36:47
LT3021 的设计要求在 IN 引脚处至少放置一个 3.3μF 的电容以保证稳定性。可以使用具有极低 ESR 的陶瓷电容。然而，在某些情况下，如果使用长导线将电源连接到 LT3021 的输入端（同时也从 LT3021 的地连接到电源的地），使用较小容量的输入电容，并且输出负载电流达到 20mA 或更高时，可能会导致系统不稳定。这种不稳定是由于导线的电感与输入电容形成了一个 LC 谐振回路，而不是 LT3021 本身不稳定。导线的自感（或称孤立电感）与其长度成正比，但其直径对自感的影响不大。例如，一根直径为 0.26 英寸的 2-AWG 导线的自感，大约只有直径为 0.01 英寸的 30-AWG 导线的一半。一英尺（约 30.5 cm）长的 30-AWG 导线具有约 465nH 的自感。降低导线总自感的方法有两种：一种是将流向 LT3021 的电流分流到两根平行导线中，且电流方向相同。在这种情况下，两根导线之间的距离越远，电感降低得越多，最大可降低 50%。这种方式相当于将两个相等的电感并联。然而，如果两根导线靠得很近，它们之间会产生互感，从而增加总自感。最有效的方式是将正向和回流导线（即输入导线和地线）尽可能靠近地布置。例如，两根相距 0.02 英寸的 30-AWG 导线，其总自感可降低至单根孤立导线的约五分之一。如果 LT3021 由安装在靠近电路板的电池供电，则使用 3.3μF 的输入电容即可满足稳定性要求。然而，如果 LT3021 由远距离电源供电，则应使用容量更大的输入电容，建议每增加约 8 英寸（约 20 cm）的导线长度，就额外增加约 1μF 的电容（在原有的 3.3μF 最小值基础上）。此外，也可以在电源的输出端直接增加额外的电容；但相比将额外电容靠近 LT3021 放置，这种方式所需的电容值可能要大一个数量级。由于不同电源的输出阻抗可能不同，因此为稳定系统...
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2025/10/21 10:32:16
LT3021 的设计在多种输出电容下都能保持稳定，但针对低 ESR（等效串联电阻）陶瓷电容进行了优化。输出电容的 ESR 会影响稳定性，尤其是在使用小容量电容时更为明显。为防止振荡，建议使用最小容量为 3.3μF、ESR 不超过 0.22Ω 的输出电容。LT3021 是一款低压器件，其输出负载瞬态响应性能与输出电容容量有关。使用更大容量的输出电容可以降低峰值偏差，并在负载电流变化较大时提供更好的瞬态响应。对于容量大于 22μF 的输出电容，需要在图 1 中的上分压电阻 R2 上并联一个 300pF 的前馈电容。在极低输出电流条件下（负载电流 在使用陶瓷电容时需特别注意。制造商生产的陶瓷电容采用多种介质材料，不同介质在温度和施加电压下的表现差异很大。常见的介质材料有 Z5U、Y5V、X5R 和 X7R。Z5U 和 Y5V 介质在小型封装中以低成本提供较高的电容量，但其电压和温度系数较大。X5R 和 X7R 介质具有更高的稳定性，更适合用作输出电容，尽管价格略高。X5R 和 X7R 介质在电压系数方面表现优异。X7R 类型适用于更宽的温度范围，具有更好的温度稳定性；而 X5R 成本较低，且可提供更高的电容值。图 2 和图 3 展示了 Y5V 与 X5R 材料在电压系数和温度系数方面的对比。电压和温度系数并不是唯一的问题来源。某些陶瓷电容具有压电效应。压电元件在受到机械应力时会在其两端产生电压，类似于压电加速度计或麦克风的工作原理。对于陶瓷电容而言，这种应力可能来自系统中的振动或热瞬态变化。由此产生的电压可能引入显著的噪声。图 4 所示的波形就是由铅笔轻敲陶瓷电容所产生的响应。类似的振动引起的行为可能会被误认为是输出电压噪声的增加。
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2025/10/21 10:19:45
HMC1010LP4E功率检波器设计用于RF功率测量和频率高达3.9 GHz.的控制应用。 该检波器提供精确的RF/IF输入信号均方根表示。 输出为温度补偿式、单调表示实信号功率，采用60 dB的输入检测范围测量。HMC1010LP4E极其适用于宽带宽、宽动态范围应用，这些应用需重复测量实信号功率，尤其当RF/IF波形和/或波峰因数随时间变化时。 HMC1010LP4E集成带宽可通过输入引脚SCI1- 4在超过40倍范围进行数字编程。 这样，用户可动态设置工作带宽，能够在同一平台上处理不同类型的调制工作。HMC1010LP4E的输出级集成了内部运算放大器，提供斜率和截点调整并支持控制器应用。 特征• ±1 dB检测精度：3.9 GHz• 输入动态范围： -50至+10 dBm• 数字可编程集成带宽• 独立的RF信号波形及波峰因数• +5V工作温度范围：-40℃至+85℃• 出色的温度稳定性• 关断模式• 24引脚4x4mm SMT封装： 16mm²HMC1010LP4E非常适合：•对数–均方根（RMS）转换•接收信号强度指示（RSSI）•发射机信号强度指示（TSSI）•射频功率放大器效率控制•接收器自动增益控制•发射机功率控制兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业电子元器件供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波芯片。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，我们提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。如有产品型号的需求，可直接联系我们。
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2025/10/20 14:47:01
MW7IC2020NT1宽带集成电路采用片上匹配设计，可在1805至2170 MHz范围内使用。这种多级结构的额定工作电压为26至32伏，涵盖了所有典型的蜂窝基站调制格式。特征•以串联等效大信号阻抗参数和共源S参数为特征•片上匹配（50欧姆输入，直流阻断）•具有启用/禁用功能的集成静态电流温度补偿•集成ESD保护•符合RoHS标准•磁带和卷轴。T1后缀=1000个单位，16毫米磁带宽度，13英寸卷轴。引脚配置兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业电子元器件供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波芯片。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，我们提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。如有产品型号的需求，可直接联系我们。
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2025/10/20 14:43:13
FM16W08是一个8K x 8的非易失性存储器，读写类似于标准SRAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失的，这意味着在断电后数据会被保留。它提供了超过151年的数据保留，同时消除了电池支持SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速的写入时间和高写入耐久性使F-RAM优于其他类型的存储器。FM16W08的操作与其他RAM设备的操作类似，因此，它可以作为系统中标准SRAM的直接替代品。最小读写周期时间相等。由于其独特的铁电存储工艺，F-RAM存储器是非易失性的。这些特性使FM16W08成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。该器件采用28针SOIC表面安装封装。设备规格在工业范围内得到保证温度范围-40°C至+85°C。特征64Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑结构为8K×8高耐久性100万亿（1014）读/写NoDelay™写入高可靠性铁电工艺SRAM和EEPROM兼容行业标准8K×8 SRAM和EEPROM引脚70-ns访问时间，130ns循环时间优于电池支持的SRAM模块无电池问题单片可靠性真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤卓越的防潮、防震和防震性能抗负电压下冲低功耗有效电流12mA（最大）待机电流20 μA (typ)宽电压操作：VDD=2.7 V至5.5 V工业温度：-40℃到+85℃28针小外形集成电路（SOIC）封装符合有害物质限制（RoHS）标准兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业电子元器件供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波芯片。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，我们提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。如有产品型号的需求，可直接联系我们。
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2025/10/20 14:15:05
BAS316-Q是一款高速开关二极管，封装在小型SOD323（SC-76）表面安装器件（SMD）塑料封装中。特征•高切换速度：trr≤4ns•低电容•低漏电流•反向电压：VR≤100V•重复峰值反向电压：VRRM≤100 V•小型SMD塑料封装•符合AEC-Q101标准，建议用于汽车应用应用•高速切换•通用开关引脚配置兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业电子元器件供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波芯片。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，我们提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。如有产品型号的需求，可直接联系我们。
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2025/10/20 14:08:40
74HC595D是一款采用硅栅极C 2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器。它实现了类似于等效LSTTL的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。74HC595D包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为8位存储寄存器供电。换档操作在SCK输入正向转换时完成。输出寄存器在RCK输入的正向转换时加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号是独立的，因此在换档操作期间可以保持并联输出稳定。而且，由于并行输出是3态的，因此可以直接连接到8位总线。该寄存器可用于串行到并行转换、数据接收器等。所有输入都配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。功能说明8位移位寄存器/锁存器（3态）引脚图兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业电子元器件供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波芯片。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，我们提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。如有产品型号的需求，可直接联系我们。
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2025/10/20 14:02:26
PRTR5V0U2X采用小型SOT143B表面安装器件（SMD）塑料封装的超低电容轨对轨静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护两条高速数据线或高频信号线免受ESD和其他瞬态造成的损坏。PRTR5V0U2X集成了两对超低电容轨对轨二极管以及一个额外的ESD保护二极管，即使没有电源电压，也能确保信号线保护。特征和优点•两条高速数据线或高频信号线的ESD保护•超低输入/输出对地电容：C（I/O GND）=1 pF•ESD保护高达8 kV•IEC 61000-4-2，4级（ESD）•由于集成了额外的ESD保护二极管，箝位电压非常低•反向电流极低•小型SMD塑料封装常见应用•USB 2.0端口•数字视频接口（DVI）/高清多媒体接口（HDMI）接口•移动电话和无绳电话•个人数字助理（PDA）•数码相机•广域网（WAN）/局域网（LAN）系统•PC、笔记本电脑、打印机和其他PC外围设备
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2025/10/20 13:47:44
Mini-Circuits的ZSW2-272VHDR+是50Ω 高功率SPDT RF开关覆盖从30到2700MHz的宽频率范围、低插入损耗和非常高的线性。ZSW2-272VHDR+在+2.3V至+3.6V的单电源电压下工作，采用单引脚控制。ZSW2-272VHDR+采用坚固的封装，既有带散热器（2.025英寸x 1.63英寸x 1.89英寸）的，也有不带散热器（2.0英寸x 1.5英寸x 0.6英寸）的。特征•高功率20W•低损耗，0.35至1 GHz•高线性，IP3+85dBm@850兆赫应用•实验室•仪器仪表•自动测试设备（ATE）•基站•防御
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2025/10/17 14:25:07
MAV-11SM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个塑料模制的包装中。MAV-11SM+采用达林顿配置，并采用硅技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTBF为500年。特征•宽带，0.05至1GHz•高输出功率，典型值高达+17.5 dBm。•低噪音，典型值为3.6 dB。•可水洗应用•UHF电视•蜂窝•国防通信•UHF/VHF接收器/发射器
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2025/10/17 14:21:48
DAT-15R5A+系列50Ω 数字步进衰减器以0.5dB的步长提供0至15.5dB的可调衰减。该控制器是一个5位串行接口，衰减器在双（正和负）电源电压下工作。DAT-15R5A-SN+是在硅上使用CMOS工艺生产的，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特征•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•快速开关控制频率，典型值高达1 MHz。•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路
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2025/10/17 14:13:11
DAT-15R5A-PN+是一款50W射频数字步进衰减器，衰减范围为15.5 dB，步长为0.5 dB。该控制器是一个5位并行接口，在双电源电压（正负）下运行。DAT-15R5A-PN+采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特征•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•并行控制接口•快速开关控制频率，典型值高达1 MHz。•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路
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2025/10/17 14:10:48