Si5332是一款高性能、低抖动的时钟发生器，能够合成多达12个用户可编程的时钟频率，最高可达333.33 MHz。该设备支持使用外部或嵌入式晶体进行自由运行操作，或者可以锁定到外部时钟信号。输出驱动器最多支持12个差分时钟或24个LVCMOS时钟，或两者的组合。输出驱动器可配置为支持常见的信号格式，如LVPECL、LVDS、HCSL和LVCMOS。VDDO引脚具有通用性，可以设置为3.3V、2.5V、1.8V或1.5V（仅限CMOS），为多格式输出驱动器供电。核心电压源（VDD）接受3.3V、2.5V或1.8V，并且独立于输出电源（VDDOx）。Si5332使用其两级合成架构和获得专利的高分辨率低抖动MultiSynth技术，可以从单个设备生成整个时钟树。Si5332将宽带PLL与下一代MultiSynth技术相结合，提供业界最高输出计数的高性能可编程时钟发生器，抖动性能低于200 fs RMS。PLL锁定到外部16-50 MHz晶体或嵌入式50 MHz晶体，用于生成自由运行时钟，或锁定到外部时钟（CLKIN_2/CLKIN_2#或CLKIN_3/CLKIN_3#），用于生成同步时钟。在自由运行模式下，振荡器频率乘以PLL，然后由整数分频器或MultiSynth分频以进行分数合成。Si5332具有用户定义的通用硬件输入引脚，可以在ClockBuilder Pro软件实用程序中配置。通用硬件引脚可用于OE、扩频启用、输入时钟选择、输出频率选择或I²C地址选择。该设备提供在其非易失性存储器（NVM）中存储用户定义的时钟配置的选项，这将成为通电时的默认时钟配置。为了启用系统内编程，可以通过OTP提供加电模式，该模式以OTP定义的默认模式为芯片加电，但不启用输出。这允许主处理器首先写入用户定义的寄存器子集，然后重新启动加电序列以激活新编程的配置，而无需重新下载OTP。
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2026/6/1 14:24:05
OLF300适用于将晶体管晶体管逻辑（TTL）连接到低功率肖特基晶体管逻辑（LSTTL）、TTL或互补金属氧化物半导体（CMOS），以及宽带模拟应用。每个OLF300都有一个发光二极管和一个集成的光电二极管晶体管检测器，安装并耦合在一个定制的8针密封扁平封装中，在输入和输出之间提供1000 Vdc的电气隔离。与标准光电晶体管相比，集成光电二极管晶体管通过降低基极到集电极的电容，将开关速度提高了几个数量级。内部屏蔽提供了出色的共模抗扰性能。具备的特征•密封SMT封装•电气参数保证在-55°C至+125°C的环境温度范围内•1000 Vdc电气隔离•高速，典型速度为1 Mbit/s•开路集电极输出•300KHz带宽•类似于6N135/136、4N55•耐辐射•提供100%高分辨率筛查OLF300结构图
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2026/6/1 14:19:17
HMC613LC4B是一款连续检测对数视频放大器（SDLVA），工作频率为0.1至20 GHz。HMC613LC4B的记录范围为59 dB。该器件提供4/18ns的典型快速上升/下降时间和14ns的优越延迟时间。HMC613LC4B日志视频输出斜率通常为14 mV/dB。最大恢复时间小于30 ns。HMC613LC4B采用高度紧凑的4x4 mm SMT陶瓷封装，是高速信道化接收器应用的理想选择。具备的特征宽输入带宽；0.1至20 GHz高记录范围：18 GHz时为59 dB（-54至+5）输出频率平坦度：±1.5 dB对数线性度：±1 dB快速上升/下降时间：4/18ns恢复时间：26纳秒单正电源：+3.3V空间级包装可用24引脚4x4mm SMT封装：16mm2HMC613LC4B非常适合：•电子战、电子情报和瞬时测频接收机•测向雷达系统•ECM系统•宽带测试和测量•功率测量和控制电路•军事和航天应用功能图
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2026/5/29 11:35:41
HMC-C026是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在2至20 GHz之间。放大器在1 dB增益压缩下提供31 dB增益、2.5 dB噪声系数、+30 dBm输出IP3和高达+26 dBm的输出功率。宽带放大器输入/输出在内部匹配到50欧姆，并且是直流阻断的，使HMC-C026成为电子战、ECM雷达和测试设备应用的理想选择。集成电压调节器允许对负极和正极电源引脚进行灵活的偏置，而内部偏置排序电路确保了稳健的运行。具备的特征增益：31 dB @ 6 GHzP1dB输出功率：+26 dBm @ 6 GHz噪声系数：2.5 dB @ 8 GHz无杂散操作受控供应与偏压排序全密封模块现场可更换的SMA连接器工作温度范围：-55°C至+85°CHMC-C026宽带PA适用于：•电信基础设施•微波无线电和VSAT•军事和航天•测试仪器•光纤HMC-C026功率放大器功能图
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2026/5/29 11:29:01
HMC-C004是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在10 MHz至20 GHz之间。自偏置放大器提供15dB的增益、3-4dB的噪声系数和+24dBm的饱和输出功率，同时需要单个+12V电源。增益平坦度在±0.5 dB时表现出色，与0.01至10 GHz的线性相位偏差为±2度，使HMC-C004成为OC192光纤LN/MZ调制器驱动器应用的理想选择。宽带放大器的输入/输出在内部与50欧姆相匹配，并且在内部被直流阻断。具备的特征增益：15dB饱和输出功率：+24 dBm50欧姆匹配输入/输出受监管的供应和偏差排序密封模块现场可更换SMA连接器工作温度-55至+85˚CHMC-C004宽带驱动器非常适合：•OC192 LN/MZ调制器驱动器•电信基础设施•微波无线电和甚小孔径终端•军事与航天•测试仪器HMC-C004功能图
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2026/5/29 11:24:49
CAT28F512是一款高速64K x 8位电可擦除和可重编程闪存，非常适合需要系统内或售后代码更新的应用。完整存储器内容的电擦除通常在0.5秒内实现。它的引脚和读取时序与标准EPROM和EEPROM设备兼容。编程和擦除是通过操作和验证算法执行的。使用两个写周期方案通过I/O总线输入指令。地址和数据被锁存，以在写入操作期间释放I/O总线和地址总线。CAT28F512采用Catalyst先进的CMOS浮栅技术制造。它的设计可承受100000次编程/擦除周期，数据保留期为10年。该器件有JEDEC批准的32针塑料DIP、32针PLCC或32针TSOP封装。特性快速读取访问时间：90/120/150ns低功耗CMOS功耗：有源：最大30mA（CMOS/TTL电平）待机：最大1mA（TTL电平）待机：最大100µA（CMOS电平）高速编程：每字节约10µs~1秒典型芯片程序12.0V±5%编程和擦除电压电子签名商业、工业和汽车温度范围程序/擦除停止定时器片上地址和数据锁存JEDEC标准引脚：32针DIP32针PLCC32针TSOP（8 x 20）100000个程序/擦除周期10年数据保留程序验证模式执行编程验证周期，以确保在每个字节编程操作后所有位都已正确编程。特定地址已经从刚刚完成的写入周期中锁存，并保持锁存状态，直到验证完成。通过将C0H写入命令寄存器来启动程序验证操作。内部参考产生必要的高电压，这样用户就不需要修改VCC。
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2026/5/29 11:12:54
CMD244是宽带GaAs MMIC分布式放大器芯片，工作频率从DC到24GHz。放大器提供18dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+25dBm，10GHz时的噪声系数为2.5dB。CMD244采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD244提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。这种放大器是高成本混合放大器的完美替代品。具备特点•超宽带性能•正增益斜率•高输出功率•低噪音系数•封装尺寸小CMD244的背面是RF接地。芯片连接应使用导电和导热环氧树脂或共晶连接完成。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
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2026/5/28 16:34:25
CMD249是宽带GaAs MMIC分布式功率放大器芯片，工作频率从DC到20 GHz。放大器在10 GHz下提供大于12 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+30 dBm，输出IP3为38 dBm。CMD249采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD249提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。主要特点•超宽带性能•高线性•高输出功率•出色的回波损耗•封装尺寸小装配指南：CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100um，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 16:06:55
CMD304是一款超宽带砷化镓（GaAs）微波集成电路（MMIC）分布式驱动放大器芯片，工作频率范围为直流至67吉赫兹（GHz）。该放大器在30吉赫兹时提供9.5分贝（dB）的增益，相应的噪声系数为3分贝，输出1分贝压缩点为+11分贝毫瓦（dBm）。CMD304采用50欧姆匹配设计，无需射频（RF）端口匹配。主要特点超宽带性能平坦增益响应低噪声系数低功耗封装尺寸：1350um x1150um 装配指南CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 15:58:58
Qorvo的QPA1027是一款封装的高功率s波段放大器，采用Qorvo生产的0.25 um GaN-on-SiC高压工艺（QGaN25HV）制造。QPA1027覆盖2.8-3.5 GHz，提供60 W的饱和输出功率和22 dB的大信号增益，同时实现55%的功率附加效率。QPA1027封装在带有铜桨的塑料包覆成型QFN中，易于操作，具有良好的热性能。因此，QPA1027具有偏置灵活性，允许用户改变电压以实现最佳系统性能，同时保持高可靠性。QPA1027与50欧姆相匹配，两个I/O端口上都有集成的直流阻断帽。QPA1027具有高性能、良好的热特性以及易于处理和系统集成的特点，是雷达和卫星通信系统的理想选择。无铅，符合RoHS标准。主要特点频率范围：2.8-3.5 GHzPSAT（PIN=26 dBm）：48 dBmPAE（PIN=26 dBm）：55%小信号增益：>31dB偏置：脉冲VD=50 V，IDQ=300 mA，VG=-2.7 V典型值。封装尺寸：6.0 x 6.0 x 0.85毫米主要应用S波段雷达卫星通信可焊性符合最新版J-STD-020标准，无铅焊料，260°C。请勿将封装盖暴露在> 280°C的温度下
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2026/5/28 15:53:37
Qorvo的QPA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。QPA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50Ω，包括集成隔直电容器和RF扼流圈。QPA2962采用5 x 5 mm气腔层压封装，为设计人员提供了一种方便的SMT兼容器件，在减小尺寸和成本的同时，提供了宽带功率、增益和效率的宝贵组合。QPA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。QPA2962无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2-20GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dBm•小信号增益：19 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：5.0 x 5.0 x 1.455毫米应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备
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2026/5/28 15:47:39
Qorvo的QPA1011D是一款X波段高功率MMIC放大器，采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。QPA1011D的工作频率为7.9-11 GHz，通常提供25 W的饱和输出功率，功率附加效率为37%，大信号增益为20 dB。宽带性能的这种组合提供了设计者所寻求的灵活性，以提高系统性能，同时减小尺寸和成本。QPA1011D还可以支持各种操作条件，以最好地支持系统要求。凭借良好的热性能，它可以支持一系列偏置电压，并且在CW和脉冲操作下都表现良好。QPA1011D与50Ω匹配，两个RF I/O端口上都集成了隔直电容器，简化了系统集成。宽带性能和操作灵活性使其能够支持卫星通信和数据链路，以及军事和商业雷达系统。QPA1011D在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。特征频率范围：7.9-11 GHz输出：PIN=25 dBm时为45 dBmPAE:25 dBm时为37%大信号增益：PIN=25 dBm时为20 dB小信号增益：26 dB集成功率检测器偏压：VD=24 V，IDQ=1200 mA，VG=−2.0 V典型值脉冲VD：脉宽=100µS，直流=10%芯片尺寸：2.75 x 3.12 x 0.10毫米应用卫星通信数据链接军用和商用雷达脉冲操作评估板（EVB）布局组件注：PCB是多层的1.所有4种金属厚度均为0.5盎司2.上芯1为罗杰斯4003C，厚度为8密耳3.下芯2为370HR，6密耳厚4.Pre-Preg是一种环氧涂层玻璃纤维布5.成品PCB总厚度为25±3密耳6.该EVB使用铜制PCB，在高功耗长脉冲和/或CW条件下实现最佳热管理
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2026/5/28 15:33:24
Qorvo的QPA2211是在Qorvo 0.15um GaN-on-SiC工艺（QGaN15）上制造的Ka波段功率放大器。其工作频率为27.5至31 GHz，实现了5 W的线性功率，互调失真产物低于-25 dBc，小信号增益为24 dB。饱和输出功率大于10W，相关功率附加效率为25%。QPA2211采用10引脚15 x 15 mm螺栓固定封装，带铜底座，可实现卓越的热管理。为了简化系统集成，QPA2211与50欧姆完全匹配，两个I/O端口上都集成了直流阻断帽。QPA2211非常适合支持卫星通信和5G基础设施。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：27.5–31 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：41 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：25%•功率增益（PIN=24 dBm）：17 dB•小信号增益：24 dB•IMD3（POUT=34 dBm/音）：-25 dBc•偏压：VD=22 V，IDQ=280 mA•封装尺寸：15.2 x 15.2 x 3.5毫米•封装底座为纯铜，提供卓越的热管理应用•5G基础设施•卫星通信可焊性元件引线应手动焊接，且封装不能采用传统的回流焊工艺。建议使用免清洗焊料，以避免焊接后进行清洗。
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2026/5/28 15:25:26
Qorvo的TGA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。TGA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50个Ω,包括集成的隔直电容器和RF扼流圈。宽带功率、增益和效率的这种组合为系统设计者提供了提高系统性能的灵活性，同时减小了尺寸和成本。TGA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2 – 20 GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：>40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：>22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dB•小信号增益：20 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：3.24 x 3.24 x 0.10毫米主要应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备可焊性仅使用AuSn（80/20）焊料，且暴露于300°C以上温度的时间最长不得超过3至4分钟。
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2026/5/28 15:18:04
Qorvo的TGA2222是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖32 – 38 在GHz频段，TGA2222提供了40 dBm（10 W）的饱和输出功率和16 dB的大信号增益，同时实现了>22%的功率附加效率。TGA2222采用平衡架构，以最大限度地降低对负载变化的性能敏感性。其RF端口直流耦合到地，以获得最佳的ESD性能。TGA2222在两个RF端口上都有隔直电容器，与50欧姆相匹配。TGA2222可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：32–38 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：>40 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：>22%•功率增益（PIN=24 dBm）：>16 dB•小信号增益：>25 dB•偏压（脉冲）：VD=26 V，IDQ=640 mA•偏压（CW）：VD=24 V，IDQ=640 mA•封装尺寸：3.43 x 2.65 x 0.05毫米应用•通讯•雷达•卫星通信•EW•空间通信•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：•真空铅笔和/或真空夹头是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 15:08:05
Qorvo的TGA2622-SM是一款封装的高功率X波段放大器，采用Qorvo生产的0.25um GaN on SiC工艺制造。工作频率为9-10GHz，TGA2622-SM通常产生35W的饱和输出功率，功率附加效率大于42%，大信号增益为27.5dB。TGA2622-SM封装在一个7x7mm的气腔、基于层压板的QFN中。两个射频端口都是内部直流阻断的，并匹配到50欧姆，实现了简单的系统集成。TGA2622-SM非常适合脉冲应用，它提供了卓越的功率、PAE和增益性能，可以节省现有平台的成本，同时支持未来系统的开发。主要特点•频率范围：9-10 GHz•PSAT：45.5 dBm@PIN=18 dBm•PAE:42%@PIN=18 dBm•功率增益：27.5 dB@PIN=18 dBm•偏压：VD=28 V，IDQ=290 mA（脉冲VD：PW=100 us，DC=10%）•封装尺寸：7 x 7 x 1.64毫米应用•气象和海洋雷达
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2026/5/28 15:02:15
Qorvo的QPA1006D是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖10.7-12.7 GHzQPA1006D提供>35瓦的饱和输出功率和>17 dB的大信号增益，同时实现>39%的功率附加效率。QPA1006D射频输入端口直流接地，可实现最佳ESD性能。QPA1006D射频端口具有隔直电容器，匹配50欧姆。QPA1006D可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：10.7-12.7 GHz•PSAT（PIN=29 dBm）：>46 dBm•PAE（PIN=29 dBm）：>39%•功率增益（PIN=29 dBm）：>17 dB•小信号增益：>21.5 dB•偏压：VD=20 V，IDQ=1200 mA•封装尺寸：6.09 x 4.24 x 0.10毫米应用•卫星通信•雷达•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：• 真空吸笔和/或真空吸盘是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 14:56:48
CMD184是一个4.5 W宽带GaN MMIC功率放大器芯片，工作频率为0.5至20 GHz。放大器提供大于13 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+34.5 dBm，饱和输出功率为+36.5 dBm。CMD184采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD184提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。具备的特征•超宽带性能•高输出功率•高增益•高线性装配指南CMD184的背面是RF接地。建议使用共晶芯片连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。偏置和操作CMD184由正漏极电源、正栅极电源和负栅极电源偏置。 开启程序：1.施加栅极电压Vgg1，并将其设置为足以夹断漏极电流的电压（~-8V）2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V3.施加栅极电压Vgg2并设置为+10V4.增加Vgg1（负向减小）以实现700mA的漏极电流关闭程序：1.关断栅极电压Vgg22.关闭漏极电压Vdd3.关断栅极电压Vgg1RF功率可以在任何时候施加。
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2026/5/28 14:50:33