AD8001电流反馈型放大器具有低功耗特性，最大功耗为5.5 mA(VS = ±5 V) 而且可以采用+12 V单电源供电，同时负载电流达70 mA以上。该器件提供8引脚小型DIP和8引脚SOIC两种封装。这些特性均非常适合对尺寸和功耗有严格要求的便携式和电池供电应用。AD8001具有800 MHz的宽带宽和1200 V/µs的压摆率，因此可用于需要最高±6 V双电源和6 V至12 V单电源的许多通用型高速应用。额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。特性• 出色的视频特性(RL = 150Ω, G = +2)0.1 dB增益平坦度：100 MHz差分增益误差：0.01%差分相位误差：0.025°• 低功耗(55 mW)电源电流：5.5 mA（最大值）• 高速、快速建立–3 dB带宽：880 MHz (G = +1)–3 dB带宽：440 MHz (G = +2)压摆率：1200 V/µs0.1%建立时间：10 ns• 低失真c = 5 MHz）三阶交调截点：33 dBm（F1 = 10 MHz）SFDR：-66 dB (f = 5 MHz)• 高输出驱动70 mA输出电流最多可驱动4个后部端接负载（各为75Ω ），同时保持良好的差分增益/相位性能(0.05%/0.25°)应用A-to-D驱动程序视频线路驱动器专业相机视频切换器特效射频接收器如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/5 10:16:23
AD637是一款完整的高精度、均方根直流转换器，可计算任何复杂波形的真均方根值。 它提供集成电路均方根直流转换器性能，精度、带宽和动态范围与分立和模块式设计相当。 AD637可计算任何复杂交流（或交流加直流）输入波形的真均方根值、均方值或绝对值，并提供等效直流输出电压。 波形的真均方根值与信号功率直接相关，因此比平均整流信号更有用。 统计信号的均方根值与信号的标准差相关。引脚配置图解析如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/5 10:11:27
ADT7301 既可用于表面测温，也可用于空气测温。若用导热胶将其粘贴在物体表面，由于芯片自身功耗极低，芯片温度与表面温度之差可控制在约 0.1 °C 以内。当被测表面温度与周围空气温度不同时，应注意对芯片背面及引脚进行隔热处理，以免引入误差。芯片的地（GND）引脚是与晶圆之间热阻最低的通道，因此晶圆温度非常接近 PCB 地线的温度。务必保证 PCB 地线与被测表面之间有良好的热接触。与其他 IC 一样，ADT7301 及其连线、相关电路必须保持干燥，防止漏电和腐蚀；尤其在低温环境中，凝露更易发生。可涂覆防水漆或共形涂层加以保护。ADT7301 体积极小，可封装于密封金属探针内部，为芯片提供安全的工作环境。电源去耦建议在 VPP 与 GND 之间就近放置 0.1 µF 陶瓷电容对 ADT7301 进行电源去耦。若芯片与电源距离较远，则此去耦电容尤为重要。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/5 10:05:17
ADT7301 是一款 13 位数字温度传感器，带有一个第 14 位作为符号位。该器件在 SOT-23 和 MSOP 封装中集成了片上温度传感器、13 位 A/D 转换器、参考电路和串行接口逻辑功能。ADC 部分基于电容 DAC，采用传统的逐次逼近型转换器。器件工作电压范围为 2.7V 至 5.25V。片上温度传感器可精确测量器件周围的环境温度。ADT7301 的指定测量范围为 -40°C 至 +150°C。当温度高于 125°C 时，其工作时间不得超过 55°C 下总运行寿命的 5%。若长期在绝对最大电压和温度规格下运行，器件的结构完整性可能会开始退化。转换器详情该器件的转换时钟由内部生成，无需外部时钟，除非对串行端口进行读写操作。在正常模式下，内部时钟振荡器运行自动转换序列。在此序列中，每 1.5 秒启动一次转换。此时，器件启动模拟电路并执行温度转换，转换时间通常为 1.2ms，之后模拟电路自动关闭。当 1.5 秒计时器到期时，模拟电路再次启动，开始下一次转换。由于串行接口电路始终处于工作状态，因此最新的温度转换结果始终可在串行输出寄存器中读取。关断模式ADT7301 可通过控制寄存器进入关断模式。此时，片上振荡器关闭，直到器件退出关断模式前不再启动新的转换。向控制寄存器写入全 0 可使 ADT7301 退出关断模式。即使在关断模式下，仍可读取关断前最后一次转换的结果。在正常转换模式下，每次读写操作后，内部时钟振荡器会被重置，从而启动一次新的温度转换，结果通常在 1.2ms 后可用。类似地，当器件退出关断模式时，内部时钟振荡器启动并立即开始一次转换，结果同样在 1.2ms 后可用。每次转换结果先存储在缓冲寄存器中，只有在串行端口活动开始时，第一个 SCLK 下降沿才会将其加载到温度值寄存器中。串口活动不会干扰转换过程，每次转换都会...
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2025/12/5 9:59:25
在大面积金属-硅功率二极管中采用肖特基势垒原理，采用的结构：铬势垒金属、外延结构、氧化层钝化及金属覆盖接触。非常适合用作低压高频逆变器中的整流器、续流二极管及极性保护二极管。特点• 极低的正向压降 VF• 低功耗/高效率• 低存储电荷，多子导电• 默认塑料袋包装，每袋 500 只• 可提供编带卷盘，每盘 1500 只，订货时在型号后加“RL”后缀• 提供无铅（Pb-Free）封装版本*机械特性• 封装：环氧模压• 重量：约 1.1 克• 表面：所有外表面耐腐蚀，引脚易于焊接• 焊接引脚最高温度：260 °C，持续时间 ≤10 秒• 极性：阴极由色带标示如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/4 14:09:24
专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计，适用于计算机、打印机、办公设备、通信系统、医疗设备等对电压和静电放电（ESD）敏感的场合。其双结共阳极结构可在单一封装内保护两条独立线路，非常适合板级空间受限的设计。规格特点：SOT-23 封装，可配置为两个独立的单向保护或一个双向保护工作峰值反向电压范围：12 V标准齐纳击穿电压范围：13.3 V – 15.75 V峰值功率：300 W（8 × 20 μs 脉冲）低漏电流阻燃等级：UL 94 V-0机械特性：外壳：无空洞、传递模塑、热固性塑料封装镀层：耐腐蚀、易焊接焊接最高壳温：260 °C，持续时间 10 秒封装针对自动化板级组装优化小尺寸，适合高密度应用提供 8 mm 载带卷盘如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/4 14:03:14
Zynq®-7000系列基于Xilinx SoC架构。这些产品在单个设备中集成了功能丰富的基于ARM®Cortex™-A9的双核或单核处理系统（PS）和28 nm Xilinx可编程逻辑（PL）。ARM Cortex-A9 CPU是PS的核心，还包括片上存储器、外部存储器接口和丰富的外围连接接口。XC7Z020-2CLG484I超详细的参数信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WBCSBGA-484核心:ARM Cortex A9内核数量:2 Core最大时钟频率:766 MHzL1缓存指令存储器:2 x 32 kBL1缓存数据存储器:2 x 32 kB逻辑元件数量:85000 LE自适应逻辑模块 - ALM:13300 ALM嵌入式内存:4.9 Mbit输入/输出端数量:200 I/O最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C商标:AMD / Xilinx逻辑数组块数量——LAB:6650 LAB产品类型:SoC FPGA系列:XC7Z020单位重量:16.396 g如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/4 13:53:16
AD7616 有两种主要工作模式：硬件模式和软件模式。此外，无论是硬件模式还是软件模式，其通信接口都可以是串行或并行的。根据所选的工作模式和接口类型，某些功能可能不可用。完整功能仅在软件串行模式和软件并行模式下可用，而在硬件串行模式和硬件并行模式中功能受限。表10列出了不同工作模式下可用的功能。电源供电AD7616 拥有两个独立的电源：Vcc：为模拟电路供电Vdrive：为数字接口供电这两个电源都需要用 10μF 电容与 100nF 电容并联进行去耦。此外，这两个电源分别由两个内部 LDO 稳压器进行调节：模拟 LDO（ALDO）：典型输出电压为 1.87V，需在 REGCAP 与 REGCAPGND 引脚之间接一个 10μF 电容进行去耦。数字 LDO（DLDO）：典型输出电压为 1.89V，需在 REGCAPD 与 REGCAPDGND 引脚之间接一个 10μF 电容进行去耦。AD7616 对电源上电顺序具有鲁棒性，推荐的上电顺序为：先上电 Vdrive，再上电 Vcc。在两个电源稳定之前，保持 RESET 引脚为低电平。典型连接方式图49 显示了 AD7616 正常工作所需的典型连接方式。按照图49所示对 Vcc 和 Vdrive 进行去耦：0.1μF 小电容尽可能靠近供电引脚放置10μF 大电容与之并联按照图49及表7的描述，对参考电压和 LDO 稳压器进行去耦。模拟输入引脚需要在 VxA 与 VxAGND（同样适用于 VxB 与 VxBGND）之间接入匹配的电阻 R，以避免因阻抗不匹配而引起的模拟输入通道增益误差。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/4 13:51:49
正面反面闪存类型：SDINBDV4 - 32G采用96层3D NAND技术，数据存储密度和性能稳定性更优；SDINBDG4 - 32G用的是2D NAND，属于相对传统的闪存技术。二者完全pin to pin如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/4 13:44:08
MT25Q是一款高性能的多输入/输出串行闪存设备。它具有高速SPI兼容总线接口、就地执行（XIP）功能、高级写保护机制和扩展地址访问。创新的高性能双和四输入/输出命令可将READ和PROGRAM操作的传输带宽提高一倍或四倍。特征SPI兼容串行总线接口支持单倍和双倍传输速率（STR/DTR）时钟频率：STR模式下所有协议最高支持 133 MHzDTR模式下所有协议最高支持 90 MHz支持双通道/四通道I/O命令，吞吐量最高可达 90 MB/s支持的协议：扩展、双通道和四通道I/O，均支持STR和DTR模式支持原地执行（XIP）功能支持编程/擦除挂起操作提供易失性和非易失性配置设置支持软件复位部分型号提供额外的硬件复位引脚地址模式：支持3字节和4字节地址模式，可访问超过128Mb的存储空间专用64字节一次性可编程（OTP）区域：位于主存储区之外，可读取并可由用户锁定可通过PROGRAM OTP命令永久锁定擦除功能：支持整体擦除（Bulk Erase）支持64KB统一粒度的扇区擦除（Sector Erase）支持4KB和32KB粒度的子扇区擦除（Subsector Erase）擦除性能：64KB扇区：约 400KB/s4KB子扇区：约 80KB/s编程性能：编程速度：约 2MB/s安全性与写保护：每个64KB扇区支持易失性和非易失性锁定及软件写保护支持非易失性配置锁定支持密码保护硬件写保护：非易失性位（BP[3:0] 和 TB）定义受保护区域大小上电期间提供编程/擦除保护支持CRC校验，检测原始数据的意外更改电子签名：符合JEDEC标准的三字节签名（BA19h）扩展设备ID：额外两个字节用于识别设备的工厂选项可靠性标准：符合JESD47H标准每个扇区最少可擦写 100,000 次数据保存时间：典型值为 20年如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/4 13:34:59
ADS930 是一款采用流水线架构的高速采样模数转换器（ADC）。其全差分拓扑结构和数字误差校正技术确保了 8 位分辨率。图1展示了其采样/保持（Track/Hold）电路。开关由一个内部时钟控制，该时钟生成两个非重叠的相位信号 Φ1 和 Φ2。在采样时刻，输入信号被采样到输入电容的底板上。在接下来的时钟相位 Φ2 中，输入电容的底板被连接在一起，反馈电容被切换到运算放大器的输出端。此时，电荷在 Ct 和 Ch 之间重新分配，完成一个采样/保持周期。差分输出是一个在采样时刻对模拟输入信号的直流保持值。在正常工作模式下，互补输入端连接到共模电压。在这种情况下，采样/保持电路将单端输入信号转换为全差分信号，供量化器使用。因此，输入信号被放大两倍，从而提升了信噪比性能。该阶段还定义了小信号和满功率带宽、以及宽带噪声等其他参数。ADS930 的流水线量化器架构包含 7 个级，每一级都包含一个 2 位量化器和一个 2 位数模转换器（DAC），如图2所示。每个 2 位量化器级在子时钟（与外部输入时钟频率相同）的边沿进行转换。每个量化器的输出被送入各自的延迟线，以便与后续量化器级产生的数据在时间上对齐。这些对齐后的数据被送入数字误差校正电路，该电路可根据冗余位的信息对输出数据进行调整。该技术使 ADS930 具备出色的差分线性度，并保证在 8 位级别上无漏码。ADS930 包含一个内部参考电路，为内部各级提供偏置电压。内置电阻分压器产生一个中点电压，并通过引脚26（“CM”）输出。该电压可用于将输入偏置到推荐的共模电压，或对输入驱动电路进行电平移位。ADS930 支持单端或差分输入配置。当工作在单端模式时，应将参考中点（引脚26）连接到反相输入端（引脚24）。为了适应双极信号摆幅，ADS930 使用一个由内部参考产生的共模电压（Vcm）。由于 ADS930 内部采用对称的电阻分压器结构，...
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2025/12/4 11:57:21
ADS930是一种高速流水线模数转换器（ADC），指定在标称+3V或+5V电源下运行，容差高达10%。这个完整的转换器包括一个高带宽跟踪/保持、一个8位量化器和一个内部参考。ADS930采用数字纠错技术，为要求苛刻的成像应用提供出色的差分线性。其低失真和高信噪比为电信、视频和测试仪器应用提供了额外的余量。这种高性能ADC的性能要求为30MHz采样率。ADS930采用SSOP-28封装。特征•+3V至+5V电源操作•内部参考•单端输入范围：1V至2V•低功率：+3V时为66mW•高信噪比：46dB•低DNL:0.4LSB•SSOP-28包应用程序•电池供电设备•摄像机•便携式测试设备•计算机扫描仪•通信如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/4 11:18:08
LTC4081 电池充电器采用内部 P 沟道功率 MOSFET（MP1），以恒流/恒压（CC/CV）算法充电，电流可编程。最大充电电流可设至 500 mA，最终浮充电压 4.2 V ±0.5%。CHRG 开漏状态输出在电流降至 C/10（全标度 10%）时翻转。无需阻塞二极管或外部检流电阻，最少仅需 2 颗外部元件即可工作。内置 4.5 h（典型）充电终止定时器，符合电池厂安全规范。可直接由 USB 电源供电。充电周期启动条件：VCC 电压 3.6 V，且比 BAT 引脚高 ≈ 82 mV；PROG 引脚对地接 1% 精度设定电阻；EN_CHRG 引脚被拉低（低于关机阈值 V_IL）。当 BAT 电压接近 4.2 V 时，芯片转入恒压模式，电流逐渐减小；当电流降至全标度 10% 时，内部比较器关断 CHRG 引脚的 N 沟道驱动管，CHRG 变为高阻。若芯片温度试图升至 ≈115°C，内部热限制电路会自动降低已设定的充电电流，保护 LTC4081 及外部元件，并允许用户按“典型”而非“最差”环境温度设定电流，无需担心极端条件。内部定时器设定总充电时间 t_TIMER（典型 4.5 h）。时间一到，无论是否已降至 C/10，充电均被终止，CHRG 引脚变为高阻。要重启充电，可：掉电后重新上电，或将 EN_CHRG 引脚瞬时拉高至 V_IH 以上。若 BAT 电压随后降至 V_RECHRG（典型 4.1 V）以下，芯片会自动开始新的充电周期。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/3 13:19:24
LTC4081 是一款用于给单节 4.2V 锂离子 / 锂聚合物电池充电的完整恒定电流 / 恒定电压线性电池充电器，其具有一个集成型 300mA 同步降压转换器。3mm x 3mm DFN 封装和低外部组件数目使得 LTC4081 特别适合于便携式应用。而且，LTC4081 还是专门为在 USB 电源规范内工作而设计的。当充电电流降至其编程值的 10% (C/10) 时，CHRG 引脚将发出指示信号。一个内部 4.5 小时定时器负责终止充电周期。此外，全功能 LTC4081 电池充电器还包括涓流充电、自动再充电和软起动功能 (以限制浪涌电流) 以及一个用于监视电池温度的 NTC 热敏电阻输入。LTC4081 集成了一个由 BAT 引脚供电的同步降压型转换器。其具有一个可调输出电压，并能够提供高达 300mA 的负载电流。另外，该降压型转换器还拥有低电流高效率突发模式操作功能，可由 MODE 引脚来选择。采用 10 引脚、扁平 (仅高 0.75mm) 3mm x 3mm DFN 封装。特征电池充电器：• 恒定电流 / 恒定电压操作和热反馈功能使充电速率最大化并且无过热风险• 用于充电终止的内部 4.5 小时安全定时器• 5% 准确度的可编程充电电流高达 500mA• NTC 热敏电阻输入以实现适宜温度充电• C/10 充电电流检测输出• 停机模式中的电源电流为 5µA开关稳压器：• 高效率同步降压型转换器• 300mA 输出电流 (恒定频率模式)• 2.7V 至 4.5V 输入范围 (从 BAT 引脚受电)• 0.8V 至 VBAT 输出范围• MODE 引脚可选择固定 (2.25MHz) 恒定频率 PWM 模式或低 ICC (23µA) 突发模式 (Burst Mode®) 操作• 停机模式中的 BAT 电流为 2µA• 10 引脚、...
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2025/12/3 13:12:30
AD7819 的并行端口支持与多种微控制器连接。本节说明如何将其与几种常见 MCU 的并行接口协议对接。AD7819 ↔ 8051图 16 给出 AD7819 与 8051 的并行连接。转换开始时，AD7819 的 BUSY 信号向 8051 发出中断请求。8051 的 P0 口用作低 8 位地址/数据总线（双向）。ALE 信号锁存低字节地址；高字节地址由 P2 口提供，且在访问期间保持稳定，无需像 P0 那样来回切换方向。（图 16 中省略了部分引脚，仅保留 DB0–DB7、ALE、RD、INT、BUSY 及地址译码相关信号。）AD7819 ↔ PIC16C6x/7x图 17 给出 AD7819 与 PIC16C64/65/74 的并行连接。同样用 BUSY 作为中断请求。只有 PIC16C64/65/74 带“并行从端口（PSP）”。将 TRISE 寄存器的 PSPMODE 置 1 后，PORTD 变为 8 位 PSP：– RE0 自动成为 RD 输出– RE2 自动成为 CS 输出对应的数据方向位须清 0（设为输出）。AD7819 ↔ ADSP-21xx图 18 给出 AD7819 与 ADSP-21xx 系列 DSP 的并行连接。BUSY 仍作为转换开始的中断请求，接到 DSP 的 IRQ 引脚。DSP 的地址总线 A13–A0 经地址译码与 DMS 信号共同产生片选 CS。数据总线 D7–D0 直接与 AD7819 的 DB7–DB0 相连。（图 18 中同样省略了无关引脚，仅保留数据、地址、CS、RD 及中断信号。）如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/3 11:49:30
AD7819是一款高速、微处理器兼容型、8位模数转换器（ADC），最大吞吐量为200 kSPS。该转换器采用+2.7 V至+5.5 V单电源供电，内置4.5 微秒（µs）逐次逼近型模数转换器、采样保持电路、片内时钟振荡器和8位宽并行接口。利用该并行接口，可方便地与微处理器和DSP进行接口。AD7819仅使用地址解码逻辑，因此很容易实现到微处理器地址空间的映射。在省电模式下工作时，AD7819会在一次转换结束时自动关断，并在新转换开始时自动上电。当吞吐量较低时，此特性可显著降低器件的功耗。AD7819也可在高速模式下工作，此时该器件在两次转换之间不关断。在这种模式下工作时，该器件能提供200 kSPS吞吐量。AD7819提供三种封装：16引脚、0.3英寸宽、小型塑料双列直插式封装（DIP）；16引脚、0.15英寸宽、窄体小形集成封装（SOIC）；以及16引脚、窄体、超薄紧缩小型封装（TSSOP）。主要特性8 位 ADC，转换时间 4.5 µs片内采样保持（Track-and-Hold）供电范围：2.7 V 至 5.5 V2.7 V–3.6 V 与 5 V ±10% 全范围保证规格8 位并行接口，支持 8 位读操作功耗表现正常工作：10.5 mW（@ VDD = 3 V）自动掉电：57.75 µW（@ 1 kSPS，VDD = 3 V）模拟输入输入范围：0 V 至 VREF参考电压输入范围：1.2 V 至 VDD如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/3 11:41:54
LT6654小型精准电压基准系列旁路和负载电容器LT6654 电压基准的输入端应使用 0.1 μF 或更大的旁路电容；不过，如果附近其他器件已有足够的旁路，也可省略。在高电压应用（Vin 30 V）中，输出对地短路可能在输入端产生瞬态过压，超过最大额定值。为防止这种极端情况，建议在输入端加一组 RC 线滤波器，时间常数约 10 μs（例如 10 Ω 串联 1 μF）。芯片输出端也必须接电容以保证稳定。多数应用的最佳值为 1 μF，更大容值亦可，但会影响输出达到终值的启动与稳定时间。图 1 给出 LT6654-2.5 在 0.1 μF 输入旁路、1 μF 负载电容时的启动波形；图 2 为相同条件下，Vin 发生 0.5 V 阶跃时的输出瞬态响应。图 3 测试电路用于在不同负载电流下测量稳定性。当 RL = 1 kΩ 时，1 V 阶跃对应 1 mA 电流阶跃。图 4 显示 ±0.5 mA 负载跳变响应；图 5 为 4 mA→5 mA 源电流跳变；图 6 为 4 mA→5 mA 吸电流跳变。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/3 11:37:13
LT6654 是一个小型精准电压基准系列，可提供高准确度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。LT6654 能在高达 36V 的电压条件下运作，并全面规格在 –55ºC 至 125ºC。一个缓冲输出确保了 ±10mA 的输出驱动 (在低输出阻抗条件下) 和精准的负载调节性能。由于兼具上述的诸多特点，因而使 LT6654 非常适合于便携式设备、工业检测和控制以及汽车应用。LT6654 在设计时运用了先进的制造技术和曲率补偿，旨在提供 10ppm/°C 的温度漂移和 0.05% 的初始准确度。低的热迟滞确保了高准确度，而 1.6ppmP-P 的低噪声则较大限度地降低了测量的不确定性。由于 LT6654 还能够吸收电流，因此可以充当一个低功率负电压基准，其精准度与正基准相同。LT6654 基准采用 6 引脚 SOT-23 封装和和 8 引脚 LS8 封装。 LS8 是一个 5mm x 5mm 表面贴装严密封装，可提供出色的稳定性。特征• 低漂移：• A 级：10ppm/°C (最大值)• B 级：20ppm/°C (最大值)• 高准确度：• A 级：±0.05% (最大值)• B 级：±0.10% (最大值)• 低噪声：1.6ppmP-P (0.1Hz 至 10Hz)• 宽电源范围至 36V• 低的热迟滞: LS8 15ppm (–40°C 至 125°C)• 长期漂移: (LS8) 15ppm/√kHr• 电压调整率 (高达 36V)：5ppm/V (最大值)• 低压差电压：100mV (最大值)• 吸收电流和供应电流：±10mA• 负载调整率 (在 10mA 时)：8ppm/mA (最大值)• 全面规格在 –55ºC至 125ºC• 可提供的输出电压选...
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2025/12/3 11:25:43