HMC370LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器，采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在5V电源电压下，功率输出为0 dBm（典型值）且相对输入功率、温度和电源电压变化很小。 相对于输入信号电平，无用基波和次谐波抑制大于22 dBc（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。 HMC370LP4(E)非常适合LO倍频器链路，与传统方法相比可以减少器件数量。应用点对点和VSAT无线电光纤产品军事
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2023/3/27 10:42:33
HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技术的有源微型x2倍频器，提供3x3 mm无引脚QFN表贴封装。 功率输出为+4 dBm（典型值），单电源电压为+5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制为30 dBc（典型值）。100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC369LP3(E)非常适合在LO倍频器链路中使用，与传统方法相比可以减少器件数量。 HMC369LP3(E)还用于OC-192时钟恢复。 输入端应用10 GBPS数据可在输出端产生-7 dBm时钟音，杂散信号抑制为25 dB。应用OC-192时钟恢复微波无线电和VSAT军用无线电、雷达和ECM测试仪器仪表
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2023/3/27 10:41:30
HMC579裸片是一款x2有源宽带倍频器，采用GaAs PHEMT技术。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器提供+13 dBm的典型输出功率，在32至46 GHz的频率下工作。 在38 GHz频率下，Fo隔离为25 dBc。 HMC579非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-127 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 应用 时钟生成应用： SONET OC-192 & SDH STM-64 点对点和VSAT无线电 测试仪器仪表 军事电子战/雷达 太空
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2023/3/27 10:40:10
HMC576LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下，Fo和3Fo隔离大于20 dBc。HMC576LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC576LC3B采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
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2023/3/27 10:39:17
THMC576是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。应用时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事电子战/雷达太空
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2023/3/27 10:38:20
HMC573LC3B是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs PHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+5 dBm信号驱动时，该倍频器提供+12 dBm的典型输出功率，在8至22 GHz的频率下工作。 在16 GHz的频率下，Fo和3Fo隔离分别为20 dBc和25 dBc。 HMC573LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-134 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 采用RoHS封装的HMC573LC3B无需线焊，允许使用表面贴装制造技术。 应用 时钟生成应用： SONET OC-192 & SDH STM-64 点对点和VSAT无线电 测试仪器仪表 军事和太空
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2023/3/27 10:37:22
HMC561LP3(E)是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+5 dBm信号驱动时，该倍频器在8至21 GHz范围内提供+14 dBm的典型输出功率，在16 GHz频率下，Fo和3Fo隔离均为15 dBc。 HMC561LP3(E)非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-139 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC561LP3(E)采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用表贴制造技术。Applications时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64;点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
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2023/3/27 10:36:36
HMC561是一款采用GaAs pHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+5 dBm信号驱动时，该倍频器在8至21 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率，在16 GHz频率下，Fo和3Fo隔离均为15 dBc。 HMC561非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-139 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。应用时钟生成应用： SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
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2023/3/27 10:35:42
HMC-XDB112是一款单芯片无源倍频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)技术，适用于低频率倍频比直接生成高频率更加经济的大规模应用。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，HBT器件已完全钝化以实现可靠操作。HMC-XDB112无源倍频器MMIC可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。应用点对点无线电VSAT测试仪器仪表军事和太空时钟发生
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2023/3/27 10:34:46
HMC598是一款x2有源宽带倍频器芯片，采用GaAs PHEMT技术。 由+5 dBm信号驱动时，倍频器提供+15 dBm典型输出功率（22 GHz至46 GHz），30 GHz时的Fo和3Fo隔离分别为25 dBc和15 dBc。 HMC598非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频器链中使用，与传统设计方案相比，可以减少器件数量。Applications时钟生成应用：OC-768与SDM STM-256点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
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2023/3/27 10:33:42
HMC-XTB110是一款单芯片x3无源倍频器，采用GaAs肖特基二极管技术，具有低转换损耗和高度Fo隔离。 这款宽带x3倍频器无需直流电源，适用于低频率的3倍频率比直接生成高频率更加经济的大规模应用。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-XTB110无源x3 MMIC可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。应用E波段通信系统短程/高容量无线电汽车雷达测试和测量设备卫星通信
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2023/3/27 10:32:40
HMC942LP4E是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs pHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 Fo和3Fo隔离大于20 dBc（19 GHz）。 HMC942LP4E适合用于点对点和VSAT无线电的LO倍频链，相比传统方案可实现更少的器件数。应用时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空传感器
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2023/3/27 10:31:58
HMC1110是一款采用GaAs pHEMT技术制造而成的x6有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在71至86 GHz范围内提供+13 dBm的典型输出功率。 相对于输出信号电平，5Fo和7Fo谐波隔离分别为+25 dBc和+40dBc。 HMC1110非常适合用于点对点和VSAT无线电应用的LO倍频链，与使用分立式元件的传统方法相比，通过集成输入和输出放大器减少了器件数量。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。应用点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空传感器
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2023/3/27 10:31:05
ADAR2001是一款发送器IC，针对毫米波人体扫描应用进行了优化。ADAR2001接受2.5 GHz至10 GHz之间的单端连续波(CW)输入信号，提供增益、4×倍频、谐波滤波、1:4信号分离和四个可独立控制的功率放大器(PA)，具有差分输出，旨在直接驱动带差分输入的偶极天线。所有器件功能和配置选项均可通过ADI公司的3线或4线串行外围设备接口(SPI)进行访问。ADAR2001还集成了两个状态机，便于简化配置，可控制和快速切换倍频器、滤波器和发送器部分。这些时序控制器通过SPI编程，然后由脉冲输入（复位和推进）操控。输出功率和芯片温度可由四个片上检测器和一个温度传感器监测，温度传感器的输出复用到一个8位ADC。ADAR2001仅需一个2.5 V电源，在打开一个通道的情况下功耗为450 mW。ADAR2001采用紧凑型、40引脚、6 mm × 6 mm LGA封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。应用毫米波成像安防医疗工业宽带本地振荡器(LO)倍频器/分配器
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2023/3/27 10:29:52
手机HD版本驱动与触控整合IC（TDDI）近日因供需吃紧意外传出涨价消息，部分IC设计企业证实，3月初以来主流市场的HD画质TDDI芯片报价已上涨一成，这是IC设计厂历经去年下半年以来修正潮后，首见报价调涨，让半导体产业景气初露曙光。据了解目前订单需求仍以急单为主，价格则由供需决定。手机应用似乎已有点变化，换机潮应会慢慢出现，相关营收将逐步回温。则预期本季适逢淡季，第2季后应可回到季节性需求，下半年终端需求值得期待。 IC设计公司指出，这次HD版本的TDDI芯片意外涨价，主要因某陆系晶圆代工厂基于利润考量，控制TDDI产能，挪去支援其他品牌大厂产品，与部分电源管理IC的生产，顿时让手机应用HD版本TDDI的供应总量减少，短期供不应求，造成意外涨价。至于其他驱动IC方面，离涨价还有点远，但「不再降价」应该是市场共识。 IC设计厂商表示，HD版本与FULL HD版本TDDI相比，前者规格虽然较低，但销售量大，应用在主流机种，后者主攻高阶市场，遭遇AMOLED相关驱动IC的取代竞争。即使HD版本价格上涨一成，也只是不亏钱，先前杀价竞争已陷入「卖一颗赔一颗」情况，也让敦泰去年营运由盈转亏，全年每股净损9.39元。 IC设计厂坦言，HD版本TDDI供不应求应会延续至4月，等5月产能供应恢复正常，价格可能回复正常，但「有订单、又涨价」总比没有好。 业界人士认为，之前因库存修正调整压力，不少IC设计厂不惜向晶圆代工厂违约，现在较难立刻获得产能支援，而只跟晶圆代工厂协商修约的业者，比较有机会吃到这两个月的「涨价红利」。此外，还要考虑各家IC设计厂库存水位，这时仓库里若有手机HD版本TDDI库存，有望多赚一些差价。对照目前HD版本TDDI供不应求与涨价现况，IC设计业者不讳言，市场变化很快...
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2023/3/27 10:25:06
ADG839是一款低压CMOS器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.6 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为1.8 V、2.5 V和3.3 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG839为先开后合式开关。ADG839采用6引脚SC70封装。
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2023/3/24 11:17:13
MAX16141为理想二极管控制器，提供系统保护，防止各种系统故障，例如反向电流、过电流、输入过压/欠压以及过热条件。3.5V至36V较宽工作电压范围与5μA (典型值)关断电流相结合，使得MAX16141成为汽车应用的理想选择。集成电荷泵将外部反向配置nFET的栅极驱动到比源连接高9V，最大程度降低源和负载之间的功率损耗。快速动作比较器允许MAX16141在输入下降到低于输出之后1μs (最大值)时间内阻塞反向电流。RS和OUT之间的外部检流电阻提供过载监测能力。OVSET和UVSET两个输入引脚使用简单的电阻分压器提供保护设置点，防止输入过压和欠压事件。启动期间，MAX16141监测外部nFET上的电压降(VIN - VOUT)，确保 VOUT高于0.9 x VIN。完成启动事件后，MAX16141即可防止系统故障。常规工作期间，有些系统会发生掉电或电源短时间中断。为确保系统在此类中断之后恢复，MAX16141包括辅助电源输入(VCC)，保证关键电路处于有效状态。当主输入电源恢复时，MAX16141在快速模式(70μs，典型值)使能栅极，为输出电容充电。附加特性包括低功耗模式(允许MAX16141为负载源出受限功率)、内部开关(帮助在关断模式下节省功耗)、故障输出(故障条件期间触发)。MAX16141采用4mm x 4mm x 0.75mm、16引脚TQFN封装，工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。应用汽车电源系统网络/电信电源系统PoE系统RAID系统服务器
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2023/3/24 11:09:00
LTC®4412HV 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412HV 的互连来实现多个电池之间的负载均分或从单个充电器来对多个电池进行充电。LTC4412HV 是 LTC4412 的一款扩展电源和温度范围版本。LTC4412HV 的宽电源工作范围支持采用 1 至 8 节串联锂离子电池来工作。低静态电流 (典型值为 11μA) 与负载电流无关。栅极驱动器包括一个用于 MOSFET 保护的内部电压箝位。当检测到一个辅助电源时，可采用 STAT 引脚来使能一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关。另外，该引脚还可用于在接入了一个辅助电源时向微控制器发出指示信号。控制 (CTL) 输入使得用户能够强制关断主 MOSFET，并将 STAT 引脚置于低电平。LTC4412HV 采用扁平 (高度仅 1mm) SOT-23 封装。
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2023/3/24 11:02:13