一、ADF41020概述ADF41020频率合成器可用于在无线接收器和发射器的上变频和下变频部分实现高达18 GHz的本地振荡器。它由低噪声数字相位频率检测器（PFD）、精密电荷泵、可编程参考分频器和高频可编程反馈分频器（a、B和P）组成。如果合成器与外部环路滤波器和压控振荡器（VCO）一起使用，则可以实现完整的锁相环（PLL）。合成器可用于通过有源环路滤波器驱动外部微波VCO。其极高的带宽意味着可以省去倍频器级，简化系统架构并降低成本。二、具备的特征18 GHz最大射频输入频率集成SiGe预分频器与ADF4106/ADF4107/ADF4108系列PLL兼容的软件2.85 V至3.15 V PLL电源可编程双模预分频器8/9、16/17、32/33、64/65可编程电荷泵电流三线串行接口数字锁检测硬件和软件断电模式4000 V HBM/1500 V CDM ESD性能三、常见的应用微波点对点/多点无线电无线基础设施甚小口径终端无线电测试设备仪器仪表
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2026/1/27 10:24:46
VCOADF4372 的 VCO 由四个独立的 VCO 内核组成：内核 A、内核 B、内核 C 和内核 D。每个内核使用 256 个重叠频带，使器件在具备较大 VCO 灵敏度（Kv）的同时，能够覆盖宽广的频率范围，且不会导致相位噪声和杂散性能恶化。每当寄存器地址 0x10 被更新且自动校准使能时，VCO 及频带选择逻辑会自动选定合适的 VCO 与频带。此时，VCO 调谐电压将与环路滤波器输出断开，转而连接至内部基准电压。R 计数器输出用作频带选择逻辑的时钟。频带选择完成后，PLL 恢复正常工作。当 N 分频器由 VCO 输出直接驱动时，Kv 的标称值为 50 MHz/V；若 N 分频器由射频输出分频器驱动，则 Kv 值需除以输出分频系数 D。随着调谐电压 VTUNE 在频带内变化以及在不同频带间切换，Kv 值亦会随之改变。对于覆盖宽频率范围（并切换输出分频器）的宽带应用，采用 50 MHz/V 的数值可获得最准确的 Kv，因为该值最接近平均值。图 33 和图 34 展示了 Kv 随 VCO 基频的变化情况，以及各频带的平均值。在进行窄带设计时，建议参考下面两张图。
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2026/1/27 10:19:50
ADPA9002功率放大器的工作原理：ADPA9002 是一款基于砷化镓（GaAs）工艺的 MMIC pHEMT 级联分布式功率放大器。其级联分布式架构采用一种基本单元，该单元由两个场效应晶体管（FET）堆叠而成，上方 FET 的源极与下方 FET 的漏极相连。该基本单元被多次复制，其中 RFIN 传输线连接下方 FET 的栅极，RFOUT 传输线连接上方 FET 的漏极。每个单元周围采用了额外的电路设计技术，以优化整体带宽、输出功率和噪声系数。这种架构的主要优点是在远超过单个基本单元所能提供的带宽范围内保持高输出电平。该架构的简化原理图如图 61 所示。为简化偏置且无需负电压轨，VGG1 可直接接地。当 VDD = 12 V 且 VGG1 接地时，产生 385 mA（典型值）的静态漏极电流。也可以选择施加外部产生的 VGG1，从而允许将静态漏极电流在 385 mA 标称值上下进行调整。例如，下图显示，通过将 VGG1 从约 –0.3 V 调整到 +0.3 V，可获得 250 mA 至 450 mA 的静态漏极电流。ADPA9002 具有单端输入和输出端口，在直流至 10 GHz 频率范围内，其阻抗标称值为 50 Ω。因此，ADPA9002 可直接插入 50 Ω 系统，无需阻抗匹配电路。同样，输入和输出阻抗对温度和电源电压的变化具有足够的稳定性，因此无需进行阻抗匹配补偿。射频输出端口还兼作 VDD 偏置端，需要连接一个射频扼流圈（RF choke）以施加直流偏置。尽管该器件可工作至直流，但建议在射频输入和输出端口使用隔直电容，以防止在加载直流偏置电源时对射频级造成损坏。射频输出端的射频扼流圈和隔直电容共同构成一个偏置 T 型接头（bias tee）。实际上，外部射频扼流圈和直流隔直电容的选择限制了最低工作频率。ACG1 至 ACG3 是用于提供交流接地端接（电容）的节点。使...
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2026/1/27 9:52:03
一、概述ADRF5046 是一款基于硅工艺的反射式单刀四掷（SP4T）开关。ADRF5046 的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，插入损耗低于 3.0 dB，隔离度高于 31 dB。该器件的射频（RF）输入功率处理能力为 27 dBm，适用于直通路径和 RFC 引脚的热切换。ADRF5046 在 +3.3 V 正电源供电时电流为 3 µA，在 –3.3 V 负电源供电时电流为 –110 µA。该器件提供互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管-晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制接口。ADRF5046 采用 20 引脚、3 mm × 3 mm、符合 RoHS 标准的栅格阵列（LGA）封装，工作温度范围为 –40°C 至 +105℃。二、具备的特征超宽带频率范围：100 MHz至44 GHz反映设计低插入损耗1.5 dB至18 GHz2.5 dB至40 GHz3.0 dB至44 GHz高隔离度46 dB至18 GHz33 dB至40 GHz31 dB至44 GHz高输入线性度P0.1dB:27.5 dBm典型值IP3:50 dBm典型值高射频输入功率处理直通路径：27 dBm热切换（RFC）：27 dBm无低频杂散0.1 dB射频稳定时间：50 ns20-端子，3mm×3mm，符合RoHS标准，LGA封装三、常见的应用工业扫描仪测试仪器蜂窝基础设施毫米波5G军用无线电、雷达和电子对抗措施（ECM）微波无线电和甚小口径终端
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2026/1/27 9:40:58
HMC6832 是一款输入可选的 2:8 差分扇出缓冲器，专为低噪声时钟分配而设计。IN_SEL 控制引脚用于选择两路差分输入中的一路，该输入随后被缓冲至全部八路差分输出。HMC6832 的低抖动输出可实现下游电路（如混频器、模数转换器(ADC)/数模转换器(DAC)或串行器/解串器(SERDES)器件）的同步低噪声切换。通过将 CONFIG 引脚拉低可配置为低压正射极耦合逻辑(LVPECL)模式，或将其拉高/悬空（内部上拉）配置为伪低压差分信号(LVDS)模式。那么它都具备哪些亮点呢？1.多种输出配置。CONFIG引脚允许用户选择LVPECL或LVDS输出端接。2.多电源电压操作。HMC6832在LVPECL终端的2.5V或3.3V下工作（仅LVDS为2.5V）。3.噪音低。HMC6832的噪声很低，通常在-168 dBc/Hz到-162 dBc/Hz之间，最高可达3000 MHz。4.低传播延迟。HMC6832显示低延迟，通常小于207ps。信道偏斜也很低，典型值为±5ps。5.铁芯电流低。HMC6832的核心电流通常为56mA。因此常常被大家应用在以下这些领域中：SONET、光纤通道、GigE时钟分布ADC/DAC时钟分布低偏斜和抖动时钟无线/有线通信电平转换高性能仪器医学影像单端到差分转换
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2026/1/27 9:33:56
问：HMC903LP3E低噪声放大器的工作原理是什么？答：HMC903LP3E 是一款基于砷化镓（GaAs）工艺的赝晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器。该放大器采用两级串联增益结构，基本电路原理如下图所示，构成一款工作频率范围为 6 GHz 至 17 GHz 的低噪声放大器，具有优异的噪声系数性能。HMC903LP3E 具有单端输入和输出端口，在 6 GHz 至 17 GHz 频率范围内，其阻抗标称值为 50 Ω。因此，它可以直接插入 50 Ω 系统中，无需阻抗匹配电路，这也意味着多个 HMC903LP3E 放大器可以背靠背级联，而无需外部匹配电路。输入和输出阻抗对温度和电源电压的变化具有足够的稳定性，因此无需进行阻抗匹配补偿。请注意，为确保稳定工作，必须为 GND 引脚和封装底部裸露焊盘提供极低电感的接地连接。为了获得 HMC903LP3E 的最佳性能并防止器件损坏，请勿超过绝对最大额定值。
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2026/1/27 9:30:56
一、概述HMC976LP3E 是一款基于 BiCMOS 工艺的超低噪声线性稳压器。其在 0.1 MHz 至 10 MHz 频段内具有极高的电源抑制比（PSRR），可有效抑制前级开关稳压器或其他电源产生的噪声。该稳压器的输出电压非常适合用于频率生成子系统，包括 Hittite 公司广泛的集成 VCO 的 PLL 系列产品。输出电压可通过外接一只电阻调至低于默认值；若将 HV 引脚接地，则输出可设定为 5 V。芯片支持通过 TTL 兼容的使能输入端进行关断。HMC976LP3E 采用 3 mm × 3 mm 的 QFN 表面贴装封装。二、具备的特征高输出电流：400mA低压差：400mA输出时为300mV，VR3V超低噪声：10 kHz时为3nV/√Hz，1 kHz时为6nV/√于Hz高电源抑制比（PSRR）：1 kHz时-60 dB，1 MHz时-30 dB可调电压输出：VR 1.8至5V，400mA设计用于低ESR陶瓷电容器低功耗电流：1µA热防护16引脚3x3mm SMT封装：9mm²三、常见的应用•测试仪器•军用无线电、雷达和ECM•基站基础设施•超低噪声频率生成•分数-N合成器电源•微波VCO电源•混合信号电路电源•低噪声基带电路电源四、功能图
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2026/1/27 9:22:21
使用功率检波器实现的功率测量精度，不仅取决于检波器芯片本身的性能，还取决于对直流输出信号的解读/估算方法。这一点可通过下图来理解。对射频信号进行精确功率电平测量的系统，从概念上可看作由两部分组成：高精度功率检波器（如 LTC5596），将射频信号功率转换为直流电压或电流；解读器（亦称估算器），将检波器的直流输出还原为功率电平。在图 8 中，PMEAS 表示系统测得的功率电平（即系统认为输入端存在的功率），PACT 表示检波器输入端实际存在的功率电平。功率测量误差即二者之差：PERR = PMEAS – PACT。解读器对检波器的工作条件及传输特性了解得越充分，可实现的测量误差就越小。例如，解读器可假设检波器响应在 dB 域完全线性，即输入功率与输出电压呈直线关系：VOUT = SLOPE • (PMEAS – PINTERCEPT)由此产生的功率测量误差等于：LOG-线性误差 = VOUT/SLOPE + PINTERCEPT – PACT参数 SLOPE 与 PINTERCEPT，即对数斜率与对数截距，最好通过实际检波器响应，在合适的功率范围内（检波器响应接近线性段）进行线性回归获得。若针对以下条件分别确定 SLOPE 与 PINTERCEPT，可获得更高/更小的误差：每颗检波器芯片单独校准每个工作温度点每个工作频点为实现最佳精度，建议对每颗器件单独测定 SLOPE 与 PINTERCEPT，需进行 2 点出厂校准。若需考虑温漂效应，则须在不同温度下重新测定上述参数，系统需引入温度传感器以确定当前温度应使用的参数值。典型性能特性章节中的 LOG-线性误差曲线，即通过对单颗检波器在 25°C 下的响应进行线性回归得到。对于 28 GHz 以下频段，输入功率范围取 –37 dBm 至 –5 dBm。所得 LOG-线性误差曲线负值较大。为将误差曲线中心调整至 ...
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2026/1/27 9:15:20
AMC3301 由低压侧电源 VDD 供电，标称值 3.3 V 或 5 V。德州仪器建议在 VDD 引脚处尽可能靠近器件放置 1 nF 低 ESR 去耦电容（如下图中的 C8），并再并联 1 μF 电容（C9）以滤除电源路径上的噪声。DC/DC 转换器低压侧用 100 nF 低 ESR 电容（C4）去耦，该电容应紧靠器件，连接在 DCDC_IN 与 DCDC_GND 之间。高压侧除 1 nF 低 ESR 电容（C3）须尽可能靠近器件放置外，还应再使用 1 μF 电容（C2），连接在 DCDC_OUT 与 DCDC_HGND 之间。对于高压侧 LDO，请在器件旁边先放置 1 nF 低 ESR 电容（C6），再并联 100 nF 去耦电容（C5）。高压侧的地参考 HGND 取自分流电阻负端（该端同时连接至器件的 INN 引脚）。为获得最佳直流精度，应使用独立走线将 HGND 引至器件，而不是在输入端直接把 HGND 与 INN 短接。高压侧 DC/DC 的地端 DCDC_HGND 则应在器件引脚处直接短接至 HGND。电容必须在应用中所承受的直流偏置条件下仍能提供足够的有效容值。多层陶瓷电容（MLCC）在实际工况下通常只能表现出标称容值的一小部分，选型时必须考虑这一因素。对于低高度封装电容，其介质场强高于高封装器件，问题尤为突出。知名电容厂商会提供“容值-直流偏置”曲线，可大大简化选型过程。下面表格列出了适用于 AMC3301 的推荐器件，该表并非穷尽清单；可能存在同样（或更优）的替代器件，但表中所列型号已在 AMC3301 开发阶段得到验证。
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2026/1/26 11:46:56
模拟输出AMC3301 提供差分模拟输出，由 OUTP 与 OUTN 两引脚构成。当差分输入电压（VinP – VinN）在 –250 mV 至 +250 mV 范围内时，器件呈线性响应，标称增益为 8.2。例如：差分输入 250 mV 时，差分输出（VOUTP – VOUTN）为 2.05 V。零输入（INP 与 INN 短接）时，两引脚输出相同共模电压（250 mV，但小于 320 mV）。若差分输入超过 250 mV 但小于 320 mV，差分输出幅度继续增大，但线性度下降；一旦差分输入超过削波门限 Vclipping，输出即饱和于 VCLIPout，如下图所示。AMC3301 还提供失效安全（fail-safe）输出，便于系统级诊断。上图所示的 fail-safe 模式下，器件输出一个负差分电压，该电压在正常工作时不会出现。失效安全状态在以下两种情况下激活：低压侧未接收到高压侧数据（例如高压侧断电）；高压侧 DC/DC 输出 (DCDC_OUT) 或高压侧 LDO 输出 (HLDO_OUT) 跌落到各自欠压检测阈值（brown-out）以下。
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2026/1/26 11:40:03
一、概述AMC3301 是一款精密的隔离放大器，针对基于分流器的电流测量进行了优化。这款完全集成的隔离式直流/直流转换器可实现器件低侧的单电源运行，使该器件成为空间受限应用的独特解决方案。增强型电容式隔离栅已通过 VDE V 0884-11 和 UL1577 认证，并支持高达 1.2kVRMS 的工作电压。该隔离栅可将系统中以不同共模电压电平运行的各器件隔开，并保护电压较低的器件免受高电压冲击。AMC3301 的输入针对直接连接低阻抗分流电阻器或其他具有低信号电平的低阻抗电压源的情况进行了优化。出色的直流精度和低温漂支持在 –40°C 至 +125°C 的工业级工作温度范围内进行精确的电流测量。AMC3301 的集成直流/直流转换器故障检测和诊断输出引脚可简化系统级设计和诊断。二、具备的特征• 3.3V 或 5V 单电源，具有集成直流/直流转换器• ±250mV 输入电压范围，针对使用分流电阻器测量电流进行了优化• 固定增益：8.2• 低直流误差：• 失调电压：±150µV（最大值）• 温漂：±1µV/°C（最大值）• 增益误差：±0.2%（最大值）• 增益误差漂移：±40ppm/°C（最大值）• 非线性度：±0.04%（最大值）• 高 CMTI：85kV/µs（最小值）• 系统级诊断功能• 符合 CISPR-11 和 CISPR-25 EMI 标准• 安全相关认证：• 符合 DIN VDE V 0884-11 标准的 6000VPK 增强型隔离• 符合 UL1577 标准且长达 1 分钟的 4250VRMS 隔离• 可在工业级工作温度范围内正常工作：–40°C 至 +125°C三、常见应用基于分流器的隔离式电流检测，用于：–...
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2026/1/26 11:36:33
失调电压控制在单片对数放大器中，级间采用直接耦合，原因有三：一：省去耦合电容——其芯片面积通常与基本增益单元相当，会显著增大裸片尺寸；二：电容值决定了最低工作频率，若取常见值，截止频率可高达 30 MHz，从而限制应用范围；三：电容的寄生背板电容会降低单元带宽，进一步缩小适用范围。然而，直接耦合带来的极高直流增益也带来现实问题：链式前级的失调电压与真实信号无法区分。若失调达 400 µV，将比最小交流信号（50 µV）高 18 dB，可能把动态范围压缩同等量值。解决办法是引入“全局反馈”——从末级回到首级，类似运放周围施加的直流负反馈，自动校正失调。当然，必须滤除反馈通路中的高频成分，以免降低前向通路的高频增益。芯片内置 33 pF 滤波电容，足以抑制高频反馈，使器件可工作于 1 MHz 以上。此时高通响应的 –3 dB 点在 2 MHz，但实际可用范围远低于此。若要进一步下拓低频，可在 OFLT 引脚（3 脚）外接电容：例如并 300 pF，截止频率可再降 10 倍；若要在低音频段工作，则需约 1 µF。注意：当输入电平远高于失调电压时，该滤波器几乎不起作用，此时频率范围可一直延伸到直流（信号直接加在输入引脚）。此外，也可通过调节 OFLT 引脚电压，将直流失调手动归零。
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2026/1/26 11:31:26
斜率与截距校准ADI(亚德诺)公司所有单片对数放大器均采用精密设计技术来控制对数斜率与截距。校准的核心是一对高精度电压基准，它们与电源电压和温度无关。通过为检波单元设定偏置，并对后检波输出接口施加后续增益，斜率被精确设定为 24 mV/dB。采用这一斜率，在 2.7 V 供电时，95 dB 的完整动态范围可轻松落在输出摆幅之内。截距被定位于 –108 dBV（对应 50 Ω 系统的 –95 dBm），同样经过精心选择，使输出电压落在可用范围的中心。斜率与截距的精确控制使对数放大器具备稳定的刻度参数，成为真正的测量器件，例如校准过的接收信号强度指示器（RSSI）。在此类应用中，输入波形通常是正弦波，输入电平以 dBV 为单位正确标定。也可换算为等效功率（dBm），但必须指明测量该功率所假设的阻抗。在射频实践中，通常以 50 Ω 为参考阻抗：0 dBm（1 mW）对应正弦幅度 316.2 mV（223.6 mV RMS）。需注意，对数放大器本质上响应的是输入电压而非功率。AD8310 的标称输入阻抗远高于 50 Ω（低频时约 1 kΩ）。若在其 INHI 与 INLO 之间并接 50 Ω 端接电阻，或使用窄带匹配网络，即可把阻抗降到 50 Ω，此时功率标称值才成立。简单的输入匹配网络能显著提高此类对数放大器的功率灵敏度：输入电压被抬升，截距随之改变。对于 50 Ω 无功匹配，电压增益约 4.8，整个动态范围下移 13.6 dB。截距还与波形有关：相同幅度的方波读数比正弦波高 6 dB；高斯噪声的 RMS 值与正弦波相同时，读数高约 0.5 dB。
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2026/1/26 11:17:56
使能控制（Enable Control）NCP45560 有两个型号：NCP45560-H 和 NCP45560-L，二者仅在使能控制的极性上有所不同。NCP45560-H 支持高电平使能。当 Vcc 供电引脚电压足够且 EN 引脚为高电平时，MOSFET 被使能；当 EN 为低电平时，MOSFET 被关闭。EN 引脚内部下拉至地，确保未驱动时 MOSFET 保持关闭状态。NCP45560-L 支持低电平使能。当 Vcc 供电引脚电压足够且 EN 引脚为低电平时，MOSFET 被使能；当 EN 为高电平时，MOSFET 被关闭。EN 引脚内部上拉至 Vcc，确保未驱动时 MOSFET 保持关闭状态。电源时序（Power Sequencing）NCP45560 可在任意电源时序下工作，但输出开启延迟性能可能与规格书不一致。为达到指定性能，推荐以下两种电源时序：Vcc → VIN → VENVIN → Vcc → VEN在使能 EN 引脚时，Vcc 必须 ≥ 2 V，以确保使能信号被正确锁存。若 EN 在 Vcc 达到 2 V 之前被拉高，可能导致使能无效。负载泄放（Load Bleed / Quick Discharge）NCP45560 内置泄放电阻 RBLEED，用于在 MOSFET 关闭后将负载电荷泄放至地。泄放电阻与一个泄放开关串联，仅在 MOSFET 关闭时激活。MOSFET 与泄放开关不会同时导通。BLEED 引脚必须通过以下方式连接至 VOUT：直接连接（如上图所示），或通过外部电阻 REXT 连接（如下图所示），REXT 不得超过 1 kΩ，可用于增加总泄放电阻值。必须确保 RBLEED 上的功耗处于安全范围内，其最大持续功耗为 0.4 W。可通过 REXT 降低 RBLEED 上的功耗。PowerGood 功能NCP45560 提供 PowerGood 输出...
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2026/1/26 11:04:28
NCP45560负载开关提供了一种组件和面积减小的解决方案，通过软启动实现具有浪涌电流限制的高效电源域切换。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，该设备还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控。这种经济高效的解决方案非常适合需要低功耗、占用空间小的电源管理和热插拔应用。具备的特征有哪些？•带电荷泵的高级控制器•集成N沟道MOSFET，具有超低RON•输入电压范围0.5 V至13.5 V•通过控制回转率实现软启动•可调节的回转率控制•电源良好信号•热关机•欠压锁定•短路保护•极低的待机电流•负载放气（快速放电）因此常被使用在哪些应用中？ •便携式电子设备和系统•笔记本电脑和平板电脑•电信、网络、医疗和工业设备•机顶盒、服务器和网关•热插拔设备和外围端口
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2026/1/26 10:38:55
一、概述博通BCM5418X 是一款高度集成的千兆收发器系列，包括四端口（BCM54140）和八端口（BCM54180、BCM54182 和 BCM54185）版本。该 PHY 芯片可在标准五类非屏蔽双绞线（Cat5 UTP）上实现 10BASE-T、100BASE-TX 和 1000BASE-T 的所有物理层功能。在光纤模式下，该 PHY 还支持 100BASE-FX、1000BASE-X 以及 SGMII-Slave 模式（仅限 BCM54140/BCM54185）。BCM5418X 系列基于 Broadcom 成熟的数字信号处理器技术，集成了数字自适应均衡器、模数转换器（ADC）、锁相环（PLL）、线路驱动器、编解码器、回波消除器、串扰消除器以及所有必需的支持电路，全部集成在一颗单片 CMOS 芯片中。该芯片专为在最恶劣的五类布线环境下实现可靠运行而设计，能够自动与线缆另一端的任何收发器协商，以确定最佳工作速率。PHY 还可评估双绞线布线状况，确保其可支持千兆速率运行，并能检测并纠正大多数常见布线问题。该器件持续监控布线和对端收发器状态，并在检测到潜在可靠性问题时向系统发出警报。二、主要特点QSGMII接口支持以下铜线接口：•1000BASE-T、100BASE-TX和10BASE-T节能以太网（EEE）IEEE 802.3az•支持本地EEE MAC支持使用AutogrEEEn®模式的传统非EEE MAC符合IEEE 1588v2标准•单步时钟或两步时钟片上时间戳ITU-T Y.1731延迟测量支持•片上时间戳单向和双向同步以太网支持 Ethernet@WireSpeed™检测电缆设备损坏的电缆设备诊断局域网唤醒（WoL）线路侧和开关侧回圈电压和温度监测器可编程LED电缆ESD（CESD）耐受性强低电磁干扰发射IEEE 1149.1和IEEE 1149.6...
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2026/1/26 10:31:19
L6920是一种高效、低压升压DC/DC转换器，特别适用于1至3个电池（分别为锂离子/聚合物、镍氢）的电池上变频。这些性能是通过大幅降低静态电流（仅10µa）和采用同步整流来实现的，这也意味着应用成本降低（不需要外部二极管）。操作基于最大开启时间-最小关闭时间控制，电流限制设置为1A。下面显示了一个简化的框图。在L6920中，控制基于连续检查输出电压状态的比较器。如果输出电压低于预期值，L6920的控制功能将指示存储在电感器中的能量转移到负载。这是通过在两个基本步骤之间交替来实现的：-TON阶段：通过N通道电源开关将LX节点接地短路，将能量从电池转移到电感器。如果电感器中的电流达到1A或在设置为5µs的最大导通时间后，开关将关闭。-TOFF阶段：电感器中存储的能量通过同步开关传递到负载，至少持续1µs的最小关断时间。在此之后，一旦输出电压低于调节电压或电感器中流动的电流降至零，同步开关就会关闭。因此，在轻负载的情况下，该设备以PFM模式工作，如图7至图10所示。
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2026/1/26 10:28:54
一、定义L6920是一款ST意法半导体高效升压控制器，只需三个外部组件即可实现从电池电压到选定输出电压的转换。启动电压保证为1V，设备运行电压低至0.6V。内部同步整流器采用120mΩ P沟道MOSFET，为了提高效率，实施了变频控制。二、具备的特征0.6至5.5V工作输入电压1V启动输入电压内部同步整流器零关断电流3.3V和5V固定或可调输出电压（2V至5.2V）120mΩ 内部有源开关低电池电压检测蓄电池反向保护三、常见的应用一到三节电池装置掌上电脑和手持仪器移动电话.数字无绳电话寻呼机全球定位系统数码相机四、应用电路图
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2026/1/26 10:24:26