MASW-011102是一款多功能、宽带、非反射、高隔离SPDT开关，采用无铅3mm 14引脚PQFN表面贴装塑料封装。该开关的工作范围为直流至30 GHz，并提供40 dB的隔离。宽带性能、快速切换和出色的稳定时间的结合使该设备成为许多应用的理想选择，包括测试和测量、电子战和宽带通信系统。MASW-011102采用MACOM的稳健工艺，具有全表面钝化功能，可实现高性能和高可靠性。特征•宽带性能•低插入损耗：30 GHz时为1.8 dB•高隔离度：40 dB@30 GHz•切换速度快•非反射配置•超低直流功耗•无铅3mm 14导联PQFN封装•符合RoHS标准应用•测试和测量
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2025/9/1 14:32:36
MASW-011060是公共阳极配置的高功率PIN二极管SP2T开关，工作频率为0.5至6.0 GHz。它具有低插入损耗和出色的线性度。该设备能够在85ºC的基板温度下处理100瓦CW的入射功率。这种高功率开关非常适合用于宽带、MIL-COM、IED和需要更高CW和脉冲功率操作的蜂窝应用。MASW-011060采用MACOM的混合制造工艺制造，其特点是高压PIN二极管和无源器件集成在4mm HQFN 20引线塑料封装中。特征•适用于大信号宽带应用•功率处理：100 W@85°C•插入损耗：4 GHz时为0.5 dB•隔离度：4 GHz时为35 dB•无铅4mm HQFN-20LD封装•符合RoHS标准应用• ISM / MM
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2025/9/1 14:30:34
MASW-010647是一款单片端接硅PIN二极管SPDT开关，专为X波段高功率、高性能应用而设计。该开关在8.0-10.5 GHz频带上处理大于20W的CW功率。该器件是一种创新的解决方案，具有0.8 dB的低插入损耗和37 dB的高隔离性能。MASW-010647集成了偏置网络，以简化偏置应用和开关控制。该器件还使用MACOM的专利HMIC™工艺制造，该工艺允许将硅基座集成在低损耗、低色散玻璃中，硅基座嵌入串联和分流二极管。这种非常小的芯片规模解决方案通过更小的尺寸、更少的组件数量以及更高的产量和可重复性使客户受益。该器件集成了偏置网络，并提供了+/-5V操作的简化偏置。特征•低插入损耗•高隔离度•低寄生电容和电感•全单片芯片，集成偏置网络•玻璃封装结构•+85°C时大于20 W的CW功率处理•氮化硅钝化•聚合物防刮保护•符合RoHS标准应用•航空航天与国防
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2025/9/1 14:27:45
MACOM的MASW-009444是一款GaAs pHEMT MMIC单极双掷（SP2T）开关，采用微型1x1mm 6引脚PDFN封装。MASW-009444非常适合需要低控制电压、低插入损耗、适度隔离和小尺寸的应用。典型的应用是将单独的接收功能连接到公共天线的手机系统中的滤波器和天线切换，以及其他相关的手机和通用应用。该部件可用于所有工作频率高达6 GHz、需要低控制电压高功率的系统。MASW-009444是使用0.5微米栅极长度的GaAs PHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征电压低至1.6V插入损耗：0.20dB@1GHz无铅1毫米6导联PDFN封装符合RoHS*标准，兼容260°C回流
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2025/9/1 14:25:46
MACOM的MASW-007921是一款宽带GaAs pHEMT MMIC SPDT开关，采用无铅2毫米8引脚PDFN封装。MASW-007921非常适合需要非常小尺寸和高线性度的应用。典型应用包括WiMAX、WLAN、Mesh网络、固定无线接入和其他更高功率系统。该开关具有非常高的初始压缩点，非常适合OFDM等具有较大峰值平均功率电平的复杂调制。MASW-007921是使用0.5微米栅极长度的GaAs pHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征非常适合高功率SPDT交换机应用，包括WiMAX、WLAN、Mesh网络和固定无线接入宽带性能：DC-7.0 GHz低插入损耗：0.65 dB@3.5 GHz，RFC到TX0.70 dB@3.5 GHz，RCF至RX高P0.1dB压缩：40 dBm@3V，3.5 GHz，RFC到TX快速沉降以满足低闸门滞后要求无铅2毫米8导联PDFN封装100% 铜表面镀锡无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，兼容260°C回流不对称设计，优化性能
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2025/9/1 14:21:40
MACOM的MASW-007813是一款GaAs pHEMT MMIC单极四掷（SP4T）高功率开关，采用低成本、低剖面、无铅3 mm PQFN 16引线封装。MASW-007813非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离、小尺寸和低成本的应用。典型应用是将单独的发射和接收功能连接到公共天线的GSM和DCS手机系统，以及CDMA手机和其他相关应用。MASW-007813可用于所有工作频率高达3 GHz、需要低控制电压高功率的系统。MASW-007813是使用0.5微米栅极长度的GaAs pHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征低压操作：2.5V低谐波：+34 dBm和1 GHz时低插入损耗：1 GHz时为0.7 dB高隔离度：2 GHz时为25 dB0.5 微米GaAs pHEMT工艺薄型无铅3mm PQFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，260°C回流兼容
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2025/9/1 14:18:06
MASW-000936是一款SPDT高功率、宽带、高线性、PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0 GHz应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用行业标准的无铅4mm PQFN塑料封装。该器件采用MACOM的低损耗、高隔离开关二极管工艺制造的PIN二极管管芯。特征•卓越的宽带性能•低插入损耗：TX=0.20 dB@2.7 GHz•高隔离度：RX=50 dB@2.7 GHz•高TX射频输入功率=120 W CW@2.0 GHz，+85°C•高TX RF输入峰值功率：1000 W•仅需要正直流偏压•表面安装4mm PQFN封装•符合RoHS*标准，兼容260°C回流焊应用适用于大功率LTE、TD-SCDMA、WiMAX和军用无线电应用
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2025/9/1 14:14:40
MASW-000834-13560T是一款SPDT宽带、高线性、共阳极、PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0 GHz应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用工业标准4mm PQFN塑料包装。该器件采用MACOM的专利硅玻璃HMIC™工艺制造的PIN二极管管芯。该芯片具有两个嵌入低损耗、低色散玻璃中的硅基座。二极管形成在每个基座的顶部。顶侧完全被氮化硅封装，并具有额外的聚合物钝化层。这些聚合物保护涂层可防止搬运和组装过程中的损坏和污染。这款紧凑的4mm PQFN封装SPDT开关具有0.05-6.0 GHz的宽带性能，在TX和RX状态下都具有出色的隔离损耗比。PIN二极管在2010 MHz下提供50 W的典型C.W.功率处理和65 dBm的IIP3，以获得最大的开关性能。特征·卓越的宽带性能，0.05-6.0 GHz·适用于超高功率TD-SCDMA和WiMAX应用·高Tx RF输入峰值功率1000 W·高TX射频输入功率=50 W C.W.@2010MHz·高隔离度：Rx=36dB@3.5 GHz，20mA/5V·高隔离度：Rx=44dB@2010 MHz，20mA/5V·低损耗：TX=0.38 dB@3.5 GHz，5V/20mA·低损耗：TX=0.33 dB@2010 MHz，5V/20mA·表面贴装4mm PQFN封装，符合RoHS*标准
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2025/9/1 14:12:42
MASW-011120是一款SPDT高功率、宽带、高线性、PIN二极管T/R开关，适用于0.03-6.0 GHz的高功率应用。该设备采用行业标准无铅5mm HQFN塑料封装。该器件采用低损耗、高隔离开关二极管工艺制造的PIN二极管管芯。MASW-011120可用于任何需要低损耗、高隔离和高功率处理SPDT的应用。特征·宽带性能·无铅5毫米20导联HQFN封装·符合RoHS标准·专为高功率TDD-LTE应用而设计·2.7 GHz时的功率处理：200 W CW@+85ºC·2.7 GHz时的高隔离度：RX=44 dB·2.7 GHz时的低损耗：TX=0.25 dB RX=0.35 dB
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2025/9/1 14:08:34
MAAL-011141是一款易于使用的宽带低噪声分布式放大器芯片。它的工作范围为直流至28 GHz，在8 GHz时提供17.5 dB的线性增益、16 dBm的P1dB和1.4 dB的噪声系数。输入和输出完全匹配50Ω 典型的回波损耗15dB。该放大器采用有源端接电路，在频率范围的下端实现比使用传统电阻端接技术更低的噪声系数。该产品采用GaAs pHEMT工艺制造，该工艺具有完全钝化的特点，可提高可靠性。MAAL-011141可用作低噪声放大器级或更高功率应用中的驱动器级。该设备非常适合测试和测量、电子战、ECM和雷达应用。特征•超宽带性能•噪声系数：8 GHz时为1.4 dB•高增益：8 GHz时为17.5 dB•输出IP3:27.5 dBm@8 GHz•偏置电压：VDD=5-6V•偏置电流：IDSQ=60-100mA• 50 Ω 匹配的输入/输出•仅限正电压•无铅5毫米32导联AQFN封装•符合RoHS标准应用程序•测试与测量、电子战、电子对抗和雷达
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2025/8/29 14:34:59
MAAL-011129是一款易于使用的三级低噪声放大器，具有高增益和宽带50Ω匹配。它的设计工作频率为18至31.5 GHz，采用无铅2x2 mm 8引脚PDFN塑料封装。MAAL-011129具有集成有源偏置电路和偏置三通，允许直接连接到VDD，而无需外部扼流圈或直流块。偏置电流由简单的外部电阻器RB设置，因此用户可以定制功耗。当VBIAS=0 V时，设备可以置于断电模式。MAAL-011129提供了一种表面安装、易于使用、低噪声的放大器解决方案，非常适合VSAT、点对点和24 GHz ISM等各种接收器应用。特征噪声系数：2.5 dB@24 GHz高增益：24 GHz时为23 dB50 Ω 输入和输出匹配单电压偏置：3 V至5 V范围集成有源偏置电路电流可在1mA-80mA范围内调节无铅2毫米8导联PDFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准
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2025/8/29 14:32:07
MAAL-010528是一款高性能X波段GaAs LNA，采用微型无铅3mm PQFN表面贴装塑料封装。该MMIC的工作频率为8至12 GHz，提供20 dB的标称增益，具有出色的增益平坦度、26 dBm的高OIP3线性度和1.6 dB的中频带噪声系数。该部分采用自偏置架构，只需要一个正电源。该设备内部匹配50 O输入/输出，由于其易于使用和出色的性能参数，非常适合多种应用，包括Vsat、雷达和微波无线电。特征1.6 dB噪声系数单4 V偏压@60 mA内部完全匹配50Ω无铅3mm 16导联PQFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准
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2025/8/29 14:28:48
MACOM的MAADSS0010是一款1 dB阶跃GaAs MMIC数字衰减器，采用无铅QSOP-16（SSOP-16）封装，衰减范围为31 dB。它需要RF端口上的外部隔直电容器、正电源电压和五个单独的位控制电压。MAADSS0010特别适用于需要高衰减精度、低插入损耗和低互调产物的场合。典型应用包括基站、无线数据和无线本地环路增益电平控制电路。MAADSS0010是使用M/A-COM的GaAs 1.0微米工艺制造的。该工艺具有全芯片钝化功能，可提高性能和可靠性。特征5位，1 dB步长卓越的精确度单正极控制（+3V至+5V）无铅QSOP-16（SSOP-16）封装铜上镀100%哑光锡无卤素“绿色”模塑料260°C回流兼容符合RoHS标准的MAATSS0002版本
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2025/8/29 14:26:45
MA4SW410是一款SP4T、串联分流、宽带、PIN二极管开关，采用MACOM的专利HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造。该工艺允许将形成串联分流二极管和通孔的硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中。通过在电路元件之间加入小间距，结果“是HMIC芯片在高达26.5GHz的频率下具有低插入损耗和高隔离度。它被设计为用作中等功率、高性能的开关，与使用分立元件的类似设计相比，其性能更优越。芯片的顶面由聚合物涂层保护，用于手动或自动处理，大型金焊盘有助于促进低电感带的连接。芯片背面的金金属化允许通过80/20、金/锡焊料或导电银环氧树脂进行连接。MA4SW410是一种高性能开关，适用于需要高隔离插入损耗比的多频带ECM、雷达和仪表控制电路。使用标准±5V、TTL控制、PIN二极管驱动器，可实现50nS的开关速度。特征•宽带•规定频率为50 MHz至20.0 GHz•适用于50 MHz至26.5 GHz•插入损耗更低/隔离度更高•全单片玻璃封装芯片•在+25°C时，CW功率处理高达+33 dBm•符合RoHS标准应用程序•航空航天与国防•ISM
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2025/8/29 14:23:56
MACOM的MA4FCP200是一种硅倒装芯片PIN二极管，采用获得专利的HMIC工艺制造，可提供可重复的电气特性。这种二极管是使用为极低寄生效应设计的工艺在外延晶片上制造的。二极管用氮化硅完全钝化，以尽量减少漏电流。芯片还具有额外的聚合物层，用于冲击和划痕保护，以防止在处理过程中损坏有源区。小外形和低0.05pS RC产品使该器件可用于需要多掷开关和开关移相器电路的场合。特征低串联电阻低电容快速切换速度氮化硅钝化聚合物防刮擦保护符合RoHS标准
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2025/8/29 14:16:48
MACOM的MA4AGSW1A是一种铝镓砷化物，单极单掷（SPST），吸收PIN二极管开关。该开关采用MACOM专利异质结技术形成的增强型AlGaAs阳极。AlGaAs技术生产的开关比使用传统GaAs工艺制造的器件损耗更小。在50GHz下，插入损耗可以降低0.3dB。该器件是在OMCVD外延晶片上使用为高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺制造的。芯片内的PIN二极管具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并有一个额外的聚合物层用于划痕保护。保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。需要片外偏置电路。应用分析该设备的输出端口J2在隔离模式下端接至50Ω，这使得该信号被吸收而不是反射回来。此功能使其成为仪器和雷达应用的理想选择。吸收开关可以添加到其他AlGaAs反射开关中，以提高隔离VSWR并增加隔离幅度。PIN二极管的超低电容使其非常适合用于70 GHz以下的低损耗和高隔离微波和毫米波开关设计。AlGaAs二极管的较低串联电阻降低了器件的总插入损耗和失真。AlGaAs PIN开关用于雷达系统、辐射计和其他多功能组件的开关阵列等应用。
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2025/8/29 14:12:32
MACOM的MA46H120系列是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。这些器件是在OMCVD外延晶片上使用为高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺制造的。MA46H120二极管用氮化硅完全钝化，并有一层额外的聚酰亚胺用于划痕保护。保护涂层可防止在自动或手动操作过程中损坏接合处。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。特征·用于线性调谐的恒定伽玛·低寄生电容·高Q·氮化硅钝化·聚酰亚胺防刮擦保护·表面安装配置
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2025/8/29 14:10:18
CSFD25是一款无源桥式二极管倍频器，专为大容量无线和测试设备应用而设计。该设计利用肖特基桥四元二极管和宽带平衡-不平衡转换器来获得优异的性能。由于使用高温焊料和内部使用的焊接装配工艺，使其成为半自动化和自动化装配的理想选择。特征·输入：10至2400 MHz·表面安装·输入驱动电平+10 dBm（标称）·输出：20至4800 MHz
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2025/8/29 14:08:01