IC交易网是兆亿微波（北京）科技有限公司为广大客户搭建得采购射频元器件平台，可以帮助广大客户解决射频微波器件采购问题，兆亿微波商城是客户方便快捷的网上IC交易平台，是兆亿微波商城自营店，可以为广大客户提供更多的射频微波元器件现货、紧缺货源，也可以帮助用户厂家定制型号、国产替代，帮助国内解决芯片卡脖子难题。 兆亿微波商城主营的品牌包括：Mini-Circuits、ADI、Eclipsemicrowave、Qorvo、Low noise factory、Markimicrowave、B&Z Technologies、TI、Xmacorp、Keycom、Eotech、L3Harris Narda、Herotek、Avago、Mcli、Rlcelectronics、Macom等。 主营全品类射频微波芯片，包括：放大器、滤波器、变压器、功分器、耦合器、均衡器、环形器、混频器、倍频器、振荡器、分频器/预分频器、调制调节器、适配器、控制器、衰减器、变频器、负载、电缆、驱动等等。 兆亿微波商城专门为广大新老客户提供在线交易功能，下单后由工作人员回电帮你确认，30分钟内安排发货，简单快捷，IC交易平台拥有20万种常卖型号，可以通过搜索功能，查询到想要的产品，也可以直接在线咨询客服，帮你提供满意的报价服务。
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2021/9/13 9:05:39
隧道二极管 （Tunnel Diode） 又称为江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。 它的工作符合发生隧道效应具备的三个条件： ①费米能级位于导带和满带内； ②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。隧道二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标'P'代表'峰'；而下标'V'代表'谷'。简单地说,所谓'遂道效应'就是指粒子通过一个势能大于总能量的有限区域。这是一种量子力学现象， 按照经典力学是不可能出现的。隧道二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。 隧道二极管特点及应用 隧道二极管的主要特点是它的正向电流—电压特性具有负阻（图4）。这种负阻是基于电子的量子力学隧道效应，所以隧道二极管开关速度达皮秒量级,工作频率高达100吉赫。隧道二极管还具有小功耗和低噪声等特点。隧道二极管可用于微波混频、检波（这时应适当减轻掺杂，制成反向二极管），低噪声放大、振荡等。由于功耗小，所以适用于卫星微波设备。还可用于超高速开关逻辑电路、触发器和存储电路等。 研究不同半导体材料制成的隧道二极管的基本特性，还能深入了解半导体中的能带结构和一些与量子力学有关的物理问题。
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2021/9/10 11:55:45
什么是巴伦？巴伦的作用是什么？ 巴伦（英文：Balun）是平衡Balanced和不平衡Unbalanced转换器的英文音译。 众所周知，我们的业余电台输出是阻抗为50欧姆不平衡的，使用的传输线缆也是阻抗为50欧姆的不平衡馈线。 按照天线理论，偶极天线属于平衡型天线，而同轴电缆属于不平衡传输线缆，如果将其直接连接，则同轴电缆的外皮就有高频电流流过产生共模电流，这样一来，就影响到了天线的辐射（可以想象成电缆的屏蔽层也参与了电波的辐射。 按照同轴电缆传输原理，高频电流应在电缆内部流动，外皮是屏蔽层，是不应该有电流的）。因此，就要在天线和电缆之间加入平衡不平衡转换器，把流入电缆屏蔽层外部的电流扼制掉，也就是说把从振子流过电缆屏蔽层外皮的高频电流截断。2.巴伦的种类 我们可以把巴伦分为电流型（Current balun）和电压型（Voltage balun）两种。 电流型巴伦（Current balun）允许工作电流通过，扼制馈线上共模电流，不进行阻抗转换。 电压型巴伦（Voltage balun）除遏制馈线上的共模电流，还会进行阻抗的转换。 简单的说，电压型巴伦更像变压器，电流型巴伦更像扼流器。 电流型巴伦的形式 电流型巴伦从形式上又分为三种： 第一种“磁环巴伦”。通常使用锰锌铁氧体MXo，初始磁导率在800 ~ 2000之间，这是使用的较广泛的一种； 第二种“磁珠巴伦” （ferrite bead balun）。在馈线上套上若干个磁珠，磁珠的材料和一般EMI磁珠一样，初始导磁率大概也在2000左右，...
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2021/9/10 8:56:42
Smiths Interconnect Group Limited (史密斯英特康)是全球领先的电子元器件、连接器、微波元器件，子系统以及射频产品生产商。旗下产品多应用于商用航空、国防、航空航天、医疗、铁路、半导体测试、无线通讯以及工业市场等领域负责连接、保护以及控制等关键程序。 兆亿微波商城作为Smiths品牌分销商，主营Smiths射频微波元器件等产品，可以帮助广大客户定制或订购Smiths射频器件，到货周期短，服务周全，是广大客户购买射频器件更好的选择。今天兆亿微波商城为广大用户分享关于Smiths温度补偿衰减器系列有哪些，下面一起来看看。 Smiths温度补偿衰减器系列包括：TT9 SMT 、ANx系列温度补偿衰减器、KTVA系列温度补偿衰减器、MTVA系列温度补偿衰减器、TVA系列温度补偿衰减器、WTVA系列温度补偿衰减器。1、TT9 SMT 系列500毫瓦芯片衰减器与其他芯片衰减器相比，TT9系列芯片衰减器提供更高的功率处理能力，同时保持20 GHz的出色射频性能。2、ANx系列温度补偿衰减器ANx系列温度补偿衰减器为商业市场提供了高性价比的无源温度补偿解决方案。该系列的操作频率是DC-6 GHz。3、KTVA系列温度补偿衰减器史密斯英特康的|EMC的KTVA高频温度补偿衰减器是毫米波放大器的不二之选。它能够处理100 mW输入功率，且可采用金丝键合焊接以及表面焊接安装。4、MTVA系列温度补偿衰减器史密斯英特康的|EMC的MTVA Thermopads®这款微波吸收衰减器的实体尺寸更小，频率范围更大。该系列的操作频率范围是DC-18 GHz。5、TVA系列温度补偿衰减器史密斯英特康的|EMC的TVA Thermopads®这款微波吸收衰减器，可补偿随温度变化的功耗，工作频率范围DC-6 G...
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2021/9/9 17:33:55
一、什么是温度补偿衰减器 温度补偿衰减器介绍TCA：Temperature Compensation Attenuator中文名：温度补偿衰减器 1.它是一种无源器件，表面贴装的温度可变衰减器； 2.它不需要复杂的控制电路, 这样将减少元件数量，提高系统可靠性； 3.它是无源的,稳定性好,无任何偏差或控制电压，并且无失真现象； 4.它是模拟器件,它的补偿是很平滑的； 5.它是实时调整增益的，衰减量随周围环境温度实时调整； 6.衰减量范围从1dB至10dB，具有10种类型的衰减量，每种衰减量具有N3、N4、N5、N6、N7、N8、N9七种温度特性，特别是7dB、8dB、9dB、10dB，可提供N7、N8、N9的标准产品，全系列总共70种温度特性组合； 7.采用TCA替代数字衰减器闭环控制方式的成本优势非常明显，性价比高 8.使用简单，直接贴装到电路中即可，无需复杂的控制电路。 二、温度补偿衰减器的应用 1.应用于功率放大器 2.应用于低噪声放大器 3.有源模块 4.CATV或通信光电转换模块 5.雷达 6.天线
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2021/9/9 17:17:47
兆亿微波科技，北京（2021年9月8日）- 德州仪器 (TI)（NASDAQ代码：TXN）今日推出业内先进的70W无刷直流 (BLDC) 电机驱动器，用于提供无需编程无传感器的梯形和磁场定向控制 (FOC)。新发布的器件使工程师能够在10分钟内启动BLDC电机，为工程师设计各种工业系统（如大型和小型家用电器）和医疗应用（如呼吸机和持续气道正压通气机器）减少了数周的设计时间。通过集成实时控制功能和包括MOSFET在内的多达18个分立式元件，新驱动器加快了系统响应，并缩小高达70%的布板空间，同时提供出色的声学性能。如需更多信息，请参阅MCF8316A和MCT8316A。 Omdia高级研究分析师Noman Akhtar表示：“由于电源效率提高和自动化等各种趋势以及设计更低噪声电机的需求，人们对实时电机控制的需求比以往任何时候都更为迫切。越来越多的工业系统正在从交流感应电机过渡到更节能的BLDC电机，但需要复杂的硬件和优化的软件设计才能提供高性能。满足设计人员对加快电机响应需求的同时缩短整体设计周期，将是下一代工业系统向前发展的重要一步。” 使用无需编程无传感器电机控制来缩短设计时间 MCF8316A和MCT8316A无刷直流电机驱动器包括一系列独特的换向控制算法，无需开发、维护和验证电机控制软件，从而减少数周的设计时间。这些算法和高度的集成特性可以使电机驱动器更好地管理电机故障检测等关键功能，同时实施保护机制，从而提高系统可靠性。这些电机驱动器集成了无传感器技术来确定转子位置，因此无需外部霍尔传感器，从而降低了系统成本并提高了可靠性。 此外，MCF8316A无传感器磁场定向控制电机驱动器可智能地提取电机参数，使设计人员能够快速调优电机，同时提供一致的系统性能，而不受电机制造差异的影响。通过M...
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2021/9/9 10:04:51
某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下： 一、问题描述： 某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下： 二、辐射源头分析： 该产品只有一块PCB，其上有一个12MHZ的晶体。其中超标频点恰好都是12MHZ的倍频，而分析该机器容易EMI辐射超标的屏和摄像头，发现LCD-CLK是33MHZ，而摄像头MCLK是24MHZ；通过排除发现去掉摄像头后，超标点依然存在，而通过屏蔽12MZH晶体，超标点有降低，由此判断144MHZ超标点与晶体有关，PCB布局如下： 三、辐射产生的原理： 从PCB布局可以看出，12MHZ的晶体正好布置在了PCB边缘，当产品放置与辐射发射的测试环境中时，被测产品的高速器件与实验室中参考接地会形成一定的容性耦合，产生寄生电容，导致出现共模辐射，寄生电容越大，共模辐射越强；而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布，当两者之间电压恒定时，两者之间电场分布越多，两者之间电场强度就越大，寄生电容也会越大，晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下： PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 从图中可以看出，当晶振布置在PCB中间，或离PUB边缘较远时...
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2021/9/9 9:53:49
日前，Vishay 推出通过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---RCV-AT e3，工作电压达3 kV，外形尺寸为2010和2512。 器件通过AEC-Q200认证，工作电压达3 kV，采用2010和2512外形尺寸，可替代标准电阻串 2021年9月8日—日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---RCV-AT e3，工作电压达3 kV，外形尺寸为2010和2512。 Vishay Draloric RCV-AT e3系列器件工作电压高，可用来替代多颗标准电阻串联。因此，设计师可节省电动（EV）和混合动力（HEV）汽车逆变器、车载充电器和DC/DC转换器电路板空间，同时减少元件数量，降低加工成本。 RCV-AT e3系列器件阻值范围从100 kW到100 MW，公差分别为± 1 %和± 5 %，温度系数为± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。电阻额定功率为1.0 W，电阻电压系数低至25 ppm/V，工作温度为-55 °C至+155 °C。 器件符合 RoHS标准，无卤素，适合在自动贴片机上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或气相焊工艺加工。 RCV-AT e3电阻现可提供样品并已实现量产，供货周期10周。
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2021/9/9 9:49:05
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。3.4 载流子存储效应和开关特性 当功率半导体的工作状态变化时，由于载流子存储效应，电流和电压的稳态值不会立即改变。 此外，晶闸管触发时只有门极结构附近的小块区域导通。由此产生的开关损耗必须以热的形式从半导体中散发出去。 3.4.1 开通 3.4.1.1 二极管 从非导通或阻断状态转入导通状态时，由于载流子存储效应，二极管处产生电压峰值（见图20）。 图20.二极管开通过程示意图 ■ 3.4.1.1.1 正向恢复电压峰值VFRM VFRM是正向回复期间产生的最高电压值。该值随着结温和电流变化率的升高而增大。 电网 (50/60Hz)的电流变化率适中，VFRM可以忽略不计。但是在 di/dt1000A/μs的快速开关（IGBT、GTO和IGCT）自动换向变流器中，该值可能达到几百伏。虽然正向恢复电压仅存在几微秒，且不会显著增大二极管的总损耗，设计变流器时仍需考虑该值对开关半导体的影响。 针对这些应用优化的二极管图表包含了正向恢复电压和电流变化率之间的函数关系。 ■ 3.4.1.1.2 通态恢复时间tfr 根据DIN IEC 60747-2，tfr是指突然从关断状态切换为规定的通态时，二极管完全导通且出现静态通态电压vF所需的时间（见图20）。 3.4.1.2 晶闸管 在正向断态电压VD下通过变化率为...
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2021/9/8 15:29:36
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始量产M4G组中用于高速数据处理的20种新器件。M4G组是TXZ+TM 族高级系列的新成员，采用40nm工艺制造。这些产品采用带FPU的Arm Cortex-M4内核，运行频率高达200MHz，内部集成2MB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期耐久性，此外还提供了丰富的接口和通信选项。因此，M4G组器件非常适用于办公设备、楼宇和工厂自动化应用。 M4G组中的微控制器配置增强型的通信功能，除UART、FUART、TSPI和I2C外，还支持Quad／Octal SPI、音频接口（I2S）以及外部总线接口。此外，这些器件内置3单元DMAC和总线矩阵结构，与传统产品相比，大幅提升了通信吞吐量。 微控制器配置高速、高精度12位模拟／数字转换器，最高支持24个模数转换输入通道，它们可以单独设置采样保持时间，便于器件支持多种多样的传感器。 这些器件能够为ROM、RAM、ADC和时钟提供自诊断功能，有助于客户通过IEC60730 B类功能安全认证。这些新器件不但实现了低电流消耗和高功能，同时也与现有的TXZTM系列M4G（1）组的器件保持了良好的兼容性。 您可以访问东芝网站并下载文档、示例软件及其实际使用示例，以及控制每种外围设备的接口的驱动程序软件。评估板和开发环境是与Arm全球生态系统合作伙伴合作提供的。 新产品的主要特性 ●带FPU的高性能Arm Cortex-M4内核，最高频率为200MHz ●电机控制功能和通信接口 ●满足IEC60730 B类功能安全要求的自诊断功能 应用...
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2021/9/8 15:07:33
随着人们对数字化转型DX（Digital Transformation）的兴趣日益浓厚，物联网在消费电子和工业设备中的使用也在增加。这些物联网端点不仅限于将收集到的数据发送到云端，而且许多还需要执行基于人工智能的程序，从 HMI 的语音识别、触摸键到故障预测。 自从10年前推出高速大容量闪存的RX630，我们在RX600系列中陆续推出了采用RXv2内核的RX651和采用RXv3内核的RX66N，在同类微控制器中性能一直处于行业前列。RX671 是 RX600 系列的新成员。 RX671在保持与RX651 MCU的物联网应用高度兼容性的同时，提升了处理能力、实时性和功能性，可以满足更广泛的用户需求。在这篇博客中，我们想介绍RX671的高性能、多功能和小型化。 更高的性能 RX 系列配备了瑞萨电子专有的 RX CPU 内核。RX-core逐年不断进化，如今已经开发出业界领先的5.9 CoreMark/MHz性能的RXv3内核。 由于RX671搭载RXv3内核，性能比现有RX631产品提升约2.1倍。即使与其他公司的产品相比，RX671 也可以在 120MHz 时钟下实现相当于 200MHz 的性能。此外，瑞萨电子的 40 纳米制造工艺使其能够实现 48.8CoreMark/mA的高功率效率。 高功能性和小型化的结合 RX671 提供一系列 4.5x4.5mm 方形 64 引脚 BGA 封装。尽管它是一个非常小的封装，但它提供了 2MB 闪存和 384KB SRAM 闪存。这允许在没有外部存储器的情况下实现物联网设备所需的固件更新。此外，RX671 还配备了电容式触摸传感器 (CTSU)，该传感器因其...
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2021/9/8 15:01:25
电容式传感器是以各种类型的电容器作为传感元件，将被测转物理量或机械量换成为电容量变化的一种转换装置，实际上就是一个具有可变参数的电容器。电容式传感器广泛用于位移、角度、振动、速度、压力、成分分析、介质特性等方面的测量。最常用的是平行板型电容器或圆筒型电容器。下面小编给大家介绍一下“电容式传感器的工作原理与分类“ 一、电容式传感器的工作原理与分类 原理 电容式传感器也常常被人们称为电容式物位计，电容式物位计的电容检测元件是根据圆筒形电容器原理进行工作的，电容器由两个绝缘的同轴圆柱极板内电极和外电极组成，在两筒之间充以介电常数为ε的电解质时，两圆筒间的电容量为 式中L为两筒相互重合部分的长度；D为外筒电极的直径；d为内筒电极的直径；e为中间介质的电介常数。在实际测量中D、d、e是基本不变的，故测得C即可知道液位的高低，这也是电容式传感器具有使用方便，结构简单和灵敏度高，价格便宜等特点的原因之一。 电容式传感器是以各种类型的电容器作为传感元件，由于被测量变化将导致电容器电容量变化，通过测量电路，可把电容量的变化转换为电信号输出。测知电信号的大小，可判断被测量的大小。这就是电容式传感器的基本工作原理。 分类 根据传感器的工作原理可把电容式传感器分为变极距型、变面积型和变介质型三种类型。 根据传感器的结构可把电容式传感器分为三种类型的结构形式。它们又可按位移的形式分为线位移和角位移两种，每一种又依据传感器极板形状分成平（圆形）板形和圆柱（圆筒）形，虽然还有球面形和锯齿形等其他形状，但一般很少用。其中差动式一般优于单组（单边）式传感器，它具有灵敏度高、线性范围宽、稳定性高等特点。
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2021/9/7 15:15:41
MOS管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻.而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错;总体而言,我觉得MOS管的分析要比三极管简单一些. 三极管和MOS管的不同之处： 一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而MOS管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因. 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 三、MOS管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用. 四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势. 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此MOS管的非线性失真比三极管的非线性失真大....
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2021/9/7 15:13:29
MP86957 是一款集成内部功率 MOSFET 和栅极驱动的单片半桥芯片。它在宽输入范围内可实现 70A 的连续电流输出。MP86957 是一款单片 IC ，每相驱动电流可达 70A 。将驱动和 MOSFET 集成在一起，可以通过优化死区时间和减少寄生电感来实现高效率。这款小型 5mmx6mm LGA 芯片的工作频率为 100kHz - 3MHz。 MP86957 具有多种功能，可以简化系统设计。MP86957通过接收控制器的三态 PWM 信号来实现功率变换。它还提供 Accu-SenseTM电流采样和温度采样，分别用于监测电感电流和报告结温。 MP86957 是高效率小尺寸服务器应用的理想之选。 产品特性和优势 ● 宽工作输入电压范围：3V 至 16V ● 70A 输出电流 ● 电流采样功能：Accu-SenseTM ● 温度采样功能 ● 可接收三态 PWM 信号 ● 限流故障标记 ● 过温故障标记 ● 下管失效标记信号和保护 ● 采用 5mmx6mm LGA 封装 应用 ● 服务器核心电压 ● 显卡核心调...
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2021/9/7 8:52:39
LT1997-1 是一款差动放大器，可用于放大小的差分信号，同时抑制大的共模信号，从而使其成为电流检测应用的理想选择。该器件将精准运算放大器与高度匹配的电阻器结合在一起，构成一款无需使用外部组件即可对电压进行准确放大和电平移位的单芯片解决方案。它具有三个标准的引脚可选增益选项 (10、20 和 50），可以进一步结合这些选项，以在保持 0.012% (120ppm) 准确度的同时实现 0.141 至 80 的增益。另外，LT1997-1还可采用介于 V– 和 V– + 76V 之间的输入电压(与 V+ 无关) 工作，从而可在苛刻的工业环境中实现牢靠的操作。其出色的电阻匹配使得共模抑制比大于109dB (增益 = 10)。电阻器可在整个温度范围内保持其卓越的匹配特性；匹配温度系数保证小于 1ppm/°C。电阻器与电压之间具有极佳的线性关系，从而实现了小于 2ppm 的增益非线性度。LT1997-1全面规格在 5V 和 ±15V 电源以及 –40°C 至 125°C 的温度范围。该器件采用节省空间的 16 引脚 MSOP 和 4mm × 4mm DFN14 封装。应用高端或低端电流检测双向宽共模范围电流检测高压至低压电平转换器工业数据采集前端隔离电路的替代方案差分至单端转换优势和特点精密增益：高达 80V/V输入共模电压范围：V– 至 V– + 76V最小 CMRR 109dB（增益 = 10）0.012％（120ppm）最大增益误差（增益= 10）最大增益误差漂移 1ppm/°C最大增益非线性度 2ppm宽电源电压范围：3.3V 至 50V轨到轨输出电源电流 350µA运算放大器最大失调电压 65µV650MHz –3dB 带宽（增益 = 10）低功耗关断：20 µA紧凑型 MSOP 和...
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2021/9/6 16:23:33
TPS43060 和 TPS43061 是低 IQ 电流模式同步升压控制器，支持 4.5V 至 38V（绝对最大值为 40V）的宽输入电压范围和高达 58V 的升压输出范围。同步整流功能可为高电流 应用实现高效率，无损电感直流电阻 (DCR) 感测功能可进一步提升效率。该器件产生的功率损耗较低，并且采用带 PowerPAD的 3mm × 3mm WQFN-16 封装，可以在扩展级温度范围（-40°C 至 150°C）内支持高功率密度且高可靠性的升压转换器解决方案。TPS43060 含有一个 7.5V 栅极驱动电源，适合驱动各种 MOSFET。TPS43061 具有一个 5.5V 栅极驱动电源，驱动强度针对低 Qg NexFET 功率 MOSFET 进行了优化。另外，TPS43061 为高侧栅极驱动器提供了一个集成型自举二极管，从而减少了外部部件数量。特点58V 最大输出电压VIN 范围：4.5V 至 38V（绝对最大值为 40V）TPS43060：针对标准阈值 MOSFET 优化的 7.5V 栅极驱动器TPS43061：针对低 Qg 优化的 5.5V 栅极驱动器 NexFET功率 MOSFET支持内部斜率补偿的电流模式控制可调频率范围：50kHz 至 1MHz同步外部时钟功能可调软启动时间电感器直流电阻 (DCR) 或电阻器电流感测输出电压电源正常指示器±0.8% 反馈基准电压5µA 关断电源电流600µA 静态工作电流集成引导加载二极管 (TPS43061)逐周期电流限制和热关断可调节的欠压闭锁 (UVLO) 和输出过压保护小型 16 引脚 WQFN (3mm × 3mm) 封装，带有 PowerPAD运行 TJ范围：–40°C 至 150°C应用用于 PC 的 Thunderbol...
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2021/9/6 15:54:31
该TPS65218是一种单芯片电源管理IC，设计用于支持电池（锂离子电池）和非应用（5-V防护）。该装置的特点在于具有-40°C到+105°C的温度下范围，使其适用于广泛的工业应用。如果您对该产品感兴趣，可以在线咨询兆亿微波商城客服，将为您提供满意报价。特点三个具有集成开关 FET 的可调降压转换器（DCDC1、DCDC2 和 DCDC3）：DCDC1：1.1 -V 默认值，最高 1.8 ADCDC2：默认 1.1V，最高 1.8ADCDC3：1.2 -V 默认值，最高 1.8 AVIN 范围为2.7V至 5.5V可调输出电压范围 0.85V 至 1.675V（DCDC1 和 DCDC2）可调输出电压范围 0.9V 至 3.4V (DCDC3)轻负载电流下的省电模式100% 占空比最低的压差禁用时有源输出放电一个具有集成开关 FET (DCDC4) 的可调降压-升压转换器：DCDC4：3.3 -V 默认值，最高 1.6 AVIN 范围为2.7V至 5.5V1.175V 至 3.4V 的可调输出电压范围禁用时有源输出放电两个用于备用电池域的低静态电流、高效率降压转换器（DCDC5、DCDC6）DCDC5：1V 输出DCDC6：1.8V 输出VIN 范围为 2.2V 至 5.5V由系统电源或纽扣电池备用电池供电可调通用 LDO (LDO1)LDO1：1.8V 默认高达 400mAVIN 范围为 1.8V 至 5.5V0.9V 至 3.4V 的可调输出电压范围禁用时有源输出放电具有 350mA 电流限制的低压负载开关 (LS1)VIN 范围为 1.2V 至 3.6V110mΩ（最大值）开关阻抗在 1.35V具有 100mA 或 500mA 可选电流限制的 5V 负载开关 (LS2)VIN 范围为4V至 5.5V5V 时 500mΩ（最大）开关阻抗具有 100-...
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2021/9/6 15:45:20
这种非隔离式降压转换器为 BMS 应用提供 400mA 时 12V 的固定输出。在大于 40V 的启动电压后，它可以在 50Vdc – 150Vdc 的输入电压范围内运行。该转换器在非连续导通模式 (DCM) 下运行，使用 UCC28730 控制器，该控制器以开关节点为参考。它以紧凑的外形提供高效率和低成本。 特征 独特的浮动控制器接地参考允许在高输入电压 (150-V) 下运行 实现 84% - 87% 的效率（50V 至 150V 输入，400mA 输出） 元件数量少，体积小 采用单个标准电感器（无需变压器）
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2021/9/6 15:34:13