电子设备的快速发展，使其更新换代的脚步也加快，电源是电子设备中必备的设备之一，电源管理技术的发展成为众多客户的关注热点，电源管理技术主要有那些呢，兆亿微波商城为您介绍常见的8种电源管理IC芯片。电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为下述8种。1、AC/DC调制IC。内含低电压控制电路及高压开关晶体管。2、DC/DC调制IC。包括升压/降压调节器，以及电荷泵。3、功率因数控制PFC预调制 IC。提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。4、脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC。为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。5、线性调制IC（如线性低压降稳压器LDO等）。包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。6、电池充电和管理IC。包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯“智能”电池 IC。7、热插板控制IC（免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响）。8、MOSFET或IGBT的开关功能ic。电源管理半导体从所包含的器件来说，明确强调电源管理集成电路（电源管理IC，简称电源管理芯片）的位置和作用。电源管理半导体包括两部分，即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。电源管理集成电路包括很多种类别，大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器（即LDO），以及正、负输出系列电路，此外 不有脉宽调制（PWM）型的开关型电路等。因技术进步，集成电路芯片内数字电路的物理尺寸越来越小，因而工作电源向低电压发展，一系列新型电压调整器应运 而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管（MOSFET）驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等等。电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件，可将它分为两大类，一类包含整流器和晶闸管;另一类是三极管型，包含功率双极性晶体管，含有MO...
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2021/8/5 11:58:17
PCB layout的意思是：印刷电路板，又称印制电路板，作为电子元件的载体，实现了电子元器件之间的线路连接和功能实现。传统的电路板工艺，采用了印刷蚀刻阻剂的工法，做出电路的线路及图面，因此被称为印制电路板或印刷线路板。1.贴片之间的间距贴片之间的间距既不能太大（浪费电路版面），也不能太小，避免焊锡膏印刷粘连以及焊接修复困难。间距大小可以参考如下的规范：■ 相同器件：≥ 0.3mm■ 不同器件：≥ 0.13×h+0.3mm（h为周围近邻与器件最大高度差）■ 手工焊接和贴片时，与器件之间的距离要求：≥ 1.5mm。2、直插器件与贴片的距离如上图，直插式电阻器件与贴片之间应保持足够的距离，建议在1-3mm之间，由于加工比较麻烦现在用直插件的情况已经很少了。不过电路板外接插座往往都是直插件。3、对于IC的去耦电容的摆放每个IC的电源端口附近都需要摆放去耦电容，且位置尽可能靠近IC的电源口，当一个芯片有多个电源口的时候，每个接口都要布置去耦电容。4、PCB板边沿的元器件摆放方向与距离由于一般都是用拼板来做PCB，因此在边沿附近的器件需要符合两个条件。第一就是与切割方向平行（使器件的机械应力均匀，比如如果按照上图左边的方式来摆放，在拼板要拆分时贴片两个焊盘受力方向不同可能导致元元件与焊盘脱落）第二就是在一定距离之内不能布置器件（防止板子切割的时候损坏元器件）5.相邻焊盘相连如果相邻的焊盘需要相连，首先确认在外面进行连接，防止连成一团造成桥接，同时注意此时的铜线的宽度。6、焊盘落在铺地区域如果焊盘落在铺通区域应该采取右边的方式来连接焊盘与铺通，另根据电流大小来确定是连接1根线还是4跟线。如果采取左边的方式的话，在焊接或者维修拆卸元器件时比较困难，因为温度通过铺的铜把温度全面分散导致焊接困难。7、焊盘泪滴如果导线比直插器件的焊盘小的话需要加泪滴上图左边的方式。加泪滴有如下几个好...
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2021/8/5 11:37:59
在电子设计中，运算放大器作为一种最常见的元器件被工程师们应用到各种信号调理电路中去。但是，当设计中没有足够的裕量支持运放去带负载的时候，放大器就会因为不稳定而极易发生振荡。导致运放稳定性问题的最常见原因是输出端的电容，常见的电容负载的电路包括：电容、MOSFET、电缆线、高速光耦等，这些容性负载不能直观看到具体的容值，所以在设计中一定要检查运放输出端是否有连接到上述这几种容性负载。本文将讨论为什么容性负载会导致稳定性问题，并且将会给出一种使用隔离电阻来进行补偿的解决方案。1、通过相位裕度的大小判断电路稳定性的方法①相位裕度及增益裕度的概念相位裕度：放大器开环增益与频率曲线中，180°的相位与开环增益下降至单位增益处的相位之差的绝对值。增益裕度：放大器开环增益与频率曲线中，180°的相位处的增益与放大器开环增益下降至单位增益处的增益之差的绝对值。②运放电路稳定性的判断稳定性可用表中的标准来判断。在设计放大器电路时，应确保45°以上的相位裕度，最好有60°以上的相位裕度。增益裕度要确保10dB以上。当相位裕度降低到30°以下，频率特性的图中就会出现凸峰，输出端很小的负载电容就会使电路陷入振荡。2、运放输出端带容性负载的分析如上图1-1及图1-2的电路及对应的波特图所示，10nF容性负载条件下，在Aol曲线上会生成一个极点，同时观察在增益为0dB的频点f对应的相位裕度只有4度左右。对应表格，此时在电路的相位裕度为4度的时候，可得出运放的电路输出是很不稳定的。由下图中的运放内部等效结构图及对应的波特图，可以看到运放输出端的Ro与输出负载电容Cout会形成新的极点，对应的频率点为 1/(2πRo*Cout)处，最终在该极点以后Aol对应频率曲线下降的斜率会变为-40dB/10倍频，这也是可以判断运放工作在不稳定状态的一个因素之一。图2...
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2021/7/2 10:01:04
电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件，设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的，因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要。小编精选了在维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧，供大家参考。1. 测整流电桥各脚的极性万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。2. 晶振损坏判别检测先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电;再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的;若氖泡不亮，则说明晶振损坏。3. 单向晶闸管损坏判别检测可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路;测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大;测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。4. 双向晶闸管损坏判别检测双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我...
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2021/7/2 9:55:29
近年来，受多种因素的影响，芯片紧缺已经成为常态，引起众多群众的关注，很多人都对芯片很是不理解，造芯有那么难吗？对芯片略微了解的心知肚明，芯片内部有100多亿个晶体管，这更让人无法理解，这100亿个晶体管是如何安装上去的呢？我们一起来看看CPU内部层状结构，从图片中看，越往下线越宽越窄，越是靠近器件层。从CPU的截面图中，不难看出层状的CPU结构，芯片内部采用的是层级排列方式，整个CPU大概有10层，其中最下层为器件层，就是众所周知的MOSFET晶体管。Mos管在芯片中放大可以看到像一个“讲台”的三维结构，晶体管是没有电感、电阻这些容易产生热量的器件的。最上面的一层是一个低电阻的电极，通过绝缘体与下面的平台隔开，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作栅极的原材料，下面的绝缘体就是二氧化硅。从平台的两侧通过加入杂质就是源极和漏极，位置可互换，他们两者之间的距离就是沟道，这个距离决定芯片的特性。芯片中的晶体管不仅仅只有Mos管这一种类，还有三栅极晶体管等，晶体管不是安装上去的，而是在芯片制造的时候雕刻上去的。在进行芯片设计的时候，芯片设计师就会利用EDA工具，对芯片进行布局规划，然后走线、布线。如果将设计的门电路放大，白色的点就是衬底, 还有一些绿色的边框就是掺杂层。晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。芯片制造的两个趋势，一个是晶圆越来越大，这样就可以切割出更多的芯片，节省效率，另外就一个就是芯片制程，制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极(Gate)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长)，也就是制程。缩小纳米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体，让芯...
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2021/6/30 9:50:38
通常很多行外人士对芯片的不理解，芯片是用什么做的呢，今天笔者为大家普及一下关于芯片相关的知识，芯片的材质主要是硅，它的性质可以做半导体。芯片内部制造工艺：芯片制造的整个过程中包括芯片设计、芯片制造、封装制造、测试等，芯片制造过程特别的复杂。以下是笔者为广大用户整理的关于芯片制造材料及工艺流程。1、晶片材料硅片的成分是硅，硅是由石英砂精制而成，硅片经过硅元素提纯后制成硅棒，成为制造集成电路的石英半导体材料，芯片是芯片制造所需特定的晶片，晶圆越薄，生成成本就月低，但是对于工艺的要求就会越高。2、晶圆涂层晶圆涂层可以抵抗氧化和温度，其材料是一种光致抗蚀剂。3、晶圆光刻显影、蚀刻首先，在晶圆（或基板）表面涂覆一层光刻胶并干燥。干燥的晶片被转移到光刻机上。通过掩模，光将掩模上的图案投射到晶圆表面的光刻胶上，实现曝光和化学发光反应。曝光后的晶圆进行二次烘烤，即所谓曝光后烘烤，烘烤后的光化学反应更为充分。最后，显影剂被喷在晶圆表面的光刻胶上以形成曝光图案。显影后，掩模上的图案保留在光刻胶上。糊化、烘烤和显影都是在均质显影剂中完成的，曝光是在平版印刷机中完成的。均化显影机和光刻机一般都是在线操作，晶片通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶片不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响。4、添加杂质相应的p和n半导体是通过向晶圆中注入离子而形成的。具体工艺是从硅片上的裸露区域开始，将其放入化学离子混合物中。这个过程将改变掺杂区的传导模式，使每个晶体管都能打开、关闭或携带数据。一个简单的芯片只能使用一层，但一个复杂的芯片通常有许多层。此时，该过程连续重复，通过打开窗口可以连接不同的层。这与多层pcb的制造原理类似。更复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层。此时，它是通过重复光刻和上述工艺来实现的，形成一个三维结构。5、晶圆经过上述处理后，晶圆上形成点...
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2021/6/30 9:43:03
很多人对芯片封装关键词并不陌生，但是您真的了解芯片封装技术吗？作为行外人士及刚入门的小白来说还是有些迷律，今天笔者针对芯片封装技术为大家做详细解答。首先，我们先了解一下，什么是芯片封装，封装通常是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，利用一系列的技术，将芯片在框架上布局粘贴固定及链接，引出接线的端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。通俗的来说是给芯片加一个外壳并固定在电路板上。比较广义的封装是指封装工程，将封装体和基板链接固定，装配成完整的系统或者电子设备，确保整个系统综合性能的工程。那么，芯片封装技术有什么用呢，为什么要进行封装呢，请继续阅读下文。封装是一个比较重要的流程，获得一颗IC芯片经过从设计到制造漫长的流程，一颗芯片非常小而且很薄，如果不外施加保护，会被轻易的损伤，影响芯片的使用效果。如果芯片不使用外壳，将不方便安置在电路板上，这个时候封装技术就派上了用场。封装有着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部和外部电路的桥梁，芯片上的节点用导线链接到封装外壳的引脚上，这些引脚通过印制板上的导线与其它器件建立链接，封装对于集成电路起着重要的作用。
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2021/6/29 11:04:43
相位噪声对于电子战和5G 通信等需要精确频率稳定性的系统至关重要。振荡器通常是信号链相位噪声性能的决定性因素。然而，在极低相位噪声系统中，会考虑放大器相位噪声贡献。本技术说明探讨了放大器的相位噪声贡献，展示了：放大器仅对信号链贡献 1/f 和白 PM 噪声。1/f 噪声在大约 1-100 kHz 的偏移频率下很明显。放大器 1/f 噪声串联线性增加，并联线性减少。振荡器高阶相位噪声在 相位噪声区域典型的相位噪声测量分为多个区域，每个区域归因于不同的物理现象。图 1 确定了相位噪声区域及其相应机制，并显示了典型的振荡器和放大器相位噪声趋势。高阶（1/f4、1/f3 和 1/f2）相位噪声是由振荡器的腔效应引起的，而不是由放大器产生的。图 1：典型的振荡器和放大器相位噪声趋势与偏移频率的关系。用相应的物理机制标记的相位噪声区域。在Rodolphe Boudot 和 Enrico Rubiola 撰写的RF 和微波放大器中的相位噪声一文中，放大器显示了遵循 1/f 噪声趋势和白 PM 噪声本底的相位噪声频谱。放大器的白色 PM 本底噪声 b o受以下因素控制：其中 F 是大信号放大器噪声系数，k 是玻尔兹曼常数，T o是器件温度，P o是放大器输入功率。一系列级联放大器的白噪声贡献可以通过弗里斯公式计算得出。Boudot 和 Rubiola 还证明，放大器通过对晶体管的固有 1/f 噪声进行上变频，将 1/f 噪声贡献给系统的相位噪声。级联放大器 1/f 相位噪声随着添加到链中的每个额外放大器线性增加。因此，串联放大器每增加一倍，1/f 相位噪声贡献将增加+3 dB。并行放大器表现出相位噪声的线性降低。类似地，并行放大器每增加一倍，对应的降低 -3 dB。测量设置进行绝对和残余相位噪声测量以证明放大器相位噪声对低相位噪声系统的贡献。绝对测量显示了信号链的总相位噪声，而残余测量则是...
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2021/6/25 14:55:23
Eclipse ESL0520A2 Pin-Pin 二极管限幅器的工作频率范围为 0.5-2.0 GHz。ESL0520A2 提供宽带操作、低插入损耗，并提供 SMA 公/母连接器。特征功率处理：1 瓦 CW，100W 峰值功率（1 微秒脉冲宽度，0.1% 占空比降额至 20% @ +125 °C）内部直流块宽带频率响应低插入损耗限制阈值高于 +4dBm 典型值。& 低典型输出泄漏 规格插入损耗 dB 0.5 – 2.0 GHz：0.6 典型值VSWR 0.5 – 2.0 GHz：1.5:1 典型值。泄漏功率 dBm CW：+18.0 最大值。泄漏功率 dBm 峰值：+20.0 最大值工作温度 C°：-55 至 +90
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2021/6/25 14:34:33
ADL5580 是一款高性能、单端或差分放大器，具有 10 dB 的电压增益，并针对直流至 10.0 GHz 范围的应用进行优化。该放大器在很宽的频率范围内，提供 2.24 nV/√Hz 的低折合到输入 (RTI) 噪声谱密度 (NSD)（在 1000 MHz 时），并针对失真性能进行了优化，因此是高速 12 位至 16 位模数转换器 (ADC) 的理想驱动器。ADL5580 非常适用于高性能、零中频 (IF) 和复杂 IF 接收器设计。此外，对于单端输入驱动器应用，该套件保持低失真。通过使用两个外部串联电阻，可以将差分输入的 10 dB 增益选择改为较低的增益值。此套件可在 0.5 V 输出共模电压下，保持低失真，在高达 1.4 V p-p 的全部电平下，可以灵活驱动 ADC。ADL5580采用 +5 V 和 -1.8 V 电源供电，正负电源电流典型值分别为 +276 mA 和 -224 mA。该套件具有电源禁用功能，当电源禁用时，放大器消耗 2 mA 电流。ADL5580针对在直流至 10.0 GHz 频率范围内的宽带、低失真和低噪声操作进行了优化。这些属性与其可调的增益功能一起，使得此套件成为适合驱动各种 ADC、混频器、Pin 二极管衰减器、表面声波 (SAW) 滤波器和多种离散射频 (RF) 套件的首选放大器。ADL5580 利用 ADI 公司的高速硅锗 (SiGe) 工艺制造，采用紧凑式 4 mm x 4 mm 20 端子网格阵列封装封装，可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。应用仪器仪表和防务应用优势和特点-3 dB 带宽：10.0 GHz预设 10 dB 增益，可通过添加外部电阻器而降低差分或单端输入到差分输出内部直流解耦输入和输出输入电压噪声（NSD、折合到输入端）：100 MHz 时 2.25 nV/√Hz低噪声输入级：...
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2021/6/25 14:24:56
TM4C1294 Connected LaunchPad 评估套件是用于基于 ARM® Cortex-M4F 的微控制器的低成本开发平台。Connected LaunchPad 设计突出了TM4C1294NCPDT MCU及其片上 10/100 以太网 MAC 和 PHY、USB 2.0、休眠模块、运动控制脉宽调制和多种同步串行连接。特征高性能 TM4C1294NCPDT MCU：120MHz 32 位 ARM Cortex-M4 CPU1MB 闪存、256KB SRAM、6KB EEPROM集成 10/100 以太网 MAC+PHY双 12 位 2MSPS ADC，运动控制 PWMUSB 2.0 全速主机、设备和 OTG（带外部 USB PHY 的高速）双、可堆叠的BoosterPack XL 连接点两个控制器局域网 (CAN) 模块（需要 CAN 收发器）板载、在线调试接口 (ICDI)多种开发工具链支持：CCS、Keil、IAR、GCCTivaWare SDK提供了数十个应用示例包括什么TM4C1294 Connected LaunchPad 评估套件（EK-TM4C1294XL PCBA，带 MCU）以太网电缆USB调试线请先阅读说明
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2021/6/25 14:17:23
AWR2243 器件是一款能够在 76GHz 至 81GHz 频带内运行的集成式单芯片 FMCW 收发器。该器件采用极小的封装实现了前所未有的集成度。AWR2243 是适用于汽车领域中低功耗、自监控、超精确雷达系统的理想解决方案。AWR2243 器件是一种自包含 FMCW 收发器单芯片解决方案，简化了汽车雷达传感器在 76GHz 至 81GHz 频带范围内的实施。它构建在 TI 的低功耗 45nm RFCMOS 工艺之上，从而实现了一个具有内置 PLL 和模数转换器的单片实施 3TX、4RX 系统。简单编程模型更改可支持各种传感器实施（近距离、中距离和远距离），并且能够进行动态重新配置，从而实现多模式传感器。此外，该器件作为完整的平台解决方案进行提供，该解决方案包括硬件参考设计、软件驱动程序、样例配置、API 指南以及用户文档。FMCW 收发器集成 PLL、发送器、接收器、基带和 A2D76GHz 至 81GHz 的覆盖范围，具有 5GHz 的可用带宽四个接收通道三个发送通道基于分数 N PLL 的超精确线性调频脉冲引擎TX 功率：13dBmRX 噪声系数：12dB1MHz 时的相位噪声：–96dBc/Hz（76GHz 至 77GHz）–94dBc/Hz（77GHz 至 81GHz）内置校准和自检内置固件 (ROM)针对频率和温度进行自校准的系统主机接口通过 SPI或 I2C 接口与外部处理器进行控制连接通过 MIPI D-PHY 和 CSI2 v1.1 与外部处理器进行数据连接通过中断实现故障报告以 ASIL B 级为目标符合 AECQ100 标准AWR2243 高级 特性嵌入式自监控，有限使用主机处理器复基带架构可以选择级联多个器件以增加通道数嵌入式干扰检测功能电源管理内置 LDO 网络，可增强 PSRRI/O 支持双电压 3.3V/1.8V时钟源支持外部驱动、频率为 ...
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2021/6/25 14:10:49
集成 DSP、MCU 和雷达加速器的单芯片 60GHz 至 64GHz 汽车雷达传感器AWR6843 是一款能够在 60GHz 至 64GHz 频带中运行且采用 FMCW 雷达技术的集成式单芯片毫米波传感器。该器件采用 TI 的低功耗 45nm RFCMOS 工艺制造，并且在超小封装中实现了出色的集成度。AWR6843 是适用于汽车领域低功耗、自监控、超精确雷达系统的理想解决方案。当前提供多种符合汽车标准的型号，包括以符合功能安全标准为目标的器件和非功能安全器件。特性FMCW 收发器集成 PLL、发送器、接收器、基带和 A2D60GHz 至 64GHz 的覆盖范围，具有 4GHz 的连续带宽四个接收通道三个发送通道支持 6 位移相器基于分数 N PLL 的超精确线性调频脉冲引擎TX 功率：12dBmRX 噪声系数：12dB1MHz 时的相位噪声：–93dBc/Hz内置校准和自检基于 ARM Cortex-R4F 的无线电控制系统内置固件 (ROM)针对频率和温度进行自校准的系统在以符合功能安全标准为目标的器件上提供嵌入式自监控，无需主机处理器参与用于高级信号处理的 C674x DSP用于 FFT、滤波和 CFAR 处理的硬件加速器存储器压缩用于物体检测和接口控制的 ARM-R4F 微控制器支持自主模式（从 QSPI 闪存加载用户应用）具有 ECC 的内部存储器1.75MB，分为 MSS 程序 RAM (512KB)、MSS 数据 RAM (192KB)、DSP L1 RAM (64KB) 和 L2 RAM (256KB) 以及 L3 雷达数据立方体 RAM (768KB)技术参考手册包括允许的大小修改为用户应用提供的其他接口多达 6 个 ADC 通道（低采样率监控）多达 2 个 SPI 端口多达 2 个 UART2 个 CAN-FD 接口I2CGPIO用于原始 ADC 数据...
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2021/6/25 14:04:24
TRF37A32具有集成的中频放大器和射频平衡-非平衡变压器的 400MHz 至 1700MHz 双路下变频器混频器。TRF37x32 是具有集成中频放大器的宽带双通道下变频混频器。 该器件采用集成式平衡-非平衡变压器进行单端射频和 LO 输入。 中频放大器在集电极开路拓扑结构中的工作频率为 30MHz 至 600MHz，支持多种中频频率和带宽。 TRF37x32 提供出色的混频器线性度和噪声性能，并在通道间提供良好的隔离，以便用于多种应用。 该器件具有低功耗特性，此外还为功率敏感型应用提供了低功耗模式选项。 各个通道均可单独降频并快速响应，因而非常适用于时域双工 (TDD) 应用。此器件系列支持宽射频输入范围TRF37A32：400 - 1700MHzTRF37B32：700 - 2700MHzTRF37C32：1700 - 3800MHz增益：10dB噪声系数：9.5dB输入 IP3：30dBm每通道 500mW 功耗单端射频输入中频频率范围为 30MHz 至 600MHz通道间 45dB 隔离低功耗模式选项独立的断电控制3.3V 单电源无需外部匹配组件应用无线基础设施WCDMA，TD-SCDMALTE，TD-LTE多载波 GSM (MC-GSM)点对点微波回程软件定义无线电 (SDR)雷达接收器卫星通信
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2021/6/25 13:59:04
LMV3xxA 系列包括单通道 - (LMV321A)、双通道 - (LMV358A) 以及四通道 (LMV324A) 低电压（2.5V 至 5.5V）运算放大器，具有轨至轨输出摆幅能力。这些运算放大器为需要低工作电压和高电容负载驱动器并且空间受限的 应用 （大型电器、烟雾探测器和个人电子产品）提供了具有成本效益的解决方案。LMV3xxA 系列的电容负载驱动器具有 500pF 的电容，而电阻式开环输出阻抗使其能够在更高的电容负载下更轻松地实现稳定。这些运算放大器专为低工作电压(2.5V 至 5.5V)而设计，性能规格类似于 LMV3xx 器件。LMV3xxA 系列稳健耐用的设计可简化电路设计。这些运算放大器具有单位增益稳定性，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，并且在过驱情况下不会出现相位反转。LMV3xxA 系列采用行业标准封装（如 SOIC、MSOP、SOT-23 和 TSSOP 封装）。特性低输入失调电压：±1mV轨至轨输出单位增益带宽：1MHz低宽带噪声：30nV/√Hz低输入偏置电流：10pA低静态电流：70?A/通道单位增益稳定内置 RFI 和 EMI 滤波器可在电源电压低至 2.5V 的情况下运行由于具有电阻式开环输出阻抗，因此可在更高的容性负载下更轻松地实现稳定工作温度范围：–40°C 至 125°C
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2021/6/25 13:51:45
LM3xxLV 系列包括单路 LM321LV、双路 LM358LV 和四路 LM324LV 运算放大器。这些器件由 2.7V 至 5.5V 的低电压供电。这些运算放大器可在低电压 应用 中替代 LM321、LM358 和 LM324。某些 应用 是大型电器、烟雾探测器和个人电子产品。LM3xxLV 器件在低电压下可提供比 LM3xx 器件更佳的性能，并且功耗更低。这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转。ESD 设计为 LM3xxLV 系列提供了至少 2kV 的 HBM 规格。LM3xxLV 系列采用行业标准封装。这些封装包括 SOT-23、SOIC、VSSOP 和 TSSOP 封装。
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2021/6/25 13:48:56
TLV902x和TLV903x是一系列双通道和四通道比较器。该系列提供低输入偏移电压、集成上电复位（POR）电路和容错输入，具有良好的速度-功率组合和100 ns的传播延迟。工作电压范围为1.65 V至5.5 V，静态电源电流为18 Vµ每个频道一个。该设备系列还包括上电复位（POR）功能，确保输出处于已知状态，直到达到最小电源电压，并且在输出开始响应输入之前经过一小段时间。这可防止系统通电和断电期间的输出瞬态。这些比较器还具有无输出相位反转和容错输入，可以上升到6V没有损坏。这使得这一系列的比较器非常适合在恶劣，嘈杂的环境中精确电压监测。TLV902x比较器有一个开漏输出级，可以拉低于或超过电源电压，使之适合低电压逻辑和电平转换器。TLV903x比较器有一个推挽输出级，在控制LED或驱动电容性负载（如MOSFET栅极）时，能够吸收和产生毫安的电流。TLV902x和TLV903x适用于-40的工业温度范围°C至+125°C和有标准的含铅和无铅包装。
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2021/6/25 13:46:01
TLV902x和TLV903x是一系列双通道和四通道比较器。该系列提供低输入偏移电压、集成上电复位（POR）电路和容错输入，具有良好的速度-功率组合和100 ns的传播延迟。工作电压范围为1.65 V至5.5 V，静态电源电流为18 Vµ每个频道一个。该设备系列还包括上电复位（POR）功能，确保输出处于已知状态，直到达到最小电源电压，并且在输出开始响应输入之前经过一小段时间。这可防止系统通电和断电期间的输出瞬态。这些比较器还具有无输出相位反转和容错输入，可以上升到6V没有损坏。这使得这一系列的比较器非常适合在恶劣，嘈杂的环境中精确电压监测。TLV902x比较器有一个开漏输出级，可以拉低于或超过电源电压，使之适合低电压逻辑和电平转换器。TLV903x比较器有一个推挽输出级，在控制LED或驱动电容性负载（如MOSFET栅极）时，能够吸收和产生毫安的电流。TLV902x和TLV903x适用于-40的工业温度范围°C至+125°C和有标准的含铅和无铅包装。
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2021/6/25 13:43:55