TDK集团推出新系列带电流补偿功能的爱普科斯 (EPCOS) 双环形磁芯扼流圈。新系列元件能有效抑制共模干扰，有三种尺寸可选，在250 V AC (50/60 Hz) 的额定电压条件下可提供10 A至17 A的电流处理能力，电感值范围为1.0 mH至6.25 mH，具体视型号而定。B8272 * V2 * U *系列扼流圈的最高工作温度为70°C，底板和环芯磁芯之间采用阻燃等级为UL 94 V-0，相对电痕指数等级为CTI600的塑料垫片，并且铁氧体磁芯的环氧涂层也具有相同的UL阻燃等级和CTI等级。这些EMC元件的尺寸范围为33 x 23 x 30 mm3至39 x 23 x 37 mm3之间，相对于出色的电流处理能力来说，其尺寸极小。新系列环形磁芯扼流圈的漏磁电感约为0.4％，广泛适用于开关电源、转换器和家用电器，符合RoHS指令要求，能有效抑制对称干扰。主要应用● 开关电源、转换器和家用电器主要特点与优势● 优异的电流处理能力：10 A 至 17 A @250 V AC● 紧凑的尺寸：33 x 23 x 30 mm3 至 39 x 23 x 37 mm3● 约为0.4%的漏磁电感，能有效抑制对称干扰
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2021/3/18 10:39:24
全球领先的GaN（氮化镓）功率半导体厂商GaN Systems宣布与Silanna Semiconductor合作，推出了一款基于GaN的最高功率密度、高效率的65W有源箝位反激式（ACF）充电器的新参考设计。该参考设计现已在Silanna Semiconductor上市，为ACF USB-C PD GaN充电器提供了一个简单的设计，为客户缩短了设计周期和产品上市时间。 该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难，因为ACF拓扑设计通常在高侧和低侧配置两个晶体管。新的充电器参考设计采用Silanna Semiconductor的SZ1130 ACF PWM控制器和GaN Systems GS-065-008-1-L 650V GaN功率晶体管，高侧FET集成到控制器中。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET，降低了BoM成本。 超高密度：30W / in ^ 3（无外壳） 高效率：峰值效率 94％ 低温度： 更好的EMI设计：几乎零电压尖峰或振铃可清洁波形 支持广泛的应用：5V/3A，9V/3A，15V/3A和20V/3.25A输出电压；USB-PD “ Silanna Semiconductors非常适合65W ACF设计，这是该公司开发创新解决方案的另一个例子，以认识到GaN对电源工程师的重要性日益提高，” GaN Systems首席执行官Jim Witham说道，“随着GaN成为标准建筑跨市场，很高兴看到生态系统继续增长。” GaN Systems是全球领先的GaN功率半导体公司，拥有最大的晶体管组合，能独特地满足当今最苛...
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2021/3/17 13:16:44
许多高性能、高频率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET之间的桥梁，用来将开关信号电流和电压放大，同时具备一定的故障隔离能力。一旦确定了选用某种开关电源方案后，接下来就要选择合适的驱动IC，而选好驱动芯片，就需要硬件工程师对电路特性有一定的了解。 以典型的AC/DC开关电源系统为例，PFC部分采用无桥升压拓扑，可选用一颗NSD1025同时驱动两路开关MOSFET，LLC的原边可用一颗半桥隔离驱动芯片NSi6602同时驱动上下桥臂MOSFET，副边用一颗NSD1025驱动全波同步整流MOSFET。选用高速高可靠性的驱动IC，可以帮助电源系统提升效率和功率密度。 以典型的AC/DC开关电源系统为例，PFC部分采用无桥升压拓扑，可选用一颗NSD1025同时驱动两路开关MOSFET，LLC的原边可用一颗半桥隔离驱动芯片NSi6602同时驱动上下桥臂MOSFET，副边用一颗NSD1025驱动全波同步整流MOSFET。选用高速高可靠性的驱动IC，可以帮助电源系统提升效率和功率密度。 由于开关电源经常需要硬开关驱动大功率负载，在硬开关以及布局限制的情况下，功率MOSFET往往会对驱动芯片的输入和输出端形成较大的地弹电压和振荡尖峰电压。地弹电压会造成驱动器输入端等效出现负电压，因为内部等效体二极管，大多数栅极驱动器能够承受一定的负压脉冲。然而，亦有必要采取预防措施，以防止驱动器输入端的过冲和欠压尖峰过大，而对驱动芯片造成损坏，或产生误动作。 驱动输入端负压尖峰的形成原因 仍以PFC拓扑为例，低边驱动器用在...
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2021/3/17 13:06:22
兆亿微波：工程师常常面对各种挑战，需要不断开发新应用，以满足广泛的需求。一般来说，这些需求很难同时满足。例如一款高速、高压运算放大器（运放），同时还具有高输出功率，以及同样 出色的直流精度、噪声和失真性能。市面上很少能见到兼具所有这些特性的运算放大器。但是，您可以使用两个单独的放大器来构建这种放大器，形成复合放大器。将两个运算放大器组合在一起，就能将各自的优势特性集成于一体。这样，与具有相同增益的单个放大器相比，两个运算放大器组合可以实现更高的带宽。复合放大器由两个单独放大器组合而成，分别具有不同的特性。 图1所示就是这种结构。放大器1为低噪声精密放大器ADA4091-2。 在本例中，放大器2为AD8397,具有高输出功率，可用于驱动其他模块。图1所示的复合放大器的配置与同相放大器的配置类似，后者具有两个外部操作电阻R1和R2。将两个串联在一起的运算放大器看作一个放大器。总增益(G)通过电阻比设置，G = 1 + R1/R2。如果R3与R4电阻比发生变化，会影响放大器2 (G2)的增益，也会影响放大器1 (G1)的增益或输出电平。但是，R3和R4不会改变有效总增益。如果G2降低，G1将增加。带宽扩展复合放大器的另一个特性是具备更高带宽。相比单个放大器，复合放大器的带宽更高。所以，如果使用两个完全相同的放大器，其增益带宽积(GBWP)为100 MHz，增益G = 1，那么–3 dB带宽可以提高约27%。增益越高，效果越明显，但最高只能达到特定限值。一旦超过限值，可能会不稳定。两个增益分布不均时，也会出现这种不稳定的情况。一般来说，在两个放大器的增益均等分布的情况下，可获得最大带宽。采用上述值（GBWP = 100 MHz、G2 = 3.16、G = 10），在总增益为10时，两个放大器组合的–3 dB带宽可以达到单个放大器的3倍。这种说明相对简单。增益均匀分布时，G2也会获得...
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2021/3/16 15:56:03
LTC®1566-1 是一款 7 阶连续时间低通滤波器，其具有 12dB 的通带增益。LTC1566-1 的选择性、线性和动态范围使之适合于数据通信或数据采集系统中的滤波处理。滤波器衰减为 40dB (在 1.5 x fCUTOFF) 和至少 60dB (对于 10MHz 以上的频率)。LTC1566-1 在 2MHz 带宽中具有一个 62μVRMS 的输入参考噪声。在信号电平很小的接收机应用中，该滤波器具有 71dB 的无杂散动态范围。凭借 5% 的截止频率准确度，LTC1566-1 可在那些需要匹配滤波器对的应用中使用，例如收发器 I 和 Q 通道。差分输入和输出提供了一个用于无线系统的简单接口。高阻抗输入可容易地耦合至差分解调器或 D/A 转换器。输出 DC 共模电压和输出 DC 偏移电压是可调的，因此可优化信号通路以驱动一个 A/D 转换器或差分调制器。其他截止频率或单端 I/O 可根据客户要求提供。请与凌力尔特 (现隶属 ADI) 联系。产品优势采用SO-8 封装的 7 阶、2.3MHz 低通滤波器62µVRMS 输入参考噪声采用单 5V 或一个 ±5V 电源工作差分输入和输出低偏移 (3mV 典型值， 10mVMAX)可调的输出共模电压40dB 衰减 (在 1.5 x fCUTOFF）无需外部组件应用WCDMA 基站通信滤波器抗混叠滤波器平滑滤波器或重构滤波器匹配滤波器对替代 LC 滤波器
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2021/3/16 15:43:38
兆亿微波商城为广大用户分享直接测量运算放大器输入差分电容的方法，我们知道，输入电容可能会成为高阻抗和高频运算放大器(op amp)应用的一个主要规格。值得注意的是，当光电二极管的结电容较小时，运算放大器的输入电容会成为噪声和带宽问题的主导因素。运算放大器的输入电容和反馈电阻在放大器的响应中产生一个极点，从而影响稳定性并增加较高频率下的噪声增益。因此，稳定性和相位裕量可能会降低，输出噪声可能会增加。实际上，以前的一些 CDM （差模电容）测量技术依据的是高阻抗反相电路、稳定性分析以及噪声分析。这些方法可能会非常繁琐。 在诸如运算放大器之类的反馈放大器中，总有效输入电容由 CDM与负输入共模电容（或对地的 CCM––）并联组成。 CDM 难以测量的原因之一是运算放大器的主要任务是防止两个输入不相关。与测量 CDM 的难度相比，直接测量对地的正输入共模电容 CCM+相对容易一些。在运算放大器的同相引脚上放置一个较大的串联电阻并施加正弦波或噪声源，就可以使用网络分析仪或频谱分析仪来测量由运算放大器输入电容而产生的-3 dB的频率响应。假定 CCM+ and CCM–相同，特别是对于电压反馈放大器。但是，这些年来，测量CDM变得日益困难；运算放大器的固有特性会迫使其输入相等，从而自举 CDM, 因此所使用的各种不同的技术都无法令人满意。当输入被强制分开并进行电流测量时，输出将试图进行对抗。检测 CDM的传统方法是间接测量，该方法依赖于相位裕度的降低，且因并联使用 CCM– 等其他电容而变得更复杂。 我们希望待测运算放大器能够像客户平时的用法一样，在闭环条件下正常运行并执行功能。建议的一种可行方法是分离输入并进行输出削波，但是这可能会使内部电路无法工作（取决于运算放大器拓扑），因此实测电容可能无法反映实际工作电容。在这种方法中，不会对输入进行过度分离，以避免输入级 的非线性以及过多...
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2021/3/15 10:29:34
简介 ADHV4702-1 是一款高压(220 V)、单位增益稳定精密运算放大器。ADI公司的新一代专有半导体工艺和创新架构使该精密运算放大器能够以±110 V的对称双电源、非对称双电源或220 V单电源供电。 业界首款220 V精密运算放大器 ADHV4702-1具有170 dB的典型开环增益(AOL)和160 dB的典型共模抑制比(CMRR)。ADHV4702-1的最大输入失调电压(VOS)漂移为2 ?V/°C，输入电压噪声为8 nV/√Hz。ADHV4702-1出色的直流精度与出色的动态性能相辅相成，小信号带宽为10 MHz，压摆率为74 V/?s。ADHV4702-1的输出电流典型值为20 mA。此外，它还具有一些独特功能，例如可调供电电流、升压电路和EPAD焊盘因为与内部隔离可以灵活的加偏置电压，这些功能让其成为各类应用的理想高压解决方案。 图1. ADHV4702-1输出摆幅电路及能力。 应用 ADHV4702-1是市场上第一款提供高电压和精密性能的小尺寸放大器。ADHV4702-1解决了多个设计难题，可以用于多种不同应用，例如自动测试设备、生命科学、激光雷达和医疗健康。在自动测试设备应用中，此器件可用于测量高压侧的电流，以及生成精准的高压电源。在生命科学领域，ADHV4702-1可以对质谱系统实施精准的高压控制。在激光雷达应用中，它可以用于精确控制APD偏压。在医疗应用中，本产品可用于准确控制硅光电倍增管的偏压点。 图2. ADHV4702-1精密性能。 12引脚、7 mm × 7 mm LFCSP封装，符合IEC 61010-1间距 ADHV4702-1采用12引脚7mm × 7mm引线框架芯片级封装(LFCSP)，带有裸露焊盘，符合国际电工委员会IEC 61010-1爬电距离和电气间隙标准。采用...
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2021/3/15 10:00:13
许多应用需要在高共模电压存在的情况下进行差分测量，而有些测量电压在几百伏以上。在这些电压下进行精确测量不但很难，而且成本高昂。但是 ，AD8479 能够轻松做到这一点。如AD8479数据手册所述，电阻网络在提供单位差分增益的同时，将非常大的共模电压衰减了60倍。然而，许多应用可从漏斗放大器中受益，因为这种放大器能够在承受高电压同时，通过将信号衰减到可用的电压阈值范围内来测量非常高的信号。通过利用AD8479中的精密电阻，内置衰减系数来实现这种测量。 由于AD8479将信号衰减了60倍，为实现单位差分增益设备内部的其他运算放大器就必须将该差分信号再放大60倍。该增益通过连接到负基准电压(Ref–)引脚的电阻和连接到输出的电阻的比率实现。由于此处的目标只是实现衰减，因此可通过将输出信号反馈给Ref–引脚来旁路该增益。在此配置中，不再获得单位增益，而是实现精密漏斗放大器。由于AD8479采用固定增益配置，放大器可适当进行补偿，因此单位增益可能不稳定。为保持稳定性，此处的一个设计要求是确保在放大器的增益滚降之前，放大器处于初始预期增益中。AD8479数据手册将典型带宽列为310 kHz，因此负基准电压反馈应在此频率之前滚降。通过利用低通滤波器连接AD8479输出，并缓冲滤波器的输出（在滤 波器后加缓冲器），以及将缓冲器输出反馈回AD8479的负基准引脚，由此AD8479可构建为高电压精密漏斗放大器。 图1. AD8479：增益为1/60的功能框图。 对于精密信号链，将噪声和失调电压保持在最小值至关重要。为保证这一要求，需要具有低噪声和低失调电压的缓冲器。出于这些原因及其宽电源范围，选择运放ADA4522作为单位增益缓冲器。这就使得ADA4522与AD8479采用相同的电源供电，从而降低了系统的复杂性。由于ADA4522的输入电压最高不能超过V+减1.5 V，所...
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2021/3/15 9:19:05
工程师常常面对各种挑战，需要不断开发新应用，以满足广泛的需求。一般来说，这些需求很难同时满足。例如一款高速、高压运算放大器（运放），同时还具有高输出功率，以及同样 出色的直流精度、噪声和失真性能。市面上很少能见到兼具所有这些特性的运算放大器。但是，您可以使用两个单独的放大器来构建这种放大器，形成复合放大器。将两个运算放大器组合在一起，就能将各自的优势特性集成于一体。这样，与具有相同增益的单个放大器相比，两个运算放大器组合可以实现更高的带宽。 复合放大器由两个单独放大器组合而成，分别具有不同的特性。 图1所示就是这种结构。放大器1为低噪声精密放大器ADA4091-2。 在本例中，放大器2为AD8397,具有高输出功率，可用于驱动其他模块。 图1所示的复合放大器的配置与同相放大器的配置类似，后者具有两个外部操作电阻R1和R2。将两个串联在一起的运算放大器看作一个放大器。总增益(G)通过电阻比设置，G = 1 + R1/R2。如果R3与R4电阻比发生变化，会影响放大器2 (G2)的增益，也会影响放大器1 (G1)的增益或输出电平。但是，R3和R4不会改变有效总增益。如果G2降低，G1将增加。 带宽扩展 复合放大器的另一个特性是具备更高带宽。相比单个放大器，复合放大器的带宽更高。所以，如果使用两个完全相同的放大器，其增益带宽积(GBWP)为100 MHz，增益G = 1，那么–3 dB带宽可以提高约27%。增益越高，效果越明显，但最高只能达到特定限值。一旦超过限值，可能会不稳定。两个增益分布不均时，也会出现这种不稳定的情况。一般来说，在两个放大器的增益均等分布的情况下，可获得最大带宽。采用上述值（GBWP = 100 MHz、G2 = 3.16、G = 10），在总增益为10时，两个放大器组合的–3 dB带宽可以达到单个放大器的3倍。 这种说明相对简单。增益均匀分布时，...
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2021/3/15 9:12:48
同轴衰减器是一种能量损耗性射频微波元件，元件内部含有电阻性材料。除了常用的电阻性固定衰减器外，还有电控快速调整衰减器。衰减器广泛使用于需要功率电平调整的各种场合。同轴衰减器的技术指标同轴衰减器的技术指标包括衰减器的工作频带、衰减量、功率容量、回波损耗等。1、工作频带：衰减器的工作频带是指在给定频率范围内使用衰减器，衰减器才能达到指标值。由于射频/微波结构与频率有关，不同频段的元器件，结构不同，也不能通用。现代同轴结构的衰减器使用的工作频带相当宽，设计或使用中要加以注意。2、衰减量：无论形成功率衰减的机理和具体结构如何，总是可以用下图所示的两端口网络来描述衰减器。信号输入端的功率为P1，而输出端得功率为P2，衰减器的功率衰减量为A（dB）。若P1 、P2 以分贝毫瓦（dBm）表示，则两端功率间的关系为 P2（dBm）= P1（dBm）－ A（dB）可以看出，衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定。衰减量用分贝作单位，便于整机指标计算。3、功率容量：衰减器是一种能量消耗元件，功率消耗后变成热量。可以想象，材料结构确定后，衰减器的功率容量就确定了。如果让衰减器承受的功率超过这个极限值，衰减器就会被烧毁。设计和使用时，必须明确功率容量。4、回波损耗：回拨损耗就是衰减器的驻波比，要求衰减器两端的输入输出驻波比应尽可能小。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。设计衰减器时要考虑这一因素。同轴衰减器的基本构成：构成同轴衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式，由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器，体积肯定要加大，关键就是散热设计。随着现代电子技术的发展，在许...
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2021/3/12 15:56:11
如今在世界的某个地方，已经有汽车工程师开始构想新的汽车信息娱乐系统，但该系统在未来五年或更长时间内不会实现。这是因为，信息娱乐系统应用对电源有很多要求，而且该应用目前仅处于概念阶段。随着信息娱乐系统具有日益复杂的电子功能，其所需的集成电路(IC)数量越来越多，而且这些IC都会共享12V电池的功率。 设计电源架构时需要加入电源调节和保护功能，这样才能确保系统在出现各种瞬态事件时良好运行。 在这篇文章中，我将介绍应该注意的几种典型瞬态，以及TI如何帮助满足瞬态保护需求。 典型瞬态 在四种常见场景中可能会发生瞬变。 图1所示为第一种场景，即在交流发电机给电池充电的过程中，电池断开导致的负载突降事件。负载突降会导致电压上升；交流发电机的集中式钳位电路将出现35V的最大电压。 图1：12V系统的负载突降曲线 图2所示为第二种场景，即电源断开时，在与电感负载并联的模块中产生较大的负电压峰值（如国际标准化组织 [ISO]7637-2测试脉冲1）。 图2：ISO 7637-2测试脉冲 图3所示为第三种场景，即系统的大容量电容在启动期间导致浪涌电流，它会在电容器充电时引发更大的电流。 图3：启动期间的浪涌电流曲线（具有较大的容性负载） 第四种场景是电池电压降低。图4所示为冷启动，即发动机在环境温度低的条件下启动。 图4：典型的冷启动波形 瞬态保护 提供瞬态保护的一种方法是使用理想二极管控制器。如图5所示，使用电流感应放大器和理想二极管控制器可以实现额外的过流保护，从而提供优于滤波和电源调节的全面保护解决方案。 图5：汽车瞬态和过流保护滤波器保护方框图 负载突降保护 LM74810-Q1 利用过压可调节特性，可在不需要的负载突降事件中提供保护。如图6所示，LM74810-Q1的OV引脚可使用比较器发送出现过压事件的信号。这会断开用于驱动Q2金...
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2021/3/12 14:14:00
在DCDC电源测试中，负载瞬态测试（Load Transient Test）是十分重要的一环，利用负载瞬态测试，可以快速评估所测电源的稳定性与快速性，而在DCDC转换器芯片的选型时，负载瞬态测试表现也是评估该芯片动态性能的重要参考。下图是某DCDC转换器负载瞬态测试的典型波形，CH3为输出电压的AC分量，CH4为负载电流。注意到负载电流上升斜率与下降斜率并不相同，较缓的上升斜率对应较小的电压跌落（Undershoot），而陡峭的下降斜率则对应较大的电压过冲（Overshoot）。 图1 负载动态典型波形 负载瞬态通常使用电子负载（E-Load）进行测试，前面提到，负载的跳变斜率（Slew Rate）将对测试结果产生关键影响，然而受设备内部电路限制，常规电子负载所能实现的di/dt不会很高，另外受不同厂家设计等因素影响，不同型号的电子负载其能实现的跳变速率也不尽相同，如下图2(a)(b)所示，两图分别为型号A和B，在同样设置2.5A/us时的实际电流上升斜率对比，可以看到实际电流跳变斜率远小于设置值，而不同型号的跳变斜率也不一样。这可能导致电源瞬态测试结果偏理想，或对不同芯片之间性能评估不够客观。因此，设计一款简易实用，负载跳变斜率可满足实验要求的电子负载具有重要工程意义。 图2(a) 型号A ...
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2021/3/12 13:15:30
在室内低压调光应用中，母线电压小于60V，一般会选用降压调光驱动器。对于调光方式，存在模拟调光和数字PWM调光两种方式。数字调光通过调整脉冲和信号周期的比率，实现调光功能；模拟调光调整输出电流的幅值，实现调光目的。相比数字PWM调光方式，模拟调光方式的线性度更好，可以实现无极调光。 图1：数字PWM调光方式和模拟调光方式 TPS92513HV是集成MOS的LED 调光芯片，输入电压支持4.5V – 60V，输出电流最高支持1.5A。同时TPS92513HV支持模拟调光和数字PWM调光模式，适用于大多数调光应用。 图2：TPS92513HV典型应用电路 对于模拟调光，由于调光IC内部集成电路的工艺，存在失调电压，即便模拟给定是0，芯片仍然会存在微弱的输出。在实际的应用中，会存在即便是给定为0，LED还会存在微弱的光，即不能实现完全关断。 针对于这个应用问题，通过添加一个逻辑判断电路，在模拟输入较低的条件下，拉低芯片数字调光输入端口，从而实现完全关断。具体实现电路如图3所示，当模拟给定低于设定阈值时，运放输出为低，成功封锁了芯片输出。 图3：使用运放电路改进模拟调光性能 实现关断电路，需要额外供电电路。 从成本和实现性上，推荐选用ATL431的供电电路，可以稳定实现一个35uA – 100mA的输出，具体实现电路如图4所示。 图4：由ATL431 实现低成本IC 供电方案
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2021/3/12 11:59:28
我们一直在通过减少元器件的数量和节约印刷电路板的尺寸来追求系统设计的最优化。 增添小型、低成本的微控制器（MCU）以实现简单的辅助处理功能，可以对许多电路的设计产生助益。该通用MCU并非系统中主要的处理器，但它可处理一些必不可少的系统级功能，如LED控制或输入/输出扩展。本文中，我将说明如何在系统中集成多功能通用处理MCU来缩减物料清单（BOM）成本，节省电路板空间，并最大程度地简化设计。 例如，假如您要创建一个具有以下功能的新设计： LED控制 I/O扩展 带电可擦可编程存储器（EEPROM） 外部看门狗时钟 您可使用分立元器件来实现所有功能。也可以考虑在通用MCU上执行软件实现同样的功能，以降低复杂性并减小电路板的尺寸，如图1所示。 图1：在单个通用MSP430 MCU上实现软件中多个分立元器件的功能 另一个值得考虑的设计方面的挑战——也许是一个最为重要的挑战——就是符合您的设计预算要求。 例如，如果采用分立元器件方法实现这些功能，您可预估大致的物料清单成本。举例来说，具备包括LED控制、五通道I/O扩展器、串行EEPROM和外部看门狗时钟等功能的多个分立元器件方案总计将花费约0.97美元。与此相比，8-KB MSP430 MCU的当前网络价格不到0.25美元。这可大大节约了成本！ 如果您需要更大或更小内存的通用MCU，可在MSP430 MCU产品系列中发现不同内存和配置的丰富的选择。 采用集成度好的通用化MCU的设计方案不仅可减小电路板尺寸、减少元器件数量，还可降低整体物料成本。您可在网络研讨会“更简易的系统监控：如何将多个功能转移到MSP430 MCU。”中了解更多关于这些设计的信息。 示例应用程序：在内务处理型MCU上实现ADC唤醒和传输功能 让我们来看一个示例，说明如何在设计中真正实现辅助处理功能。 一种常见的设计是在电路板上配置一...
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2021/3/12 11:53:20
兆亿微波商城为广大客户分享TI三种特色的功率运算放大器，满足广大用户的应用需求，该产品是业界最为多样化的高压和高电流单片运算放大器产品系列。 1、OPA454：高电压 (100V) 和高电流 (50mA) 运算放大器，G = 1 稳定 OPA454器件是一种低成本的运算放大器，具有高电压（100v）和相对高的电流驱动（50ma）。它单位增益稳定，增益带宽积为2.5mhz。 OPA454具有内部保护功能，可防止过热和电流过载。它被完全指定在±5 V到±50 V的宽电源范围内或在10 V到100 V的单电源上执行。状态标志是一个开漏输出，允许它容易地被标准低压逻辑电路引用。这种高电压运算放大器提供了出色的精度，宽输出摆幅，是从相位反转的问题，往往发现在类似的放大器免费。 输出可以使用启用或禁用引脚独立禁用，启用或禁用引脚有自己的公共返回引脚，以便于与低压逻辑电路接口。这种禁用是在不干扰输入信号路径的情况下完成的，不仅节省了电源，而且保护了负载。 OPA454采用小型外露金属垫封装，易于在扩展的工业温度范围内散热，–40°C至+85°C。 2、OPA521：具有经优化的内部保护和故障检测功能的 2.5A 窄带线路驱动器运算放大器 OPA521 是一种线路驱动器功率放大器，符合 CENELEC 频带 A、B、C、D 和 ARIB STD-T84、FCC 第 15 部分的电力线通信 (PLC) 传导发射要求。此器件在高电流、低阻抗且具有无功负载的线路上最高可提供 2.5A 电流。OPA521 具备优化的内部保护结构，因此它只需极少的外部保护组件，实现具有经济效益且节省空间的系统。 OPA521 带宽为 3.8MHz，可提供 –7V/V 的闭环增益。此单片集成型电路为电源线通信应用提供 高可靠性。 OPA521 线路驱动器由 7...
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2021/3/12 11:38:04
描述 TIDA-01036 参考设计展现了高品质系数（Q 系数）有效的差动带通滤波器。此类滤波器改善了信号源 SNR 并可用于数据采集 (DAQ) 模块测试。该款滤波器还可用于设计 DAQ 系统模拟前端的信号调节线路。 特性 差动输入滤波器支持具有高品质系数的最高 100 KHz 的中心频率 专为低失真和高 SNR 的全差动放大器设计 多反馈拓扑 (MFT) 用于高品质系数 高性能设备表征（A/D 和 D/A）以及验证 可替换大尺寸高阶无源滤波器的紧凑解决方案
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2021/3/12 11:27:38
LT3960 是一款强大的高速收发器，通过使用 CAN 物理层，以高达 400kbps 的速度将单主 I2C 总线扩展到恶劣或嘈杂的环境。一个 LT3960 位于 I2C 主机附近，在两个双绞线上从 SCL 和 SDA 创建等效差分总线 (I2CAN)。在双绞线的另一端，第二个 LT3960 为任何从属 I2C 设备在本地重新创建 I2C 总线。内置的 3.3 V LDO 通过 4 V 至 60 V 的单输入电源为 I2C 和 I2CAN 总线供电。另外，LT3960 可直接由 3.3 V 至 5 V 电源供电。 LT3960 采用 10 引脚 MSOP 封装。 应用：工业网络、汽车网络、远程传感器、 优势和特点 不受 ±40V 过压线路故障影响 高达 400kbps I2C 通信 4 V 至 60 V 电源范围，内置 3.3 V 调节器 3.3 V 或 5 V 总线电压 扩展的共模范围 (±36V) ±CAN引脚 8kV HBM ESD， ±所有其他产品引脚 2kV HBM ESD 带热关断的限流驱动器 上电/掉电无毛刺驱动器输出 低电流关断模式 传输数据主导超时功能 提供 E 和 J 级 采用 10 引脚 MSOP 封装 AEC-Q100 评定正在进行中
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2021/3/12 9:20:16
抽象的 经过多年的研究和开发，电气工程师，物理学家，数学家和科学家已经意识到以更高的频率运行通信系统的好处。这项研究产生的一些最显着的进步包括：相同功能的较小电路实现；对于给定的天线尺寸，提高了天线增益；数据承载能力急剧增加。然而，在现实世界的限制下实施高频电路仍然面临许多挑战。在非平凡的问题中，包装脱颖而出。 至关重要的是，用于RF组件的封装允许集成多种电路技术，同时在给定应用中实现性能和成本的最佳平衡。然而，由于嵌入的寄生物和其他固有的技术限制，传统的封装技术已被证明无法将X波段以下通常看到的相同性能转换为毫米波范围。这些局限性导致设计社区利用新的封装技术，新颖的设计方法和先进的CAD工具为高频市场和应用开发具有成本效益的，可扩展的封装解决方案。这些新的封装技术现在正在远离性能下降的实现方式，例如模塑料和长引线键合结构，以在55 GHz以上的频率上实现出色的性能。鉴于这些发展，本文探讨了开发用于毫米波组件的商业上可行的包装解决方案的基础的一些关键概念（正在申请专利）。 索引词 低温共烧陶瓷，LTCC，MMIC，mmWave，多物理场，模拟，SMT封装，包装 一，引言 预计全球移动数据使用量将从2017年的11.2 PB /月增长到2021年的48.3 PB /月。5G已成为一项强有力的建议，旨在实现移动数据容量1000倍的增长，并支持70亿人和90亿人的预期数据消耗。 7万亿台设备，同时保持高能效并保持几乎零停机时间[1]。5G的到来带来了越来越多的集成电路（IC）开发以满足高频应用的需求以及相关的需求，即开发不仅具有保护作用而且具有成本效益的封装 这些IC，但也能够在较宽的工作频段上保持良好的电气性能。当前的表面贴装QFN封装不适用于毫米波频率的封装设备。信号路径中遇到的寄生元件，例如从PCB到QFN顶面的垂直过渡的不连续性以及到IC的引线键合的不连续性...
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2021/3/11 15:38:05