材料 ●ADALM2000主动学习模块 ●无焊面包板 ●一个2.2kΩ电阻（或其他类似值） ●一个168Ω电阻（将100Ω和68Ω电阻串联） ●一个小信号NMOS晶体管（增强模式CD4007或ZVN2110A） 说明 图1给出了NMOS零增益放大器的原理图。 硬件设置 面包板连接如图2所示。任意波形发生器1输出连接驱动电阻R1的一端。电阻R2连接在晶体管M1的栅极和漏极之间，电阻R1的另一端也连接至栅极。M1的源极接地；所以，M1采用共源配置。 程序步骤 波形发生器1配置为1 kHz三角波，峰峰值幅度为4 V，偏置为2 V。连接示波器通道1，以显示AWG的输出W1。示波器通道2 (2+)的单端输入被用于交替测量M1的栅极电压和漏极电压。 配置示波器以捕获测量的两个信号的多个周期。启用XY功能。 使用示波器的波形图示例如图3至图5所示。
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2021/1/25 13:07:30
【兆亿微波商城】ADI公司的ADMV8818是全集成单片微波集成电路(MMIC)，具有数字可选择的频率操作器件有四个单独控制的高通滤波器(HPF)和四个单独控制的低通滤波器(LPF)，频率范围从2GHz到18GHzADMV8818灵活的架构允许高通和低通滤波器的3dB 截止频率(f3dB)能单独控制，以得到高达4GHz带宽每个滤波器的数字逻辑控制是4位宽(16态)和控制片上电抗元件，以调整f3dB.典型的插入损耗为9dB，宽带抑制是35dB，这对最小化系统失真是非常理想的这个可调滤波器可用作小型化来替代大型开关滤波器和可调腔滤波器，为先进的通信应用提供了可调解决方案主要用在测试和测量设备，军用雷达，电子战和电子对抗，卫星通信和空间通信以及工业与医疗设备
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2021/1/22 14:19:34
ZLG PAS系列可编程交流电源是亥姆霍兹线圈全新供电解决方案,延续传统【信号发生器+放大器】组合电源的优势,而且具备更便捷操作体验、更小占地空间、更低成本等优点。 亥姆霍兹线圈(Helmholtz coil)是由一对完全相同的圆形导体线圈组成,产生大体积的均匀磁场,可组合一维、二维与三维标准直流或交流磁场,模拟生物磁场、地磁环境与电磁干扰试验等,广泛应用于医疗、电子、材料等领域,如医疗应用中胶囊内镜机器人。 亥姆霍兹线圈由一对彼此平行且同轴的圆形连通线圈组成,两线圈间距与圆线圈半径相同,使两线圈内通过方向一致且大小相同的电流,其公共轴中点附近将产生较广的均匀磁场。在一维磁场的基础上,我们还可以进行二维、三维组合磁场的叠加,可提供交流磁场或直流磁场,并且电流和磁场具有非常稳定的线性关系。 亥姆霍兹线圈一维电磁场 亥姆霍兹线圈产生稳定的磁场,就必须提供稳定的交流(直流)源输入。亥姆霍兹线圈产生交流低频磁场,其主流交流供电规格--电压:0～200Vac/频率:0．1～5000Hz。通常采用【信号发生器+放大器】组合作为亥姆霍兹线圈供电电源。信号发生器主要调节电压频率与相位角等参数,放大器主要对信号发生器信号功率放大输出,驱动亥姆霍兹线圈运行。【信号发生器+放大器】组合亥姆霍兹线圈供电电源也存在明显不足——体积大、接线复杂、成本高等,尤其是三维亥姆霍兹交流磁场的供电电源。 新一代高性能PAS系列可编程交流电源,延续【信号发生器+放大器】组合的电源优点,并且具备三相独立输出、多种输出模式、宽范围电压与频率输出(交流电压:0～400Vac、输出频率:0．1～5000Hz)、高精度电压与频率控制(控制精度高达0．01Hz)、良好用户操作体验等优势,是亥姆霍兹线圈优质供电电源。同等输出配置条件下,PSA系列可编程交流电源的供电方案现场配线更简单、占地空间更小、操作控制更便利...
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2021/1/22 10:22:06
这是一个6米波段发射机RF功率放大器（50兆赫），100W的输出，它曾经与我的FT-736R和10W驱动为6米SSD DX。东芝射频双极功率晶体管被用在电路中。如果您想构建该RF放大器，可以及时联系兆亿微波商城在线客服，将为您提供合理报价。 使用双面印刷电路板是更好的办法，增加了接地和当前传输功率，发射功率可以跳转到120W. 射频功率放大器原理图 射频功率放大器（功率晶体管2SC2782，频率50MHZ）外观 射频功率放大器右视 射频功率放大器俯视 射频功率放大器左视 射频放大器的参数: 输入功率：10W 输出功率：100W 工作频率：50-52MHZ 工作模式：F-SSB 工作电压：10-16V DC 工作电流：12A直流额定功率为100W射频输出。 TX触发：触发内部的射频输入功率检测电路，由外部设备触发输出触发。 兆亿微波商城主营产品射频功率放大器代理品牌包括：Amplifier 、Solutions、Analog、ARRA、B＆Z 、Technologies、RF-lambda、Mini-circuits、custommmic、APICONNPhY、RADitek、RF-BAYINC。
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2021/1/21 16:09:51
在消费、家用电器、汽车、工业等众多电子产品中，电容式触摸按键正在快速替代传统的机械按键。虽然电容式按键拥有优于机械按键的诸多优势，但是系统设计工程师在创建电容式感应系统时需要权衡某些参数。其中包括信噪比(SNR)、响应时间和功耗。 由于电容式传感器容易受到控制器内部及外部噪声的影响，因此SNR对于确保电容式感应系统的可靠性能至关重要。本文重点将探讨另外两个参数。 响应时间能够代表电容式传感器响应触摸的速度。通常需要在功耗与响应时间之间做出权衡。我们在本文中会探讨设计人员优化功耗过程中需要考虑的响应时间问题。 系统需要根据寄生电容、触摸灵敏度等传感器特征在特定时间(称为扫描时间)内对电容式传感器进行扫描。扫描时间是电容式感应控制器的功耗主因。功耗优化对于电池驱动的设备(手机以及包括心率监视器在内的可穿戴设备等)尤为重要。功耗优化可以采用多种方法，其中包括优化扫描时间以及传感器扫描频率。我们在本文中会介绍并且说明比较突出的电容式感应系统功耗优化方法之一，其称为传感器共连(ganging)。 功耗优化 决定功耗的关键因素是传感器的扫描时间和传感器的扫描频率。休眠电流值一般远远低于工作电流值。因此，在不使用电容式感应系统时，可以让电容式感应控制器进入休眠模式，以便降低平均电流消耗。优化电容式感应系统电源时经常采用扫描-休眠-扫描-休眠的方法(参见图1)。此方法会扫描全部传感器，然后使控制器进入低功率休眠模式。此为一个周期，随后不断重复此周期。一个扫描-休眠周期称为一个'刷新间隔'。每个刷新间隔都包含工作时间与休眠时间。'工作时间'包括扫描时间、传感器数据处理和后期传感器扫描活动，如：LED及蜂鸣器等控制反馈机制。传感器扫描时间占用了大部分的工作时间。 图1 使用扫描-休眠-扫描-休眠的方法时的电流曲线 可以通过以下方法降低功耗： a...
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2021/1/21 14:58:28
一个由李章植教授和材料科学与工程系博士候选人金敏奎和金英杰领导的POSTECH研究小组展示了一种独特的策略，即通过应用基于二氧化铪的铁电体和氧化物半导体来制造铁电存储器。这种方法产生的存储性能既不是传统的闪存，也不是以前的钙钛矿铁电存储器所能达到的。器件仿真结果表明，该策略可以实现超高密度的三维存储器集成。 铁电存储器以其比传统的闪存具有更高的速度和更低的功耗而受到人们的关注。但由于其加工温度高、不易扩展以及与传统半导体工艺不兼容等原因，其商业化进程受到阻碍。 研究小组利用铪基铁电体和氧化物半导体解决了这些问题。新的材料和结构保证了低功耗和高速度；采用氧化物半导体作为沟道材料，降低了工艺温度，抑制了多余界面层的形成，实现了高稳定性。因此，研究人员证实，这种制造出来的器件可以在比传统闪存低4倍的电压下以快几百倍的速度工作，即使重复使用超过1亿次也能保持稳定。具体地，通过原子层沉积来堆叠铁电材料和氧化物半导体以确保适合于制造三维器件的处理技术。该团队提出，高性能设备可以在400°C下制造，工艺比传统闪存设备简单得多。 领导这项研究的Jang Sik Lee教授说：“我们开发了核心技术，以实现下一代高集成度和高性能存储器，克服了传统3-D NAND闪存的局限性。”。他补充说，“这项技术不仅适用于下一代存储设备，也适用于超低功耗、超高速、高度集成的通用内存和内存计算，这些对未来人工智能和自动驾驶汽车等行业至关重要。” 铁电存储器是一种与DRAM类似的随机存取存储器，但使用铁电层而不是介电层来实现非易失性。FeRAM是提供与闪存相同功能的替代非易失性随机存取存储器技术中的一种。 铁电存储器的历史 铁电存储器的发展可以追溯到半导体技术的早期。这个想法最初是在1952年提出的，但是由于要实现该想法所需的技术不存在，花了很多年才开始对该想法进行适当的开发。 这项技术...
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2021/1/21 14:39:23
LT8652S是一款双通道同步单片式降压型稳压器，具有3 V至18 V的输入范围。两个通道可同时提供高达8.5 A的连续电流且每个通道支持高达12 A的负载。它具有峰值电流模式控制功能，最小接通时间仅20 ns，即使在高开关频率下也可实现高降压比。快速、干净、低过冲开关边沿在高开关频率下也可以实现高效率工作，从而可缩小整体解决方案的尺寸。 LT8652S具备低EMI和小解决方案尺寸，很少有解决方案能同时满足这两点。它采用专有的 Silent Switcher? 2架构，可以最大限度降低EMI，并在高开关频率下提供高效率。在这种架构下，旁路电容集成到封装中，因此可以通过出厂设置实现优化的高di/dt环路布局。因为解决方案对应用布局不敏感，所以很容易实现出色的EMI性能。LT8652S大体上是一款整体解决方案，适用于噪声敏感型应用和环境。 对于电池供电应用，轻载和无负载空闲时的功耗是一个关键参数，尽可能降低此电流会延长电池的续航时间。许多应用大部分时间都保持空闲状态。LT8652S在 Burst Mode? 工作模式下，提供16 ?A超低静态电流，从而能够尽量延长电池的使用寿命。集成顶部和底部N通道MOSFET有助于提高轻载效率。LT8652S还提供强制连续模式，可以控制整个输出负载范围内的频率谐波，通过 扩频操作进一步减少EMI辐射。 LT8652S提供内部和外部补偿选项。内部补偿可以尽量减少外部组件数量，从而可实现更小的解决方案。外部补偿通过VC引脚实现，在高开关频率下实现快速瞬态响应。VC引脚也可以简化 通道间的均流，以实现并行单路输出操作。CLKOUT和SYNC引脚支持与其他LT8652S同步，以进一步扩展现有的功能。为了确保在低电压、高电流应用的负载下实施严格的输出电压调节，LT8652S具有差分输出电压检测功能，允许进行开尔文连接，以实施输出电压检测，并直接从...
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2021/1/20 9:49:36
ADI公司低噪声放大器可以覆盖从DC (IF)到RF微波和W波段(95 GHz)的频率范围。这些基于MMIC的设计覆盖各种增益和带宽，噪声系数低至0.7 dB。我们的低噪声放大器提供业界可用的最低噪声和最高线性度。许多设计提供自偏置拓扑结构，且内部匹配至50 Ω。它们可用于广泛的应用，包括电信、仪器仪表和军用/航空航天。所有ADI公司低噪声放大器在整个频率、温度和电源电压范围内提供额定性能。 1、ADCA3950 ADCA3950是一款采用工业标准SOT-115J封装的功率倍增混合模块。该器件采用先进的砷化镓（GaAs）、假晶高电子晶体管（pHEMT）和氮化镓（GaN）HEMT等电路设计技术，在18db的倾斜条件下获得了74dbmv的高射频输出。ADCA3950提供高增益，简化了DOCSIS 3.1的设计和制造? 基础设施设备。 2、ADL8104 ADL8104 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带高线性度放大器，工作范围为 0.4 GHz 至 7.5 GHz。 ADL8104 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型增益为 15 dB，在 0.4 GHz 到 6 GHz 时的典型噪声系数为 3.5 dB，在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型输出功率为 1 dB 压缩的 (OP1dB) 20 dBm， 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型三阶截取输出 (OIP3) 为 32 dBm，漏极电源为 5 V 时的电流仅为 150 mA。该低噪声放大器在 0.6 GHz 到 6 GHz 时具有典型值为 52 dBm 的高输出二阶截距 (OIP2)，使得 ADL8104 适合应用于军事和测试仪器。 ADL8104 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出特性。RFIN 和 RF...
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2021/1/19 14:59:47
在RF电路中，更高的信号电平通常是一件好事。它们可以提高信噪比（SNR），减少内部电路元件噪声和外部信号噪声引起的问题。结果，更高的信号电平通常简化了RF电路设计的许多挑战。 然而，在许多系统中，RF信号不可避免地具有跨越30,40或更多dB的宽动态范围;一些设计必须处理范围超过100dB的信号。示例包括雷达或远程无线，甚至是短距离LAN，其中一个或两个链路节点正在移动并且存在障碍物和干扰。 如果系统设计为使用较低级别的信号正常工作，则可能没有更高功率信号的余量（RF，功率和信号电平通常密切相关）。结果是过载，饱和甚至可能损坏敏感的模拟组件，如前端放大器。即使没有永久性损坏，只要信号链的元件被“最大化”，系统就无法正常工作。在这些情况下，组件可能需要相对较长的时间才能摆脱饱和状态连锁再次可行。在其他情况下，衰减器将一个点的信号的最大值与链中另一个级的更大限制的最大值匹配。 由于这些原因，通常需要管理和衰减信号电平。通过已知或可控量，这是射频衰减器发挥作用的地方。有三种类型的RF衰减器： 1）固定值衰减器，提供一个或两个dB，或10dB，20dB或更多dB的值。 2）电压可变或电压控制衰减器，其中模拟电压设置在连续可变范围内的衰减水平，例如在0dB和30dB之间或0dB和60dB之间。 3）数字化受控衰减器或数字步进衰减器（DSA），其中多位代码在0dB至32或64dB的范围内以离散步长建立衰减，例如，以1或2dB/位的步长;有些产品提供小至0.25dB的步长。 （请注意，还有机械控制的衰减器，用户可通过旋钮设置衰减。这些衰减器几乎只用于测试环境或高功率一次性设计。） 可控衰减器是可变增益放大器（VGA）的补充，它可以增强信号以匹配链中的组件范围。对于需要额外灵活性的设计，甚至还有可用的VGA，它们可以跨越增益和衰减，例如-10到+40dB;在内部，这些是由可...
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2021/1/19 14:33:51
耦合器允许用户以给定的耦合因子对传输线上的功率进行采样。至关重要的是，定向耦合器将仅在一个方向上（理想情况下）对功率进行采样，以区分前进和后退行进信号。耦合器可以在正向波和反向波之间进行选择的选择性称为方向性，通常是选择定向耦合器时最重要的因素。其他重要因素包括回波损耗，耦合值，耦合平坦度，插入损耗和功率处理。有关所有耦合器的详细信息，请参阅《 微波功率分配器和耦合器入门》 以及《 方向性和VSWR测量》应用笔记 。 高定向桥耦合器：这些耦合器在非常宽的带宽内（包括低频（低至kHz））提供最高的方向性。与基于四分之一波电容耦合结构的带状线耦合器不同，电桥耦合器基于Marki行业领先的磁耦合巴伦。由于其高方向性，它们是回波损耗测量的最佳选择。 带状定向桥耦合器：Marki使用专有的设计技术和软件来创建世界上性能最高的定向耦合器。这些耦合器基于行业标准的三重带状线构造技术，使其适用于高可靠性应用。每个耦合器都是双向的，这意味着当耦合端口以50Ω电路（负载或检测器）端接时，可以在正向和反向方向上使用。某些型号的一个端口端接50Ω负载，而大多数型号都有两个耦合端口。它们已经过50瓦输入功率的测试（请参阅此技术说明），适用于负载拉力测试，输出功率监控和其他宽带应用。定制设计可满足大批量需求。 低损耗大功率桥耦合器：低插入损耗耦合器非常适合负载损耗和其他对损耗敏感或使用大功率的测试应用。Marki将两种类型的结构用于低损耗耦合器。与我们的标准带状线定向耦合器相比，高功率带状线耦合器使用更宽的走线和更厚的电路板，但是它们的多部分设计提供了低损耗，但在整个频带上具有平坦的耦合值。顾名思义，航空定向耦合器使用空气作为介电材料。这样可提供最低的损耗和相应的最高功率处理能力，但耦合因数在整个频带范围内会发生变化。这些耦合器非常适合可校准耦合系数的低损耗或高功率应用。两种类型的耦合器的功率处...
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2021/1/19 14:18:55
ADI公司的RF放大器利用该公司领先的放大器和RF IC专业技术而设计。ADI种类丰富的单端输入/输出固定增益放大器系列可用于低频至高达6 GHz频率的应用中，包括增益模块、低噪声放大器、中频放大器、宽带分布式放大器、功率放大器、驱动器放大器和差分放大器等产品。这些器件提供高线性、低噪声系数和多种固定增益选项，功耗低，并且能在整个频率、温度和电源电压范围内提供额定性能，可在多种应用中使用。 ADI是兆亿微波商城代理品牌之一，也是常备货品牌，如果有需要可以到官网：http://www.rfz1.com/ 咨询客服，将为您提供满意的服务。 关于兆亿微波商城 兆亿微波商城是兆亿微波（北京）科技有限公司旗下的线上B2c交易平台，为方便广大新老客户线上查询型号及库存，能帮助广大用户节约找货时间，我们可以帮助广大客户提供紧缺型号及产品定制等服务，可直接与厂家对接定制产品业务，如果您近期有射频微波器件的需求，可以直接联系我们在线客服，将为您提供满意服务。 兆亿微波商城主营产品包括:放大器、混频器、检波器、限幅器、平衡器、光纤卫星产品、网络安全产品和多工器、 射频电缆，连接头，延迟线、 高功率放大器，毫米波放大器、信号发生器，步进衰减器，频率计数器，移相器等微波射频器件。
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2021/1/19 9:27:11
很多人都认识电容，那么知道可调片电容是什么吗？可调片电容是做什么的，本文通过可调贴片电容概念，结构原理，作用几方面进行阐述相关知识，供大家学习参考!可调贴片电容可调贴片电容是指容值可以调节的贴片电容，贴片电容是指封装方式是贴片封装的电容器，电容器是指一种容纳电荷的器件，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)之间都构成一个电容器，可调电容就是通过移动其中的一个导体(又称动片)来调节电容器的容值。可调贴片电容的结构原理可调贴片电容首先是一种电容器，最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质(包括空气)构成的。通电后，极板带电，形成电压(电势差)，但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压(击穿电压)的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是绝缘体了。不过这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当作绝缘体看。可调贴片电容是电容器的一种，我们先看下电容器的作用。1、旁路电容和去耦电容旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等;而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。2、滤波电容在滤波中，大电容(1000μF)滤低频，小电容(20pF)滤高频。曾有人形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不...
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2021/1/18 13:16:41
本文将探讨一些将线性S参数数据与非线性数据（如噪声系数、IP3、P1dB和PSAT）相结合的RF放大器模型结构。本文还会展示系统级仿真结果，以评估其对实际特性建模的准确程度。 S参数 S参数数据集是迄今为止使用非常广泛的RF仿真模型。它们是标准化的表格式数据集，包括不同频率下的输入回波损耗、增益、反向隔离和输出回波损耗，所有这些均为矢量格式。数据一般在驱动信号远低于信号压缩点的小信号条件下收集。S参数通常用于级联增益仿真、输入和输出匹配网络的设计以及稳定性的评估。然而，S参数不包含器件的噪声、压缩或失真特性的信息。 Keysight Sys-参数 表1列出了18 GHz至44 GHz、0.5 W功率放大器ADPA7002的sys-参数数据集的一部分。该sys-参数器件模型结构由Keysight定义，用于其PathWave RF频率合成(Genesys)和PathWave系统设计(SystemVue) RF电路与系统仿真器。数据集的表格结构包括了不同频率下的S参数数据以及相应的噪声、三阶交调和1 dB压缩数据。这些数据集提供了足够的信息，支持对RF信号电平、级联增益和反向隔离进行仿真。但是，IP3、P1dB和噪声系数数据的纳入为RF功率扫描和信噪比仿真提供了可能性。另外，还可以在器件的工作频率范围内进行高阶信号特性仿真，例如ACLR和EVM。 ADI公司维护着一个丰富的RF放大器和混频器sys-参数库，该库可供下载，而且也包含在Keysight Genesys和SystemVue安装程序中。图1显示了Keysight Genesys的屏幕截图。ADI公司的sys-参数库可通过器件选择器轻松获取。每个器件的sys-参数器件模型均包含表1所示的数据，以及模型属性窗口中包含的额外信息。此额外数据包括电源信息以及PSAT和OIP2相对于OP1dB的默认偏移。 评估sys-...
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2021/1/18 10:57:28
什么是光耦合器？它有什么作用？光耦合器(opticalcoupler equipment，英文缩写为OCEP)亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管，光敏电阻)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦，另一种为线性光耦常用的4N系列,如4N25,4N35,4N26,4N36等.光耦是非线性的,常用的线性光耦为PC817A--C系列,PC111,TPL521-1等.常用的光耦种类很多,但在家电电路中的常用的只有4类:1.第一类,为发光二极管与光电晶体管封装的光电耦合器,结构为双列直插4引脚塑封,内部电路见表一,主要用于开关电源电路中。2.第二类,为发光二极管与光电晶体管封装的光电耦合器,主要区别引脚结构不同,结构为双列直插6引脚塑封,内部电路见表一,也用于开关电源电路中。3.第三类,为发光二极管与光电晶体管(附基极端子)封装的光电耦合器,结构为双列直插6引脚塑封,内部电路见表一,主要用于AV转换音频电路中。4.第四类,为发光二极管与光电二极管加晶体管(附基极端子)封装的光电耦合器,结构为双列直插6引脚塑封,内部电路见表一,主要用于AV转换视频电路中。第一类:PC817 PC818 PC810 PC812 PC502 LTV817 TLP521-1 TLP621-1 ON3111 OC617 PS2401-1 GIC5102第二类:TLP632 TLP532 TLP519 TLP509 PC504 PC...
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2021/1/15 15:55:32
【兆亿微波商城】：安费诺（Amphenol）RF宣布扩大定长电缆组装产品线，以包括其他RP-SMA连接器配置。这些新的电缆组件具有流行的RG-174和RG-316软电缆，并加入了以前发布的RG-58选件的强大功能。直插头和隔板插孔配置有6英寸至2米的多种标准长度。它们是各种测试和测量应用的理想选择。 这些电缆组件利用高性能工业标准RP-SMA连接器，该连接器使用镀金黄铜主体制造。插头具有由铍铜加工的镀金母触头。插孔具有由黄铜加工而成的镀金公触点。高磷镍的耐用底镀层确保连接器至少支持500个插拔循环。 RP-SMA组件支持高达6 GHz的频率，并具有包括螺纹耦合机制在内的传统SMA连接器的所有相同功能和优势。所有电缆组件均经过单独测试，以确保达到最高质量标准。可根据要求提供定制长度。 资料来源：Amphenol RF
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2021/1/15 14:53:39
常用电子元器件有哪些？你认识几个？对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件是每天都需要去接触，每天都需要用到的。这里列举出常用的几大电子元器件，及相关的基础概念和知识。一、电阻作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。”电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。二、电容电容(或电容量，Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷储藏量;记为C，国际单位是法拉(F)。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上;造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解...
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2021/1/14 16:05:34
【兆亿微波商城】：一位网友在做一个关于光电传感器的项目时，用了PSD位置灵敏传感器，可是用的处理电路很糟糕，在@ADI要求推荐一个合适的放大器，对微小的电流信号(uA级)经过流压变换放大的放大器。这里将此处的解决方案进行整理分享。 专家的回复： 您可以考虑以下芯片： ADA4817,ADA4891,AD8045,AD8011,ADA4350,ADA4932,AD8099,ADA4930, ADA4927,AD8009,ADA4939,AD829,ADA4940,AD8065,AD8007,AD8001,ADA4851 专家的补充回复是： 1. 首先对于微弱信号处理，得选择低偏置电流，输入阻抗大的OP。ADI最好的用于光电转换上的芯片是AD549L(Ib=60fA)，根据您的需求，对于uA级的信号，理论上OP的偏置电流至少要nA级别，最好是pA级别。这种OP ADI有很多种，FET输入级基本都在这个级别：如AD8627，AD8641等等。 2. 您得注意使用过程中的降噪处理，比如反馈电阻上加反馈电容(很有必要)，可降低电路的高频噪声增益。第二种方法是用复合放大器进行降噪处理。 3. PCB方面，如果精度要求很高，需要采用guard ring，电源做好去耦。 4. 电路结构尽量不要采用反偏结构，采用零偏结构有利用提高噪声性能。反馈电阻的选择尽量越大越好，这样可以降低电流噪声，提高信噪比。 5. 关于这种IV变换电路，ADI有专门的仿真软件，可以进行仿真 继续问：为啥要选择低偏置电流的op呢,理论上讲不是大偏置电流的输入跨导大从而获得更低的等效输入噪声么? 及时回答：他要测的是光信号，一般是通过PD(PIN/APD/PSD等)转换为对应的光电流，然后使用TIA方式进行放大，也就是I-V转换，会有比较大的Rf，所以对输入偏置电流、输入电流噪声还有输入电容等要...
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2021/1/14 13:39:40
卓睿科自主品牌OCIC研发生产的国产光耦CYTLP160在产品质量、效能与生产工艺上，可完美替代Toshiba/东芝TLP160。以下是可完美替代Toshiba/东芝TLP160的国产光电耦合器CYTLP160的产品概述以及规格书。 CYTLP160概述： CYTLP160系列产品由一个砷化镓红外发光二极管和一个双向光可控硅组成的光电耦合器。 特性： 峰值击穿电压:400V(min.) ； 输入-输出隔离电压 (Viso=3750V rms )； LED 触发电流:10mA(max.)； 开态电流:70mA(max.) ； UL 认证 (NO:E497745)； 符合EU REACH 和RoHS； CQC 认证（NO:CQC20001238559）； 典型应用： 隔离线接收器 电磁/阀控制 光控制 静态电源开关 电机驱动 EM 接触器 温度控制 交流电动机启动器 固态继电器 以上是可完美替代Toshiba/东芝TLP160的国产光电耦合器CYTLP160的产品规格书，可到卓睿科官网下载规格书。 除了可完美替代Toshiba/东芝TLP160的国产光电耦合器CYTLP160之外，卓睿科还有更多其他国产光耦替代料。详情可咨询！
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2021/1/12 14:40:23