一起来看一下射频电路中的那些无源器件。和数字和低频电路类似，射频电路也分为无源器件和有源器件，那些不需要加电就能够完成功能的射频电路称为无源电路，而需要外置电源才能工作的射频电路我们称为有源电路。根据这个定义，那么这个源就是电源啦。 这个无源电路既包括常见的电阻，电容和电感，也有各种功能器件，比如功分器，耦合器，环形器，滤波器，天线等。 电阻，电感和电容 电路中最基本的三个元器件就是电阻，电感和电容，无论是数字电路，或者是射频电路，这三个元器件都起着至关重要的作用，【射频学堂】在文章《详解射频电路中的电阻，电容和电感》，对其特性有过详细的说明，我们今天直接列在下面。 在数字或者低频电路中，电阻，电感和电容呈现的都是纯净的电阻特性，电感特性或者电容特性，而在射频电路中，任何一个元器件都有其工作的特定频段，超过这个工作频段，其特性也会发生变化。 对于射频电阻，我们通常用下图来等效其分布参数特征。要注意其引脚电感和引线电容，其频率特性也如下图所示：随着频率的升高，其电容特性会越来越明显，当然电感特性也会突出，在某个频率处，引线电感和电容产生谐振，过了这个谐振点，电感特性就会成为主要特性。 当然，电感和电容也具有类似的特性变化曲线。在射频电路设计中，要了解所选择元器件的工作频率，以免给设计带来不必要的麻烦。 无源器件的另一大类就是由电感电容电阻构成或者由传输线结构组成的功能器件。 功分器 我们在《一文掌握功分器设计》有过详细的介绍，其实现的功能就是信号的分开，等分或者不等分。 功分器在射频电路中有着广泛的应用，尤其是在天线馈电...
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2021/8/13 11:40:56
电平控制探头可以精确产生所需要的信号功率，可用于频谱仪、接收机等仪器的计量，也可以用于精确的系统增益评估等应用。传统的校准解决方案都是采用外置功分器并外接功率计的方式来实现精确功率的产生。 一、精确控制输出功率的传统解决方案 信号源的真实输出功率总会随着时间、频率有微小的变化，要使到达被测件的功率尽可能精确，就需要实时地对输出功率进行监控和调节，传统的功率探头无法单独完成这样的工作，必须外接功分器来实现，如图1所示，其中UUT为被测单元，如接收机、频谱仪或者需要精准功率的射频微波模块。 图1. 外接功分器的解决方案 这种方法可以在调节信号源输出功率的同时，监控到达UUT的输入功率，但是由于外接功分器的驻波特性的不理想，对信号源输出信号的不确定度有影响，对UUT端口的实际功率无法精确的控制。 为了精确的控制到达被测单元的功率值，必须在UUT处放置另一台功率计或功率探头来保证精度。测试配置如图2所示。信号源输出经过功分器，在一个端口用探头A监测，另一个端口UUT接收，但需要另一个探头B来保证精度，信号电平精度得到了保证，但是配置和测试过程复杂，成本高。 图2. 实时监控UUT输入功率值的测试配置 二、NRP系列功率探头的优势 传统的功率测量必须具备功率计主机以及不同频率和功率测试范围的功率探头，才能完成测试，在测试前还需要用一个0dBm的校准信号进行功率计校准。 R&S NRP系列功率探头采用了全新的智能功率测量技术，探头本身就是一台功率计，探头后面的连接线仅用来传输测试数据，实现了功率测量和数据处理的一体化，测量前只需在探头空载时进行清零...
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2021/8/13 11:14:30
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO），今日推出专为 5G 小基站基础设施应用设计的高效功率放大器系列产品。这些新型 PA 有助于小基站 OEM 在人口稠密城市环境中的室内和室外区域部署 5G 网络和服务。 Qorvo 新推出的高效功率放大器系列产品可为客户提供高功率附加效率 （PAE），在大多数情况下超过 30%，并覆盖了主要的 7 GHz 以下 3GPP 频段。这些设备旨在利用动态频谱共享 （DSS） 功能处理最高 200 MHz 的真正 5G 新无线电 （NR） 信号带宽，采用 50 ？6？8 匹配 5 mm x 5 mm SMT 小型封装。Qorvo 广泛的全球制造能力和大规模生产支持正在进行的全球 5G 网络部署。 Mobile Experts， Inc. 首席分析官 Joe Madden 表示：“小基站市场在 2020 年受新冠疫情影响有所下滑，但将在 2021 年飙升至全新高度。特别是由于消费者数据需求的持续增长，未来 5 年，运营商部署的小基站将以大约 10% 的 CAGR 增长。” 欲进一步了解以下产品，请观看我们的在线教程“利用小信号解决方案解决 5G 射频设计挑战”。
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2021/8/11 10:46:12
功率放大器和电压放大器没有本质的区别，不过是强调的输出量不同而已，电压放大器主要侧重的指标是电压，功率放大器当然突出的是功率，在不失真的情况下输出的电压和功率都是经过放大器输出的。放大电路都是用于增强电压幅度或功率幅度，所以相对应的有被称为电压放大器、功率放大器的无论哪种放大电路，在负载上都是同时存在输出电压、电流和功率的， ATA3000功率放大器 ATA-3000系列功率放大器是一款理想的可放大交、直流信号的功率放大器。最大输出功率810W，可以驱动功率型负载。电压增益数控可调，一键保存常用设置，为您提供了方便简洁的操作选择，可与主流的信号发生器配套使用，实现信号的完美放大。 ATA2000电压放大器 ATA2000系列是一款理想的可放大交、直流信号的高压放大器。最大差分输出1600Vp-p (±800V)高压，可以驱动高压型负载。电压增益数控可调，一键保存常用设置，为您提供了方便简洁的操作选择，同时双通道高压放大器输出还可同步调节，可与主流的信号发生器配套使用，实现信号的完美放大。
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2021/8/11 10:16:07
带通滤波器（band-pass filter）是一个允许特定频段的波通过同时屏蔽其他频段的设备。比如RLC振荡回路就是一个模拟带通滤波器。带通滤波器是指能通过某一频率范围内的频率分量、但将其他范围的频率分量衰减到极低水平的滤波器，与带阻滤波器的概念相对。一个模拟带通滤波器的例子是电阻-电感-电容电路（RLC circuit）。这些滤波器也可以用低通滤波器同高通滤波器组合来产生。工作原理一个理想的带通滤波器应该有一个完全平坦的通带，在通带内没有放大或者衰减，并且在通带之外所有频率都被完全衰减掉，另外，通带外的转换在极小的频率范围完成。实际上，并不存在理想的带通滤波器。滤波器并不能够将期望频率范围外的所有频率完全衰减掉，尤其是在所要的通带外还有一个被衰减但是没有被隔离的范围。这通常称为滤波器的滚降现象，并且使用每十倍频的衰减幅度的dB数来表示。通常，滤波器的设计尽量保证滚降范围越窄越好，这样滤波器的性能就与设计更加接近。然而，随着滚降范围越来越小，通带就变得不再平坦，开始出现“波纹”。这种现象在通带的边缘处尤其明显，这种效应称为吉布斯现象。除了电子学和信号处理领域之外，带通滤波器应用的一个例子是在大气科学领域，很常见的例子是使用带通滤波器过滤最近3到10天时间范围内的天气数据，这样在数据域中就只保留了作为扰动的气旋。在频带较低的剪切频率f1和较高的剪切频率f2之间是共振频率，这里滤波器的增益最大，滤波器的带宽就是f2和f1之间的差值。典型应用许多音响装置的频谱分析器均使用此电路作为带通滤波器，以选出各个不同频段的信号，在显示上利用发光二极管点亮的多少来指示出信号幅度的大小。这种有源带通滤波器的中心频率 ，在中心频率fo处的电压增益Ao=B3/2B1，品质因数 ，3dB带宽B=1/（п*R3*C）也可根据设计确定的Q、fo、Ao值，去求出带通滤波器的各元件参数值。R1=Q/（2п...
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2021/8/10 14:19:00
如今对无线通信设备和高速计算设备的市场需求不断增长，而低成本和高集成度已成为集成电路，比如低噪声放大器（LNA）是商业成功因素之一。 一、低噪声放大器的介绍低噪声放大器（LNA）是运算放大器的一种，用于放大可能非常弱的信号。它通常位于非常靠近检测设备的位置，以减少馈线中的损耗。这种有源天线装置经常用在GPS之类的微波系统中，因为同轴电缆馈线在微波频率下的损耗非常大，例如，几米电缆损耗10％会导致信噪比降低10％（SNR）。 二、低噪声放大器的应用 低噪声放大器是放置在无线电接收器电路前端的关键组件。使用低噪声放大器，可通过低噪声放大器的增益降低来自接收链后续级的噪声的影响，而低噪声放大器本身的噪声则直接注入接收信号中。 低噪声放大器必须在增加尽可能少的噪声和失真的同时提高所需的信号功率，以便在系统的后面阶段可以恢复该信号。良好的低噪声放大器具有低NF（例如1dB），足够大的增益（例如20dB）。进一步的标准是工作带宽，增益平坦度，稳定性以及输入和输出电压驻波比（VSWR）。 为了降低噪声，放大器的第一级必须具有较高的放大率。因此，经常使用JFET和HEMT。它们在高电流状态下驱动，虽然效率不高，但会降低散粒噪声的相对量。 在卫星通信系统中，地面站接收天线将连接到低噪声放大器。由于接收信号较弱，因此需要低噪声放大器。接收到的信号通常略高于背景噪声。卫星功率有限，因此它们使用低功率发射机。毕竟，发射机距离很遥远并且容易遭受损耗。 低噪声放大器可增强天线信号，以补偿从（室外）天线到（室内）接收器的馈线损耗。在许多卫星接收系统中，低噪声放大器包括频率块下变频器，该变频器将具有较大馈线损耗的卫星下行链路频率（例如11GHz）转换为具有较低馈线损耗的较低频率（例如1GHz）。具有下变频器的低噪声放大器称为低噪声模块下变频器（LNB）。
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2021/8/10 13:57:48
翻出本人早期设计失误的一个电路，该电路是数字电路的电源，为图方便对12V直接通过线性电源芯片降压到5V：几块电路板打样好后，测试均发现AMS1117-5.0芯片烫手，负载电流100mA多，也满足芯片手册里面的参数：线性电源的特点：输入电流 = 输出电流。在图1里，Ia = Ib = Ic，芯片U1（AMS1117-5.0）输入输出电压相差12V - 5V = 7V，此时损耗功率至少 7V × 100mA = 0.7W，这就是U1烫手的原因。吸取教训后，不得不采用BUCK电路降压，该电路作为模块使用多年，稳定可靠：BUCK电路的开关电源特点：η × 输入功率 = 输出功率，η × 12V × Ix = 5V × Iyη为转换效率，计算得出 Ix ≈ 50mA。总结：线性电源输入输出的压差大，要注意是否会导致芯片过热，加速芯片老化，埋下质量隐患。设计人员一定要严谨，做到精益求精。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2021/8/10 11:21:37
众所周知，几乎所有的电子元器件都是对静电敏感的，如果处理不当，将恶化元器件的性能，甚至造成彻底损坏。在低温干燥的环境中，极易产生静电，当然静电主要还是通过摩擦产生的。除了我们所熟知的静电产生的原因外，还有一种情况容易被忽略，那就是长线缆的电荷积聚。长线缆为什么会产生静电危害，在哪些场景下会产生静电危害，以及如何进行规避，这些将是本文要重点介绍的内容。除非特别说明，下文中的线缆都是指射频同轴线缆。线缆生产过程中电荷是如何积聚的？简单地讲，射频同轴线缆的结构由内到外依次为：内导体、填充介质、外导体(屏蔽层)以及保护层。在线缆生产过程中，为了检测填充介质是否杂质超标，是否存在受外力导致的畸变等缺陷，需要对其进行介质耐压测试。在整个线缆生产环节中，介质耐压测试是保证线缆质量的关键一环，是必不可少的。根据同轴线缆的材质和尺寸，介质耐压测试所需要的电压不同，但通常都在kV级别。图1给出了介质耐压测试的连接图，采用DC进行测试，待测线缆的外导体与高压“+”端子相连，内导体与地端子相连。如果填充介质中存在缺陷，将无法承受高压而被击穿，同时检测仪表会给出报错信息。图1. 同轴线缆介质耐压测试连接图正是在介质耐压测试的过程中，才完成了内、外导体上电荷的积聚。因为同轴线缆内、外导体及填充介质实际构成了一个电容器，当在内、外导体之间施加高压直流时，就相当于对该电容进行充电，其等效电路图如图2所示。如果没有及时对线缆放电，那么内导体和外导体上均带有电荷。电荷的多少取决于所施加的电压，以及同轴线缆等效电容Ce的大小，而等效电容又正比于同轴线缆的长度。因此，当对长达几十米甚至更长的线缆完成介质耐压测试后，内导体上将会积聚大量的电荷。如果不进行妥善处理，无疑会对与之接触的器件或者测试设备带来不可挽回的损害。图2. 介质耐压测试等效电路图积聚电荷的危害及预防措施绝大多数射频测试场景中，都不会涉及上述电荷积聚...
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2021/8/9 16:30:14
在电子设计电路中，我们经常会看到三极管的出现。三极管是经常应用的一个电子元器件，在模拟电路中经常利用其工作在线性区来做信号处理电流放大等，在数字电路中又会利用其工作在饱和区截止区来作为开关控制。作为开关使用，除了在数字电路中应用以外，还多用于电力电子中用作功率处理，常见有开关电源、逆变器等。然而我们很多工程师对三极管的理解不是那么到位，所以本文就简述一下三极管作为开关使用的工作原理。三极管有三个工作状态；截止、放大、饱和；放大状态很有学问也很复杂，多用于集成芯片，比如运放，现在不讨论；其实对信号的放大我们通常用运放处理。三极管更多的是当作一个开关管来使用，且只有截止、饱和两个状态；截止状态看作是“关”，饱和状态看作是“开”；Ib≥1mA时，完全可以保证三极管工作在饱和状态，对于小功率的三极管此时Ic为几十到几百mA，驱动继电器、蜂鸣器等功率器件绰绰有余。1、把三极管箭头理解成一个开关，如下图为NPN型三极管，按下开关S1，约1mA的Ib流过箭头，箭尾比箭头电压高0.6V~0.7V（钳位电压），三极管工作在饱和状态，c极到e极完全导通，c极电平接近0V（GND）；负载RL两端压降接近5V；Ib与Ic电流都流入e极，根据电流方向，e极为低电平，应接地，c极接负载和电源。2、如下图为PNP型三极管，按下开关S2，约1mA的Ib流过箭头，箭尾比箭头电压高0.6V~0.7V（钳位电压），三极管工作在饱和状态，e极到c极完全导通，c极电平接近5V；负载RL两端压降接近5V；Ib与Ic电流都流出e极，根据电流方向，e极为高电平，应接电源，c极接负载和地。3、如下图，对于NPN三极管，更应该在b极加一个下拉电阻（2~10k），一是为了保证b、e极间电容加速放电，加快三极管截止；二是为了保证给三极管b极一个已知逻辑状态，防止控制输入端悬空或高阻态时对三极管工作状态的不确定。4、如下图，对于P...
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2021/8/6 14:46:23
01 选频放大电路 1.电路设计目标 设计这个150kHz选频放大电路是为了将在 第十六届全国大学智能汽车竞赛[1] 中的节能信标组中，用于电磁导航对于 无线充电信号[2] 进行放大。 在 节能信标无线感应定位测试：200kHz[3] 中，在距离无线信标1米左右的距离内，对于几种不同的电感接收无线信号进行了初步测试，可以看到不同的电感接收方案所获得的交流信号的幅值在几十毫伏左右。那么如果距离远（比如在5米左右）这个电压信号可能就会降低到几百个微伏。因此需要对接收到的信号进行有效的放大。 ◎ 设计选频放大器指标： 中心频率：150kHz 选频带宽：2kHz，对应的选频回路的Q值为75。 信号增益：40dB以上，也就是能够将在5米距离处的感应信号放大到几百mV。 2.放大框架 虽然100kHz信号不算很高，借助于DSP器件可以完成软件选频信号处理。但是考虑到第16届智能车竞赛中用于节能信标组的控制器是来自于Infineon公司的MCU，它对应的ADC主频采集以及处理能力与DSP还是有一定的差距，所以下面选择使用全模拟电路实现选频放大电路的设计。 为了简单起见，测试基于高频NPN晶体管 9018的小型号高频放大电路。选频回路采用 超声波测距升压可调中周[4] 加谐振电容的方式完成选频放大。 由于电路的频率较低，所以放大电路在 面包板上进行测试[5] ，虽然 为什么面包板不能够做射频电路实验[6] ，但对于150kHz的放大器进行测试还是可以的。 3.基本放大电路 利用NPN高频小功率放大晶体管9018组成选频放大电路。 （1）设置工作点Rb 调整Rb使得T1的工作电流在10mA左右。 ▲ 基本放大电路 下图是使用 测...
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2021/8/6 10:25:32
1、绝缘损坏引起短路故障。电力电缆的保护铅皮在敷设时被损坏或在运行中电缆绝缘受机械损伤，引起电缆相间或铅皮间的绝缘击穿，产生的电弧使绝缘材料及电缆外保护层材料燃烧起火。 2、电缆长时间过载运行。长时间的过载运行，电缆绝缘材料的运行温度超过正常发热的最高允许温度，使电缆的绝缘老化干枯，这种绝缘老化干枯的现象，通常发生在整个电缆线路上。由于电缆绝缘老化干枯，使绝缘材料失去或降低绝缘性能和机械性能，因而容易发生击穿着火燃烧，甚至沿电缆整个长度多处同时发生燃烧起火。 3、油浸电缆因高差发生淌、漏油。当油浸电缆敷设高差较大时，可能发生电缆淌油现象。淌流的结果，使电缆上部由于油的流失而干枯，这部分电缆的热阻增加，使纸绝缘焦化而提前击穿。另外，由于上部的油向下淌，在上部电缆头处腾出空间并产生负压力，使电缆易于吸收潮气而使端部受潮。电缆下部由于油的积聚而产生很大的静压力，促使电缆头漏油。电缆受潮及漏油都增大了发生故障起火的机率。 4、中间接头盒绝缘击穿。电缆接头盒的中间接头因压接不紧、焊接不牢或接头材料选择不当，运行中接头氧化、发热、流胶;在做电缆中间接头时，灌注在中间接头盒内的绝缘剂质量不符合要求，灌注绝缘剂时，盒内存有气孔及电缆盒密封不良、损坏而漏入潮气，以上因素均能引起绝缘击穿，形成短路，使电缆爆炸起火。 5、电缆头燃烧。由于电缆头表面受潮积污，电缆头瓷套管破裂及引出线相间距离过小，导致闪络着火，引起电缆头表层绝缘和引出线绝缘燃烧。 6、外界火源和热源导致电缆火灾。如油系统的火灾蔓延，油断路器爆炸火灾的蔓延，锅炉制粉系统或输煤系统煤粉自燃、高温蒸汽管道的烘烤，酸碱的化学腐蚀，电焊火花及其他火种，都可使电缆产生火灾。 防止电线电缆起火的措施 1、保证施工质量，特别是电缆头的制作质量一定要严格符合规定要求。 2、加强电缆运行监视，避免电缆过负荷运行。 3、按期进行电缆测...
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2021/8/5 14:09:17
电子元器件是指电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用，常见的电子元器件包括电阻、电容、二极管、三极管、电感等器件。下面就为大家介绍一下常见电子元器件的识别和作用。电路板中的各种电子元器件一般电路中，常用的代号标识如下：R----电阻C----电容器D----二极管VT---三极管,或者场效应管L----电感W----电位器Z----阻抗1.电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，例如‘R7’就表示编号为7的电阻，电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。电阻的识别主要有两种方法：色标法和数标法。数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：103表示10000Ω(10后面加3个0)也就是10K。色标法通常用于色环电阻器，其表示方法如下：色环电阻表示方法2.电容电容在电路中一般用“C”加数字表示，例如‘C160’就表示编号为160的电容。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容的是识别也是两种方法，即色标法和数标法。3.二极管二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D9表示编号为9的二极管。二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。二极管的识别比较容易，可以直接通过符号标志“P”、“N”来确定二极管的极性;发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。4.三极管三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q3表示编号为3的三极管。三极管是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。三极管引脚的排列方式具有一定的规律，平面朝向自己的状态下，从左到右依次是e、b、c三个脚，容易识别。三极管识别示意图5.电感电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L10表示编号为10的电感，电感...
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2021/8/5 14:01:46
电子设备的快速发展，使其更新换代的脚步也加快，电源是电子设备中必备的设备之一，电源管理技术的发展成为众多客户的关注热点，电源管理技术主要有那些呢，兆亿微波商城为您介绍常见的8种电源管理IC芯片。电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为下述8种。1、AC/DC调制IC。内含低电压控制电路及高压开关晶体管。2、DC/DC调制IC。包括升压/降压调节器，以及电荷泵。3、功率因数控制PFC预调制 IC。提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。4、脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC。为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。5、线性调制IC（如线性低压降稳压器LDO等）。包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。6、电池充电和管理IC。包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯“智能”电池 IC。7、热插板控制IC（免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响）。8、MOSFET或IGBT的开关功能ic。电源管理半导体从所包含的器件来说，明确强调电源管理集成电路（电源管理IC，简称电源管理芯片）的位置和作用。电源管理半导体包括两部分，即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。电源管理集成电路包括很多种类别，大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器（即LDO），以及正、负输出系列电路，此外 不有脉宽调制（PWM）型的开关型电路等。因技术进步，集成电路芯片内数字电路的物理尺寸越来越小，因而工作电源向低电压发展，一系列新型电压调整器应运 而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管（MOSFET）驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等等。电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件，可将它分为两大类，一类包含整流器和晶闸管;另一类是三极管型，包含功率双极性晶体管，含有MO...
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2021/8/5 11:58:17
PCB layout的意思是：印刷电路板，又称印制电路板，作为电子元件的载体，实现了电子元器件之间的线路连接和功能实现。传统的电路板工艺，采用了印刷蚀刻阻剂的工法，做出电路的线路及图面，因此被称为印制电路板或印刷线路板。1.贴片之间的间距贴片之间的间距既不能太大（浪费电路版面），也不能太小，避免焊锡膏印刷粘连以及焊接修复困难。间距大小可以参考如下的规范：■ 相同器件：≥ 0.3mm■ 不同器件：≥ 0.13×h+0.3mm（h为周围近邻与器件最大高度差）■ 手工焊接和贴片时，与器件之间的距离要求：≥ 1.5mm。2、直插器件与贴片的距离如上图，直插式电阻器件与贴片之间应保持足够的距离，建议在1-3mm之间，由于加工比较麻烦现在用直插件的情况已经很少了。不过电路板外接插座往往都是直插件。3、对于IC的去耦电容的摆放每个IC的电源端口附近都需要摆放去耦电容，且位置尽可能靠近IC的电源口，当一个芯片有多个电源口的时候，每个接口都要布置去耦电容。4、PCB板边沿的元器件摆放方向与距离由于一般都是用拼板来做PCB，因此在边沿附近的器件需要符合两个条件。第一就是与切割方向平行（使器件的机械应力均匀，比如如果按照上图左边的方式来摆放，在拼板要拆分时贴片两个焊盘受力方向不同可能导致元元件与焊盘脱落）第二就是在一定距离之内不能布置器件（防止板子切割的时候损坏元器件）5.相邻焊盘相连如果相邻的焊盘需要相连，首先确认在外面进行连接，防止连成一团造成桥接，同时注意此时的铜线的宽度。6、焊盘落在铺地区域如果焊盘落在铺通区域应该采取右边的方式来连接焊盘与铺通，另根据电流大小来确定是连接1根线还是4跟线。如果采取左边的方式的话，在焊接或者维修拆卸元器件时比较困难，因为温度通过铺的铜把温度全面分散导致焊接困难。7、焊盘泪滴如果导线比直插器件的焊盘小的话需要加泪滴上图左边的方式。加泪滴有如下几个好...
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2021/8/5 11:37:59
在电子设计中，运算放大器作为一种最常见的元器件被工程师们应用到各种信号调理电路中去。但是，当设计中没有足够的裕量支持运放去带负载的时候，放大器就会因为不稳定而极易发生振荡。导致运放稳定性问题的最常见原因是输出端的电容，常见的电容负载的电路包括：电容、MOSFET、电缆线、高速光耦等，这些容性负载不能直观看到具体的容值，所以在设计中一定要检查运放输出端是否有连接到上述这几种容性负载。本文将讨论为什么容性负载会导致稳定性问题，并且将会给出一种使用隔离电阻来进行补偿的解决方案。1、通过相位裕度的大小判断电路稳定性的方法①相位裕度及增益裕度的概念相位裕度：放大器开环增益与频率曲线中，180°的相位与开环增益下降至单位增益处的相位之差的绝对值。增益裕度：放大器开环增益与频率曲线中，180°的相位处的增益与放大器开环增益下降至单位增益处的增益之差的绝对值。②运放电路稳定性的判断稳定性可用表中的标准来判断。在设计放大器电路时，应确保45°以上的相位裕度，最好有60°以上的相位裕度。增益裕度要确保10dB以上。当相位裕度降低到30°以下，频率特性的图中就会出现凸峰，输出端很小的负载电容就会使电路陷入振荡。2、运放输出端带容性负载的分析如上图1-1及图1-2的电路及对应的波特图所示，10nF容性负载条件下，在Aol曲线上会生成一个极点，同时观察在增益为0dB的频点f对应的相位裕度只有4度左右。对应表格，此时在电路的相位裕度为4度的时候，可得出运放的电路输出是很不稳定的。由下图中的运放内部等效结构图及对应的波特图，可以看到运放输出端的Ro与输出负载电容Cout会形成新的极点，对应的频率点为 1/(2πRo*Cout)处，最终在该极点以后Aol对应频率曲线下降的斜率会变为-40dB/10倍频，这也是可以判断运放工作在不稳定状态的一个因素之一。图2...
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2021/7/2 10:01:04
电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件，设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的，因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要。小编精选了在维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧，供大家参考。1. 测整流电桥各脚的极性万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。2. 晶振损坏判别检测先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电;再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的;若氖泡不亮，则说明晶振损坏。3. 单向晶闸管损坏判别检测可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路;测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大;测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。4. 双向晶闸管损坏判别检测双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我...
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2021/7/2 9:55:29
近年来，受多种因素的影响，芯片紧缺已经成为常态，引起众多群众的关注，很多人都对芯片很是不理解，造芯有那么难吗？对芯片略微了解的心知肚明，芯片内部有100多亿个晶体管，这更让人无法理解，这100亿个晶体管是如何安装上去的呢？我们一起来看看CPU内部层状结构，从图片中看，越往下线越宽越窄，越是靠近器件层。从CPU的截面图中，不难看出层状的CPU结构，芯片内部采用的是层级排列方式，整个CPU大概有10层，其中最下层为器件层，就是众所周知的MOSFET晶体管。Mos管在芯片中放大可以看到像一个“讲台”的三维结构，晶体管是没有电感、电阻这些容易产生热量的器件的。最上面的一层是一个低电阻的电极，通过绝缘体与下面的平台隔开，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作栅极的原材料，下面的绝缘体就是二氧化硅。从平台的两侧通过加入杂质就是源极和漏极，位置可互换，他们两者之间的距离就是沟道，这个距离决定芯片的特性。芯片中的晶体管不仅仅只有Mos管这一种类，还有三栅极晶体管等，晶体管不是安装上去的，而是在芯片制造的时候雕刻上去的。在进行芯片设计的时候，芯片设计师就会利用EDA工具，对芯片进行布局规划，然后走线、布线。如果将设计的门电路放大，白色的点就是衬底, 还有一些绿色的边框就是掺杂层。晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。芯片制造的两个趋势，一个是晶圆越来越大，这样就可以切割出更多的芯片，节省效率，另外就一个就是芯片制程，制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极(Gate)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长)，也就是制程。缩小纳米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体，让芯...
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2021/6/30 9:50:38
通常很多行外人士对芯片的不理解，芯片是用什么做的呢，今天笔者为大家普及一下关于芯片相关的知识，芯片的材质主要是硅，它的性质可以做半导体。芯片内部制造工艺：芯片制造的整个过程中包括芯片设计、芯片制造、封装制造、测试等，芯片制造过程特别的复杂。以下是笔者为广大用户整理的关于芯片制造材料及工艺流程。1、晶片材料硅片的成分是硅，硅是由石英砂精制而成，硅片经过硅元素提纯后制成硅棒，成为制造集成电路的石英半导体材料，芯片是芯片制造所需特定的晶片，晶圆越薄，生成成本就月低，但是对于工艺的要求就会越高。2、晶圆涂层晶圆涂层可以抵抗氧化和温度，其材料是一种光致抗蚀剂。3、晶圆光刻显影、蚀刻首先，在晶圆（或基板）表面涂覆一层光刻胶并干燥。干燥的晶片被转移到光刻机上。通过掩模，光将掩模上的图案投射到晶圆表面的光刻胶上，实现曝光和化学发光反应。曝光后的晶圆进行二次烘烤，即所谓曝光后烘烤，烘烤后的光化学反应更为充分。最后，显影剂被喷在晶圆表面的光刻胶上以形成曝光图案。显影后，掩模上的图案保留在光刻胶上。糊化、烘烤和显影都是在均质显影剂中完成的，曝光是在平版印刷机中完成的。均化显影机和光刻机一般都是在线操作，晶片通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶片不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响。4、添加杂质相应的p和n半导体是通过向晶圆中注入离子而形成的。具体工艺是从硅片上的裸露区域开始，将其放入化学离子混合物中。这个过程将改变掺杂区的传导模式，使每个晶体管都能打开、关闭或携带数据。一个简单的芯片只能使用一层，但一个复杂的芯片通常有许多层。此时，该过程连续重复，通过打开窗口可以连接不同的层。这与多层pcb的制造原理类似。更复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层。此时，它是通过重复光刻和上述工艺来实现的，形成一个三维结构。5、晶圆经过上述处理后，晶圆上形成点...
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2021/6/30 9:43:03