ADG333A 是一款单片式互补金属氧化物半导体（CMOS）电子元件，包含四个独立可选的单刀单掷（SPST）或单刀双掷（SPDT）开关。该器件基于线性兼容 CMOS（LC²MOS）工艺设计，在实现低功耗的同时，具备高开关速度和低导通电阻等优异特性。在整个模拟输入信号范围内，其导通电阻曲线非常平坦，确保在切换音频信号时具有良好的线性度和低失真。高开关速度也使其适用于视频信号切换应用。CMOS 结构使其功耗极低，非常适合便携式设备和电池供电仪器。当开关导通时，每个开关均可双向对称导通，且输入信号范围可扩展至电源轨。在关断状态下，即使信号电平达到电源电压，也不会被阻断。所有开关均采用“先断后合”（Break-Before-Make）动作，适用于多路复用器应用。设计中 inherent 地实现了低电荷注入。型号亮点1.扩展信号范围ADG333A 基于增强型 LC²MOS 工艺制造，支持信号摆幅延伸至电源轨，适用于满幅模拟信号处理。2.低功耗CMOS 架构确保极低的静态与动态功耗，适合电池供电应用。3.低导通电阻 RON提供低且平坦的导通电阻，减少信号衰减与非线性失真。4.单电源工作对于单极性模拟信号应用，ADG333A 可由单一电源轨供电。器件在 +12 V 单电源下完全规格化并保证性能。常见应用音频和视频切换电池供电系统测试设备通信系统
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2026/2/28 10:32:45
MAX4634 是一款低导通电阻、低压模拟多路复用器电子元件，工作电压范围为 +1.8 V 至 +5.5 V 单电源。其 CMOS 开关结构允许处理位于电源电压范围内（从 GND 到 V+）的模拟信号。若要禁用所有开关通道，请将使能引脚 EN 置为低电平。在此状态下，全部四个输入端和公共输出端 COM 均呈现高阻抗状态。若无需使用禁用功能，可将 EN 引脚直接连接至 V+。源上电顺序与过压保护建议对所有 CMOS 器件采用正确的电源上电顺序：始终先施加 V+ 电源，再接入模拟或逻辑输入信号——尤其是当这些输入未进行电流限制时。如果无法保证此上电顺序，且模拟或逻辑输入未被限流至 20 mA，则应如下图所示添加一个小信号二极管 D1。若模拟信号可能低于 GND，则需额外添加二极管 D2。保护二极管 D1 和 D2 还可提供一定程度的过压防护。即使供电电压低于信号电压，只要故障电压不超过器件绝对最大额定值，就不会损坏芯片。注意事项：添加保护二极管会使模拟信号范围缩小一个二极管压降（约 0.7 V）——即 D1 使上限降低 0.7 V，D2 使下限升高 0.7 V。添加二极管不会影响漏电流性能，但会在低供电电压下略微增加导通电阻。最大供电电压 (V+) 不得超过 6 V。
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2026/2/28 10:21:02
MAX4634 是一款快速、低压、4 通道 CMOS 模拟多路复用器电子元器件，其最大导通电阻（RON）为 4 Ω。它在指定信号范围内提供开关间 RON 匹配度高达 0.3 Ω（最大值），以及 RON 平坦度达 1 Ω（最大值）。每个开关可处理从 V+ 到 GND 的模拟信号。在 +25°C 时，关断漏电流仅为 0.1 nA（最大值）。MAX4634 具备快速开启时间（tON）和关闭时间（tOFF），分别为 18 ns 和 11 ns。所有功能均集成于小巧的 10 引脚 μMAX® 封装或 10 引脚 3 mm × 3 mm TDFN 封装中。图片说明：引脚配置/功能图/真值表该低压多路复用器可在 +1.8 V 至 +5.5 V 单电源下工作。所有数字输入具有 +0.8 V 和 +2.4 V 的逻辑阈值，确保在 +5 V 操作下与 TTL/CMOS 逻辑兼容。特性保证的导通电阻 RON典型值 2.35 Ω @ 5 V 供电典型值 4.5 Ω @ 3 V 供电通道间 RON 匹配度：≤ 0.3 Ω（最大值）全信号范围 RON 平坦度：≤ 1 Ω（最大值）超低漏电流：@ +25°C 时 ≤ 0.1 nA（保证值）+1.8 V 至 +5.5 V 单电源工作支持 +1.8 V 低压操作RON 典型值 30 Ω（高温下）tON 典型值 30 ns，tOFF 典型值 13 ns支持 V+ 至 GND 全程模拟信号处理TTL/CMOS 逻辑兼容串扰：–78 dB @ 1 MHz关断隔离度：–80 dB @ 1 MHz总谐波失真：0.018%应用领域电池供电设备音频与视频信号路由低压数据采集系统采样保持电路通信电路
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2026/2/28 10:16:52
ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 Ω，因此非常适合要求极低开关失真的应用。其电子元件引脚配置信息如下表：符号/缩写功能说明VDD最高正电源电压GND地（0 V）参考点IDD正电源电流S源极端子，可作为输入或输出D漏极端子，可作为输入或输出IN逻辑控制输入ROND 与 S 之间的欧姆导通电阻ΔRON任意两通道间导通电阻匹配度，即 RON 最大值与最小值之差RFLAT(ON)导通电阻平坦度：在指定模拟信号范围内测得的最大与最小导通电阻之差IS (Off)开关关断时源极漏电流ID, IS (On)开关导通时通道漏电流VD (VS)D、S 端子上的模拟电压VINL逻辑“0”的最大输入电压VINH逻辑“1”的最小输入电压IINL (IINH)数字输入端的输入电流CS (Off)关断状态下源极对地电容CD, CS (On)导通状态下漏极/源极对地电容tON从数字输入50%到90%点至开关完全导通所需延迟时间tOFF从数字输入50%到90%点至开关完全关断所需延迟时间tBBM从一个开关切换至另一个开关时，两个开关均处于80%状态的时间间隔（先断后合时间）Charge Injection电荷注入：开关动作期间从数字输入耦合至模拟输出的毛刺脉冲量Crosstalk串扰：因寄生电容导致从一个通道耦合至另一通道的 unwanted 信号Off Isolation关断隔离度：通过关断开关耦合的 unwanted 信号程度Bandwidth带宽：输出衰减3 dB时的频率On-Response导通响应：开关导通状态下的频率响应Insertion Loss插入损耗：由开关导通电阻引起的信号损失THD + N总谐波失真加噪声：信号中谐波幅度与噪声之和相对于基波的比值
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2026/2/28 10:10:17
ADG419 是一款单片式 CMOS 单刀双掷（SPDT）开关电子元件。该器件基于增强型 LC²MOS 工艺设计，在提供低功耗的同时，具备高开关速度、低导通电阻和低漏电流等优异特性。在整个模拟输入信号范围内，ADG419 的导通电阻曲线非常平坦，确保出色的线性度和低失真。该器件还具有高开关速度和高信号带宽。CMOS 结构使其功耗极低，非常适合便携式设备和电池供电仪器。ADG419 的每个开关在导通状态下均可双向对称导通，其输入信号范围可扩展至电源轨。在关断状态下，即使信号电平达到电源电压，也不会被阻断。ADG419 采用“先断后合”（Break-Before-Make）的开关动作，避免信号短路或冲突。产品亮点1.扩展信号范围ADG419 基于增强型 LC²MOS 工艺制造，支持信号摆幅延伸至电源轨，适用于满幅模拟信号处理。2.超低功耗CMOS 架构确保极低的静态与动态功耗，适合电池供电应用。3.低导通电阻 RON提供低且平坦的导通电阻，减少信号衰减与非线性失真。4.单电源工作对于单极性模拟信号应用，ADG419 可由单一电源轨供电。器件在 +12 V 单电源下完全规格化并保证性能，最低可在 +5 V 单电源下正常工作。
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2026/2/28 9:49:50
ADG704 是一款 CMOS 模拟多路复用器电子元件，包含四个独立通道。该器件基于亚微米工艺设计，在提供低功耗的同时，具备高开关速度、低导通电阻、低漏电流和高带宽等优异特性。在整个模拟信号范围内，其导通电阻（RON）曲线非常平坦，确保在切换音频信号时具有出色的线性度和低失真。快速的开关速度也使其适用于视频信号切换应用。ADG704 可在 +1.8 V 至 +5.5 V 的单电源电压下工作，非常适合用于电池供电设备以及与 Analog Devices 新一代 DAC 和 ADC 配合使用。ADG704 根据 3 位二进制地址线 A0、A1 和使能引脚 EN 的状态，将四路输入中的一路切换至公共输出端 D。当 EN 引脚为逻辑“0”时，器件被禁用。ADG704 的每个开关在导通状态下均能双向对称导通，并采用“先断后合”（Break-Before-Make）的开关动作，避免信号短路或冲突。ADG704 提供 10 引脚 μSOIC 封装。该型号亮点+1.8 V 至 +5.5 V 单电源工作ADG704 性能卓越，且在 +3 V 和 +5 V 电源轨下完全规格化并保证性能。极低导通电阻 RON最大 4.5 Ω @ 5 V最大 8 Ω @ 3 V在 +1.8 V 供电下，整个温度范围内典型值为 35 Ω导通电阻平坦度优异–3 dB 带宽 200 MHz低功耗CMOS 结构确保低功耗运行。快速开关时间 tON/tOFF“先断后合”开关动作10 引脚 μSOIC 封装
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2026/2/28 9:42:26
HMC632LP5(E) 是一款基于 GaAs InGaP 异质结双极晶体管（HBT）技术的单片微波集成电路（MMIC）压控振荡器（VCO）。该器件内部集成了谐振器、负阻器件、变容二极管，并提供半频（Fo/2）和四分频（÷4）输出功能。得益于其单片结构，该 VCO 在温度变化、机械冲击及工艺偏差下仍能保持优异的相位噪声性能。在 +5 V 供电电压下，典型输出功率为 +9 dBm。若不需要预分频器或 RF/2 输出功能，可将其禁用以降低功耗。该电子元件压控振荡器采用无引线 QFN 5×5 mm 表面贴装封装，无需任何外部匹配元件即可正常工作。特征双路输出：基频输出 Fo = 14.25 – 15.65 GHz半频输出 Fo/2 = 7.125 – 7.825 GHz输出功率 Pout：+9 dBm（典型值）相位噪声：@100 kHz 偏移处为 -107 dBc/Hz（典型值）无需外部谐振器封装：32 引脚 5×5 mm 表面贴装（SMT），面积 25 mm²常见应用•点对点/多点无线电•测试设备和工业控制•卫星通信•军事最终用途
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2026/2/27 14:41:10
问：什么是超宽带双向检测器？答：超宽带双向检测器是一种射频（RF）前端电子元件，它能够同时、独立地测量信号路径中正向和反向的功率电平，并通常提供与回波损耗或电压驻波比（VSWR）相关的输出。问：ADL5920检测器有哪些特征？答：ADL5920 是一款超宽带双向检测器，可同时测量信号路径中的正向与反向均方根（rms）功率电平，以及回波损耗。该器件内部集成的双向电桥中传输的正向和反向功率，通过两个 50 dB 线性对数均方根检测器进行测量。检测器输出电压分别从 VRMSF 和 VRMSR 引脚输出，其值与以 dBm 为单位的正向功率和反射功率成比例。第三个差分输出端提供一个与回波损耗（即反射系数，单位为 dB）成比例的电压，该电压紧密关联于电压驻波比（VSWR）。此输出的共模电平可通过 VOCM 引脚外部调节。双向电桥的主传输线（从 RFIN 到 RFOUT，或反之）采用直流耦合设计，允许少量直流偏置电流流经电桥。当用于直流耦合至源端和负载时，ADL5920 的正负电源引脚必须分别连接至 +5 V 和 –2.5 V（相对于 RFIN 和 RFOUT 处的直流电压）。内部检测电路也与双向电桥直流耦合，支持低至 9 kHz 的频率测量。每个射频端口（RFIN 和 RFOUT）的最大输入信号电平为：开路或短路终端：30 dBm匹配终端：33 dBmADL5920 在 5 V 供电下典型功耗为 160 mA，并具备低功耗关断模式，可通过 PWDN/TADJS 引脚控制。该器件采用 32 引脚、5 mm × 5 mm LFCS P 封装，规定工作环境温度范围为 –40°C 至 +85°C。
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2026/2/27 14:35:14
问：如何使用 AD607 配合快速 PRUP 控制信号？答：如果 AD607 电子元件应用于系统中，且其 PRUP 信号（引脚 3）的上升时间小于 35 μs，则偶尔会出现异常行为。该问题具有间歇性，并非每次上电都会发生；在其他正常工作条件下（即 PRUP 信号上升时间大于 35 μs 时），不会出现此问题。PRUP 信号上升过快导致的症状包括：增益偏低、I 或 Q 输出端出现振荡、或 AD607 输出无有效数据。需要注意的是，该问题不会对 AD607 造成永久性损坏，器件在复位后通常可恢复正常工作。幸运的是，解决“快速 PRUP”问题的方法非常简单：只需将 PRUP 信号（引脚 3）的上升沿减缓至大于 35 μs，即可避免异常行为。这可通过一个简单的 RC 电路实现，连接至 PRUP 引脚，其中 R = 4.7 kΩ，C = 1.5 nF。该电路下图所示。AD607 PRUP 信号的正确配置所有包含 AD607 的设计都应加入此电路。请注意，直接将 PRUP 引脚连接到电源电压并不能消除该问题，因为电源电压本身可能具有小于 35 μs 的上升时间。采用上述配置时，4.7 kΩ 串联电阻与 1.5 nF 电容应置于电源与 PRUP 引脚之间，如文中图片所示。
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2026/2/27 14:31:27
AD607 是一款工作电压为 3 V 的低功耗接收机中频（IF）子系统，适用于输入频率高达 500 MHz、中频范围从 400 kHz 至 12 MHz 的应用。它由一个混频器、中频放大器、I/Q 解调器、锁相 quadrature 振荡器以及带外部关断功能的偏置系统组成。AD607 的低噪声、高截点混频器采用双平衡 Gilbert 单元结构。其标称输入 1 dB 压缩点为 –15 dBm，输入三阶交调截点为 –8 dBm。该混频器部分还包含一个本地振荡器（LO）前置放大器，可将所需的 LO 驱动电平降低至 –16 dBm。在手动增益控制（MGC）模式下，AD607 可接受来自外部自动增益控制（AGC）检测器或数模转换器（DAC）的外部增益控制电压输入。I 和 Q 解调器提供同相与正交基带输出，用于 interfacing 与 ADI(亚德诺)公司的 AD7013（IS54, TETRA, MSAT）和 AD7015（GSM）基带转换器。一个锁定于中频的四相 VCO 驱动 I 和 Q 解调器。此外，I 和 Q 解调器也可用于解调 AM 信号——当 AD607 的四相 VCO 锁定于接收信号时，同相解调器即成为同步乘积检波器，用于 AM 解调。VCO 还可锁定于外差拍频振荡器（BFO），此时解调器可作为 CW 或 SSB 接收的乘积检波器。最后，AD607 还可通过外部 Costas 环路实现 BPSK 信号的载波恢复解调。
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2026/2/27 14:27:34
HMC433(E) 是一款低噪声 ÷4 静态分频器，采用 InGaP/GaAs HBT 技术制造，封装于超小型表面贴装 SOT26 塑料封装中。该器件工作频率范围从直流（输入为方波）至 8 GHz，仅需单一 +3 V 直流电源供电。其单端输入与输出设计有助于减少系统元件数量和成本。在 100 kHz 偏移处，该器件具有低至 -150 dBc/Hz 的附加单边带（SSB）相位噪声，有助于用户维持良好的系统噪声性能。具备的特征超低SSB相位噪声：-150 dBc/Hz单端I/O输出功率：-2至-3.5 dBm单直流电源：+3V@53 mA超小型封装：SOT26常见应用•UNII、点对点和甚小孔径终端无线电•802.11a和HiperLAN无线局域网•光纤•蜂窝/3G基础设施
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2026/2/27 14:22:06
当同时使用 ADL5519 的两个通道时，必须考虑隔离问题。需要关注的两种隔离要求是：从一个 RF 通道输入到另一个 RF 通道输入的隔离；从一个 RF 通道输入到另一个通道输出的隔离。在同时使用 ADL5519 的两个通道时，PCB 布局设计中应特别注意将 RF 输入引脚 INHA 和 INHB 相互隔离。电路板上的耦合效应会影响上述两种类型的隔离性能。在大多数应用中，电路设计者可以通过使用温度稳定的耦合器和不同阻值的精密温度稳定衰减器来调整进入 ADL5519 的功率水平。当隔离是关键考量因素时，建议将输入功率调整至接近 ADL5519 在该工作频率下可检测的最低功率电平——因为此时器件对最低可检测功率点的变化最小，有助于均衡两通道信号、降低整体隔离需求，并可能允许在 RF 输入端添加衰减器以进一步减少通道间输入隔离的要求。测量“RF 通道输入 → 另一 RF 通道输入”的隔离度较为直接：只需通过网络分析仪从一个输入端口注入信号，在另一个输入端口测量损耗即可。结果可在数据手册的“规格”部分找到。请注意，在 RF 信号路径中串联添加衰减器会按衰减器的衰减值增加“通道输入→输入”的隔离度。而测量“RF 通道输入 → 另一通道输出”的隔离度则稍复杂一些。ADL5519电子元件数据手册采用的最简单方法是：将一个通道设置为预期最低输入功率（约 –50 dBm）；然后逐步提高另一通道的输入功率，直到低功率通道的输出变化达到 22 mV。由于 –50 dBm 处于探测器的线性区域，22 mV 的输出变化对应于 1 dB 的输出变化。如果两个 RF 通道输入的是相同频率的信号，那么隔离度还取决于送入 ADL5519 的两个 RF 信号之间的相位差。这一关系可通过以下方式演示：在一个 RF 通道输入高功率信号，而在另一通道输入低频偏移的小功率信号。若用示波器观察低功率通道的输出，会看到一...
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2026/2/27 14:16:23
误差计算基础ADL5519对数放大器输入功率与输出电压用于计算斜率（slope）和截距（intercept）值。斜率和截距是通过对 –40 dBm 至 –10 dBm 输入范围内的数据进行线性回归计算得出的。这些参数用于生成一条理想输出线。误差定义为实测输出电压与理想输出线之间的差值，它是衡量器件线性度的一个指标。需要注意的是，针对连续波（CW）波形测得的线性响应误差，并不代表绝对精度，因为它是基于每个器件自身的斜率和截距计算得出的。然而，该误差可用于验证器件的线性度以及调制对器件性能的影响。同样地，在极端温度条件下，“误差”表示输出电压相对于 25°C 理想直线性能的偏差。图表中呈现的数据是在 ADL5519 特性测试过程中观察到的典型误差分布。ADL5519 的脉冲响应时间为上升/下降时间 6 ns / 8 ns。为实现最快响应速度，应尽量减少 OUTA 和 OUTB 引脚上的电容。任何添加到输出引脚的电容都应通过在 CLPA 和 CLPB 引脚上添加等量电容来平衡，以防止输出端出现振铃现象。
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2026/2/27 14:09:45
基本连接ADL5519 电子元器件规定最高工作频率可达 10 GHz。因此，低阻抗电源引脚之间必须具备足够的隔离。应向 VPSA、VPSB 和 VPSR 施加 3.3 V 至 5.5 V 的电源电压。建议在靠近这些电源引脚的位置连接 100 pF 和 0.1 μF 的电源去耦电容（见文中图片）。LFCS P 封装底部的散热焊盘在内部连接到 COMR。为获得最佳热性能和电气性能，应将该焊盘焊接至低阻抗接地平面。输入信号耦合ADL5519 的输入是差分的，但通常以单端方式表征和使用。当以单端模式使用 ADL5519 时，INHA 和 INHB 引脚必须交流耦合，而 INLA 和 INLB 必须直流接地。建议使用的耦合电容为 47 nF、陶瓷 0402 封装电容器，适用于 1 MHz 至 10 GHz 的输入频率。耦合电容应尽量靠近 INHA、INHB 和 INLA、INLB 引脚安装。增大耦合电容值可降低输入级高通截止频率。高通截止角频率由输入耦合电容与内部 10 pF 高旁路电容共同设定。INHA、INHB 和 INLA、INLB 上的直流电压约为比电源电压低一个二极管压降。虽然输入可以进行电抗匹配，但通常不需要严格的电阻匹配。如文中图片所示，在输入耦合电容的信号侧并联一个外部 52.3 Ω 分流电阻，结合相对较低的高频输入阻抗，可在宽频带内实现良好的 50 Ω 匹配。耦合时间常数（50 × Cc / 2）形成一个高通转角频率，其 -3 dB 衰减点为：f_HP = 1 / (2π × 50 × Cc)其中 C1 = C2 = C3 = C4 = Cc。若采用典型值 47 nF，则该高通转角频率约为 -68 kHz。在高频应用中，f_HP 应尽可能大，以最小化不需要的低频信号的耦合。在低频应用中，出于类似原因，可在输入端添加一个简单的 RC 网络...
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2026/2/27 14:05:09
ADL5519 是一款双路解调对数放大器，内部集成两个 AD8317。它可将射频（RF）输入信号精确转换为对应的分贝刻度输出。ADL5519 为两个 RF 测量通道提供精确缩放、相互独立的对数输出电压。该器件还设有两个额外输出端口 OUTP 和 OUTN，用于提供 OUTA 与 OUTB 通道测量值之间的差值。芯片内通道匹配设计使对数放大器输出不受温度和工艺变化的影响。温度传感器引脚提供一个与器件工作温度范围内温度成比例的缩放电压。ADL5519 在 1 MHz 至 8 GHz 频率范围内保持精确的对数 conformity，并可在高达 10 GHz 的频率下有效工作。其 ±3 dB 动态范围典型值为 62 dB，±1 dB 动态范围大于 50 dB（相对于 50 Ω）。该器件响应时间为 6 ns / 8 ns（下降时间/上升时间），支持检测脉冲重复频率高于 50 MHz 的 RF 突发信号。在环境温度变化条件下，该器件提供前所未有的对数截点稳定性。并且该器件供电电压范围为 3.3 V 至 5.5 V。典型功耗为 60 mA，禁用时电流降至低于 1 mA。该器件可同时执行四路对数放大器测量。OUTA 和 OUTB 提供线性-in-dB 测量输出，具有 convenient 的 -22 mV/dB 缩放斜率。OUTA 与 OUTB 之间的对数差值可通过 OUTP 和 OUTN 以差分或单端信号形式输出。施加于 VLVL 引脚的可选电压可为 OUTP 和 OUTN 提供共模参考电平，使其高于地电位。宽带输出引脚可支持多种系统解决方案。ADL5519 的任意输出引脚均可配置为向可变增益放大器（VGA）提供控制电压。设计上特别注重最小化输出引脚的宽带噪声，使其适用于控制器应用。ADL5519 电子元器件主要采用 SiGe 双极 IC 工艺制造，封装为 5 mm ...
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2026/2/27 13:57:33
TA9010K 是一款宽带 GaN 功率晶体管电子元件，可在 20 MHz 至 5.0 GHz 频段内提供 2 W 连续波输出功率。其输入和输出端口可针对目标频段进行匹配，以实现最佳功率与效率。该特罗半导体 GaN 射频晶体管可直接使用 28 V 电源供电，无需额外增加 12 V 电源轨，从而简化功率放大器驱动级的设计。封装方式TA9010K 电子元件采用紧凑、低成本的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 3.0 × 3.0 × 0.75 mm³，共 8 引脚塑料封装。特性2 W GaN 驱动级典型工作电压：28 V频率范围：20 MHz 至 5.0 GHz小信号增益 @ 1000 MHz：20 dBP₃dB 点增益 @ 1000 MHz：15 dBP₃dB 点功率附加效率（PAE）@ 1000 MHz：45%应用领域专用移动与国防无线电设备公共安全手持终端蜂窝网络基础设施卫星终端数据链路系统
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2026/2/27 13:45:51
TS63430D 是一款基于 GaN 技术的全集成 HF/VHF/UHF/L 波段 4 路调谐开关，专为高功率可调天线和滤波器应用设计。特罗半导体的该器件支持从 30 MHz 至 1 GHz 的应用频段，在小封装尺寸下提供低导通电阻（RON）和高线性度。TS63430D 支持 50 W 连续波（CW）功率，峰值电压能力达 100 V，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。TS63430D 采用标准单电源供电 VDD，无需额外负电压或高压。封装类型TS63430D 电子元件封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 6.0 × 3.0 mm²，共 32 引脚塑料封装。特性全集成解决方案，单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V频率范围：30 MHz 至 1000 MHz导通电阻 RON ≈ 0.5 Ω50 W 连续波功率峰值电压 VPEAK = 100 V相比 SOI 技术，无突发电压击穿风险开关时间 = 5.9 μs，无功率降额低功耗，小于 1 mW无需提供负电压应用领域战术无线电可调滤波器天线调谐医疗 – 超声波医疗 – 磁共振成像（MRI）
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2026/2/27 13:40:25
TS63560D 是一款基于 GaN 技术的全集成 HF/VHF/UHF/L 波段 4/5 路调谐开关，专为高功率可调天线和滤波器应用设计。该器件支持从 30 MHz 至 1 GHz 的应用频段，在小封装尺寸下提供低导通电阻（RON）和高线性度。特罗半导体TS63560D 支持 50 W 连续波（CW）功率，峰值电压能力达 100 V，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。TS63560D 采用标准单电源供电 VDD，无需额外负电压或高压。封装类型TS63560D 电子元器件封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 6.0 × 3.0 mm²，共 32 引脚塑料封装。特性全集成解决方案，单电源供电 VDD = 2.6…5.25 V频率范围：30 MHz 至 1000 MHz导通电阻 RON ≈ 0.5 Ω50 W 连续波功率峰值电压 VPEAK = 100 V相比 SOI 技术，无突发电压击穿风险开关时间 = 7.2 μs，无功率降额低功耗，小于 1 mW无需提供负电压常见应用•战术无线电•可调滤波器•天线调谐•医疗-超声波•医学-MRI
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2026/2/27 13:31:40