1.安森美74HC373概述74HC373 的引脚排列与 LS373 完全一致。器件输入端兼容标准 CMOS 输出；外加上拉电阻后，也可与 LSTTL 输出兼容。当锁存使能（Latch Enable）为高电平时，这些锁存器对数据“透明”——输出随输入异步变化；当锁存使能变为低电平后，满足建立与保持时间的数据即被锁存。输出使能（Output Enable）端不影响锁存器的内部状态，但当其为高电平时，所有器件输出均被强制进入高阻态。因此，即使输出未被使能，数据仍可被锁存。HC373A 的功能与 HC573A 完全相同，后者将数据输入端置于封装对面一侧，以方便 PCB 布线。HC373A 是 HC533A 的非反相版本。2.具备的特征•输出驱动能力：15个LSTTL负载•输出直接连接到CMOS、NMOS和TTL•工作电压范围：2.0至6.0 V•低输入电流：1.0 A•CMOS器件的高抗噪特性•符合JEDEC标准7.0 A要求•ESD性能：HBM 2000 V；机器型号200V•芯片复杂度：186个FET或46.5个等效门•这是一个无铅设备3.芯片尺寸图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 9:55:43
1.概述LM4132 系列精密电压基准虽然采用经济型 CMOS 工艺，却能达到与最顶尖的激光修正双极基准相当的性能。其关键在于利用 EEPROM 寄存器，在 CMOS 带隙架构内对曲率、温度系数（tempco）和初始精度进行校正，并可在封装级重新编程，从而克服组装漂移。传统激光修正在芯片塑封后出现的电压精度和温度系数漂移，往往限制了最终精度。与其他 LDO 型基准不同，LM4132 可提供高达 20 mA 的输出电流，无需输出电容，也无需缓冲放大器。加上 SOT-23 小封装，这些优势使其特别适合空间受限的应用。串联型基准的功耗低于并联型，因为空载时无需“闲置”最大可能的负载电流。结合其 60 µA 超低静态电流和 400 mV 低压差特性，LM4132 成为电池供电系统的理想选择。芯片提供 A、B、C、D、E 五个精度等级，灵活度更高：最高等级（A）：初始精度 0.05%，温度系数 ≤10 ppm/°C最低等级（E）：初始精度 0.5%，温度系数 30 ppm/°C2.型号特性输出初始电压精度：0.05 %低温漂：10 ppm/°C低供电电流：60 µA使能引脚支持 3 µA 关断模式输出电流能力：20 mA电压选项标准：1.8 V、2.048 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4.096 V可定制：1.8 V – 4.096 V 范围内任意值输入电压范围VREF + 400 mV 至 5.5 V（负载 10 mA 时）外接电容兼容低 ESR 陶瓷电容，系统更稳定。2.1符合汽车级应用要求已通过 AEC-Q100 认证，主要结果如下：器件温度等级 1：环境温度工作范围 –40 °C 至 +125 °C器件 HBM ESD 分类等级 23.常见应用•仪表和过程控制•测试设备•数据采集系统•基站...
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2026/1/12 10:56:47
1.概述MP8756 是一款全集成、高频率、同步整流的降压型开关电源转换器。它可在宽输入电压范围内提供高达 6 A 的持续输出电流，并具有出色的负载与线性调整率，方案极为紧凑。凭借 MPS 独有的开关损耗降低技术及内部低 Rsub 功率 MOSFET，MP8756 在宽负载电流范围内均能保持高效率。自适应恒定导通时间（COT）控制模式带来快速瞬态响应，并简化环路补偿；DC 自动调谐环路进一步保证良好的负载与线性调整特性。完整的保护功能包括：过流限制、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）及热关断。该转换器所需外部元件极少，采用 QFN-12（2 mm × 3 mm）封装。2.具备的特征4.5V至26V宽工作输入范围输出可从0.6V调节超声波模式（USM）117μA低静态电流6连续输出电流快速瞬态自适应COT直流自动调谐回路POSCAP和陶瓷输出稳定1% 参考电压内部软启动输出放电700kHz开关频率OCP、OVP、UVP（打嗝）和热关机提供QFN-12（2mmx3mm）封装3.常见的应用膝上型计算机平板电脑网络系统个人视频记录器平板电视和显示器分布式电力系统4.芯片封装及引脚配置信息如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:46:15
DS18B20 可通过 VDD 引脚外接电源供电，也可工作于“寄生电源”模式——无需本地外部电源。寄生电源非常适合远程测温或空间极度受限的场合。上图给出了 DS18B20 的寄生电源控制电路：当总线为高电平时，芯片通过 DQ 引脚“窃取” 1-Wire 总线上的能量。窃得的电荷在总线高电平期间为芯片供电，同时部分电荷被储存在寄生电容 Cpp 中，以供总线低电平时使用。采用寄生电源时，VDD 引脚必须接地。在寄生电源模式下，只要满足规定的时序与电压要求，1-Wire 总线与 Cpp 可为 DS18B20 的大部分操作提供足够电流。然而，当芯片正在进行温度转换或将暂存器数据复制到 EEPROM 时，工作电流可达 1.5 mA。该电流会在弱上拉电阻上产生不可接受的压降，也超过 Cpp 的供电能力。为确保 DS18B20 获得足够电流，必须在温度转换或暂存器复制期间对 1-Wire 总线实施“强上拉”。典型做法是用 MOSFET 把总线直接拉到电源轨，如下图所示。必须在主机发出 Convert T [44h] 或 Copy Scratchpad [48h] 命令后 10 µs（最大）内切换到强上拉；强上拉必须持续整个转换时间 tconv 或数据拷贝时间 tWR（10 ms）；强上拉期间，1-Wire 总线上不得进行任何其他操作。DS18B20 也可采用传统方式供电：把外部电源接到 VDD 引脚。如下图所示。优点：无需 MOSFET 强上拉，温度转换期间 1-Wire 总线可自由传输其他数据。高温注意事项当环境温度高于 +100 °C 时，不推荐采用寄生电源，因为高温漏电流增大，可能导致通信失败。若应用可能超过该温度，强烈建议改用外部电源供电。电源类型检测某些情况下，主机不知道总线上的 DS18B20 是寄生供电还是外部供电，而这决定是否需要强上拉。主机可发送：S...
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2026/1/12 10:39:42
DS18B20数字温度计提供9位至12位摄氏温度测量，并具有非易失性用户可编程上下触发点的报警功能。温度测量操作DS18B20 的核心功能是直接输出数字温度的温度传感器。其分辨率可由用户配置为 9、10、11 或 12 位，分别对应 0.5 °C、0.25 °C、0.125 °C 和 0.0625 °C 的温度步进。上电默认分辨率为 12 位。芯片上电后处于低功耗空闲状态。主器件必须发出“转换温度”命令 Convert T [44h] 才能启动温度测量与模数转换。转换结束后，温度数据被存入暂存器中的 2 字节温度寄存器，DS18B20 随即返回空闲状态。若 DS18B20 由外部电源供电，主器件可在 Convert T 命令后发出“读时隙”，芯片会在转换期间回传 0，转换完成后回传 1。若采用寄生电源供电，则无法使用这种通知方式，因为整个转换期间总线必须被强上拉拉高。温度数据格式DS18B20 输出的温度数据以摄氏度为单位已做校准；若需华氏度，必须另行查表或运行转换程序。温度寄存器中的数据为 16 位符号扩展二进制补码（见图）。符号位 S 表示温度正负：S = 0 为正，S = 1 为负。12 位分辨率时，温度寄存器所有位均有效；11 位分辨率时，bit 0 未定义；10 位分辨率时，bit 1 和 bit 0 未定义；9 位分辨率时，bit 2、1、0 未定义。表 1 给出了 12 位分辨率下若干数字输出与对应温度值的示例。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:33:49
MX25L12833F 是一款 128 Mb（16,777,216 × 8）串行 NOR Flash 存储器。当处于双线或四线 I/O 模式时，内部结构分别变为 67,108,864 位 × 2 或 33,554,432 位 × 4。该芯片采用串行外设接口（SPI）及软件协议，在单线 I/O 模式下仅需 3 根信号线即可操作：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。片选信号 CS# 为低时启用对器件的串行访问。双线读模式时，SI、SO 引脚变为 SIO0、SIO1，用于地址/哑元位输入与数据输出。四线读模式时，SI、SO、WP#、RESET#（8 引脚封装）分别变为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3，同样负责地址/哑元位输入与数据输出。MX25L12833F 的 MXSMIO（Serial Multi I/O）接口支持整芯片的连续读取操作。发出编程/擦除命令后，内部自动执行编程/擦除及校验算法，可针对指定页、扇区或块进行操作。编程可按字节、页（256 字节）或字单位执行。擦除可按 4 KB 扇区、32 KB 块、64 KB 块或整片执行。为便于用户使用，芯片内含状态寄存器，可通过读取 WIP（Write-In-Progress）位来查询编程或擦除是否完成。此外，还提供高级安全功能以增强保护与保密性。当 CS# 为高且器件空闲时，自动进入待机模式。MX25L12833F 采用旺宏专有存储单元，可承受 100,000 次编程/擦除循环，仍能可靠保存数据。不同封装下的引脚配置图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:25:07
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。 回拷（Copy Back）操作回拷操作需要两组命令：先下发“回拷读”命令序列（00h-35h），再下发“回拷编程”命令序列（85h-10h）。回拷读（00h-35h）该命令与“回拷编程”配合使用。操作流程：向命令寄存器写入 00h；输入 4 个周期的源页地址；再写入 35h，启动把选中页的数据从存储阵列搬入数据寄存器。命令序列执行完毕且 RY/#BY 返回高电平后，可通过反复拉低 #RE 把数据读出；数据从当初“回拷读”命令指定的列地址开始顺序输出。此时可不限次数地使用“随机数据输出”命令（05h-E0h）调整输出列地址。至此，芯片处于就绪状态，等待接收“回拷编程”命令。回拷编程（85h-10h）“回拷读”完成且 RY/#BY 变高后，即可写入“回拷编程”命令。操作流程：向命令寄存器写入 85h；输入 4 个周期的目标页地址；再写入 10h，内部控制器自动开始把数据编程到新的目标页。编程期间 RY/#BY 保持低电平；也可用“读状态”命令（70h）代替 RY/#BY 检测完成时间。状态寄存器 Bit6=1 时表示就绪，此时 Bit0 指示操作结果：0=成功，1=失败。在“回拷编程”序列中，可插入“随机数据输入”命令（85h）来修改原始数据：先用“回拷读”把源页搬入数据寄存器；再写 85h 并给出需修改的列地址，同时在外部数据线上放置新数据；可多次使用 85h 任意修改；最后写 10h，原始数据与修改后的数据一起被写入目标页。由于回拷过程不经过外部存储器，且源页数据可能已存在位错误，建议在编程前先用可靠的 ECC 算法校验/修正数据。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:18:08
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。编程操作页编程（80h-10h）W29N01HV 的页编程命令必须按块内地址从低页到高页的顺序依次编程，禁止跳序编程。若将一页分区使用，本器件最多允许对同一页进行 4 次部分页编程；之后必须先擦除才能再次编程。注意：不支持在未擦除的情况下对同一位进行多次编程。串行数据输入（80h）页编程操作以向命令寄存器写入“串行数据输入”命令（80h）开始；随后输入 4 个地址周期，再连续写入数据。每个 #WE 周期把串行数据装入数据寄存器。数据输入完成后，向命令寄存器写入“编程”命令（10h）。此时内部写状态控制器自动执行编程与校验算法。编程开始后，可通过监测 RY/#BY 引脚或状态寄存器第 6 位（与 RY/#BY 同步）来判断是否完成。内部阵列编程期间（tPROG 时段）RY/#BY 保持低电平。在页编程过程中，芯片仅响应两条命令：读状态（70h）和复位（FFh）。当器件进入就绪状态后，状态寄存器第 0 位（I/O0）指示编程结果：Bit0 = 0 表示编程成功；Bit0 = 1 表示编程失败。命令寄存器将保持“读状态”模式，直到下发新的命令。随机数据输入（85h）在执行页编程（80h）并已将初始数据装入数据寄存器后，若还需在同一页内补充写入数据，可在下发“编程”命令（10h）之前，使用“随机数据输入”命令（85h）指定新的列地址进行写入。该命令可在同一页内多次使用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:08:44
什么是W29N01HV单层式 (SLC) NAND 型闪存？W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。它特别适用于代码到 RAM 的映射、固态应用，以及语音、视频、文本和照片等媒体数据的存储。该器件在单 2.7 V–3.6 V 电源下工作，活动时电流低至 25 mA，CMOS 待机电流仅 10 µA。整个存储阵列共 138,412,032 字节，划分为 1,024 个可擦除块，每块 135,168 字节。每个块由 64 个可编程页组成，每页 2,112 字节。其中 2,048 字节用于主数据区，另外 64 字节为备用区（通常用于差错管理功能）。W29N01HV 采用标准 NAND Flash 接口，通过复用的 8 位总线传输数据、地址和命令。五条控制信号线——CLE、ALE、#CE、#RE 和 #WE——完成总线协议控制。此外，器件还提供 #WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙）两个信号引脚，用于监测芯片状态。2.具备哪些功能？基本特性–密度：1Gbit（单芯片解决方案）–Vcc：2.7V至3.6V–总线宽度：x8–工作温度工业：-40°C至85°C单层电池（SLC）技术。组织–密度：1G位/128M字节–页面大小2,112字节（2048+64字节）–块大小64 页面（128K+4K字节）最高性能–读取性能（最大值）随机阅读：25us顺序读取周期：25ns–写入擦除性能页面编程时间：250us（典型值）块擦除时间：2ms（典型值）–耐久性100000擦除/程序循环（1）–10年数据保留期指令集–标准NAND命令集–额外的指挥支持复制回最低功耗–读数：25mA（典型值3V），–编程/擦除：25mA（典型3V），–CMOS待机：10uA（典型值）空间高效包装–48针标准T...
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2026/1/12 9:45:20
上图是AD9979的典型应用。CCD输出由AD9979的模拟前端（AFE）电路处理，该电路包括相关双采样（CDS）、可变增益放大器（VGA）、黑电平钳位和ADC。数字化后的像素数据被送至数字图像处理器芯片，进行后期处理与压缩。为使CCD正常工作，系统ASIC通过3线串行接口将所有CCD时序参数写入AD9979。AD9979以图像处理器或外部晶振提供的系统主时钟CLI为基准，产生CCD所需的水平时钟以及内部AFE的所有时钟。AD9979的所有时钟均与VD和HD输入同步。其所有水平脉冲（CLPOB、PBLK和HBLK）均由内部编程并生成。AD9979内部集成了H1～H4及RG的H驱动器，因此这些时钟可直接连接至CCD。AD9979支持3 V的H驱动电压。下图给出了AD9979的最大水平与垂直计数器尺寸。这些计数器控制所有内部水平与垂直时钟，用于指定行与像素位置。最大HD长度为每行8191像素，最大VD长度为每帧8192行。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 11:00:55
1.概述AD9979 是一款专为高速数字摄像机应用而设计的高度集成 CCD 信号处理器。其像素速率最高达 65 MHz，内部集成完整的模拟前端（含模数转换）和可编程时序驱动器。Precision Timing™ 内核可在 65 MHz 工作时，以约 240 ps 的分辨率精细调整高速时钟。模拟前端包含黑电平钳位、相关双采样（CDS）、可变增益放大器（VGA）以及一片 65 MSPS、14 位模数转换器（ADC）。时序驱动器提供 CCD 所需的高速时钟驱动信号（RG、HL 及 H1～H4）。全部功能通过 3 线串行接口进行配置。AD9979 采用节省空间的 7 mm × 7 mm、48 引脚 LFCSP 封装，工作温度范围为 −25°C 至 +85°C。2.具备的特征1.8V模拟和数字核心电源电压具有-3 dB、0 dB、+3 dB和+6 dB增益的相关双采样器（CDS）6 dB至42 dB 10位可变增益放大器（VGA）14位65 MHz模数转换器带可变液位控制的黑色液位夹完整的片上定时发生器Precision Timing™内核，分辨率为240 ps，工作频率为65 MHz片上3V水平和RG驱动器用于快门和系统支持的通用输出（GPO）7毫米×7毫米，48导联LFCSP内部LDO稳压器电路3.常见应用专业高清摄像机专业/高端数码相机广播摄像机工业高速摄像机4.引脚配置信息如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:53:02
应用信息 - 评估板HMC470A 采用 4 层评估板设计。每层铜箔厚度为 0.5 oz（0.7 mil）。顶层介质材料为 10 mil 厚的 Rogers RO4350，以实现最佳高频性能；中间层和底层介质材料为 FR-4 类型，使整块板总厚度达到 62 mil。射频（RF）与直流（DC）走线布置在顶层铜箔上。底层和中间层为完整地平面，为射频传输线提供稳固的接地参考。射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，线宽 16 mil，地间距 13 mil，特性阻抗为 50 Ω。为加强射频与热接地，在传输线周围及封装裸露焊盘下方尽可能多地布置了金属化过孔。上图展示了已装配的 HMC470A 评估板顶视图。评估板通过 2×6 针排针 J3 接地。电源与数字控制引脚也连接至 J3。电源走线上放置了 1 nF 去耦电容，用于滤除高频噪声。RF1 与 RF2 端口通过 50 Ω 传输线分别连接至 SMA 连接器 J1 和 J2。RF1 与 RF2 端口通过外部 330 pF 电容实现交流耦合。一条直通（thru）校准线连接 J9 与 J10，该传输线用于在不同环境条件下测量 PCB 的损耗。ACG 引脚通过 330 pF 电容接地。下图与表分别给出了评估板的电路原理图与材料清单（BOM）。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:51:04
AD688 专为对温度性能要求极高的精密基准应用而设计。通过全面的温度测试，确保器件在整个工作温度范围内保持其高性能水平。下图展示了典型的输出电压漂移情况，并说明了测试方法。图中的矩形框左右边界为工作温度极限，上下边界为在整个工作温度范围内测得的 +10 V 输出误差电压的最大值与最小值。针对 +10 V 和 -10 V 输出所绘制的对角线斜率，决定了器件的性能等级。每一颗 AD688A 和 B 级器件均在 -40°C、-25°C、0°C、+25°C、+50°C、+70°C 和 +85°C 下进行测试。该方法确保在指定温度范围内，输出电压随温度变化而产生的波动被限制在一个矩形框内，其对角线斜率等于最大指定漂移值。该框在纵轴上的位置会因器件的初始误差及曲线形状不同而有所变化。下图中给出了对应温度范围内该框的最大高度。要复现这些测试结果，测试系统必须具备高精度与稳定的温控能力。对 AD688 的评估将产生与上图类似的曲线，但具体输出读数可能会因测试方法和所用设备的不同而有所差异。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:43:18
AD688是一款高精度±10V跟踪基准。低跟踪误差、低初始误差和低温度漂移使AD688具有以前单片形式无法获得的参考绝对±10 V精度性能。AD688使用专有的离子注入埋入式齐纳二极管，并对高稳定性薄膜电阻器进行激光晶片漂移微调，以提供出色的性能。其工作原理如下所示：工作原理AD688 由一个埋入式齐纳二极管基准源、放大器及相关薄膜电阻组成，如图所示。温度补偿电路使器件的温度系数达到 1.5 ppm/°C 或更低。放大器 A1 具有多种功能。其主要作用是将齐纳电压放大至所需的 20 V。此外，A1 还通过引脚5（GAIN ADJ）支持对 20 V 输出的外部调节。利用齐纳输出与 A1 同相输入之间的偏置补偿电阻，可在降噪引脚（引脚7）处接入一个电容，构成低通滤波器，从而降低齐纳噪声对电路的影响。两个匹配的 12 kΩ 标称薄膜电阻（R4 和 R5）将 20 V 输出分压为一半。放大器 A2 提供电路的接地检测功能。其同相输入端（引脚9）检测系统接地，并强制使 R4 与 R5 的中点成为虚拟地。引脚12（BAL ADJ）可用于对该中点进行精细调节。放大器 A3 和 A4 为内部补偿型，用于缓冲引脚6和引脚8上的电压，并提供完整的开尔文输出。因此，AD688 具备完整的开尔文能力，能够检测系统接地，并提供以该地为参考的强制与检测输出。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:39:03
同步功能（仅 MSOP 封装）低纹波 Burst Mode：将 SYNC 脚电压拉至 0.4 V（可直接接地或逻辑低电平）。外部时钟同步：在 SYNC 脚输入占空比 20 %–80 % 的方波，波谷 0.9 V、波峰 2.7 V（最高 5 V）。此时 LT8608 不会进入 Burst Mode，而是在轻载时通过“跳脉冲”维持稳压。可同步范围：200 kHz – 2.2 MHz。RT 电阻必须按“最低同步频率”或更低来设定开关频率。例如同步信号最低 500 kHz，则 RT 应设 500 kHz。斜率补偿量由 RT 决定；只要电感量足够大，能在 RT 设定频率下避免次谐波振荡，则在整个同步频段内斜补都足够。跳脉冲模式某些应用需要“跳脉冲”而非 Burst Mode，两者主要区别：时钟持续运行，所有开关周期都与时钟对齐；在更低负载下即可达到满开关频率（见图 2）。代价是静态电流增大。启用方法：将 SYNC 脚悬空即可。扩频模式如需进一步降低 EMI，可启用扩频调制：工作方式类似跳脉冲，但开关频率被 3 kHz 三角波调制；以 RT 设定频率为下限，向上调制约 +20 %；启用方法：SYNC 接 INTVcc 或外加 3.2 V–5 V 电压。注意：LT8608 不会进入强制连续模式，且不同封装默认模式固定：LT8608 DFN：仅支持 Burst Mode，无法跳脉冲；LT8608B DFN：仅支持跳脉冲，无法 Burst Mode。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/8 14:56:15
LT8608是一款紧凑型高效率、高速同步单芯片降压型开关稳压器，瞬态电流功耗仅为1.7µA。其引脚功能如下所示：引脚配置图引脚功能BST为顶侧功率开关提供高于输入电压的驱动电压。务必在 IC 旁边就近放置 0.1 µF 自举电容，且禁止在该脚串联电阻。SW内部功率开关的输出节点。接电感和自举电容，PCB 上该节点面积应尽量小，以保证性能。INTVcc内部 3.5 V 稳压器旁路脚。内部功率驱动及控制电路均由此供电，最大输出电流 20 mA；电压范围 2.8 V–3.5 V。须用 ≥1 µF 低 ESR 陶瓷电容旁路到功率地，禁止外接负载。RT在该脚与地之间接电阻设定开关频率。如需外部同步，电阻值应使 LT8608 频率 ≤ 最低同步输入频率。SYNC（仅 MSOP 封装）外部时钟同步输入。接地：轻载低纹波 Burst Mode；接时钟：同步至外部频率；悬空：无扩频的跳脉冲模式；接 INTVcc 或 3.2 V–5 V：带扩频的跳脉冲模式（此时静态电流升至数 mA）。DFN 封装无此脚：LT8608 DFN 内部将 SYNC 接地；LT8608B DFN 内部悬空。FBLT8608 以 0.778 V 为基准稳压。将反馈分压器抽头接至此脚。TR/SS（仅 MSOP 封装）输出跟踪与软启动脚。TR/SS 0.778 V 时，芯片强制 FB 等于 TR/SS 电压，实现跟踪；TR/SS 0.778 V 后，跟踪关闭，内部基准接管误差放大器。内部 2 µA 上拉电流（来自 INTVcc）可供外接电容设定输出电压爬升速率。关断或故障时，内部 300 Ω MOSFET 将其拉低；若由低阻抗源驱动，需串电阻。DFN 封装无此脚，内部悬空。PG电源良好开漏输出。当 FB 电压进入最终稳压值 ±8.5 % 以内且无故障时，PG 变高；只要...
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2026/1/8 14:50:39
MAX2871 可通过 3 线 SPI（CLK、DATA、LE）完成写操作，见图 1；读操作时，除上述 3 脚外，再借助 MUX 脚读取寄存器 0x06，见图 2。芯片内部共 6 个“仅写”32 位寄存器和 1 个“只读”32 位寄存器。每帧 32 位：高 29 位为数据，最低 3 位为寄存器地址。数据 MSB 在前，经 4 线 SPI 载入。时序：LE = 0 期间，DATA 电平在 CLK 上升沿移入移位寄存器；LE 上升沿，29 位数据被锁存到地址指定的寄存器。上电后必须完整写一遍所有寄存器，且建议连续写两次，两次之间至少间隔 20 ms：第一次写确保芯片使能；第二次写启动 VCO 自动选择过程。建议在上述过程中先关闭输出，完成后再通过 RFA_EN、RFB_EN 开启输出。“干净时钟”上电配置顺序（推荐）写寄存器 5（地址 0x05），等待 20 ms写寄存器 4（地址 0x04），bit5 和 bit8 置 0，保持 RFOUT 关闭写寄存器 3（地址 0x03）写寄存器 2（地址 0x02）写寄存器 1（地址 0x01）写寄存器 0（地址 0x00）再次写寄存器 5（地址 0x05）如需开启 RFOUT：在寄存器 4（地址 0x04）里把 bit5 和 bit8 置 1 即可。寄存器写入顺序必须为：0x05 → 0x04 → 0x03 → 0x02 → 0x01 → 0x00其中若干位采用“双缓冲”结构，只有按上述顺序完成写操作后，所有设置才会在同一时刻生效，详见各寄存器描述。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/8 14:37:32
1.概述MAX2871 是一款超宽带锁相环（PLL），内部集成多个压控振荡器（VCO），可工作于整数-N 与分数-N 两种模式。配合外部参考源和环路滤波器，即可构成高性能频率合成器，可在 23.5 MHz 至 6.0 GHz 范围内合成任意频率，并保持出色的相位噪声与杂散性能。器件通过多组覆盖 3000 MHz–6000 MHz 的内置 VCO，以及 1–128 级的输出分频器，实现超宽频率范围。芯片还提供两路差分输出驱动器，可独立编程，输出 –1 dBm 至 +8 dBm 的差分功率；两路均可通过软件或硬件控制静音。MAX2871 采用 4 线串行接口控制，兼容 1.8 V 逻辑电平。封装为 5 mm × 5 mm、32 引脚、无铅且符合 RoHS 的 TQFN，工作温度范围 –40 °C 至 +85 °C。相比 MAX2870，MAX2871 在功能、相位噪声等方面均有提升，且引脚与软件完全兼容。2.优势与特性输出二进制缓冲器/分频器扩展频率范围· 分频比：1/2/4/8/16/32/64/128· 覆盖 23.5 MHz – 6000 MHz高性能鉴相鉴频器（PFD）与参考频率降低频谱噪声· PFD 最高 140 MHz· 参考频率最高 210 MHz归一化带内相位噪声仅 –230 dBc/Hz，显著降低系统噪底贡献支持手动/自动 VCO 选择，实现快速切换输出相位复位与微调功能，便于多合成器同步集成 7 位 ADC 的温度传感器，确保最佳 VCO 选择周期滑步抑制与快速锁定功能，提升精度并缩短捕获时间整个温度范围内保持 VCO 锁定，实现无 glitch 运行双路差分可编程输出，最大化应用灵活性3.常见应用无线基础设施测试与测量时钟生成微波无线电4.引脚配置图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿...
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2026/1/8 14:28:51